JP2746497B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、特に赤外線検出器用の材料として用いられる水
銀を含有するII−VI族半導体装置の導電型を制御する方
法に関するものである。
に関し、特に赤外線検出器用の材料として用いられる水
銀を含有するII−VI族半導体装置の導電型を制御する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＨｇＴｅ結晶等のII−VI族混晶から
なる多元半導体は、組成比を変えることによりバンドギ
ャップを変化させることができることに注目され、低雑
音の光検出器等のデバイスを作製するために用いられて
いる。
なる多元半導体は、組成比を変えることによりバンドギ
ャップを変化させることができることに注目され、低雑
音の光検出器等のデバイスを作製するために用いられて
いる。
【０００３】図４は、例えば、特公昭62-34157号公報に
開示された、従来のII−VI族化合物半導体装置の導電型
を制御する際の方法を説明するための図である。このよ
うな多元半導体は、組成比を変えることによりバンドギ
ャップを変化させることができることに注目され、低雑
音の光検出器等のデバイスを作製するために用いられて
いる。
開示された、従来のII−VI族化合物半導体装置の導電型
を制御する際の方法を説明するための図である。このよ
うな多元半導体は、組成比を変えることによりバンドギ
ャップを変化させることができることに注目され、低雑
音の光検出器等のデバイスを作製するために用いられて
いる。
【０００４】図において、１は石英アンプルであり、そ
の内部に既に作製されたＣｄＨｇＴｅ結晶２が、またア
ンプル１の一方の終端部に設けられたくびれ部分に水銀
３が封入されている。また１２は上記アンプル１周囲に
配置されたヒータである。
の内部に既に作製されたＣｄＨｇＴｅ結晶２が、またア
ンプル１の一方の終端部に設けられたくびれ部分に水銀
３が封入されている。また１２は上記アンプル１周囲に
配置されたヒータである。
【０００５】上記ＣｄＨｇＴｅ結晶２は、該結晶を構成
する元素として蒸気圧が非常に高い水銀元素（Ｈｇ）を
含むため、これが結晶成長中に解離し、ＣｄＨｇＴｅ結
晶中に空孔が生じやすい。この水銀の解離により生じた
空孔がアクセプタとなるので、例えば、液相成長法によ
って得られるＣｄＨｇＴｅ結晶は、水銀空孔を多く含み
キャリア濃度が〜１０17cm-3程度のｐ型で、キャリアの
移動度が低くこのままではデバイスに使用することがで
きない。そこで、この問題を解決するため、上記図４に
示すように、石英アンプル１の中に、既に成長せしめら
れたＣｄＨｇＴｅ結晶２と水銀３とを１０-6Ｔｏｒｒで
真空封入してヒータ１２を用いて適当な温度でアニール
することにより、水銀３からの水銀分圧をＣｄＨｇＴｅ
結晶２に印加して空孔を充填し、キャリア濃度の高いＣ
ｄＨｇＴｅ結晶をキャリア濃度の低いｐ型のＣｄＨｇＴ
ｅ結晶に変換して、あるいはさらに殆ど空孔がなくなる
まで充填してｎ型のＣｄＨｇＴｅ結晶に変換して用いる
ようにしている。
する元素として蒸気圧が非常に高い水銀元素（Ｈｇ）を
含むため、これが結晶成長中に解離し、ＣｄＨｇＴｅ結
晶中に空孔が生じやすい。この水銀の解離により生じた
空孔がアクセプタとなるので、例えば、液相成長法によ
って得られるＣｄＨｇＴｅ結晶は、水銀空孔を多く含み
キャリア濃度が〜１０17cm-3程度のｐ型で、キャリアの
移動度が低くこのままではデバイスに使用することがで
きない。そこで、この問題を解決するため、上記図４に
示すように、石英アンプル１の中に、既に成長せしめら
れたＣｄＨｇＴｅ結晶２と水銀３とを１０-6Ｔｏｒｒで
真空封入してヒータ１２を用いて適当な温度でアニール
することにより、水銀３からの水銀分圧をＣｄＨｇＴｅ
結晶２に印加して空孔を充填し、キャリア濃度の高いＣ
ｄＨｇＴｅ結晶をキャリア濃度の低いｐ型のＣｄＨｇＴ
ｅ結晶に変換して、あるいはさらに殆ど空孔がなくなる
まで充填してｎ型のＣｄＨｇＴｅ結晶に変換して用いる
ようにしている。
【０００６】以下、図４に示したような装置を用いて、
キャリア濃度の高いＣｄＨｇＴｅ結晶のキャリア濃度を
低減する際のアニール処理を図５の温度プロファイル図
を用いて説明する。
キャリア濃度の高いＣｄＨｇＴｅ結晶のキャリア濃度を
低減する際のアニール処理を図５の温度プロファイル図
を用いて説明する。
【０００７】アンプル１に封入されたＣｄＨｇＴｅ結晶
２を２８０℃に加熱し、また水銀３を２５０℃に加熱す
ることによりＣｄＨｇＴｅ結晶２近傍に２５０℃で決ま
る水銀分圧を与え、この状態で１日程度放置し、アンプ
ル１内側に水銀を付着させることなくＣｄＨｇＴｅ結晶
２に水銀を拡散させると、キャリア濃度１０14cm-3程度
