JP2015042779A - 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
(A)前記表面処理層表面の粒子相当面積比が0.1〜0.85である、
(B)前記表面処理層表面の粒子の平均径が0.03〜0.28μmである、
(C)前記表面処理層表面の粒子の個数密度が3.8〜430個/μm2である、
(D)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部平均が0.07〜0.23μmとなる、
(E)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部最大が0.704〜0.88μmとなる、
(F)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部の大きい方から10点の平均が0.15〜0.457μmとなる、
(G)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.035〜0.20μmとなる、
(H)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部最大が0.180〜0.605μmとなる、
(I)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部の大きい方から10点の平均が0.06〜0.335μmとなる。
前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層する工程、
前記絶縁基板上の表面処理銅箔を除去する工程、
前記表面処理銅箔を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がした後の絶縁基板上の極薄銅層を除去する工程、
前記極薄銅層を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層して銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記表面処理銅箔又は前記キャリア付銅箔を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
本発明の表面処理銅箔である第2の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第2のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記第2のキャリア付銅箔である場合は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を除去する工程、
前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第1の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を除去する工程、
前記金属箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
本発明の表面処理銅箔である第2の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第2のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記第2のキャリア付銅箔である場合は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第1の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
本発明に係る表面処理銅箔において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでもよい。本発明において使用する銅箔の厚みは特に限定する必要は無いが、例えば1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上であり、例えば3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下である。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
なお、本発明に用いられる、デスミア処理、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線流速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
一次粒子のめっき条件の一例を挙げると、下記の通りである。
なお、下記のように電流密度、クーロン量を制御することで一次粒子の平均粒径を制御することができる。第一段階では電流密度を従来よりも高めに設定をし、粗化粒子による凹凸をある程度設け、粒子形状が所定の形状となるように制御し、それにより表面処理銅箔を貼り合せた後に表面処理銅箔を除去して得られる樹脂基材の表面の形状を制御する。また、前記表面積比を制御することができる。また、一次粒子を形成するためのめっき浴としては以下のような銅めっき浴以外に銀めっき浴、金めっき浴、ニッケルめっき浴、コバルトめっき浴、亜鉛めっき浴、ニッケル亜鉛合金めっき浴等が挙げられ、これ等の公知のめっき浴を用いることができる。また、めっき液には種々の添加剤(金属イオン、無機物、有機物)を添加してもよい。また、一次粒子形成時のめっき液の線流速を従来よりも高めに設定をし、粗化粒子による凹凸が大きくなりすぎず、粒子形状が所定の形状となるように制御し、それにより表面処理銅箔を貼り合せた後に表面処理銅箔を除去して得られる樹脂基材の表面の形状を制御する。なお、一次粒子形成時のめっき液の線流速は2.0m/sec以上であることが好ましく、より好ましくは2.5m/sec以上である。一次粒子形成時のめっき液の線流速の上限は特に定める必要は無いが、典型的には5m/sec以下、典型的には4.5m/sec以下である。
液組成 :銅10〜20g/L、硫酸50〜100g/L
液温 :25〜50℃
<第一段階>
電流密度 :68〜80A/dm2
クーロン量:30〜75As/dm2
<第二段階>
電流密度 :1〜20A/dm2
クーロン量:5〜50As/dm2
めっき液には種々の添加剤(金属イオン、無機物、有機物)を添加してもよい。
液組成 :銅10〜20g/L、硫酸50〜100g/L
液温 :25〜35℃
電流密度 :15〜20A/dm2
クーロン量:30〜60As/dm2
二次粒子のめっき条件の一例を挙げると、下記の通りである。
なお、下記のように電流密度、クーロン量を制御することで二次粒子の平均粒径を制御することができる。また、前記表面積比を制御することができる。また、二次粒子を形成するためのめっき浴としては以下のような銅とその他の元素との合金めっき浴以外に、銀とその他の元素との合金めっき浴、金とその他の元素との合金めっき浴、ニッケルとその他の元素との合金めっき浴、コバルトとその他の元素との合金めっき浴、亜鉛とその他の元素との合金めっき浴、ニッケル亜鉛合金めっき浴等が挙げられ、これ等の公知のめっき浴を用いることができる。
めっき液には種々の添加剤(金属イオン、無機物、有機物)を添加してもよい。
液組成 :銅10〜20g/L、ニッケル5〜15g/Lまたは/およびコバルト5〜15g/L、リンを含有する場合には、リン0.5〜5g/L、タングステンを含有する場合にはタングステン0.001〜5g/L、モリブデンを含有する場合にはモリブデン0.05〜10g/L
pH :2〜3
液温 :30〜50℃
電流密度 :20〜30A/dm2
クーロン量:10〜35As/dm2
Co付着量が100μg/dm2未満では、耐熱性が悪くなり、またエッチング性も悪くなる。Co付着量が3000μg/dm2を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化が考慮され得る。
以上から、銅−コバルト−ニッケル合金めっきの付着量は、10〜30mg/dm2銅−100〜3000μg/dm2コバルト−50〜500μg/dm2ニッケルであることが望ましいと言える。この3元系合金層の各付着量はあくまで、望ましい条件であり、この量を超える範囲を否定するものではない。
一般に、回路を形成する場合には、下記の実施例の中で説明するようなアルカリ性エッチング液及び塩化銅系エッチング液を用いて行われる。このエッチング液及びエッチング条件は、汎用性のあるものであるが、この条件に限定されることはなく、任意に選択できることは理解されるべきことである。
