JP2015038222A - CrもしくはMoが基になった触媒系を用いてシンジオタクテック1,2−ポリブタジエンとゴム状弾性重合体のブレンド物を製造する方法 - Google Patents
CrもしくはMoが基になった触媒系を用いてシンジオタクテック1,2−ポリブタジエンとゴム状弾性重合体のブレンド物を製造する方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
。また、このような触媒系が充分な触媒活性を示すのは、ハロゲン置換炭化水素溶媒を重合用媒体として用いた時のみであり、ハロゲン置換溶媒は毒性に問題がある。
本発明は、一般に、s−PBDとゴム状弾性重合体のブレンド物を製造する方法を提供するものである。本方法は、(1)ゴムセメントと1,3−BDの混合物を準備しそして(2)(a1)Cr含有化合物と(b1)ハイドロジエンホスファイト(hydrogen phosphite)と(c1)有機マグネシウム(本明細書では以降「有機Mg」)化合物を含有するか或は(a2)Mo含有化合物と(b2)ハイドロジエンホスファイトと(c2)有機アルミニウム(本明細書では以降「有機Al」)化合物を含有する材料の組み合わせもしくは反応生成物である触媒組成物を用いて前記1,3−BDを前記ゴム
セメント内で重合させてs−PBDを生成させることを包含する。
Crが基になった触媒組成物またはMoが基になった触媒組成物を用いて1,3−BD単量体をゴムセメント内で重合させてs−PBDを生成させることにより、s−PBDとゴム状弾性重合体のブレンド物を直接製造することができる。
ンサイチューで生成させることも可能であり、そのようなアニオン重合開始剤も本技術分野で公知である。このような開始剤には、これらに限定するものでないが、有機リチウム開始剤、例えばブチルリチウムなど、または官能性開始剤、例えばリチウムアミド開始剤、アミノアルキルリチウム開始剤および有機錫リチウム開始剤などが含まれる。開始剤の例が米国特許第5,153,159号、5,268,439号、5,274,106号、5,238,893号、5,332,810号、5,329,005号、5,578,542号、5,393,721号、5,491,230号、5,521,309号、5,496,940号、5,574,109号、5,523,364号、5,527,753号および5,550,203号に記述されている。このような開始剤は特に共役ジエンの弾性重合体または共役ジエンとビニル置換芳香族単量体の共重合体を合成する時に用いるに有用である。アニオン開始剤を用いる場合、s−PBDの合成をゴムセメント内で行う前に停止剤を添加して重合を停止させる(quench)のが好適である。適切な停止剤には、これらに限定するものでないが、金属のハロゲン化物、有機ハロゲン化物、アルコール類、カルボン酸、無機酸、スルホン酸、水およびこれらの混合物が含まれる。金属のハロゲン化物、例えばジエチルアルミニウムクロライドおよびエチルアルミニウムジクロライドなどが有機ハロゲン化物、例えばトリメチルシリルクロライドなどと同様に好適である。アニオン重合を停止させておかないとs−PBDの生成が妨害される可能性がある。
シレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メシチレンなどが含まれる。また、この上に示した炭化水素の混合物を用いることも可能である。環境上の理由で脂肪族および環状脂肪族溶媒が好適である。
カルボン酸塩:
蟻酸塩、酢酸塩、アクリル酸塩、メタアクリル酸塩、吉草酸塩、グルコン酸塩、クエン
酸塩、フマル酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、しゅう酸塩、オクチル酸塩(2−ethylhexanoate)、ネオデカン酸塩、ナフテン酸塩、ステアリン酸塩、オレイン酸塩、安息香酸塩およびピコリン酸塩、