のｎ型のＣｄＨｇＴｅ結晶が得られる。
２を２８０℃に加熱し、また水銀３を２５０℃に加熱す
ることによりＣｄＨｇＴｅ結晶２近傍に２５０℃で決ま
る水銀分圧を与え、この状態で１日程度放置し、アンプ
ル１内側に水銀を付着させることなくＣｄＨｇＴｅ結晶
２に水銀を拡散させると、キャリア濃度１０14cm-3程度
のｎ型のＣｄＨｇＴｅ結晶が得られる。
【０００８】また、図６は水銀を含有するII−VI族化合
物半導体結晶のｐｎ接合を水銀拡散を用いて形成する方
法を説明するための図であり、４は、厚さ１０μｍ程度
のｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５の表面に設けられた、例えば
ＺｎＳからなる厚さ１μｍ程度の拡散マスクであり、上
記ｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５のｎ型領域を形成しようとす
る部分に例えば直径１〜３０μｍ程度の開口４ａが形成
されている。
物半導体結晶のｐｎ接合を水銀拡散を用いて形成する方
法を説明するための図であり、４は、厚さ１０μｍ程度
のｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５の表面に設けられた、例えば
ＺｎＳからなる厚さ１μｍ程度の拡散マスクであり、上
記ｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５のｎ型領域を形成しようとす
る部分に例えば直径１〜３０μｍ程度の開口４ａが形成
されている。
【０００９】そして上記拡散マスク４が形成されたＣｄ
ＨｇＴｅ結晶５を、上記図４と同様に水銀とともにアン
プル内に封止してアニールすることにより、上記拡散マ
スク４の開口４ａに露出するＣｄＨｇＴｅ結晶５表面に
所定の水銀分圧が印加されて水銀がＣｄＨｇＴｅ結晶５
中に拡散し、図６(b) に示されるようにｎ型領域が形成
され深さ３μｍ程度のｐｎ接合６を得ることができる。
ＨｇＴｅ結晶５を、上記図４と同様に水銀とともにアン
プル内に封止してアニールすることにより、上記拡散マ
スク４の開口４ａに露出するＣｄＨｇＴｅ結晶５表面に
所定の水銀分圧が印加されて水銀がＣｄＨｇＴｅ結晶５
中に拡散し、図６(b) に示されるようにｎ型領域が形成
され深さ３μｍ程度のｐｎ接合６を得ることができる。
【００１０】以下このようなｐｎ接合６を用いて、例え
ばフォトダイオードアレイを形成する場合には、図７
(a) に示すようにｐｎ接合６を形成した後に続いて図７
(b) に示すように、拡散マスク４を除去し、図７(c) に
示すようにＣｄＨｇＴｅ結晶５全面に酸化膜１０１を設
け、続いて周知の写真製版技術を用いて上記ｐｎ接合６
上にｎ側のコンタクトホール１０２、及びｐ側のコンタ
クトホール１０３をそれぞれ形成し（図７(d) ）、さら
に続いて金属層を所定の形にパターニングして上記コン
タクトホール１０２，１０３を介して上記ＣｄＨｇＴｅ
結晶５と接触するｎ側電極１０４，ｐ側電極１０５を形
成する（図７(e) ）。
ばフォトダイオードアレイを形成する場合には、図７
(a) に示すようにｐｎ接合６を形成した後に続いて図７
(b) に示すように、拡散マスク４を除去し、図７(c) に
示すようにＣｄＨｇＴｅ結晶５全面に酸化膜１０１を設
け、続いて周知の写真製版技術を用いて上記ｐｎ接合６
上にｎ側のコンタクトホール１０２、及びｐ側のコンタ
クトホール１０３をそれぞれ形成し（図７(d) ）、さら
に続いて金属層を所定の形にパターニングして上記コン
タクトホール１０２，１０３を介して上記ＣｄＨｇＴｅ
結晶５と接触するｎ側電極１０４，ｐ側電極１０５を形
成する（図７(e) ）。
【００１１】また、特開昭58−171848号公報に示される
ように、ＣｄＨｇＴｅ結晶成長時にインジウム（Ｉｎ）
等のIII 族元素をドナー不純物として微量添加し、後に
熱処理を施して結晶中の水銀の量を制御してキャリア濃
度を制御したり、さらに特開昭62-13085号公報に示され
るようにＣｄＨｇＴｅ層上にインジウムのバンプ電極を
形成した後、熱処理を行いＣｄＨｇＴｅ層の上記バンプ
電極と接触する領域をｎ型に変換したりする等の方法が
あるが、これらの方法ではドナー不純物となるインジウ
ム（Ｉｎ）自体が結晶中において散乱因子となり、移動
度の向上はあまり望めず電気特性が悪いものであった。
ように、ＣｄＨｇＴｅ結晶成長時にインジウム（Ｉｎ）
等のIII 族元素をドナー不純物として微量添加し、後に
熱処理を施して結晶中の水銀の量を制御してキャリア濃
度を制御したり、さらに特開昭62-13085号公報に示され
るようにＣｄＨｇＴｅ層上にインジウムのバンプ電極を
形成した後、熱処理を行いＣｄＨｇＴｅ層の上記バンプ
電極と接触する領域をｎ型に変換したりする等の方法が
あるが、これらの方法ではドナー不純物となるインジウ