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。
本発明の表面処理銅箔は、銅箔表面に形成された粒子の、銅箔表面に対する面積比(粒子相当面積比)が0.1〜0.85に制御されている。このように粒子相当面積比が制御された表面処理銅箔を基材表面に貼り合わせ、次いでエッチングで当該銅箔を除去した後の基材表面のプロファイル形状が、より良好に微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。粒子相当面積比が0.1未満であると、基材表面に転写される凹凸形状が小さくなり過ぎて、皮膜との密着性が不良となる。一方、粒子相当面積比が0.85超であると、基材表面に転写される凹凸形状が大きくなり過ぎて、基材表面の微細配線形成性が不良となる。粒子相当面積比は、好ましくは0.10〜0.70、0.15〜0.70、より好ましくは0.20〜0.65、更により好ましくは0.25〜0.60である。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理層表面の粒子の平均径が0.03〜0.28μmに制御されているのが好ましい。このように表面処理層表面の粒子の平均径が制御された表面処理銅箔を基材表面に貼り合わせ、次いでエッチングで当該銅箔を除去した後の基材表面のプロファイル形状が、より良好に微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。表面処理層表面の粒子の平均径が0.03μm未満であると、基材表面に転写される凹凸形状が小さくなり過ぎて、皮膜との密着性が不良となる。一方、表面処理層表面の粒子の平均径が0.28μm超であると、基材表面に転写される凹凸形状が大きくなり過ぎて、基材表面の微細配線形成性が不良となる。表面処理層表面の粒子の平均径は、好ましくは0.05〜0.28μm、より好ましくは0.07〜0.27μm、更により好ましくは0.08〜0.25μm、0.12〜0.24μm、0.15〜0.24μm、0.19〜0.23μmである。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理層表面の粒子の個数密度が3.8〜430個/μm2に制御されているのが好ましい。このように表面処理層表面の粒子の個数密度が制御された表面処理銅箔を基材表面に貼り合わせ、次いでエッチングで当該銅箔を除去した後の基材表面のプロファイル形状が、より良好に微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。表面処理層表面の粒子の個数密度が3.8個/μm2未満であると、基材表面に転写される凹凸形状が小さくなり過ぎて、皮膜との密着性が不良となる。一方、表面処理層表面の粒子の個数密度が430.0個/μm2超であると、基材表面に転写される凹凸形状が大きくなり過ぎて、基材表面の微細配線形成性が不良となる。表面処理層表面の粒子の個数密度は、好ましくは4.0〜300個/μm2、4.5〜250個/μm2、5.0〜200個/μm2、5.0〜150個/μm2、5.5〜100個/μm2、5.5〜50.0個/μm2、6.0〜48.0個/μm2、6.0〜32.0個/μm2、3.8〜16.0個/μm2、6.0〜16.0個/μm2、6.0〜14.0個/μm2に制御されている。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部平均が0.07〜0.23μmとなるのが好ましい。また、本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.035〜0.20μmとなるのが好ましい。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部最大が0.704〜0.88μmとなるのが好ましい。また、本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部最大が0.180〜0.605μmとなるのが好ましい。ここで、白部最大とは、図1で示す4つの線(A〜D線)を総合して、測定された白部の最大長さ(隣接する黒部と黒部との間の距離の中で、最大のもの)を示す。また、黒部最大とは、図1で示す4つの線(A〜D線)を総合して、測定された黒部の最大長さ(隣接する白部と白部との間の距離の中で、最大のもの)を示す。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部の大きい方から10点の平均が0.15〜0.457μmとなるのが好ましい。また、本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部の大きい方から10点の平均が0.06〜0.335μmとなるのが好ましい。ここで、白部の大きい方から10点の平均とは、上記白部最大を一番長い距離のものとして、その次に長い距離の白部、更にその次に長い距離の白部と、順に10番目までを合計して平均をとったものである。また、黒部の大きい方から10点の平均とは、上記黒部最大を一番長い距離のものとして、その次に長い距離の黒部、更にその次に長い距離の黒部と、順に10番目までを合計して平均をとったものである。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部割合が55〜68%となるとなるのが好ましい。ここで、白部割合とは、上記白部と黒部との合計に対する白部の割合を示す。白部割合が55%未満であると、アンカー効果が弱まり、皮膜との密着性が不良となる。一方、白部割合が68%超であると、基材表面の凹凸が小さくなり過ぎて、皮膜との密着性が不良となる。上記白部割合は、好ましくは55〜67%、より好ましくは55〜66%、更により好ましくは55〜65%、更により好ましくは55〜64%である。
本発明に係る表面処理銅箔としては、キャリア付銅箔を用いても良い。キャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備える。また、キャリア付銅箔はキャリア、中間層および極薄銅層をこの順で備えても良い。キャリア付銅箔はキャリア側の表面および極薄銅層側の表面のいずれか一方または両方に粗化処理層等の表面処理層を有してもよい。なお、キャリア付銅箔は極薄銅層の中間層側とは反対側の面に表面処理層を有してもよい。
キャリア付銅箔のキャリア側の表面に粗化処理層を設けた場合、キャリア付銅箔を当該キャリア側の表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板などの支持体とが剥離し難くなるという利点を有する。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム(例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、フッ素樹脂フィルム等)の形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用することが好ましい。銅箔は電気伝導度が高いため、その後の中間層、極薄銅層の形成が容易となるからである。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層の間には他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、キャリアの両側に中間層を設けてもよい。
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間に他の層を設けてもよい。当該極薄銅層は、本発明の表面処理銅箔であり、極薄銅層の中間層とは反対側表面に上記表面処理層を設ける。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1.5〜5μmである。また、中間層の上に極薄銅層を設ける前に、極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。キャリアの両側に極薄銅層を設けてもよい。
本発明の表面処理銅箔の表面処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
前記樹脂層の組成は樹脂成分総量に対してエポキシ樹脂50〜90重量%、ポリビニルアセタール樹脂5〜20重量%、ウレタン樹脂0.1〜20重量%を含有し、該エポキシ樹脂の0.5〜40重量%がゴム変成エポキシ樹脂であってもよい。