有機燐酸塩:
ジブチル燐酸塩、ジペンチル燐酸塩、ジヘキシル燐酸塩、ジヘプチル燐酸塩、ジオクチル燐酸塩、ビス(1−メチルヘプチル)燐酸塩、ビス(2−エチルヘキシル)燐酸塩、ジデシル燐酸塩、ジドデシル燐酸塩、ジオクタデシル燐酸塩、ジオレイル燐酸塩、ジフェニル燐酸塩、ビス(p−ノニルフェニル)燐酸塩、ブチル(2−エチルヘキシル)燐酸塩、(1−メチルヘプチル)(2−エチルヘキシル)燐酸塩および(2−エチルヘキシル)(p−ノニルフェニル)燐酸塩、
有機ホスホン酸塩:
ブチルホスホン酸塩、ペンチルホスホン酸塩、ヘキシルホスホン酸塩、ヘプチルホスホン酸塩、オクチルホスホン酸塩、(1−メチルヘプチル)ホスホン酸塩、(2−エチルヘキシル)ホスホン酸塩、デシルホスホン酸塩、ドデシルホスホン酸塩、オクタデシルホスホン酸塩、オレイルホスホン酸塩、フェニルホスホン酸塩、(p−ノニルフェニル)ホスホン酸塩、ブチルブチルホスホン酸塩、ペンチルペンチルホスホン酸塩、ヘキシルヘキシルホスホン酸塩、ヘプチルヘプチルホスホン酸塩、オクチルオクチルホスホン酸塩、(1−メチルヘプチル)(1−メチルヘプチル)ホスホン酸塩、(2−エチルヘキシル)(2−エチルヘキシル)ホスホン酸塩、デシルデシルホスホン酸塩、ドデシルドデシルホスホン酸塩、オクタデシルオクタデシルホスホン酸塩、オレイルオレイルホスホン酸塩、フェニルフェニルホスホン酸塩、(p−ノニルフェニル)(p−ノニルフェニル)ホスホン酸塩、ブチル(2−エチルヘキシル)ホスホン酸塩、(2−エチルヘキシル)ブチルホスホン酸塩、(1−メチルヘプチル)(2−エチルヘキシル)ホスホン酸塩、(2−エチルヘキシル)(1−メチルヘプチル)ホスホン酸塩、(2−エチルヘキシル)(p−ノニルフェニル)ホスホン酸塩および(p−ノニルフェニル)(2−エチルヘキシル)ホスホン酸塩、
有機ホスフィン酸塩:
ブチルホスフィン酸塩、ペンチルホスフィン酸塩、ヘキシルホスフィン酸塩、ヘプチルホスフィン酸塩、オクチルホスフィン酸塩、(1−メチルヘプチル)ホスフィン酸塩、(2−エチルヘキシル)ホスフィン酸塩、デシルホスフィン酸塩、ドデシルホスフィン酸塩、オクタデシルホスフィン酸塩、オレイルホスフィン酸塩、フェニルホスフィン酸塩、(p−ノニルフェニル)ホスフィン酸塩、ジブチルホスフィン酸塩、ジペンチルホスフィン酸塩、ジヘキシルホスフィン酸塩、ジヘプチルホスフィン酸塩、ジオクチルホスフィン酸塩、ビス(1−メチルヘプチル)ホスフィン酸塩、ビス(2−エチルヘキシル)ホスフィン酸塩、ジデシルホスフィン酸塩、ジドデシルホスフィン酸塩、ジオクタデシルホスフィン酸塩、ジオレイルホスフィン酸塩、ジフェニルホスフィン酸塩、ビス(p−ノニルフェニル)ホスフィン酸塩、ブチル(2−エチルヘキシル)ホスフィン酸塩、(1−メチルヘプチル)(2−エチルヘキシル)ホスフィン酸塩および(2−エチルヘキシル)(p−ノニルフェニル)ホスフィン酸塩、
カルバミン酸塩:
ジメチルカルバミン酸塩、ジエチルカルバミン酸塩、ジイソプロピルカルバミン酸塩、ジブチルカルバミン酸塩およびジベンジルカルバミン酸塩、
ジチオカルバミン酸塩:
ジメチルジチオカルバミン酸塩、ジエチルジチオカルバミン酸塩、ジイソプロピルジチオカルバミン酸塩、ジブチルジチオカルバミン酸塩およびジベンジルジチオカルバミン酸塩、
キサントゲン酸塩:
メチルキサントゲン酸塩、エチルキサントゲン酸塩、イソプロピルキサントゲン酸塩、ブチルキサントゲン酸塩およびベンジルキサントゲン酸塩、
β−ジケトネート:
