JPH07187896A - 水銀カドミウムテルル結晶の熱処理用アンプル - Google Patents
水銀カドミウムテルル結晶の熱処理用アンプルInfo
- Publication number
- JPH07187896A JPH07187896A JP33485593A JP33485593A JPH07187896A JP H07187896 A JPH07187896 A JP H07187896A JP 33485593 A JP33485593 A JP 33485593A JP 33485593 A JP33485593 A JP 33485593A JP H07187896 A JPH07187896 A JP H07187896A
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- JP
- Japan
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- mercury
- crystal
- ampoule
- space part
- heat treatment
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｈｇ1-X ＣｄX Ｔｅ結晶を熱処理する際に、
水銀が結晶表面に付着しない様にするアンプルを提案す
る。 【構成】 結晶配置用空間部と水銀配置用空間部との間
に水銀逆流防止用空間部を設けてある。
水銀が結晶表面に付着しない様にするアンプルを提案す
る。 【構成】 結晶配置用空間部と水銀配置用空間部との間
に水銀逆流防止用空間部を設けてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線検出素子作製用
高品質水銀カドミウムテルル結晶すなわちＨｇ1-X Ｃｄ
X Ｔｅ結晶（以下ＭＣＴ結晶と略記する）の製造装置の
改善に関するものである。
高品質水銀カドミウムテルル結晶すなわちＨｇ1-X Ｃｄ
X Ｔｅ結晶（以下ＭＣＴ結晶と略記する）の製造装置の
改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、赤外線の利用技術が急速に進歩し
ている。赤外線検出器の材料としては、ＭＣＴ結晶がそ
の高感度、高速性から最も注目されている。ＭＣＴ結晶
は、Ｃｄ組成ｘを変化させることによってエネルギー・
ギャップを０〜１．６ｅＶまで連続的に変化させること
ができるので赤外線に対する応答波長域を広範囲に選択
することができることや、光に対する吸収係数が大きい
ので素子を薄膜化することができ多素子化が容易である
など、赤外線検出器の材料として多くの利点を有してい
る。
ている。赤外線検出器の材料としては、ＭＣＴ結晶がそ
の高感度、高速性から最も注目されている。ＭＣＴ結晶
は、Ｃｄ組成ｘを変化させることによってエネルギー・
ギャップを０〜１．６ｅＶまで連続的に変化させること
ができるので赤外線に対する応答波長域を広範囲に選択
することができることや、光に対する吸収係数が大きい
ので素子を薄膜化することができ多素子化が容易である
など、赤外線検出器の材料として多くの利点を有してい
る。
【０００３】ＭＣＴ結晶を用いた赤外線検出器の動作モ
ードとしては、光伝導型、光起電力型が良く知られてい
る。光伝導型の検出器は、その検出器を構成するＭＣＴ
結晶のエネルギー・ギャップより大きいエネルギーを持
つ光で照射した場合、光によって励起されたキャリアの
増加により、その結晶の電気抵抗が変化するという性質
を利用したものである。一方、光起電力型の検出器は、
ｐ−ｎ接合に入射した光による起電力を検出するもので
ある。光伝導型検出器には、液体窒素温度で４×１０14
ｃｍ-3以下の低キャリア濃度のｎ型結晶が必要とされて
いる。光起電力型検出器には、液体窒素温度でキャリア
濃度（１〜２）×１０16ｃｍ-3程度のｐ型結晶を基板と
して検出器が作製されている。
ードとしては、光伝導型、光起電力型が良く知られてい
る。光伝導型の検出器は、その検出器を構成するＭＣＴ