また、前記ポリビニルアセタール樹脂は酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有してもよい。前記樹脂層に用いられる樹脂組成物の総量100重量部に対し、エポキシ樹脂配合物40〜80重量部、マレイミド化合物10〜50重量部、水酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有するポリビニルアセタール樹脂5〜30重量部からであってもよい。また、前記ポリビニルアセタール樹脂が分子内にカルボキシル基、アミノ基または不飽和二重結合を導入したものであってもよい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパンを溶剤に溶解させたポリフェニレンエーテル−シアネート系の樹脂組成物であってもよい。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を溶剤で溶解させたシロキサン変性ポリアミドイミド系の樹脂組成物であってもよい。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
なお、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、誘電体(誘電体フィラー)、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤を含む樹脂組成物を用いて形成されてもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、エポキシ樹脂を25重量部〜60重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、活性エステル樹脂を28重量部〜60重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、エポキシ樹脂と活性エステル樹脂との合計含有量が78重量部〜95重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、ポリビニルアセタール樹脂を1重量部〜20重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、硬化促進剤を0.01重量部〜2重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体を含む樹脂層は、当該誘電体(誘電体フィラー)を含有する樹脂重量を100wt%としたとき、誘電体(誘電体フィラー)を65wt%〜85wt%の範囲で含有するものであることが好ましい。
なお、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤には公知のエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤または本願明細書に記載のエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤を用いることができる。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが1%未満であることが好ましい。
なお、硬化促進剤、エポキシ樹脂としては公知のものまたは本願明細書に記載の硬化促進剤、エポキシ樹脂を用いることができる。また、硬化促進剤としては公知のイミダゾール化合物または、本願明細書に記載のイミダゾール化合物を用いることができる。
上述の実施の形態により、当該内層コア材の内層回路表面と誘電体を含む樹脂層との密着性を向上させ、低い誘電正接を備えるキャパシタ回路層を形成するための誘電体を含む樹脂層を有する表面処理銅箔を提供することができる。
また、前記高分子ポリマー層は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂のいずれか1種又は2種以上を含むことが好ましい。また、前記半硬化樹脂層は厚さが10μm〜50μmのエポキシ樹脂組成物で構成されていることが好ましい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか1種又はこれらを混合した樹脂であるリン含有難燃性樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: 樹脂硬化剤。
表面処理銅箔に前記硬化樹脂層および、半硬化樹脂層を設けた場合、立体成型プリント配線板製造用途に適した、樹脂層を有する表面処理銅箔を提供することができる。
なお、前記樹脂層は硬化剤および/または硬化促進剤を含んでもよい。
前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%以内である樹脂組成物で形成された樹脂層であってもよい。
前記樹脂層は5重量部〜50重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、50重量部〜95重量部の溶剤に可溶なポリエーテルサルホン、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて構成したものであってもよい。
硬化剤を除き、樹脂組成物を100重量部としたときの重量部として記載)の範囲で含む
樹脂組成物で形成したものであってもよい。
成分A: 25℃における引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂 10重量
部〜20重量部
成分B: 25℃における引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂 20重量
部〜40重量部
成分C: エポキシ樹脂
成分D: エポキシ樹脂硬化剤
前記樹脂層は半硬化樹脂層であってもよい。
前記成分C(エポキシ樹脂)の含有量は、樹脂組成物を100重量部としたとき、40重量部〜70重量部であってもよい。なお、エポキシ樹脂としては前述のエポキシ樹脂を用いることができる。前記成分D(エポキシ樹脂硬化剤)の含有量は、樹脂組成物に対して、エポキシ樹脂の硬化可能な程度のイミダゾール化合物を含有させるものであることが好ましい。前記半硬化樹脂層は、前記樹脂組成物で形成した揮発分が1wt%未満の半硬化状態の樹脂層であることが好ましい。上記含有量を満たした場合、樹脂層を有する表面処理銅箔をロール状で保管又は輸送しても、樹脂層を有する表面処理銅箔の樹脂層から表面処理銅箔への有機溶剤の転写が無く、しかも、耐熱性、表面処理銅箔との接着性の各特性に優れる樹脂層を備える表面処理銅箔を得ることができる。
なお、成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤には公知の成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤または本願明細書に記載の成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤を用いることができる。
A成分: エポキシ当量が200以下で、25℃で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上。
B成分: 架橋可能な官能基を有する線状ポリマー。
C成分: 架橋剤。
D成分: イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤。
E成分: リン含有エポキシ樹脂。
前記B成分である官能基を有する線状ポリマーは、沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤に可溶なポリマー成分であることが好ましい。具体的にはポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等である。前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いられることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、樹脂流れが大きくなる場合がある。この結果、製造した銅張積層板の端部から樹脂粉の発生が多く見られる場合があり、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性も改善出来ない場合がある。一方、30重量部を超えても、樹脂流れが小さい場合があり、製造した銅張積層板の絶縁層内にボイド等の欠陥を生じやすくなる場合がある。