アセチルアセトネート、トリフルオロアセチルアセトネート、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ベンゾイルアセトネート、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、ジオキサイドビス(アセチルアセトネート)、ジオキサイドビス(トリフルオロアセチルアセトネート)、ジオキサイドビス(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)、ジオキサイドビス(ベンゾイルアセトネート)およびジオキサイドビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート)、
アルコキサイドまたはアリールオキサイド:
メトキサイド、エトキサイド、イソプロポキサイド、2−エチルヘキソキサイド、フェノキサイド、ノニルフェノキサイドおよびナフトキサイド、
ハロゲン化物:
六フッ化物、五フッ化物、四フッ化物、三フッ化物、五塩化物、四塩化物、三塩化物、四臭化物、三臭化物、三ヨウ化物および二ヨウ化物、
疑似ハロゲン化物:
シアン化物、シアン酸塩、チオシアン酸塩およびアジ化物、そして
オキシハロゲン化物:
オキシ四フッ化物、ジオキシ二フッ化物、オキシ四塩化物、オキシ三塩化物、ジオキシ二塩化物、オキシ三臭化物およびジオキシ二臭化物。
で描写可能である。R1およびR2は、好適には、ヒドロカルビル基、例えばこれらに限定するものでないが、アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、置換シクロアルケニル、アリール、アリル、置換アリール、アラルキル、アルカリールおよびアルキニル基などであり、各基が含むC原子の数は好適には1またはそのような基が形成されるに適した最小限のC原子数から20以下のC原子数である。前記ヒドロカルビル基はヘテロ原子、例えばこれらに限定するものでないがN、O、Si、SおよびPなどを含んでいても構わない。非環状のハイドロジエンホスファイトは主にケト互変異性体として存在する。互変異性平衡の平衡定数は温度、R1およびR2基の種類、溶媒の種類などの如き要因に依存する。両方の互変異性体とも水素結合により二量体、三量体またはオリゴマー形態で結合していることができる。この2種類の互変異性体のいずれかまたは両方を前記触媒組成物の材料(b)として用いることができる。
で描写可能である。R3は、好適には、ヒドロカルビレン基、例えばこれらに限定するものでないが、アルキレン、シクロアルキレン、置換アルキレン、置換シクロアルキレン、アルケニレン、シクロアルケニレン、置換アルケニレン、置換シクロアルケニレン、アリーレンおよび置換アリーレン基などであり、各基が含むC原子の数は好適には1またはそのような基が形成されるに適した最小限のC原子数から20以下のC原子数である。前記ヒドロカルビレン基はヘテロ原子、例えばこれらに限定するものでないがN、O、Si、SおよびPなどを含んでいても構わない。環状のハイドロジエンホスファイトは主にケト互変異性体として存在する。互変異性平衡の平衡定数は温度、R3基の種類、溶媒の種類などの如き要因に依存する。両方の互変異性体とも水素結合により二量体、三量体またはオリゴマー形態で結合していることができる。この2種類の互変異性体のいずれかまたはそれらの混合物を前記Crが基になった触媒組成物の材料(b)として用いることができる。
−(2H)−4,5−ナフタロ−1,3,2−ジオキサホスホランなどが含まれる。また、このような環状アリーレンハイドロジエンホスファイトの混合物を用いることも可能である。
