KR20220013899A - 쇼트 아크형 방전 램프 - Google Patents

Abstract

[과제] 발광관의 내부에 한 쌍의 전극이 대향하여 배치되고, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽의 전극의 외표면에 피막이 형성되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 방열성이 우수하고, 또한 발광관 내벽의 흑화가 저감된, 장수명의 쇼트 아크형 방전 램프를 제공한다.
[해결 수단] 발광관의 내부에 한 쌍의 전극이 대향하여 배치되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 한 쌍의 전극은 텅스텐을 포함하여 형성되고, 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽의 전극의 외표면에는, 세라믹스를 포함하는 피막이 형성되어 있고, 피막의 외표면의 일부에 텅스텐의 입자가 부착되어 있다.

Description

쇼트 아크형 방전 램프{SHORT ARC TYPE DISCHARGE LAMP}

본 발명은, 쇼트 아크형 방전 램프에 관한 것이다.

예를 들면 반도체 소자, 액정 표시 소자 등의 제조 공정에 이용되는 노광 장치나, 여러 가지의 영사기에 있어서는, 광원으로서 쇼트 아크형 방전 램프(이하, 간단히 「램프」라고도 한다)가 이용되고 있다. 이 쇼트 아크형 방전 램프는, 발광관 내에 양극 및 음극이 서로 대향하여 배치됨과 더불어, 당해 발광관 내에, 수은, 크세논 가스 등의 발광 물질이 봉입되어 구성되어 있다.

이러한 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서는, 점등 시에 양극에 가해지는 열적 부하가 높기 때문에, 양극의 과열 등에 기인하는 전극 재료의 증발이 발생하고, 이 증발물이 발광관의 내벽에 부착되어 광 투과율이 저하하는, 이른바 흑화가 발생하는 것이 알려져 있다.

이러한 문제를 해결하기 위해, 전극 표면에 방열층을 형성하여 전극의 온도 상승을 억제하는 기술이 알려져 있고, 하기 특허 문헌 1에는 전극의 선단 근방을 제외한 외표면에 금속의 산화물을 적어도 1종 포함하는 방열층이 형성되어 있는 램프가 개시되어 있다.

일본국 특허공개 2004-259639호 공보

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 램프와 같이, 전극의 온도 상승을 적절히 억제했다고 해도, 전극 재료의 증발이 없어지는 것은 아니며, 조금씩 전극 재료인 텅스텐은 증발하고, 발광관의 내벽은 흑화해 간다. 근년, 보다 장수명의 램프가 요구되고 있어, 발광관 내벽의 흑화의 저감이라는 과제에 대해서는, 가일층의 개선을 필요로 하고 있다.

본 발명은, 상기의 과제를 감안하여, 발광관의 내부에 한 쌍의 전극이 대향하여 배치되고, 상기 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽의 전극의 외표면에 피막이 형성되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 방열성이 우수하고, 또한 발광관 내벽의 흑화가 저감된, 장수명의 쇼트 아크형 방전 램프를 제공하는 것에 있다.

본 발명에 따른 쇼트 아크형 방전 램프는, 발광관의 내부에 한 쌍의 전극이 대향하여 배치되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서,

상기 한 쌍의 전극은 텅스텐을 포함하여 형성되고,

상기 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽의 전극의 외표면에는, 세라믹스를 포함하는 피막이 형성되어 있고, 상기 피막의 외표면의 일부에 텅스텐의 입자가 부착되어 있는 것이다.

이 구성에 의하면, 전극의 외표면에는, 세라믹스를 포함하는 피막이 형성되어 있기 때문에, 방사성이 우수하다. 또, 피막의 외표면의 일부에는 텅스텐의 입자가 부착되어 있기 때문에, 램프의 점등 중에 전극으로부터 증발한 텅스텐이, 피막의 외표면 상의 텅스텐의 입자에 부착된다. 즉, 전극으로부터 증발한 텅스텐 중, 대류에 의해 발광관 내벽에 도달하는 텅스텐의 양이 줄어, 흑화량이 적게 된다. 따라서, 본 발명의 쇼트 아크형 방전 램프는, 방열성이 우수하고, 또한 발광관 내벽의 흑화가 적으며 장수명이다.