C成分は、B成分とエポキシ樹脂との架橋反応を起こさせるための架橋剤である。この架橋剤には、ウレタン系樹脂を使用することが好ましい。この架橋剤は、B成分の混合量に応じて添加されるものであり、本来厳密にその配合割合を明記する必要性はないものと考える。しかしながら、樹脂組成物を100重量部としたとき、10重量部以下の配合割合で用いる事が好ましい。10重量部を超えて、ウレタン系樹脂であるC成分が存在すると、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性が劣化し、硬化後の樹脂層が脆くなるからである。
10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式は下記の通りである。
A成分: エポキシ当量が200以下で、25℃で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上。
B成分: 架橋可能な官能基を有する線状ポリマー。
C成分: 架橋剤(但し、A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には省略可。)。D成分: 4,4’−ジアミノジフェニルスルホン又は2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン。
E成分: 難燃性エポキシ樹脂。
F成分: 多官能エポキシ樹脂。
G成分: 硬化促進剤。
前記B成分である架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、ポリビニルアセタール樹脂又はポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。
前記C成分である架橋剤は、ウレタン系樹脂であることが好ましい。
前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備えるテトラブロモビスフェノールAからの誘導体として得られる化14に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂、以下に示す化15に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。
前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、以下に示す化16〜化18のいずれかに示す構造式を備えるリン含有エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が3重量部〜10重量部(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には0重量部〜10重量部)、D成分が5重量部〜20重量部、F成分が3重量部〜20重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、E成分由来の臭素原子を12重量%〜18重量%の範囲含有するようにE成分の重量部を定めることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が3重量部〜10重量部(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には0重量部〜10重量部)、D成分が5重量部〜20重量部、F成分が3重量部〜20重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、E成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲含有するようにE成分の重量部を定めるものであることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はG成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。
前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスを表面処理銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで5μm〜100μmの平均厚さの半硬化樹脂膜を形成してされることが好ましい。
工程a: 前記A成分、B成分、C成分(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には省略可)、D成分、E成分、F成分、G成分の内、A成分〜F成分を必須成分とした樹脂組成物の重量を100重量%としたとき、E成分由来の臭素原子を12重量%〜18重量%の範囲又はリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有するように各成分を混合して樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が25重量%〜50重量%の樹脂ワニスとする。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リンを含有した難燃性エポキシ樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上からなる樹脂硬化剤。
前記樹脂層は前記A成分〜E成分の各成分に加えて、更にF成分としてエポキシ樹脂との反応性を有さないリン含有難燃剤を含む樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。
前記D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にあるメチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドの群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。
前記D成分であるゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミドとゴム性樹脂とを反応させることで得られるものであることが好ましい。
前記樹脂層は前述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製し、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが1%〜30%の範囲にある半硬化樹脂層の形成が可能な樹脂組成物(樹脂ワニス)を用いて形成されることが好ましい。
前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスを銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで10μm〜50μmの厚さの半硬化樹脂層として形成されることが好ましい。
工程a: A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が5重量部〜50重量部、D成分が10重量部〜40重量部、E成分が20重量部〜35重量部、F成分が0重量部〜7重量部の範囲において、各成分を混合して、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲含有する樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の樹脂ワニスとする。
A成分: 軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂(但し、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂を除く。)。
B成分: ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1
種又は2種以上からなるエポキシ樹脂硬化剤。
C成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶なゴム変性ポリアミドイミ
ド樹脂。
D成分: 有機リン含有難燃剤。
E成分: ビフェニル型エポキシ樹脂。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物は前記A成分〜E成分の各成分に加えて、更に、F成分として、リン含有難燃性エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物はG成分として、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂を更に含むことが好ましい。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物はH成分として、熱可塑性樹脂及び/又は合成ゴムからなる低弾性物質を更に含むことが好ましい。