結晶のエネルギー・ギャップより大きいエネルギーを持
つ光で照射した場合、光によって励起されたキャリアの
増加により、その結晶の電気抵抗が変化するという性質
を利用したものである。一方、光起電力型の検出器は、
ｐ−ｎ接合に入射した光による起電力を検出するもので
ある。光伝導型検出器には、液体窒素温度で４×１０14
ｃｍ-3以下の低キャリア濃度のｎ型結晶が必要とされて
いる。光起電力型検出器には、液体窒素温度でキャリア
濃度（１〜２）×１０16ｃｍ-3程度のｐ型結晶を基板と
して検出器が作製されている。
【０００４】現在、最も高品質なＭＣＴ結晶は液相エピ
タキシャル法（以下ＬＰＥ法と略記する）で作製されて
いる。溶媒としては、Ｔｅ或いはＨｇが用いられている
が、蒸気圧が低いことや取扱いの容易さなどからＴｅ溶
媒を用いた育成が主流である。しかし、Ｔｅ溶媒を用い
たＬＰＥ法で育成したＭＣＴ結晶は、結晶育成したのみ
の状態（以下育成結晶状態と略記する）では結晶中にア
クセプタとして働くＨｇ空孔が多く含まれているため
に、通常はキャリア濃度１×１０17ｃｍ-3程度（ａｔ
７７Ｋ）のｐ型の電気的特性を示す。従って、必要とさ
れる電気的特性を得るためには育成結晶状態のＭＣＴ結
晶をＨｇ蒸気圧の下で熱処理しＨｇ空孔を埋める必要が
ある。光伝導型検出器に用いられる基板は、エピタキシ
ャル結晶中のＨｇ空孔をほとんど埋めることによって得
られている。光起電力型に用いられるｐ型結晶は、熱処
理時のＨｇ蒸気圧を適切に選び、結晶中のＨｇ空孔の濃
度を調整することによって必要とするキャリア濃度を持
つ結晶を得ることができる。
タキシャル法（以下ＬＰＥ法と略記する）で作製されて
いる。溶媒としては、Ｔｅ或いはＨｇが用いられている
が、蒸気圧が低いことや取扱いの容易さなどからＴｅ溶
媒を用いた育成が主流である。しかし、Ｔｅ溶媒を用い
たＬＰＥ法で育成したＭＣＴ結晶は、結晶育成したのみ
の状態（以下育成結晶状態と略記する）では結晶中にア
クセプタとして働くＨｇ空孔が多く含まれているため
に、通常はキャリア濃度１×１０17ｃｍ-3程度（ａｔ
７７Ｋ）のｐ型の電気的特性を示す。従って、必要とさ
れる電気的特性を得るためには育成結晶状態のＭＣＴ結
晶をＨｇ蒸気圧の下で熱処理しＨｇ空孔を埋める必要が
ある。光伝導型検出器に用いられる基板は、エピタキシ
ャル結晶中のＨｇ空孔をほとんど埋めることによって得
られている。光起電力型に用いられるｐ型結晶は、熱処
理時のＨｇ蒸気圧を適切に選び、結晶中のＨｇ空孔の濃
度を調整することによって必要とするキャリア濃度を持
つ結晶を得ることができる。
【０００５】ＭＣＴ結晶の熱処理時に酸化を防ぎ、金属
Ｈｇの使用量を出来るだけ少量にし、一定のＨｇ蒸気圧
をＭＣＴ結晶に均一に印加するためには、ＭＣＴ結晶設
置部と金属Ｈｇリザーバーを設けた石英製アンプル内に
真空封止して熱処理を行う方法が最も優れている。
Ｈｇの使用量を出来るだけ少量にし、一定のＨｇ蒸気圧
をＭＣＴ結晶に均一に印加するためには、ＭＣＴ結晶設
置部と金属Ｈｇリザーバーを設けた石英製アンプル内に
真空封止して熱処理を行う方法が最も優れている。
【０００６】この方法で熱処理を行えば、封管アンプル
内のＨｇ蒸気圧によってＭＣＴ結晶に残留するＨｇ空孔
の量が決定されるので、熱処理することによって結晶の
電気的特性をコントロールすることができる。
内のＨｇ蒸気圧によってＭＣＴ結晶に残留するＨｇ空孔
の量が決定されるので、熱処理することによって結晶の
電気的特性をコントロールすることができる。
【０００７】ＭＣＴ結晶を熱処理する時には、結晶の表
面にＨｇが付着していない様に注意しなければならな
い。ＭＣＴ結晶にＨｇが付着したまま熱処理を行うと、
結晶のその部分はＨｇが結晶中に拡散して結晶の組成、
電気的特性がまわりと違ってしまう。従って、その部分
は赤外線検出素子の作製に用いることができず、Ｈｇの
付着は収率を悪化させる原因となっていた。
面にＨｇが付着していない様に注意しなければならな
い。ＭＣＴ結晶にＨｇが付着したまま熱処理を行うと、