본 발명의 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 점등 자세가 수직 방향이며, 상기 한 쌍의 전극 중 상방에 위치하는 전극의 외표면에, 세라믹스를 포함하는 피막이 형성되어 있고, 상기 피막의 외표면의 일부에 텅스텐의 입자가 부착되어 있다는 구성이어도 된다.

이 구성에 의하면, 전극으로부터 증발한 텅스텐이, 상기 한 쌍의 전극 중 상방에 위치하는 전극의 피막의 외표면 상의 텅스텐의 입자에 부착되기 때문에, 대류에 의해 발광관 내벽에 도달하는 텅스텐의 양을 보다 효율적으로 줄일 수 있다.

본 발명의 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 상기 상방에 위치하는 전극이 양극이라는 구성이어도 된다.

이 구성에 의하면, 전극으로부터 증발한 텅스텐이, 음극보다 표면적이 큰 양극의 피막의 외표면 상의 텅스텐의 입자에 부착되기 때문에, 대류에 의해 발광관 내벽에 도달하는 텅스텐의 양을 보다 효율적으로 줄일 수 있다.

본 발명의 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 상기 피막의 외표면에 대한 상기 텅스텐의 입자의 피복률은 3%~40%라는 구성이어도 된다.

이 구성에 의하면, 피막에 의한 우수한 방사성을 확보하면서, 전극으로부터 증발한 텅스텐이 피막의 외표면 상의 텅스텐의 입자에 효율적으로 부착된다. 또한, 여기서 말하는 「피복률」이란, 예를 들면 피막의 면적에 대한 텅스텐의 입자의 총면적의 비율을 이용할 수 있다.

본 발명의 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서, 상기 세라믹스는, 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 붕화물, 금속 규화물, 및 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함한다는 구성이어도 된다.

이 구성에 의하면, 피막은 고복사막으로서 우수한 방사성을 발휘할 수 있다.

도 1은, 본 실시형태에 따른 쇼트 아크형 방전 램프의 구성을 나타낸 설명도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 쇼트 아크형 방전 램프의 P 영역 확대도이다.
도 3a는, 양극의 외표면의 확대도(표면의 도면)이다.
도 3b는, 양극의 외표면의 확대도(단면의 도면)이다.
도 3c는, 양극의 외표면의 확대 사진(SEM 상)이다.
도 4는, 전극에 포함되는 텅스텐의 증발, 발광관 내벽으로의 부착에 관한 설명도이다.

본 발명에 따른 쇼트 아크형 방전 램프의 실시형태에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 각 도면은 모식적으로 도시된 것이며, 도면 상의 치수비는 반드시 실제의 치수비와 일치하고 있지 않고, 각 도면 간에 있어서도 치수비는 반드시 일치하고 있지 않다.

이하에 있어서, XYZ 좌표계를 적절히 참조하여 설명된다. 또, 본 명세서에 있어서, 방향을 표현할 때에, 양음의 방향을 구별하는 경우에는, 「＋X방향」, 「-X방향」과 같이, 양음의 부호를 부여하여 기재된다. 또, 양음의 방향을 구별하지 않고 방향을 표현하는 경우에는, 단순히 「X방향」으로 기재된다. 즉, 본 명세서에 있어서, 단순히 「X방향」으로 기재되어 있는 경우에는, 「＋X방향」과 「-X방향」 쌍방이 포함된다. Y방향 및 Z방향에 대해서도 마찬가지이다.

도 1은, 본 실시형태에 따른 쇼트 아크형 방전 램프의 구성을 나타내는 설명도이다. 쇼트 아크형 방전 램프(100)(이하, 「램프(100)」라고 한다)는, 발광관(1)과, 발광관(1)의 내부에 대향 배치된 양극(2) 및 음극(3)과, 양극(2) 및 음극(3)을 지지하는 리드봉(4)을 구비한다.