前記A成分の軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上であることが好ましい。
前記A成分として、室温で液状のノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を更に含む樹脂組成物を用いて前記樹脂層を形成することが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜30重量部、B成分が13重量部〜35重量部、C成分が10重量部〜50重量部、D成分が3重量部〜16重量部、E成分が5重量部〜35重量部であることが好ましい。
工程a: 樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜30重量部、B成分が13重量部〜35重量部、C成分が10重量部〜50重量部、D成分が3重量部〜16重量部、E成分が5重量部〜35重量部の範囲で各成分を含有する樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の樹脂ワニスとする。
ビフェニル型フェノール樹脂の具体例を化25に示す。
前記アミン系エポキシ樹脂硬化剤は、芳香族ポリアミン、ポリアミド類及びこれらをエポキシ樹脂や多価カルボン酸と重合或いは縮合させて得られるアミンアダクト体の群から選ばれた1種又は2種以上を用いてもよい。
なお、前記不織布及び織布を構成する繊維は、その表面の樹脂との濡れ性を向上させるため、シランカップリング剤処理を施す事が好ましい。このときのシランカップリング剤は、使用目的に応じてアミノ系、エポキシ系等のシランカップリング剤を用いればよいのである。
また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは0.1〜50μmであることが好ましく、0.5μm〜25μmであることが好ましく、1.0μm〜15μmであることがより好ましい。なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の10点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、必要であればその後電解めっきを行い、更にその後、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記表面処理銅箔又は前記キャリア付銅箔を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
本発明の表面処理銅箔である第2の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第2のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記第2のキャリア付銅箔である場合は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を除去する工程、
前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第1の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
キャリアと金属箔とは、接着剤や離型剤、中間層を介して剥離可能に積層してもよい。またキャリアと金属箔を溶接、溶着等で剥離可能に接合してもよい。キャリアと金属箔が剥離困難な場合には、キャリアと金属箔の接合されている箇所を切断等により取り除いた後に、キャリアと金属箔を剥離してもよい。
極薄金属層は、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金、ステンレス、亜鉛、亜鉛合金であってもよい。極薄金属層の厚みはキャリア付銅箔の極薄銅層と同じ範囲とすることができる。極薄金属層は、回路にした際の導電性の観点から極薄銅層であることが好ましい。
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を除去する工程、
前記金属箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
本発明の表面処理銅箔である第2の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第2のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記第2のキャリア付銅箔である場合は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第1の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
工程1:まず、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
工程2:次に、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
工程3:次に、回路用のメッキを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路メッキを形成する。
工程4:次に、回路メッキを覆うように(回路メッキが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
工程5:次に、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。なお、2層目にはキャリアを有さない銅箔を用いてもよい。
工程6:次に、2層目の極薄銅層または銅箔および樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路メッキを露出させてブラインドビアを形成する。
工程7:次に、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
工程8:次に、ビアフィル上に、上記工程2及び3のようにして回路メッキを形成する。
工程9:次に、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
工程10:次に、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層(2層目に銅箔を設けた場合には銅箔)を除去し、樹脂層内の回路メッキの表面を露出させる。
工程11:次に、樹脂層内の回路メッキ上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。
図3に、実施例及び比較例のデータを得るためのサンプル作製フローを示す。
キャリアとして、厚さ35μmの長尺の電解銅箔(JX日鉱日石金属社製JTC)を用意した。この銅箔の光沢面(シャイニー面)に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μm/dm2の付着量のNi層を形成した。
硫酸ニッケル:200〜300g/L
クエン酸三ナトリウム:2〜10g/L
pH:2〜4
浴温:40〜70℃
電流密度:1〜15A/dm2
(電解クロメート処理)
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30As/dm2
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
にかわ:1〜20ppm
電流密度:10〜100A/dm2
銅濃度80〜120g/L、硫酸濃度80〜120g/L、塩化物イオン濃度30〜100ppm、ニカワ濃度1〜5ppm、電解液温度57〜62℃の硫酸銅電解液を電解銅メッキ浴とし、アノードとカソード(銅箔用電着用金属製ドラム)の間を流れる電解液の線流速度を1.5〜2.5m/秒、電流密度70A/dm2で厚み12μm(重量厚み95g/m2)の両面フラット電解生箔を作製した。
原箔として厚み12μmのJX日鉱日石金属株式会社製圧延銅箔を準備した。
