JP2015038035A - アニールによるii−vi族の半導体材料中の沈殿物を除去するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アニールによってII−VI族の固体の半導体材料に含まれる沈殿物を除去する方法であって、前記固体の半導体材料は、調和昇華を示す固体の半導体材料であり、そして、以下の連続した段階である、前記固体の半導体材料が、II−VI族の化合物/VI族元素の共晶に対応する第1の温度T1、及び、最大の調和昇華温度に対応する第2の温度T2の間の、温度Tまで不活性ガスフローの下で加熱される段階、前記固体の材料が、前記沈殿物を除去するのに十分な期間に亘って中性ガスフロー下で、この温度Tで保たれる段階、前記固体の半導体材料が、冷却中にこの固体材料がその調和昇華線に合致するような冷却率で、温度Tから周辺温度まで不活性ガスフローの下で冷却される段階、前記沈殿物の無い固体の半導体材料が、回収される段階、が実行される、方法。
【選択図】図5
Description
1.シールされた管の形態で作製されるCdTeインゴットに対して、図1の添付の線図において見られるように、調和融点(xl=0.50010)付近で、沈殿物は、固相線が阻止される瞬間から、すなわち、830℃付近で、現れる。
−固体の半導体材料は、第1の温度T1(II−VI族の化合物/VI族元素の共晶に対応する)及び第2の温度T2(最大の調和昇華温度に対応する)との間の、温度Tまで不活性ガスフローの下で加熱される。
−この固体材料は、沈殿物を除去するのに十分な期間に亘って中性ガスフローの下で、この温度Tで保たれる。
−この固体の半導体材料は、冷却中にこの固体材料がその調和昇華線で結合するような割合で、温度Tから周辺温度まで不活性ガスフローの下で冷やされる。
−沈殿物の無い固体の半導体材料が、回収される。
−例えば、CdTe(重い重量ではない)の場合、テルルからなる沈殿物及び包含物、
−るつぼの死空間内部で部分的な平衡圧を決めるために、そして、開口を通るこれらのリークを考慮して、長期に渡り平衡圧を維持するために蒸発する、結晶格子(CdTeの場合)の構成要素のカドミウム及びテルル原子。
この実施例において、テルル沈殿物は本発明による方法によって固体の半導体材料から除去される。
この実施例において、単結晶CdXZn1−XTe(ここで、X=0.4)の基板について、同一の実験が実施例1と同様に(同一条件で)行われ、同一の結果が得られた。
この実施例において、沈殿物は、テルル溶媒を使用し、かつテルル沈殿物だけを含んで、ブリッジマン法によってシールされた石英管において作製されるZnTe固体から除去される。
2 材料
6 開口
8 アルゴン
Claims (14)
- アニールによってII−VI族の固体の半導体材料に含まれる沈殿物を除去する方法であって、前記固体の半導体材料は、調和昇華を示す固体の半導体材料であり、そして、以下の連続した段階である、
前記固体の半導体材料が、II−VI族の化合物/VI族元素の共晶に対応する第1の温度T1、及び、最大の調和昇華温度に対応する第2の温度T2の間の、温度Tまで不活性ガスフローの下で加熱される段階、
前記固体の材料が、前記沈殿物を除去するのに十分な期間に亘って中性ガスフロー下で、この温度Tで保たれる段階、
前記固体の半導体材料が、冷却中にこの固体材料がその調和昇華線に合致するような冷却率で、温度Tから周辺温度まで不活性ガスフローの下で冷却される段階、
前記沈殿物の無い固体の半導体材料が、回収される段階、
が実行される、方法。 - 前記II−VI族の半導体材料に対する状態図において、
前記第1の温度T1は、前記材料における最大の融点を垂直に通過する線及び固相線の交差点に対応する温度である、請求項1に記載の方法。 - 前記II−VI族の半導体材料に対する状態図において、
前記第2の温度T2は、前記調和昇華線及び固相線の交差点に対応する温度である、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記沈殿物は、VI族の元素の沈殿物である、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記II−VI族の半導体材料は、CdTe、Cd1−XZnXTe、及びZnTeの間で選択され、
ここで、Xが0から1に亘っている、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。 - 前記II−VI族の半導体材料は、前記沈殿物として、テルル沈殿物だけを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記半導体材料がCdTeであり、
前記沈殿物は、単にテルルだけからなり、
前記第1の温度T1が、830℃であり、そして、前記第2の温度T2が、1040℃である、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記半導体材料が、ZnTeであり、
前記沈殿物は、単にテルルだけからなり、
前記第1の温度T1が、820℃であり、そして、前記第2の温度T2が、1240℃である、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記温度Tは、1分−50時間の期間に亘って維持される、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記材料は、単一の基板又はいくつかの基板の形態で現れ、
これらの基板の各々は、ブロック又はインゴットの形態である、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。 - 前記不活性ガスが、アルゴン及びヘリウムの間で選択される、請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記固体の半導体材料は、最大融解点で又はVI族の元素の溶媒中でブリッジマン法によって作製される材料である、請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記材料がクヌーセンセルのように設計されるるつぼ内側に配置される、請求項1から12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法は、開口した反応器管において実施される、請求項1から13のいずれか1項に記載の材料。
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