본 실시형태의 램프(100)는, 반도체 소자, 액정 표시 소자 등의 제조 공정에서 사용되는 노광 장치 등에 있어서 이용되는 대형의 램프이며, 예를 들면 정격 전력이 2kW~35kW이다.

발광관(1)은, 유리관의 중앙을 불룩하게 하여 형성된다. 발광관(1)은, X방향의 양단으로부터, 각각 중앙을 향함에 따라, 그 내경이 커지는 유리관의 영역이다. 발광관(1)의 외형은, 구체 또는 타원 구체이다.

발광관(1)은, 발광관(1)의 X방향의 양단으로부터 각각 반대 방향으로 연속하여 연장되는 한 쌍의 봉지관부(11)를 갖는다. 발광관(1)은, 봉지관부(11)와 더불어 예를 들면 석영 유리에 의해 일체로서 형성된다. 한 쌍의 봉지관부(11)가 각각 갖는 중심축은 서로 겹치며, 도 1의 축(X1)으로 나타내어진다.

발광관(1)의 내부에는, 발광 공간(S1)이 형성된다. 발광 공간(S1)에는, 수은 등의 발광 물질 외에, 아르곤 가스나 크세논 가스 등의 시동 보조용 버퍼 가스가 적절히 봉입되어 있다.

발광관(1)의 내부에는, 양극(2) 및 음극(3)이 X방향으로 서로 대향하여 배치되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 쇼트 아크형 방전 램프란, 양극(2)과 음극(3)이 40mm 이하의 간격(열팽창을 하고 있지 않은 상온시의 값)을 두고, 서로 대향 배치되는 방전 램프이다. 본 실시형태에 있어서, 양극(2)은 텅스텐, 음극(3)은 토륨 텅스텐으로 형성되어 있다.

리드봉(4)은, 양극(2) 및 음극(3)에 접속되고, 봉지관부(11) 내에서 X방향으로 연장된다. 양극(2) 및 음극(3)은, 리드봉(4)의 선단에 고정되어 있다. 리드봉(4)의 중심축은, 축(X1)과 겹치면 된다. 리드봉(4)에는, 고융점 금속, 예를 들면 텅스텐을 포함하는 재료가 사용된다.

꼭지쇠(7)는, 봉지관부(11)의 양극(2) 및 음극(3)으로부터 멀어지는 측을 덮는다. 꼭지쇠(7)는, 리드봉(4)에 전기적으로 접속된다.

도 2는, 도 1에 나타내는 램프(100)의 P 영역 확대도이다. 양극(2)의 외표면에는, 세라믹스를 포함하는 피막(5)이 형성되어 있다. 여기서, 양극(2)의 외표면이란, 음극(3)에 대향하는 선단면(2a)을 제외한 외표면이다. 양극(2)의 선단면(2a)은, 램프(100)의 점등 시에 피막(5)의 융점 이상으로까지 온도가 상승하는 경우가 있기 때문에, 본 실시형태에 있어서는 양극(2)의 선단면(2a)에는 피막(5)을 형성하고 있지 않다. 본 실시형태에서는, 양극(2)의 외표면 중, 축(X1)을 중심으로 한 원기둥 형상의 몸통부의 외주면(2b)에 피막(5)이 형성되어 있는데, 외주면(2b)과 선단면(2a) 사이에 위치하는 테이퍼면(2c)에도 피막(5)을 형성해도 무방하다. 또한, 양극(2)의 외주면(2b)의 ＋X 측에 위치하는 후부 테이퍼면(2d)에 피막(5)을 형성해도 무방하다.

피막(5)의 재료로서는, 융점, 증기압, 방사율, 열팽창률 등이 중요해진다. 양극(2)의 온도를 내리기 위해서는, 피막(5)은, 방열량이 많아지도록 방사율이 높은 재료로 구성되는 것이 바람직하다.