ネシウムの塩化物、メチルマグネシウムの臭化物、エチルマグネシウムの臭化物、ブチルマグネシウムの臭化物、ヘキシルマグネシウムの臭化物、フェニルマグネシウムの臭化物、ベンジルマグネシウムの臭化物、メチルマグネシウムのカプロン酸塩、エチルマグネシウムのカプロン酸塩、ブチルマグネシウムのカプロン酸塩、ヘキシルマグネシウムのカプロン酸塩、フェニルマグネシウムのカプロン酸塩、ベンジルマグネシウムのカプロン酸塩、メチルマグネシウムのエトキサイド、エチルマグネシウムのエトキサイド、ブチルマグネシウムのエトキサイド、ヘキシルマグネシウムのエトキサイド、フェニルマグネシウムのエトキサイド、ベンジルマグネシウムのエトキサイド、メチルマグネシウムのフェノキサイド、エチルマグネシウムのフェノキサイド、ブチルマグネシウムのフェノキサイド、ヘキシルマグネシウムのフェノキサイド、フェニルマグネシウムのフェノキサイド、ベンジルマグネシウムのフェノキサイドなど、そしてこれらの混合物が含まれる。
ウムの水素化物、フェニルイソプロピルアルミニウムの水素化物、フェニル−n−ブチルアルミニウムの水素化物、フェニルイソブチルアルミニウムの水素化物、フェニル−n−オクチルアルミニウムの水素化物、p−トリルエチルアルミニウムの水素化物、p−トリル−n−プロピルアルミニウムの水素化物、p−トリルイソプロピルアルミニウムの水素化物、p−トリル−n−ブチルアルミニウムの水素化物、p−トリルイソブチルアルミニウムの水素化物、p−トリル−n−オクチルアルミニウムの水素化物、ベンジルエチルアルミニウムの水素化物、ベンジル−n−プロピルアルミニウムの水素化物、ベンジルイソプロピルアルミニウムの水素化物、ベンジル−n−ブチルアルミニウムの水素化物、ベンジルイソブチルアルミニウムの水素化物およびベンジル−n−オクチルアルミニウムの水素化物、エチルアルミニウムの二水素化物、n−プロピルアルミニウムの二水素化物、イソプロピルアルミニウムの二水素化物、n−ブチルアルミニウムの二水素化物、イソブチルアルミニウムの二水素化物、n−オクチルアルミニウムの二水素化物、ジメチルアルミニウムの塩化物、ジエチルアルミニウムの塩化物、ジイソブチルアルミニウムの塩化物、ジメチルアルミニウムの臭化物、ジエチルアルミニウムの臭化物、ジメチルアルミニウムのフッ化物、ジエチルアルミニウムのフッ化物、メチルアルミニウムの二塩化物、エチルアルミニウムの二塩化物、イソブチルアルミニウムの二塩化物、メチルアルミニウムの二臭化物、エチルアルミニウムの二臭化物、メチルアルミニウムの二フッ化物、エチルアルミニウムの二フッ化物、メチルアルミニウムのセスキクロライド、エチルアルミニウムのセスキクロライド、イソブチルアルミニウムのセスキクロライド、ジメチルアルミニウムのカプロン酸塩、ジエチルアルミニウムのカプリル酸塩、ジイソブチルアルミニウムのオクチル酸塩、ジメチルアルミニウムのネオデカン酸塩、ジエチルアルミニウムのステアリン酸塩、ジイソブチルアルミニウムのオレイン酸塩、メチルアルミニウムのビス(カプロン酸)塩、エチルアルミニウムのビス(カプリル酸)塩、イソブチルアルミニウムのビス(オクチル酸)塩、メチルアルミニウムのビス(ネオデカン酸)塩、エチルアルミニウムのビス(ステアリン酸)塩、イソブチルアルミニウムのビス(オレイン酸)塩、ジメチルアルミニウムのメトキサイド、ジエチルアルミニウムのメトキサイド、ジイソブチルアルミニウムのメトキサイド、ジメチルアルミニウムのエトキサイド、ジエチルアルミニウムのエトキサイド、ジイソブチルアルミニウムのエトキサイド、ジメチルアルミニウムのフェノキサイド、ジエチルアルミニウムのフェノキサイド、ジイソブチルアルミニウムのフェノキサイド、メチルアルミニウムのジメトキサイド、エチルアルミニウムのジメトキサイド、イソブチルアルミニウムのジメトキサイド、メチルアルミニウムのジエトキサイド、エチルアルミニウムのジエトキサイド、イソブチルアルミニウムのジエトキサイド、メチルアルミニウムのジフェノキサイド、エチルアルミニウムのジフェノキサイド、イソブチルアルミニウムのジフェノキサイド、トリス(フルオロメチル)アルミニウムなど、そしてこれらの混合物が含まれる。
ハイドロジエンホスファイトとCr含有化合物のモル比(P/Cr)またはハイドロジエンホスファイトとMo含有化合物のモル比(P/Mo)は約0.5:1から約50:1、より好適には約1:1から約25:1、更により好適には約2:1から約10:1で多様であり得、