結晶のその部分はＨｇが結晶中に拡散して結晶の組成、
電気的特性がまわりと違ってしまう。従って、その部分
は赤外線検出素子の作製に用いることができず、Ｈｇの
付着は収率を悪化させる原因となっていた。
【０００８】以下、ＭＣＴ結晶の熱処理を従来の熱処理
炉の構成図（図２）を用いて説明する。開口部１から結
晶設置部２までが外径３５ｍｍφで、結晶設置部２から
Ｈｇ溜め３までを１０ｍｍφの細管にした石英アンプル
１１内底部に蒸気圧印加用Ｈｇ４を入れ、その上に成長
済みＭＣＴ結晶５を配置し、石英アンプル１１上部を石
英キャップ６で真空封止する。アンプル１１は熱処理炉
内にＭＣＴ結晶５を上に、Ｈｇ４を下にセットして、ヒ
ーター７，８，９によって熱を加え、石英アンプル内の
Ｈｇ蒸気圧を適切に制御して熱処理を行っていた。
炉の構成図（図２）を用いて説明する。開口部１から結
晶設置部２までが外径３５ｍｍφで、結晶設置部２から
Ｈｇ溜め３までを１０ｍｍφの細管にした石英アンプル
１１内底部に蒸気圧印加用Ｈｇ４を入れ、その上に成長
済みＭＣＴ結晶５を配置し、石英アンプル１１上部を石
英キャップ６で真空封止する。アンプル１１は熱処理炉
内にＭＣＴ結晶５を上に、Ｈｇ４を下にセットして、ヒ
ーター７，８，９によって熱を加え、石英アンプル内の
Ｈｇ蒸気圧を適切に制御して熱処理を行っていた。
【０００９】熱処理に用いる封管アンプル１１の準備の
際には、まず石英アンプル開口部１より金属Ｈｇ４をＨ
ｇ溜め３に流し込み、ＭＣＴ結晶５を結晶設置部２まで
挿入するが、ＭＣＴ結晶５は非常に傷つき易く割れ易い
ため、ピンセット等の治具で掴むことが出来ない。ＭＣ
Ｔ結晶５を石英アンプル１１内の結晶設置部２まで挿入
するには、石英アンプル１１を水平に倒しＭＣＴ結晶５
の端面を治具を用いて押していた。石英アンプル１１を
水平に倒してＭＣＴ結晶５を挿入している時に、Ｈｇ４
が結晶設置部２まで流れてきてＭＣＴ結晶５に付着する
ことがあった。又、真空封止の終った石英アンプル１１
を熱処理炉に入る長さまで切断しなければならないが、
この切断する時も、真空封止の終った石英アンプル１１
を水平に倒さなければならず、この時も金属Ｈｇ４がＭ
ＣＴ結晶５の方に流れて行き、付着してしまうことがあ
った。
際には、まず石英アンプル開口部１より金属Ｈｇ４をＨ
ｇ溜め３に流し込み、ＭＣＴ結晶５を結晶設置部２まで
挿入するが、ＭＣＴ結晶５は非常に傷つき易く割れ易い
ため、ピンセット等の治具で掴むことが出来ない。ＭＣ
Ｔ結晶５を石英アンプル１１内の結晶設置部２まで挿入
するには、石英アンプル１１を水平に倒しＭＣＴ結晶５
の端面を治具を用いて押していた。石英アンプル１１を
水平に倒してＭＣＴ結晶５を挿入している時に、Ｈｇ４
が結晶設置部２まで流れてきてＭＣＴ結晶５に付着する
ことがあった。又、真空封止の終った石英アンプル１１
を熱処理炉に入る長さまで切断しなければならないが、
この切断する時も、真空封止の終った石英アンプル１１
を水平に倒さなければならず、この時も金属Ｈｇ４がＭ
ＣＴ結晶５の方に流れて行き、付着してしまうことがあ
った。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はＭＣＴ
結晶を熱処理する際の作業行程上で、ＨｇがＭＣＴ結晶
に付着することがない熱処理用アンプルを提供すること
にある。
結晶を熱処理する際の作業行程上で、ＨｇがＭＣＴ結晶
に付着することがない熱処理用アンプルを提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、離れた位置に結晶配置用空間部と水銀配
置用空間部とを連通して設けた封管アンプルであって、
該結晶配置用空間部と該水銀配置用空間部との間に水銀
逆流防止用空間部を設けてなる点に特徴がある。
めに本発明は、離れた位置に結晶配置用空間部と水銀配
置用空間部とを連通して設けた封管アンプルであって、
該結晶配置用空間部と該水銀配置用空間部との間に水銀
逆流防止用空間部を設けてなる点に特徴がある。
【００１２】又、本発明は上記の水銀逆流防止用空間部