ム（Ｉｎ）自体が結晶中において散乱因子となり、移動
度の向上はあまり望めず電気特性が悪いものであった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は以上のように構成されており、図４に示すよう
に、水銀を含有するII−VI族結晶に水銀蒸気圧を印加す
るための手段として常温で液体の水銀を使用するので、
例えばアンプルを傾けると水銀が移動して所望の温度プ
ロファイルが得られなくなる等、取扱いには細心の注意
が必要であり、作業性の低下を余儀無くされていたとい
う問題点があった。
造方法は以上のように構成されており、図４に示すよう
に、水銀を含有するII−VI族結晶に水銀蒸気圧を印加す
るための手段として常温で液体の水銀を使用するので、
例えばアンプルを傾けると水銀が移動して所望の温度プ
ロファイルが得られなくなる等、取扱いには細心の注意
が必要であり、作業性の低下を余儀無くされていたとい
う問題点があった。
【００１３】また、図５に示すように、アニールによっ
てＣｄＨｇＴｅ結晶に水銀分圧を印加する際、アンプル
１内に水銀が付着しないように、ＣｄＨｇＴｅ結晶２と
水銀３との間に約３０℃の温度差を有する温度プロファ
イルを作らなければならず、プロセスが複雑になる等の
問題点があった。さらにIII 族元素をドナー不純物とし
て用いた場合にはこれが散乱因子となって移動度の向上
があまり望めないという問題点があった。
てＣｄＨｇＴｅ結晶に水銀分圧を印加する際、アンプル
１内に水銀が付着しないように、ＣｄＨｇＴｅ結晶２と
水銀３との間に約３０℃の温度差を有する温度プロファ
イルを作らなければならず、プロセスが複雑になる等の
問題点があった。さらにIII 族元素をドナー不純物とし
て用いた場合にはこれが散乱因子となって移動度の向上
があまり望めないという問題点があった。
【００１４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、器具や材料の取扱いが容易で作
業性に優れ、また容易なプロセスで、しかもドナー不純
物を用いることなく、水銀を含むII−VI族半導体結晶の
導電型の制御及びｐｎ接合の形成を行なうことができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、器具や材料の取扱いが容易で作
業性に優れ、また容易なプロセスで、しかもドナー不純
物を用いることなく、水銀を含むII−VI族半導体結晶の
導電型の制御及びｐｎ接合の形成を行なうことができる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、水銀を含有するII−VI族結晶に、常温
固体のII族元素またはその化合物を用いてII族元素を固
相拡散させてその導電型を制御するようにしたものであ
る。
置の製造方法は、水銀を含有するII−VI族結晶に、常温
固体のII族元素またはその化合物を用いてII族元素を固
相拡散させてその導電型を制御するようにしたものであ
る。
【００１６】また、水銀を含有するｐ型のII−VI族化合
物半導体表面に所定形状の常温固体のII族元素またはそ
の化合物からなる薄膜を形成し、続いて熱処理を行い、
上記薄膜と接触するｐ型のII−VI族化合物半導体の領域
にII族元素を拡散させて該領域をｎ型に反転させてｐｎ
接合を形成するようにしたものである。
物半導体表面に所定形状の常温固体のII族元素またはそ
の化合物からなる薄膜を形成し、続いて熱処理を行い、
上記薄膜と接触するｐ型のII−VI族化合物半導体の領域
にII族元素を拡散させて該領域をｎ型に反転させてｐｎ
接合を形成するようにしたものである。
【００１７】
【作用】この発明においては、常温で液体の水銀に代え
て、例えば亜鉛等の常温で固体のII族元素またはその化
合物を用い、これらからII族元素を固相拡散させて、水
銀を含有するII−VI族結晶の導電型を制御する、または
水銀を含有するｐ型のII−VI族化合物半導体にｐｎ接合
を形成するようにしたので、器具や材料の取扱いが容易
で、また均一な温度プロファイルでのアニールが可能と
なる。
て、例えば亜鉛等の常温で固体のII族元素またはその化
合物を用い、これらからII族元素を固相拡散させて、水
銀を含有するII−VI族結晶の導電型を制御する、または
水銀を含有するｐ型のII−VI族化合物半導体にｐｎ接合
を形成するようにしたので、器具や材料の取扱いが容易
で、また均一な温度プロファイルでのアニールが可能と
なる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の一実施例による半導体装置
の製造方法を図１に基づいて説明する。図１において、
図４と同一符号は同一または相当部分を示し、７は厚さ
約１０μｍのＣｄＨｇＴｅ結晶２表面に例えば、蒸着法