有機Mg化合物とCr含有化合物のモル比(Mg/Cr)は約1:1から約50:1、より好適には約2:1から約30:1、更により好適には約3:1から約20:1で多様
であり得、
Mo含有触媒組成物の材料(c)が式AlRnX3-nで定義される有機Al化合物を含む場合の有機Al化合物とMo含有化合物のモル比(Al/Mo)は約1:1から約100:1、より好適には約3:1から約50:1、更により好適には約5:1から約25:1で多様であり得、
Mo含有触媒組成物の材料(c)がアルミノキサンを含む場合のアルミノキサンとMo含有化合物のモル比(Al/Mo)は約5:1から約500:1、より好適には約10:1から約200:1、更により好適には約20:1から約100:1で多様であり得る。
1)ゴム状弾性重合体を含有するゴムセメントと1,3−BDに前記3種類の触媒材料を段階的または同時様式で添加することにより触媒組成物をインサイチューで生成させることができる。前記触媒材料を段階的様式で添加する場合の添加順は重要でない。Crが基になった触媒系の場合には、好適には、有機Mg化合物を最初に添加した後、Cr含有化合物に続いてハイドロジエンホスファイトを添加し、Moが基になった触媒系の場合には、好適には、Mo含有化合物を最初に添加した後、ハイドロジエンホスファイトに続いて有機Al化合物を添加する。
2)前記3種類の触媒材料を重合装置の外側で一般に約−20から約80℃の適切な温度で前以て混合しておきそして得られた触媒組成物をゴム状弾性重合体を含有するゴムセメントと1,3−BDに添加することができる。
3)触媒組成物を1,3−BDの存在下で前以て生成させることができる。即ち、前記3種類の触媒材料を少量の1,3−BDの存在下で一般に約−20から約80℃の適切な温度で前以て混合しておく。このようにして触媒を前以て生成させる時に用いる1,3−BDの量はMo含有化合物もしくはCr含有化合物1モル当たり約1から約500モル、より好適には約4から約100モル、更により好適には約10から約50モルの範囲であってもよい。次に、得られた触媒組成物をゴム状弾性重合体を含有するゴムセメントと重合させるべき1,3−BDの残りに添加する。
4)また、2段階手順を用いて触媒組成物を生成させることも可能である。1番目の段階は、Mo含有化合物もしくはCr含有化合物と有機Al化合物もしくは有機Mg化合物をそれぞれ少量の1,3−BDの存在下で一般に−20から約80℃の適切な温度で組み合わせることを包含する。2番目の段階で、この上に示した反応混合物とハイドロジエンホスファイトを段階的または同時様式のいずれかでゴム状弾性重合体を含有するゴムセメントと重合させるべき1,3−BDの残りに仕込む。
5)別の2段階手順では、最初にMo含有化合物もしくはCr含有化合物とハイドロジエンホスファイト化合物を前以て一緒にすることで金属−配位子錯体を生成させる。この金属−配位子錯体が生成した後、この配位子錯体を有機Al化合物もしくは有機Mg化合物(適宜)と一緒にすることで活性触媒種を生成させる。前記金属−配位子錯体の調製は個別にか或はゴム状弾性重合体を含有するゴムセメントと重合させるべき1,3−BDの中で実施可能である。この錯体形成反応は通常の圧力下で通常の任意温度で実施可能であるが、反応速度を速める目的で室温以上の温度が好適である。この金属−配位子錯体の生成に要する時間は、Mo含有化合物もしくはCr含有化合物とハイドロジエンホスファイト化合物を混合した後一般に約10分から約2時間の範囲内である。この金属−配位子錯体
を生成させる時に用いる温度および時間はいくつかの変数に依存する可能性があり、そのような変数には、用いる個々の出発材料および溶媒が含まれる。この金属−配位子錯体が生成した後、これをその錯体形成反応混合物から単離することなく用いることができる。しかしながら、望まれるならば、この金属−配位子錯体を使用に先立って前記錯体形成反応混合物から単離することもできる。