使用した浴組成及びめっき条件は、表1〜3の通りである。表1の一次粒子電流条件欄に電流条件、クーロン量が2つ記載されている例は、左に記載されている条件でめっきを行った後に、右に記載されている条件で更にめっきを行ったことを意味する。例えば、実施例1の一次粒子電流条件欄には「(65A/dm2、70As/dm2)+(20A/dm2、40As/dm2)」と記載されているが、これは一次粒子を形成する電流密度を65A/dm2、クーロン量を70As/dm2でめっきを行った後に、更に一次粒子を形成する電流密度を20A/dm2、クーロン量を40As/dm2としてめっきを行ったことを示す。なお、表1の実施例6、比較例3の「一次粒子形成時メッキ液線流速(m/s)」の欄に記載されている値は二次粒子形成時メッキ液線流速を意味する。なお、実施例6、比較例3では一次粒子を形成していないため、実施例6、比較例3の表1の「二次粒子形成めっき」は一次粒子形成めっきに相当する。なお、実施例6、比較例3以外の二次粒子形成時メッキ液線流速は2.5m/secとした。
バリヤー(耐熱)処理を下記の条件で行い、真鍮メッキ層又は亜鉛・ニッケル合金メッキ層を形成した。
銅濃度50〜80g/L、亜鉛濃度2〜10g/L、水酸化ナトリウム濃度50〜80g/L、シアン化ナトリウム濃度5〜30g/L、温度60〜90℃の真鍮メッキ浴を用い、電流密度5〜10A/dm2(多段処理)でメッキ電気量30As/dm2を、粗化処理層を形成したM面に付与した。
Ni:10g/L〜30g/L、 Zn:1g/L〜15g/L、 硫酸(H2SO4):1g/L〜12g/L、塩化物イオン:0g/L〜5g/Lを添加したメッキ浴を用い、電流密度1.3A/dm2でメッキ電気量5.5As/dm2を、粗化処理層を形成したM面に付与した。
実施例1、比較例1について、防錆処理(クロメート処理)を下記の条件で行い、防錆処理層を形成した。
(クロメート条件) CrO3:2.5g/L、Zn:0.7g/L、Na2SO4:10g/L、pH4.8、54℃のクロメート浴で0.7As/dm2の電気量を付加。更に、クロメート浴での防錆処理終了直後、液シャワー配管を用いて、同じクロメート浴を使って粗化処理面全面をシャワーリングした。
〔シランカップリング材塗布〕
銅箔の粗化処理面に、0.2〜2%のアルコキシシランを含有量するpH7〜8の溶液を噴霧することで、でシランカップリング材塗布処理を行った。
(樹脂合成例)
ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた2リットルの三つ口フラスコに、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物117.68g(400mmol)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン87.7g(300mmol)、γ-バレロラクトン4.0g(40mmol)、ピリジン4.8g(60mmol)、N-メチル-2-ピロリドン(以下NMPと記す)300g、トルエン20gを加え、180℃で1時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42g(100mmol)、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}プロパン82.12g(200mmol)、NMP200g、トルエン40gを加え、室温で1時間混合後、180℃で3時間加熱して、固形分38%のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(1):一般式(2)=3:2であり、数平均分子量:70000、重量平均分子量:150000であった。
(実施例7)
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCo−Mo合金を形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Co−Mo合金中間層は、以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成:CoSO4・7H2O 0.5〜100g/L、Na2MoO4・2H2O 0.5〜100g/L、クエン酸ナトリウム二水和物 20〜300g/L
温度:10〜70℃
pH:3〜5
電流密度:0.1〜60A/dm2
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCrを形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Cr中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成:CrO3 200〜400g/L、H2SO4 1.5〜4g/L
pH:1〜4
液温:45〜60℃
電流密度:10〜40A/dm2
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCr/CuPを形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Cr/CuP中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることによりで作製した。
液組成1:CrO3 200〜400g/L、H2SO4 1.5〜4g/L
pH:1〜4
液温:45〜60℃
電流密度:10〜40A/dm2
液組成2:Cu2P2O7・3H2O 5〜50g/L、K4P2O7 50〜300g/L
液温:30〜60℃
pH:8〜10
電流密度:0.1〜1.0A/dm2
キャリアと銅箔との間に、中間層としてNi/Crを形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Ni/Cr中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成1:NiSO4・6H2O 250〜300g/L、NiCl2・6H2O 35〜45g/L、ホウ酸 10〜50g/L
液温:30〜70℃
pH:2〜6
電流密度:0.1〜50A/dm2
液組成2:CrO3 200〜400g/L、H2SO4 1.5〜4g/L
液温:45〜60℃
pH:1〜4
電流密度:10〜40A/dm2
キャリアと銅箔との間に、中間層としてCo/クロメート処理の層を形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。
この場合の、Co/クロメート処理の中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
液組成1:CoSO4・7H2O 10〜100g/L、クエン酸ナトリウム二水和物 30〜200g/L
液温:10〜70℃
pH:3〜5
電流密度:0.1〜60A/dm2
液組成2:CrO3 1〜10g/L
液温:10〜70℃
pH:10〜12
電流密度:0.1〜1.0A/dm2
キャリアと銅箔との間に、中間層として有機物層を形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。
この場合の、有機物層の中間層は液温40℃、pH5、濃度1〜10g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール水溶液を、10〜60秒間噴霧という条件で作製した。
上記のようにして得られた表面処理銅箔及びキャリア付銅箔について、以下の方法で各種の評価を実施した。結果を表4に示す。
各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、下記のように粗化粒子の平均径と粒子の個数密度を測定した。そして、下記式により粒子相当面積比を算出した。
粒子相当面積比(−)=粒子の個数密度(個/μm2)×平均径を有する粒子1個当たりの円相当面積(μm2/個)
平均径を有する粒子1個当たりの円相当面積(μm2/個)=(粒子の平均径(μm)/2)2×π(1/個)
粒子相当面積比は、粗化粒子が表面処理銅箔を覆っている面積の程度を表す指標である。
各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、表面処理された面を走査型電子顕微鏡を用いて3視野について写真撮影をした(30000倍)。3視野(1視野の大きさ:横4.14μm×縦3.07μm=面積12.71μm2)において各粗化粒子の粒子径を測定した。ここで、粒子径は粒子を取り囲む最小円の直径とした。そして、3視野において得られた粒子径の値の算術平均の値を粒子の平均径とした。なお、粒子同士が接している場合でも、粒子の境界が確認できる場合には、当該接している粒子の粒子径を別々にカウントした。