피막(5)은, 세라믹스를 포함한다. 이 세라믹스는, 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 붕화물, 금속 규화물, 및 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함한다. 피막(5)의 재료는, 융점이 2000℃ 이상인 재료를 적절하게 사용할 수 있고, 예를 들면 산화알루미늄, 산화지르코늄, 탄화지르코늄, 붕화지르코늄, 규화탄탈럼, 질화 지르코늄을 들 수 있다.

피막(5)의 형성은, 예를 들면, 피막(5)을 구성하는 재료의 입자(예를 들면, 입경 10μm 이하의 산화지르코늄의 입자)를 용매(예를 들면, 니트로셀루로오스와 아세트산부틸로 이루어지는 용매)에 분산시키고, 이것을 양극(2)의 외주면(2b)에 붓으로 도포하고, 150℃로 30분간 건조한 후, 진공 분위기 중에서 1900℃, 120분의 열처리를 행함으로써 행해진다. 피막(5)의 막두께는, 5μm 이상 200μm 이하인 것이 바람직하다. 피막(5)의 막두께가 얇으면 충분한 방사율을 얻을 수 없고, 두꺼우면 벗겨지기 쉬워진다.

도 3a, b는, 양극(2)의 외표면의 확대도이고, 도 3a가 표면, 도 3b가 단면의 도면이다. 또, 도 3c는, 양극(2)의 외표면의 확대 사진(SEM 상)이다.

도 3b, c에 나타내는 바와 같이, 텅스텐으로 구성된 양극(2)의 외표면에는, 피막(5)이 형성되어 있고, 피막(5)의 외표면의 일부에는, 텅스텐 입자(W)가 부착되어 있다. 텅스텐 입자(W)는, 도 3a에 흰 반점으로서 나타내어져 있고, 피막(5)의 외표면의 일부를 덮도록 점재하고 있다. 텅스텐 입자(W)의 입경은, 0.1μm~10μm이다.

피막(5)의 외표면에 대한 텅스텐 입자(W)의 피복률은 3%~40%인 것이 바람직하다. 여기서의 피복률은, 피막(5)의 면적에 대한 텅스텐 입자(W)의 총면적의 비율이다.

텅스텐 입자(W)는, 진공 증착에 의해 피막(5)의 외표면에 형성된다. 예를 들면, 전극에 도포한 산화지르코늄을 소결시키는 공정에 있어서, 로내(爐內)에 전극을 배치한 후, 로내를 진공으로 하고, 히터인 텅스텐에 통전하여 로내의 온도를 올려 전극을 가열한다. 이것은, 저항 가열형의 진공 증착과 등가로, 증착 재료인 텅스텐을 통전 가열하여, 피막(5)의 외표면에 텅스텐 입자(W)를 증착시키고 있다고도 말할 수 있다.

또한, 산화지르코늄의 소결 후, 별도 텅스텐의 통전 가열에 의한 진공 증착을 행해도 된다. 텅스텐의 증착을 산화지르코늄의 소결과 따로 행함으로써, 텅스텐 입자(W)의 피복률을 용이하게 조정할 수 있다.

여기서, 도 4를 참조하여, 발광관 내벽의 흑화에 대해 설명한다. 도 4에 있어서, 파선으로 나타내어지는 화살표는, 램프 점등 시의 아크 방전을 나타내고 있다. 또, 실선으로 나타내어지는 화살표는, 발광 가스의 흐름(대류)을 나타내고 있다.