が球形状の容器であるか又は水銀逆流防止用空間部の水
銀溜め側の内壁が半球状もしくは円錐状である点に特徴
がある。
が球形状の容器であるか又は水銀逆流防止用空間部の水
銀溜め側の内壁が半球状もしくは円錐状である点に特徴
がある。
【００１３】
【作用】上記形状の水銀逆流防止用空間部を設けた熱処
理用アンプルを使用することにより、Ｈｇの入った熱処
理用アンプルを水平に倒してＨｇが結晶の方に流れてき
ても、Ｈｇが結晶設置部と水銀逆流防止用空間部との間
のくびれた所で止まる。従ってＭＣＴ結晶にＨｇが付着
することが無くなる。
理用アンプルを使用することにより、Ｈｇの入った熱処
理用アンプルを水平に倒してＨｇが結晶の方に流れてき
ても、Ｈｇが結晶設置部と水銀逆流防止用空間部との間
のくびれた所で止まる。従ってＭＣＴ結晶にＨｇが付着
することが無くなる。
【００１４】水銀逆流防止用空間部は、その容積が原理
的にはＨｇ設置部のＨｇが流れ込んで来ても結晶設置部
に行かないように２〜３倍と小さくてもよいのである
が、アンプルを水平にした時にＨｇがいきおい良く流れ
込んで来たり、又、余り小さいとアンプルを再び立てて
使用する時にＨｇがＨｇ配置部に戻らなくて後記する様
な問題を生じたり、又、小さいと石英細工でアンプルを
作製し難くなり、一方、外径が結晶設置部の外径より大
きくなると熱処理炉のヒーターとアンプルとの間に設け
られている保温材（図１、図２には示していない）に接
触してしまうのでアンプルを熱処理炉内に設置し難くな
るので、その外径が結晶設置部の外径と等しいのが好ま
しい。
的にはＨｇ設置部のＨｇが流れ込んで来ても結晶設置部
に行かないように２〜３倍と小さくてもよいのである
が、アンプルを水平にした時にＨｇがいきおい良く流れ
込んで来たり、又、余り小さいとアンプルを再び立てて
使用する時にＨｇがＨｇ配置部に戻らなくて後記する様
な問題を生じたり、又、小さいと石英細工でアンプルを
作製し難くなり、一方、外径が結晶設置部の外径より大
きくなると熱処理炉のヒーターとアンプルとの間に設け
られている保温材（図１、図２には示していない）に接
触してしまうのでアンプルを熱処理炉内に設置し難くな
るので、その外径が結晶設置部の外径と等しいのが好ま
しい。
【００１５】又、水銀逆流防止用空間部、特にその内壁
が凹凸であったりして水銀がこの部分に残ってしまう
と、ＭＣＴ結晶の極く近隣にＨｇが存在してしまうこと
になり、ＭＣＴ結晶とＨｇ溜めの温度に差をつけてＭＣ
Ｔ結晶の周囲のＨｇ蒸気圧を制御しようとしても前記の
残留したＨｇが邪魔して正確に制御できなくなってしま
うので、水銀逆流防止用空間部の内壁は極力滑らかなの
が良く、この点からは、水銀逆流防止用空間部は球形状
であるかまたは水銀逆流防止用空間部の水銀溜め側の内
壁が半球状もしくは円錐状であるのが好ましい。
が凹凸であったりして水銀がこの部分に残ってしまう
と、ＭＣＴ結晶の極く近隣にＨｇが存在してしまうこと
になり、ＭＣＴ結晶とＨｇ溜めの温度に差をつけてＭＣ
Ｔ結晶の周囲のＨｇ蒸気圧を制御しようとしても前記の
残留したＨｇが邪魔して正確に制御できなくなってしま
うので、水銀逆流防止用空間部の内壁は極力滑らかなの
が良く、この点からは、水銀逆流防止用空間部は球形状
であるかまたは水銀逆流防止用空間部の水銀溜め側の内
壁が半球状もしくは円錐状であるのが好ましい。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例を図１の（ａ）図および
（ｂ）図により説明する。液相エピタキシャル法によっ
て育成した寸法２５ｍｍ×３０ｍｍ、膜厚２０μｍのＭ
ＣＴエピタキシャル結晶を、図１の（ａ）図に示した本
発明の石英製熱処理用アンプル１１を用いて熱処理を行
った。図１において水銀逆流防止用空間部１０が結晶配
置部２と水銀溜め３との間に（図１では結晶配置部２に
隣接して）設けてある。
（ｂ）図により説明する。液相エピタキシャル法によっ
て育成した寸法２５ｍｍ×３０ｍｍ、膜厚２０μｍのＭ
ＣＴエピタキシャル結晶を、図１の（ａ）図に示した本