6)前記3種類の触媒材料は1,3−BD添加前または1,3−BD添加と同時にゴムセメントに添加することができる。
低ビニルPBDゴムセメントの存在下で1,3−BDを重合させてs−PBDを生じさせることでs−PBDと低ビニルPBDの高度に分散しているブレンド物を生じさせた。
を行った。重合を65℃で6時間実施した。1.0Mのジエチルアルミニウムクロライドを1.02mL添加することで触媒を失活させた。少量のゴムセメントから回収した重合体の重量を測定することで測定した1,3−BDから低ビニルPBDへの変換率は本質的に100%であった。
ヘプタン中1.0Mのジブチルマグネシウムを21.4mL、ヘキサン中0.0582Mのオクチル酸Cr(III)を40.9mLおよびシクロヘキサン中0.193Mの2−オキソ−(2H)−5−ブチル−5−エチル−1,3,2−ジオキサホスホリナンを61.7mL添加して1,3−BD単量体の重合を開始させてs−PBDを生じさせる以外は実施例1の手順を繰り返した。この重合混合物の処理を行った後、s−PBDと低ビニルPBDの高度に分散したブレンド物を得た。この重合体ブレンド物の収量は618gであった。計算した1,3−BDからs−PBDへの変換率は87%であった。この重合体ブレンド物をDSCで測定した結果、低ビニルPBDによるTgは−93℃でs−PBDによる溶融温度は141℃であった。
ヘキサン中0.215Mのオクチル酸モリブデンを15.5mL、ヘキサン中0.266Mのビス(2−エチルヘキシル)ハイドロジエンホスファイトを50.1mLおよびヘキサン中0.68Mのトリ−n−ブチルアルミニウムを93.1mL添加して1,3−BDの重合を低ビニルPBDゴムセメント内で開始させてs−PBDを生じさせる以外は実施例1の手順を繰り返した。この重合混合物の処理を行った後、s−PBDと低ビニルPBDの高度に分散したブレンド物を得た。この重合体ブレンド物の収量は618gであった。計算した1,3−BDからs−PBDへの変換率は87%であった。この重合体ブレンド物をDSCで測定した結果、低ビニルPBDによるTgは−93℃でs−PBDによる溶融温度は141℃であった。
この実験では、1,3−BDを高シス−1,4−PBDゴムセメント内で重合させてs−PBDと高シス−1,4−PBDの高度に分散しているブレンド物を生じさせた。
0Mのネオデカン酸Nd(III)を0.39mL仕込むことで調製を行った。重合を80℃で5時間実施した。少量のゴムセメントから回収した重合体の重量を測定することで測定した1,3−BDから高シス−1,4−PBDへの変換率は96%であった。
ヘプタン中1.0Mのジブチルマグネシウムを17.1mL、ヘキサン中0.0582Mのオクチル酸Cr(III)を32.7mLおよびヘキサン中0.266Mのビス(2−エチルヘキシル)ハイドロジエンホスファイトを35.8mL添加することで、s−PBDを生じさせる1,3−BDの重合をゴムセメント内で開始させた。この重合を35℃で4時間実施した。3mLのイソプロパノールを50mLのヘキサンで希釈して添加することで重合を停止させた。この重合混合物を2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールを12g入れておいた10Lのイソプロパノールに加えた。濾過に続いて乾燥を真空下60℃で一定重量になるまで行うことで、結果として生じたs−PBDと高シス−1,4−PBDのブレンド物を単離した。この重合体ブレンド物の収量は647gであった。計算した1,3−BDからs−PBDへの変換率は93%であった。この重合体ブレンド物をDSCで測定した結果、これが示したTgは−103℃であり、そして高シス−1,4−PBDによる溶融温度は−7℃でありそしてs−PBDによる溶融温度は152℃であった。