によって形成された厚さ約１０００オングストロームの
亜鉛（Ｚｎ）薄膜である。
の製造方法を図１に基づいて説明する。図１において、
図４と同一符号は同一または相当部分を示し、７は厚さ
約１０μｍのＣｄＨｇＴｅ結晶２表面に例えば、蒸着法
によって形成された厚さ約１０００オングストロームの
亜鉛（Ｚｎ）薄膜である。
【００１９】次に製造方法について説明する。まず、結
晶成長が終了したＣｄＨｇＴｅ結晶２（図１(a) ）の表
面全面にスパッタ等により厚さ約１０００オングストロ
ームの亜鉛（Ｚｎ）薄膜７を蒸着し（図１(b) ）、これ
を図１(c) に示すようにアンプル８内に１０-6Ｔｏｒｒ
で真空封入し、ヒータ１２を用いて例えば、２００℃で
２０時間アニールする。このとき亜鉛粒子がＣｄＨｇＴ
ｅ結晶２に向けて拡散し、ＣｄＨｇＴｅ結晶２の空孔を
充填する。そしてアニール終了後、アンプル８内から結
晶を取り出し、亜鉛薄膜７をエッチングして除去すると
キャリア濃度１０14cm-3程度のｎ型のＣｄＨｇＴｅ結晶
１３が得られる。
晶成長が終了したＣｄＨｇＴｅ結晶２（図１(a) ）の表
面全面にスパッタ等により厚さ約１０００オングストロ
ームの亜鉛（Ｚｎ）薄膜７を蒸着し（図１(b) ）、これ
を図１(c) に示すようにアンプル８内に１０-6Ｔｏｒｒ
で真空封入し、ヒータ１２を用いて例えば、２００℃で
２０時間アニールする。このとき亜鉛粒子がＣｄＨｇＴ
ｅ結晶２に向けて拡散し、ＣｄＨｇＴｅ結晶２の空孔を
充填する。そしてアニール終了後、アンプル８内から結
晶を取り出し、亜鉛薄膜７をエッチングして除去すると
キャリア濃度１０14cm-3程度のｎ型のＣｄＨｇＴｅ結晶
１３が得られる。
【００２０】このように本実施例によれば、結晶成長さ
れたＣｄＨｇＴｅ結晶２のアクセプタを充填するのに常
温で固体の亜鉛を用い、これを亜鉛薄膜７としてＣｄＨ
ｇＴｅ結晶２表面に被着させてアニールすることにより
ＣｄＨｇＴｅ結晶２に亜鉛粒子を拡散させて行うように
したので、材料の取扱が簡単になり作業性が向上し、ま
た均一な温度プロファイルでもってアニールを行うこと
ができるため、プロセスを容易なものとすることができ
る。また亜鉛はＣｄ，Ｈｇと同様にII族元素であるた
め、アクセプタに入り込んで水銀と同様にVI族元素と結
合するため、ドナー不純物を用いたときのようにこれが
散乱因子となることがなく、従ってキャリア移動度の向
上度合いは大きい。
れたＣｄＨｇＴｅ結晶２のアクセプタを充填するのに常
温で固体の亜鉛を用い、これを亜鉛薄膜７としてＣｄＨ
ｇＴｅ結晶２表面に被着させてアニールすることにより
ＣｄＨｇＴｅ結晶２に亜鉛粒子を拡散させて行うように
したので、材料の取扱が簡単になり作業性が向上し、ま
た均一な温度プロファイルでもってアニールを行うこと
ができるため、プロセスを容易なものとすることができ
る。また亜鉛はＣｄ，Ｈｇと同様にII族元素であるた
め、アクセプタに入り込んで水銀と同様にVI族元素と結
合するため、ドナー不純物を用いたときのようにこれが
散乱因子となることがなく、従ってキャリア移動度の向
上度合いは大きい。
【００２１】次に本発明の第２の実施例による半導体装
置の製造方法について図２に基づいて説明する。この実
施例では上記第１の実施例の方法を用いてフォトダイオ
ードアレイのｐｎ接合を製造するようにしたものであ
る。
置の製造方法について図２に基づいて説明する。この実
施例では上記第１の実施例の方法を用いてフォトダイオ
ードアレイのｐｎ接合を製造するようにしたものであ
る。
【００２２】まず図６(a) に示すように、厚さ１０μｍ
程度のｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５の表面に転写工程によっ
て、厚さが１０００オングストローム程度で直径が１〜
３０μｍ程度の島状のＺｎ薄膜９を形成し、次いでこれ
を上記第１の実施例と同様にアンプル中に入れて封止し
て、例えば２００℃で約１０時間アニールすることと、
ｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５の上記島状のＺｎ膜９と接する
領域に亜鉛粒子が拡散されてキャリア濃度１０14cm-3
程度のｎ型領域となり、深さ３μｍ程度のｐｎ接合６が
得られる。
程度のｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５の表面に転写工程によっ
て、厚さが１０００オングストローム程度で直径が１〜
３０μｍ程度の島状のＺｎ薄膜９を形成し、次いでこれ
を上記第１の実施例と同様にアンプル中に入れて封止し
て、例えば２００℃で約１０時間アニールすることと、
ｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶５の上記島状のＺｎ膜９と接する