各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、表面処理された面を走査型電子顕微鏡を用いて3視野について写真撮影をした(30000倍)。3視野(1視野の大きさ:横4.14μm×縦3.07μm=面積12.71μm2)において粗化粒子の個数を測定した。そして、3視野において得られた粗化粒子の個数から単位面積(μm2)当たりの個数を算出し、粒子の個数密度とした。なお、粒子同士が接している場合でも、粒子の境界が確認できる場合には、当該接している粒子の個数を別々にカウントした。
次に、各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、20cm角サイズの下記の樹脂基材を準備し、樹脂基材と銅箔とを、銅箔の表面処理層を有する面を樹脂基材に接するようにして積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。
使用樹脂:FR4
(エッチング条件)エッチング液:塩化第二銅溶液、HCl濃度:3.5mol/L、温度:50℃、比重1.26となるようにCuCl2濃度調節した。
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて加速電圧を15kVとして、写真撮影を行った。なお、写真撮影の際に、観察視野全体の穴の輪郭が明確に見えるように、コントラストとブライトネスを調整した。写真全体が真っ白や真っ黒ではなく、穴の輪郭が観察できる状態で写真撮影を行った。そして撮影した写真(SEM像(30k倍(30000倍)))について、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用し、白色・黒色画像処理を施した。次に、得られた画像について図1に示すような縦横をそれぞれ3等分する4線(A〜D線)を引き、各線が白部(白色領域)を通る長さの合計を測定し、それらA〜D線の合計を計算して白部の長さを求めた。これを測定対象の樹脂基材表面の3視野(1視野の大きさ:横4.14μm×縦3.07μm=面積12.71μm2)に対して行い、その平均を白部平均(μm)とした。また、4つの線(A〜D線)が黒部(黒色領域)を通る長さの合計を測定し、それらA〜D線の合計を計算して黒部の長さを求めた。これを測定対象の樹脂基材表面の3視野に対して行い、その平均を黒部平均(μm)とした。
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、上述のSEM像によって得られた画像について、4つの線(A〜D線)を総合して、測定された白部の最大長さ(隣接する黒部と黒部との間の距離の中で、最大のもの)、測定された黒部の最大長さ(隣接する白部と白部との間の距離の中で、最大のもの)をそれぞれ求めた。
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、上述のSEM像によって得られた画像について、白部の大きい方から10点の平均、黒部の大きい方から10点の平均を求めた。
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、上述のSEM像によって得られた画像について、白部と黒部との合計に対する白部の割合を求めた。
樹脂基材(全面エッチング基材)のエッチング面に、無電解銅を析出させるための触媒付与、及び、関東化成製のKAP−8浴を用い、下記条件にて無電解銅メッキを実施した。得られた無電解銅メッキの厚みは0.5μmであった。
CuSO4濃度:0.06mol/L、HCHO濃度:0.5mol/L、EDTA濃度:0.12mol/L、pH12.5、添加剤:2,2’−ジピリジル、添加剤濃度:10mg/L、表面活性剤:REG−1000、表面活性剤濃度:500mg/L
次に、無電解銅メッキ上に、さらに下記の電解液を使用して電解メッキを実施した。銅厚み(無電解メッキ及び電解メッキの総厚)は12μmとなった。
単純硫酸銅電解液:Cu濃度:100g/L、H2SO4濃度:80g/L
上述のように樹脂基材(全面エッチング基材)に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施して銅層厚を12μmとしたメッキ銅付き積層板について、幅10mmの銅回路を湿式エッチングにより作製した。JIS−C−6481に準じ、この銅回路を90度で剥離したときの強度を測定し、ピール強度とした。
上述のように樹脂基材(全面エッチング基材)に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施して銅層厚を12μmとしたメッキ銅付き積層板について、メッキ銅をエッチングにより加工し、L(ライン)/S(スペース)=15μm/15μm、及び、10μm/10μmの回路を形成した。このとき、樹脂基板上に形成された微細配線を目視で観察し、回路の剥離、回路間のショート(回路間の銅異常析出)、回路の欠けがないものをOK(○)とした。
図5(c)に比較例1の銅箔処理面のSEM像(×30000)を、(d)に比較例1の樹脂基材面のSEM像(×30000)を示す。
図6(e)に実施例2の銅箔処理面のSEM像(×30000)を、(f)に実施例2の樹脂基材面のSEM像(×30000)を示す。
図7(g)に実施例3の銅箔処理面のSEM像(×30000)を、(h)に実施例3の樹脂基材面のSEM像(×30000)を示す。
図8(1)に、上記測定において白部、黒部評価に用いた、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用して得られた実施例1の画像を示す。
図8(2)に、上記測定において白部、黒部評価に用いた、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用して得られた比較例1の画像を示す。
図8(3)に、上記測定において白部、黒部評価に用いた、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用して得られた実施例2の画像を示す。
図8(4)に、上記測定において白部、黒部評価に用いた、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用して得られた実施例3の画像を示す。
Claims (47)
- 銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の粒子相当面積比が0.1〜0.85である表面処理銅箔。
- 銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の粒子相当面積比が0.1〜0.7である表面処理銅箔。
- 銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の粒子の平均径が0.03〜0.28μmである表面処理銅箔。
- 銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の粒子の平均径が0.05〜0.28μmである表面処理銅箔。
- 銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の粒子の個数密度が3.8〜430個/μm2である表面処理銅箔。
- 銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の粒子の個数密度が3.8〜16.0個/μm2である表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部平均が0.07〜0.23μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部平均が0.14〜0.23μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部最大が0.704〜0.88μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部の大きい方から10点の平均が0.15〜0.457μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部の大きい方から10点の平均が0.20〜0.457μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.035〜0.20μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.05〜0.20μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.07〜0.20μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部最大が0.180〜0.605μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部最大が0.355〜0.605μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部の大きい方から10点の平均が0.06〜0.335μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部の大きい方から10点の平均が0.13〜0.335μmとなる表面処理銅箔。