発明の石英製熱処理用アンプル１１を用いて熱処理を行
った。図１において水銀逆流防止用空間部１０が結晶配
置部２と水銀溜め３との間に（図１では結晶配置部２に
隣接して）設けてある。
【００１７】ＭＣＴ結晶５を熱処理する際に、まず垂直
に保持した熱処理用アンプル内底部のＨｇ溜め３に、蒸
気圧印加用の高純度Ｈｇ１ｍｌを注入した。次に、熱処
理用アンプル１１を水平に倒し、０．１％Ｂｒ−メタノ
ール液でエッチングを行い表面を清浄な状態にしたＭＣ
Ｔ結晶５をアンプル１１内に挿入し、続けて石英製のキ
ャップ６を挿入した。この時Ｈｇ溜め３よりＨｇが水銀
逆流防止用空間部１０の所まで流れて来ていたが、水銀
逆流防止用空間部１０より先まで流れて行かず、ＭＣＴ
結晶５へのＨｇの付着はなかった。水銀逆流防止用空間
部１０まで流れてきたＨｇをＨｇ溜め３までアンプル１
１を傾けて戻した後、ほぼ水平な状態でアンプル開口部
１を真空ポンプ排気口にセットし、アンプル内を真空排
気した。真空度が５×１０-6Ｔｏｒｒに達した所で、石
英製の熱処理用アンプル１１とキャップ６を水素酸素バ
ーナーにより融着させ封止切りを行った。封止の終わっ
たアンプル１１を、ほぼ水平の状態のままダイヤモンド
ブレードを用いた外周刃カッターにより、封止切った所
の上部を切断し、熱処理炉に入る寸法にした。
に保持した熱処理用アンプル内底部のＨｇ溜め３に、蒸
気圧印加用の高純度Ｈｇ１ｍｌを注入した。次に、熱処
理用アンプル１１を水平に倒し、０．１％Ｂｒ−メタノ
ール液でエッチングを行い表面を清浄な状態にしたＭＣ
Ｔ結晶５をアンプル１１内に挿入し、続けて石英製のキ
ャップ６を挿入した。この時Ｈｇ溜め３よりＨｇが水銀
逆流防止用空間部１０の所まで流れて来ていたが、水銀
逆流防止用空間部１０より先まで流れて行かず、ＭＣＴ
結晶５へのＨｇの付着はなかった。水銀逆流防止用空間
部１０まで流れてきたＨｇをＨｇ溜め３までアンプル１
１を傾けて戻した後、ほぼ水平な状態でアンプル開口部
１を真空ポンプ排気口にセットし、アンプル内を真空排
気した。真空度が５×１０-6Ｔｏｒｒに達した所で、石
英製の熱処理用アンプル１１とキャップ６を水素酸素バ
ーナーにより融着させ封止切りを行った。封止の終わっ
たアンプル１１を、ほぼ水平の状態のままダイヤモンド
ブレードを用いた外周刃カッターにより、封止切った所
の上部を切断し、熱処理炉に入る寸法にした。
【００１８】以上の行程が終了した後、ＭＣＴ結晶の表
面を目視により観察した所、Ｈｇの付着は全く確認され
なかった。
面を目視により観察した所、Ｈｇの付着は全く確認され
なかった。
【００１９】このアンプルを、Ｈｇ溜め３からＭＣＴ結
晶設置部２までが２８０℃で均熱に保たれる熱処理炉に
セットして、２０時間加熱して熱処理を行った。その
後、アンプル１１を炉から取り出した後室温まで冷却
し、アンプル１１を破壊してＭＣＴ結晶５を取り出し
た。結晶表面を顕微鏡により観察したところ、Ｈｇが結
晶表面に付着した跡はまったく観察されなかった。さら
に、熱処理の終わったＭＣＴ結晶をＶａｎ ｄｅｒ Ｐ
ａｕｗ法により電気的特性を評価した。その結果、ｎ型
でキャリア濃度３×１０14ｃｍ-3、移動度２．３×１０
5 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ（ａｔ ７７Ｋ）の高品質結晶であっ
た。
晶設置部２までが２８０℃で均熱に保たれる熱処理炉に
セットして、２０時間加熱して熱処理を行った。その
後、アンプル１１を炉から取り出した後室温まで冷却
し、アンプル１１を破壊してＭＣＴ結晶５を取り出し
た。結晶表面を顕微鏡により観察したところ、Ｈｇが結
晶表面に付着した跡はまったく観察されなかった。さら
に、熱処理の終わったＭＣＴ結晶をＶａｎ ｄｅｒ Ｐ
ａｕｗ法により電気的特性を評価した。その結果、ｎ型
でキャリア濃度３×１０14ｃｍ-3、移動度２．３×１０
5 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ（ａｔ ７７Ｋ）の高品質結晶であっ