領域に亜鉛粒子が拡散されてキャリア濃度１０14cm-3
程度のｎ型領域となり、深さ３μｍ程度のｐｎ接合６が
得られる。
【００２３】なお上記各実施例では、亜鉛薄膜７（９）
を形成したＣｄＨｇＴｅ結晶２（５）をアンプルに真空
封止してアニールするようにしたが、亜鉛は常温固体で
あり水銀のように蒸気圧を考慮する必要がないため、図
３のように開管型のアニール炉を用いることもできる。
図３において、１０は石英管、１４はその表面にＺｎ薄
膜が形成されたＣｄＨｇＴｅ結晶である。
を形成したＣｄＨｇＴｅ結晶２（５）をアンプルに真空
封止してアニールするようにしたが、亜鉛は常温固体で
あり水銀のように蒸気圧を考慮する必要がないため、図
３のように開管型のアニール炉を用いることもできる。
図３において、１０は石英管、１４はその表面にＺｎ薄
膜が形成されたＣｄＨｇＴｅ結晶である。
【００２４】アニール時には石英管１０に窒素ガス等を
供給しつつヒータ１１で所望の温度まで昇温することに
より表面に形成された亜鉛薄膜より亜鉛粒子をＣｄＨｇ
Ｔｅ結晶に拡散させることができる。この場合、アンプ
ルを用いないので、真空封じの必要がなく、大面積のウ
ェハを取り扱うのに適している。なお真空封じを行わな
い場合、プロセスの再現性がやや低下する。
供給しつつヒータ１１で所望の温度まで昇温することに
より表面に形成された亜鉛薄膜より亜鉛粒子をＣｄＨｇ
Ｔｅ結晶に拡散させることができる。この場合、アンプ
ルを用いないので、真空封じの必要がなく、大面積のウ
ェハを取り扱うのに適している。なお真空封じを行わな
い場合、プロセスの再現性がやや低下する。
【００２５】また、上記実施例では、常温固体のII族元
素として亜鉛（Ｚｎ）を用いたが、他のII族の元素又は
II族の元素の化合物を用いても同様の効果が得られる。
素として亜鉛（Ｚｎ）を用いたが、他のII族の元素又は
II族の元素の化合物を用いても同様の効果が得られる。
【００２６】さらにII−VI族半導体装置として、ＣｄＨ
ｇＴｅ結晶を用いたものを示したが、他のII−VI族元素
を用いて水銀を含む結晶を構成する場合にも本発明を適
用することができる。
ｇＴｅ結晶を用いたものを示したが、他のII−VI族元素
を用いて水銀を含む結晶を構成する場合にも本発明を適
用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、常温で液体の水銀に代えて常温
で固体のII族元素またはその化合物を用いて、これらか
らII族元素を固相拡散させて、水銀を含有するII−VI族
結晶の導電型を制御する、または水銀を含有するｐ型の
II−VI族化合物半導体にｐｎ接合を形成するようにした
ので、器具及び材料の取扱いが容易になり、作業性ひい
ては生産性が向上し、複雑な温度プロファイルを作るこ
となく、容易にアニールが行え製造プロセスが容易にな
るという効果がある。
置の製造方法によれば、常温で液体の水銀に代えて常温
で固体のII族元素またはその化合物を用いて、これらか
らII族元素を固相拡散させて、水銀を含有するII−VI族
結晶の導電型を制御する、または水銀を含有するｐ型の
II−VI族化合物半導体にｐｎ接合を形成するようにした
ので、器具及び材料の取扱いが容易になり、作業性ひい
ては生産性が向上し、複雑な温度プロファイルを作るこ
となく、容易にアニールが行え製造プロセスが容易にな
るという効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造方法によりＣｄＨｇＴｅ結晶の導電型を制御する方法
を説明するための図。
造方法によりＣｄＨｇＴｅ結晶の導電型を制御する方法
を説明するための図。
【図２】この発明の第２の実施例による半導体装置の製
造方法によりｐｎ接合を形成する方法を説明するための
図。
造方法によりｐｎ接合を形成する方法を説明するための
図。
【図３】上記各実施例において開管型のアニール炉を用
いて導電型の制御及びｐｎ接合の形成をする方法を説明
するための図。
いて導電型の制御及びｐｎ接合の形成をする方法を説明
するための図。
【図４】従来の半導体装置の製造方法によりＣｄＨｇＴ
ｅ結晶の導電型を制御する方法を説明するための図。
ｅ結晶の導電型を制御する方法を説明するための図。
【図５】従来の半導体装置の製造方法によりＣｄＨｇＴ
ｅ結晶の導電型を制御する際の温度プロファイルを示す
図。
ｅ結晶の導電型を制御する際の温度プロファイルを示す
図。
【図６】従来の半導体装置の製造方法によりｐ型ＣｄＨ
ｇＴｅ結晶にｐｎ接合を形成する方法を説明するための
図。
ｇＴｅ結晶にｐｎ接合を形成する方法を説明するための
図。
【図７】従来及び本発明の半導体装置の製造方法により
フォトダイオードアレイを作製する際の製造工程図。
フォトダイオードアレイを作製する際の製造工程図。