- 表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部割合が55〜68%となる請求項1〜18のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 以下の(A)〜(I)の少なくとも一つ以上を満たす請求項1〜19のいずれか一項に記載の表面処理銅箔:
(A)前記表面処理層表面の粒子相当面積比が0.1〜0.85である、
(B)前記表面処理層表面の粒子の平均径が0.03〜0.28μmである、
(C)前記表面処理層表面の粒子の個数密度が3.8〜430個/μm2である、
(D)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部平均が0.07〜0.23μmとなる、
(E)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部最大が0.704〜0.88μmとなる、
(F)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の白部の大きい方から10点の平均が0.15〜0.457μmとなる、
(G)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.035〜0.20μmとなる、
(H)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部最大が0.180〜0.605μmとなる、
(I)表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒部の大きい方から10点の平均が0.06〜0.335μmとなる。 - 前記表面処理層が粗化処理層である請求項1〜20のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である請求項21に記載の表面処理銅箔。
- 前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項21又は22に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層が、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層である請求項1〜20のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層上に樹脂層を備える請求項1〜24のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- キャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔であるキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの両面に前記極薄銅層を備えた請求項26に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの前記極薄銅層とは反対側に粗化処理層を備えた請求項26に記載のキャリア付銅箔。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の白部平均が0.16〜0.25μmである基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の白部最大が0.785〜0.98μmとなる基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の白部の大きい方から10点の平均が0.32〜0.505μmとなる基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒部平均が0.08〜0.22μmとなる基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒部最大が0.4〜0.675μmとなる基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒部の大きい方から10点の平均が0.15〜0.37μmとなる基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合せ、前記キャリア付銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の白部割合が55〜68%となる基材。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
- 請求項37に記載のプリント配線板を用いた電子機器。
- 請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層する工程、
前記絶縁基板上の表面処理銅箔を除去する工程、
前記表面処理銅箔を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がした後の絶縁基板上の極薄銅層を除去する工程、
前記極薄銅層を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜24のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層して銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記表面処理銅箔又は前記キャリア付銅箔を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第1の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第1のキャリア付銅箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第2の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第2のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記第2のキャリア付銅箔である場合は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を除去する工程、
前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第1の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を除去する工程、
前記金属箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第1の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第1のキャリア付銅箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第2の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第2のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記第2のキャリア付銅箔である場合は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第1の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項1〜25のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項26〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
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