ヘキサン中0.215Mのオクチル酸モリブデンを13.3mL、ヘキサン中0.266Mのビス(2−エチルヘキシル)ハイドロジエンホスファイトを43.0mLおよびヘキサン中0.68Mのトリイソブチルアルミニウムを63.1mL添加することで、s−PBDを生じさせる1,3−BDの重合をゴムセメント内で開始させた。この重合を65℃で6時間実施した。3mLのイソプロパノールを50mLのヘキサンで希釈して添加することで重合を停止させた。この重合混合物を2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールを12g入れておいた10Lのイソプロパノールに加えた。濾過に続いて乾燥を真空下60℃で一定重量になるまで行うことで、結果として生じたs−PBDと高シス−1,4−PBDのブレンド物を単離した。この重合体ブレンド物の収量は642gであった。計算した1,3−BDからs−PBDへの変換率は92%であった。この重合体ブレンド物をDSCで測定した結果、これが示したTgは−104℃であり、そして高シス−1,4−PBDによる溶融温度は−8℃でありそしてs−PBDによる溶融温度は185℃であった。
ヘプタン中1.0Mのジブチルマグネシウムを21.4mL、ヘキサン中0.0582Mのオクチル酸Cr(III)を40.9mLおよびシクロヘキサン中0.193Mの2−オキソ−(2H)−5−ブチル−5−エチル−1,3,2−ジオキサホスホリナンを61.7mL添加して1,3−BDの重合を高シス−1,4−PBDゴムセメント内で開始させてs−PBDを生じさせる以外は実施例4aの手順を繰り返した。この重合混合物の処理を行った後、s−PBDと高シス−1,4−PBDの高度に分散したブレンド物を得た。この重合体ブレンド物の収量は632gであった。計算した1,3−BDからs−PBDへの変換率は90%であった。この重合体ブレンド物をDSCで測定した結果、これが示したTgは−104℃であり、そして高シス−1,4−PBDによる溶融温度は−8℃でありそしてs−PBDによる溶融温度は140℃であった。
ヘキサン中0.215Mのオクチル酸モリブデンを15.5mL、ヘキサン中0.266Mのビス(2−エチルヘキシル)ハイドロジエンホスファイトを50.1mLおよびヘキサン中0.68Mのトリ−n−ブチルアルミニウムを93.1mL添加して1,3−BDの重合を高シス−1,4−PBDゴムセメント内で開始させてs−PBDを生じさせる以外は実施例4bの手順を繰り返した。この重合混合物の処理を行った後、s−PBDと高シス−1,4−PBDの高度に分散したブレンド物を得た。この重合体ブレンド物の収量は628gであった。計算した1,3−BDからs−PBDへの変換率は89%であった。この重合体ブレンド物をDSCで測定した結果、これが示したTgは−103℃であり、そして高シス−1,4−PBDによる溶融温度は−7℃でありそしてs−PBDによる溶融温度は141℃であった。
この実験では、1,3−BDからs−PBDを生じさせる重合をゴムセメントの存在なしに実施した。
この実験では、1,3−BDからs−PBDを生じさせる重合をゴムセメントの存在なしに実施した。
あった。この重合体をDSCで測定した結果、これが示した溶融温度は189℃であった。
Claims (9)
- シンジオタクテック1,2−ポリブタジエンとゴム状弾性重合体のブレンド物を製造する方法であって、
(a)ゴムセメントと1,3−ブタジエンの混合物を準備し、そして
(b)(1)クロム含有化合物と有機マグネシウム化合物、または
(2)モリブデン含有化合物と有機アルミニウム化合物、
のいずれかとハイドロジエンホスファイトを含んで成る材料の組み合わせもしくは反応生成物である触媒組成物を調製するが、この触媒組成物の調製を前記ゴムセメントと1,3−ブタジエンの非存在下で行い、