２ ＣｄＨｇＴｅ結晶 ５ ｐ型ＣｄＨｇＴｅ結晶 ６ ｐｎ接合 ７ 亜鉛（Ｚｎ）薄膜 ８ アンプル ９ 島状の亜鉛（Ｚｎ）薄膜 １０ 石英管 １１ ヒータ １２ ヒータ １３ ｎ型ＣｄＨｇＴｅ結晶 １４ 亜鉛（Ｚｎ）薄膜を形成したＣｄＨｇＴｅ結晶
Claims (3)
- 【請求項１】 水銀を含有するII−VI族化合物半導体装
置を製造する方法において、 水銀とII族及びVI族元素を用いて水銀を含有するII−VI
族結晶を作製する工程と、 上記水銀を含有するII−VI族結晶に、常温固体のII族元
素またはその化合物を用いてII族元素を固相拡散させて
上記水銀を含有するII−VI族結晶の導電型を制御する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 水銀を含有するｐ型のII−VI族化合物半
導体の導電型を制御する工程を含む半導体装置の製造方
法において、 上記ｐ型のII−VI族化合物半導体の表面に所定形状の常
温固体のII族元素またはその化合物からなる薄膜を形成
する工程と、 熱処理を行い、上記薄膜からII族元素を固相拡散させ、
前記薄膜と接触するII−VI族化合物半導体領域をｎ型に
反転させてｐｎ接合を形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 上記固相拡散は常圧下において行われるものであること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083345A JP2746497B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/931,368 US5262349A (en) | 1992-03-03 | 1992-08-18 | Method for producing a II-VI compound semiconductor device including mercury |
| GB9217754A GB2265049B (en) | 1992-03-03 | 1992-08-20 | A method for producing a semiconductor device |
| FR9210171A FR2688344B1 (fr) | 1992-03-03 | 1992-08-20 | Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, d'un compose ii-vi comprenant du mercure. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083345A JP2746497B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251481A JPH05251481A (ja) | 1993-09-28 |
| JP2746497B2 true JP2746497B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=13799855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083345A Expired - Lifetime JP2746497B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5262349A (ja) |
| JP (1) | JP2746497B2 (ja) |
| FR (1) | FR2688344B1 (ja) |
| GB (1) | GB2265049B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306662A (en) * | 1991-11-08 | 1994-04-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
| US6299680B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-10-09 | Japan Energy Corporation | CdTe crystal or CdZnTe crystal and method for preparing the same |
| GB2361480B (en) | 2000-04-19 | 2002-06-19 | Murata Manufacturing Co | Method for forming p-type semiconductor film and light emitting device using the same |
