JP2015046339A - セラミックメタルハライドランプの製造方法及びセラミックメタルハライドランプ - Google Patents
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酸化ケイ素の含有量をX(SiO2)mol%、酸化ジスプロシウムの含有量をX(Dy2O3)mol%、酸化アルミニウムの含有量をX(Al2O3)mol%とするとき、前記酸化ケイ素の含有量をX(SiO2)=37〜51mol%とし、X(SiO2)+X(Dy2O3)+X(Al2O3)=100mol%(ただしX(Dy2O3)≧5mol%かつX(Al2O3)≧10mol%)となるように、酸化ケイ素、酸化ジスプロシウム、及び、酸化アルミニウムを混合してスラリーを生成する工程と、
該スラリーをスプレードライヤによって造粒し、粒径分布の最頻値が106〜180μmの間にあり、且つ、粒子径63μm以下の粒子の含有比率が16重量%以下となるように、酸化ケイ素、酸化ジスプロシウム、及び、酸化アルミニウムを含むフリットを形成する工程と、
前記フリットを成形し、焼成することによってフリット成形体を形成する工程と、
電極システムを放電容器の細管部に挿入し、前記細管部の端面に前記フリット成形体を装着する工程と、
前記フリット成形体を加熱することによって前記フリットを溶融させて前記細管部と前記電極システムの間の隙間に侵入させる加熱工程と、
前記溶融したフリットを冷却することによって固化させて前記細管部と前記電極システムの間に樹枝状結晶を含む封止材によるシール部を形成する冷却工程と、
を有する。
前記細管部には前記放電容器を密封するためにシール部が形成されており、該シール部は、前記細管部と前記電流供給導体の間の隙間に装填された封止材を有し、該封止材は樹枝状結晶を含む。
前記電流供給導体は耐ハロゲン性中間材と導電性サーメット棒を含み、前記シール部の長さは、前記細管部内に挿入された前記導電性サーメット棒の長さより長くてよい。
前記電流供給導体は導電性サーメット棒を含み、前記シール部において、前記導電性サーメット棒と前記封止材の界面に反応生成物層が形成されてよい。
さらに好ましくは、酸化ジスプロシウムの含有量X(Dy2O3)を28〜37mol%とし、残余を酸化アルミニウムAl2O3とするか、酸化アルミニウムAl2O3の含有量X(Al2O3)を38〜47mol%とし、残余を酸化ジスプロシウムDy2O3とするのがよい。
(a)通常、封止温度は1500から1700℃であるが、シール部におけるシール不良又はシール不足を回避するために、封止温度を1600℃に設定する。少なくとも、1600℃で十分な流動性を確保するには、フリット単体の融点を1400℃程度にする必要がある。そこで、酸化ケイ素SiO2の含有量X(SiO2)を37〜51mol%とした。
Claims (6)
- 発光部と細管部を有する放電容器を備えたセラミックメタルハライドランプの製造方法において、
酸化ケイ素の含有量をX(SiO2)mol%、酸化ジスプロシウムの含有量をX(Dy2O3)mol%、酸化アルミニウムの含有量をX(Al2O3)mol%とするとき、前記酸化ケイ素の含有量をX(SiO2)=37〜51mol%とし、X(SiO2)+X(Dy2O3)+X(Al2O3)=100mol%(ただしX(Dy2O3)≧5mol%かつX(Al2O3)≧10mol%)となるように、酸化ケイ素、酸化ジスプロシウム、及び、酸化アルミニウムを混合してスラリーを生成する工程と、
該スラリーをスプレードライヤによって造粒し、粒径分布の最頻値が106〜180μmの間にあり、且つ、粒子径63μm以下の粒子の含有比率が16重量%以下となるように、酸化ケイ素、酸化ジスプロシウム、及び、酸化アルミニウムを含むフリットを形成する工程と、
前記フリットを成形し、焼成することによってフリット成形体を形成する工程と、
電極システムを放電容器の細管部に挿入し、前記細管部の端面に前記フリット成形体を装着する工程と、
前記フリット成形体を加熱することによって前記フリットを溶融させて前記細管部と前記電極システムの間の隙間に侵入させる加熱工程と、
前記溶融したフリットを冷却することによって固化させて前記細管部と前記電極システムの間に樹枝状結晶を含む封止材によるシール部を形成する冷却工程と、
を有するセラミックメタルハライドランプの製造方法。 - 請求項1記載のセラミックメタルハライドランプの製造方法において、
前記酸化ジスプロシウムの含有量はX(Dy2O3)=28〜37mol%であることを特徴とするセラミックメタルハライドランプの製造方法。 - 請求項1又は2記載のセラミックメタルハライドランプの製造方法において、
前記酸化アルミニウムの含有量はX(Al2O3)=38〜47mol%であることを特徴とするセラミックメタルハライドランプの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載のセラミックメタルハライドランプの製造方法において、
前記冷却工程では、前記加熱工程の設定温度から1100℃まで8.3℃/sec以下の冷却速度にて温度下降させることを特徴とするセラミックメタルハライドランプの製造方法。 - 透光性外管と、該外管の内部に配置され発光部と該発光部の両側の細管部を有する放電容器と、該放電容器の細管部の各々に装着された電極システムと、を有し、前記電極システムは、タングステン電極、電流供給導体、及び、リード線を有するように構成されたメタルハライドランプにおいて、
請求項1から4のいずれか1項の方法によって形成されたことを特徴とするセラミックメタルハライドランプ。 - 請求項5記載のセラミックメタルハライドランプにおいて、
前記電流供給導体は耐ハロゲン性中間材と導電性サーメット棒を含み、前記シール部の長さは、前記細管部内に挿入された前記導電性サーメット棒の長さより長いことを特徴とするるセラミックメタルハライドランプ。
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JP2008108690A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Toto Ltd | セラミック発光管用封止ガラス及びそれを用いたセラミック放電ランプ |
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