아크는 매우 고온이기 때문에, 전극(양극(2) 및 음극(3))의 일부를 증발시킨다. 증발한 전극 성분(텅스텐)은, 발광 가스의 흐름을 타고 이동한다. 그리고, 증발한 텅스텐은, 발광 가스의 흐름을 타고 이동하는 중에, 발광관(1)의 내벽 등에 부착된다. 발광관(1)의 내벽에 부착된 텅스텐은, 광의 투과를 방해하는 흑색 물질이다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 발광 가스의 흐름은, 양극(2)을 따르도록 상승한 후, 발광관(1)의 내벽에 충돌하여, 방향을 바꾸어 흘러, 순환하게 되어 있다. 이 때문에, 증발한 텅스텐은, 발광관(1)의 내벽 외에, 보통 같으면 전극의 측면에도 부착된다.

그러나, 세라믹스를 주성분으로 하는 피막(5)이 전극 표면에 형성되어 있는 경우에는, 증발한 텅스텐은, 그 피막(5)에는 부착되기 어렵다. 이는, 텅스텐은 금속 결합, 세라믹스는 공유 결합이며, 금속과 세라믹스는 화학적인 결합을 하지 않기 때문이다.

한편, 본 발명의 램프(100)에 있어서의 피막(5)에는, 그 외표면에 텅스텐 입자(W)가 부착되어 있다. 이 피막(5)의 외표면에 부착되어 있는 텅스텐 입자(W)가 핵이 되어, 증발한 텅스텐을 끌어들이도록 결정 성장한다. 이 때문에, 발광관(1)의 내벽면에 도달하는 텅스텐이 감소하고, 발광관(1)의 흑화량이 적게 된다.

단, 피막(5)의 외표면의 일부를 텅스텐이 피복하고 있는 만큼, 방사율은 저하해 있다. 즉, 전극 선단 온도는 텅스텐의 피복이 없는 경우에 비해서 높고, 전극 재료는 증발하기 쉽다. 이 때문에, 텅스텐의 피복률은, 방사율의 저하에 의한 전극 재료의 증발량보다, 증발한 전극 재료의 포집량이 상회하도록 조정할 필요가 있다.

본 실시형태의 램프(100)에서는, 피막(5)의 외표면에 대한 텅스텐 입자(W)의 피복률을 3%~40%로 하고 있다. 이에 의해, 피막(5)에 의한 우수한 방사성을 확보하면서, 피막(5)의 외표면 상의 텅스텐 입자(W)가, 전극으로부터 증발한 텅스텐을 효과적으로 포집할 수 있다.

이상으로부터, 본 발명의 램프(100)는, 방열성이 우수하고, 또한 발광관(1)의 내벽의 흑화를 적게 하여, 램프(100)의 사용 수명을 길게 할 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명의 구성과 효과를 구체적으로 나타내는 실시예 등에 대해 설명한다.

텅스텐 입자가 있는 피막의 형성은, 다음과 같이 하여 행했다. 입경 10μm 이하의 산화지르코늄을 니트로셀루로오스와 아세트산부틸로 이루어지는 용매에 첨가하여 잘 혼합한 후, 양극의 외주면에 붓으로 도포했다. 그리고, 150℃로 30분간 건조했다. 그 후, 텅스텐과 더불어 진공 분위기 중에서 1900℃, 120분의 열처리를 행하여, 텅스텐이 피복되어 있는 피막을 형성했다.

지르코늄을 포함하는 피막의 외표면에 대한 텅스텐 입자의 피복률이 상이한 램프(피복률 0%, 3%, 10%, 40%, 50%)를 이용하여, 발광관의 흑화량 감소의 효과를 확인했다.

또한, 텅스텐 입자의 피복률은, 에너지 분산형 X선 장치(EDS)를 구비한 주사 전자 현미경의 면 분석으로, 텅스텐을 매핑 관찰 함으로써 산출했다. 20μm×20μm의 에리어를 EDS로 매핑 분석 하고, 이 에리어의 면적에 대한 텅스텐의 면적의 비율을 피복률로 했다.

발광관의 흑화량 감소는, 365nm의 파장의 광을 측정 대상으로 한 조도 유지율을 측정함으로써 평가했다. 여기서, 조도 유지율이란, 소정의 파장의 광의 조도에 대해서, 점등 개시 시의 조도와, 임의의 시간 점등한 후의 조도의 비를, 점등 개시 시의 조도를 기준으로서 백분율로 나타내는 것이다.