(c)上記触媒組成物を用いて前記1,3−ブタジエンを前記ゴムセメント内で重合させることによりシンジオタクテック1,2−ポリブタジエンを生成させる、
ことを含んで成り、
ここで、クロム化合物の量は1,3−ブタジエン100g当たり0.01〜2ミリモルであり、有機マグネシウム化合物とクロム化合物のモル比が1:1〜50:1であり、そしてハイドロジエンホスファイトとクロム化合物のモル比が0.5:1〜50:1である方法。 - シンジオタクテック1,2−ポリブタジエンとゴム状弾性重合体のブレンド物を製造する方法であって、
(a)ゴムセメントと1,3−ブタジエン単量体の混合物を準備し、そして
(b)触媒組成物の調製を行うが、この触媒組成物の調製を、前記ゴムセメントと単量体の混合物の非存在下に(i)クロム含有化合物と(ii)ハイドロジエンホスファイトと(iii)有機マグネシウム化合物または(i)モリブデン含有化合物と(ii)ハイドロジエンホスファイトと(iii)有機アルミニウム化合物を組み合わせることにより行い、そして
(c)前記触媒組成物を前記混合物に添加することにより前記1,3−ブタジエン単量体を前記ゴムセメント内で重合させてシンジオタクテック1,2−ポリブタジエンを生成させる、
段階を含んで成り、
ここで、クロム化合物の量は1,3−ブタジエン100g当たり0.01〜2ミリモルであり、有機マグネシウム化合物とクロム化合物のモル比が1:1〜50:1であり、そしてハイドロジエンホスファイトとクロム化合物のモル比が0.5:1〜50:1である方法。 - 前記ゴムセメントと1,3−ブタジエンの混合物の準備が(1)1種以上の単量体を有機溶媒中で重合させてゴム状弾性重合体を生成させることでゴムセメントを調製しそして(2)このゴムセメントに1,3−ブタジエンを添加することを含んで成る請求項1または2記載の方法。
- 1,3−ブタジエンを重合させてシンジオタクテック1,2−ポリブタジエンを生成させる前記段階を1,3−ブタジエン100g当たり0.01から2ミリモルの前記クロム含有化合物もしくはモリブデン含有化合物の存在下で実施する請求項1または2記載の方法。
- 前記ハイドロジエンホスファイトと前記クロム含有化合物もしくはモリブデン含有化合物のモル比が0.5:1から50:1である請求項1または2記載の方法。
- 前記クロム含有化合物もしくは前記モリブデン含有化合物がカルボン酸塩、有機燐酸塩、有機ホスホン酸塩、有機ホスフィン酸塩、カルバミン酸塩、ジチオカルバミン酸塩、キサントゲン酸塩、β−ジケトネート、アルコキサイド、アリールオキサイド、ハロゲン化物、疑似ハロゲン化物、オキシハロゲン化物、有機クロムもしくは有機モリブデン化合物またはそれらの混合物である請求項1または2記載の方法。
- 前記有機マグネシウム化合物が一般式MgR4 2[式中、各R4は独立して一価有機基である]または一般式R5MgX[式中、R5は一価有機基でありそしてXは水素原子、ハロゲン原子、カルボキシレート基、アルコキサイド基またはアリールオキサイド基である]で表される請求項1または2記載の方法。
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150729 |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151014 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160114 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160121 |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160205 |