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明の熱処理用アンプルにより、ＭＣ
Ｔ結晶の熱処理行程上に起こる結晶へのＨｇの付着が無
くなり、ＭＣＴ結晶の製造収率が向上した。
Ｔ結晶の熱処理行程上に起こる結晶へのＨｇの付着が無
くなり、ＭＣＴ結晶の製造収率が向上した。
【図１】（ａ）図は本願によるＭＣＴ結晶の熱処理用ア
ンプルの平面図であり、（ｂ）は本願によるＭＣＴ結晶
の熱処理用アンプルを使用して熱処理しをした時の熱処
理炉の要部断面図である。
ンプルの平面図であり、（ｂ）は本願によるＭＣＴ結晶
の熱処理用アンプルを使用して熱処理しをした時の熱処
理炉の要部断面図である。
【図２】従来のＭＣＴ結晶の熱処理用アンプルを使用し
た時の熱処理炉の要部断面図である。
た時の熱処理炉の要部断面図である。
【符号の説明】 １ 開口部 ２ 結晶設置部 ３ Ｈｇ溜め ４ Ｈｇ ５ ＭＣＴ結晶 ６ 石英キャップ ７ ヒーター ８ ヒーター ９ ヒーター １０ 水銀逆流防止用空間部 １１ 熱処理用アンプル
Claims (2)
- 【請求項１】 離れた位置に結晶配置用空間部と水銀配
置用空間部とを連通して設けた封管アンプルであって、
該結晶配置用空間部と該水銀配置用空間部との間に水銀
逆流防止用空間部を設けてなることを特徴とする水銀カ
ドミウムテルル結晶の熱処理用アンプル。 - 【請求項２】 水銀逆流防止用空間部が球形状の容器で
あるかまたは水銀逆流防止用空間部の水銀溜め側の内壁
が半球状もしくは円錐状である請求項１記載の水銀カド
ミウムテルル結晶の熱処理用アンプル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33485593A JPH07187896A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 水銀カドミウムテルル結晶の熱処理用アンプル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33485593A JPH07187896A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 水銀カドミウムテルル結晶の熱処理用アンプル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07187896A true JPH07187896A (ja) | 1995-07-25 |
Family
ID=18281978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33485593A Pending JPH07187896A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 水銀カドミウムテルル結晶の熱処理用アンプル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07187896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1058761C (zh) * | 1997-09-17 | 2000-11-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 碲镉汞材料热处理装置 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33485593A patent/JPH07187896A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1058761C (zh) * | 1997-09-17 | 2000-11-22 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 碲镉汞材料热处理装置 |
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