이번 시험에서는, 우선, 파장 365nm에 감도를 갖는 포토디텍터로 점등 개시 시의 조도를 측정했다. 다음으로, 정격 전력으로 2000시간 연속 점등 후의 조도를 측정하여, 초기 조도와의 비를 조도 유지율로서 산출했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 피복률 3~40%의 범위에서는, 텅스텐 입자가 부착되어 있지 않은 경우보다 조도 유지율이 향상되었다. 한편, 피복률 50%의 경우는, 텅스텐 입자가 부착되어 있지 않은 경우와 동등하고, 개선의 효과는 얻을 수 없었다.

또한, 램프 사양의 세부사항은 다음과 같다.

[방전 용기]

재질=석영 유리, 전체 길이=120mm,

발광관부:최대 외경=95mm, 최대 내경=85mm

[양극]

재질=텅스텐, 외경=35mm, 전체 길이 50mm

[음극]

재질=토륨 텅스텐, 외경=12mm, 전체 길이 35mm

[발광 물질]

수은량=3g

[버퍼 가스]

크립톤 가스:봉입압=4기압

[극간]

양극 선단과 음극 선단의 이격 거리=7mm

[전기 특성]

정격 전력=4.5kW, 정격 전압=145V, 정격 전류=31A

[점등 자세]

수직 점등

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 도면에 의거하여 설명했는데, 구체적인 구성은, 이들 실시형태에 한정되는 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는, 상기한 실시형태의 설명뿐만 아니라 특허 청구의 범위에 의해서 나타내어지고, 또한 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함된다.

상기의 각 실시형태에서 채용하고 있는 구조를 다른 임의의 실시형태에 채용하는 것은 가능하다. 각 부의 구체적인 구성은, 상기한 실시형태에만 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다. 또한, 하기하는 각종 변경예에 따른 구성이나 방법 등을 임의로 하나 또는 복수 선택하여, 상기한 실시형태에 따른 구성이나 방법 등에 채용해도 된다.

(1) 상기의 실시형태에서는, 양극(2)의 외표면에만 피막(5)이 형성되어 있는데, 음극(3)의 외표면에도 피막(5)을 형성해도 되고, 음극(3)의 외표면에만 피막(5)을 형성해도 무방하다.

(2) 상기의 실시형태에서는, 수직 점등의 램프(100)를 예로 설명했는데, 수평 점등의 경우도 전극을 따르는 발광 가스의 흐름은 발생하기 때문에, 발광관의 흑화량 감소의 효과를 얻을 수 있다.

1: 발광관
2: 양극
2b: 양극의 외주면
3: 음극
5: 피막
100: 쇼트 아크형 방전 램프
W: 텅스텐 입자

Claims (6)

1. 발광관의 내부에 한 쌍의 전극이 대향하여 배치되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서,
   상기 한 쌍의 전극은 텅스텐을 포함하여 형성되고,
   상기 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽의 전극의 외표면에는, 세라믹스를 포함하는 피막이 형성되어 있고, 상기 피막의 외표면의 일부에 텅스텐의 입자가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 쇼트 아크형 방전 램프의 점등 자세가 수직 방향인 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
3. 청구항 2에 있어서,
   상기 한 쌍의 전극 중 상방에 위치하는 전극의 외표면에, 세라믹스를 포함하는 피막이 형성되어 있고, 상기 피막의 외표면의 일부에 텅스텐의 입자가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
4. 청구항 3에 있어서,
   상기 상방에 위치하는 전극이 양극인 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
5. 청구항 1에 있어서,
   상기 피막의 외표면에 대한 상기 텅스텐의 입자의 피복률은 3%~40%인 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 세라믹스는, 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 붕화물, 금속 규화물, 및 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.

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