| US7526350B2 (en) | 2003-08-06 | 2009-04-28 | Creative Technology Ltd | Method and device to process digital media streams |
| FR2905706B1 (fr) * | 2006-09-07 | 2009-04-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi |
| FR2946184B1 (fr) * | 2009-05-27 | 2011-07-01 | Commissariat Energie Atomique | Enceinte, dispositif et procede de recuit d'un materiau semi-conducteur du type ii-vi |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58141526A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4462959A (en) * | 1982-04-05 | 1984-07-31 | Texas Instruments | HgCdTe Bulk doping technique |
| JPS5978581A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 水銀カドミウムテルライド結晶の製造方法 |
| JPS6234157A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-14 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 着色像形成方法 |
| US4588446A (en) * | 1985-02-21 | 1986-05-13 | Texas Instruments Incorporated | Method for producing graded band gap mercury cadmium telluride |
| JPS6213085A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Fujitsu Ltd | 光検知装置の製造方法 |
| US4960728A (en) * | 1987-10-05 | 1990-10-02 | Texas Instruments Incorporated | Homogenization anneal of II-VI compounds |
| US4927773A (en) * | 1989-06-05 | 1990-05-22 | Santa Barbara Research Center | Method of minimizing implant-related damage to a group II-VI semiconductor material |
| US5028296A (en) * | 1989-09-15 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Annealing method |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4083345A patent/JP2746497B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-18 US US07/931,368 patent/US5262349A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-20 GB GB9217754A patent/GB2265049B/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-20 FR FR9210171A patent/FR2688344B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2265049B (en) | 1995-09-13 |
| JPH05251481A (ja) | 1993-09-28 |
| FR2688344A1 (fr) | 1993-09-10 |
| FR2688344B1 (fr) | 1995-10-20 |
| GB9217754D0 (en) | 1992-09-30 |
| US5262349A (en) | 1993-11-16 |
| GB2265049A (en) | 1993-09-15 |
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