JPS58141526A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58141526A JPS58141526A JP57025042A JP2504282A JPS58141526A JP S58141526 A JPS58141526 A JP S58141526A JP 57025042 A JP57025042 A JP 57025042A JP 2504282 A JP2504282 A JP 2504282A JP S58141526 A JPS58141526 A JP S58141526A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（α）発明の技術分野
本発明は多元半導体を材料とする半導体Ｗｉ＆の製造方
法に係り、特に該半導体装置における（Ｉ＋低抵抗接続
部なわちオーミックコンタクトの形成方法に関する。
法に係り、特に該半導体装置における（Ｉ＋低抵抗接続
部なわちオーミックコンタクトの形成方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
ン（８ｉ’）などの句−来の半導体１ｆＡ Ｆｌ中のそ
れよりも極めて大きいことに注目され、例えば水銀カド
ミウムテルルＯＩｇＯｄ、Ｔ ６ ）のような多元十宵
体を用いて半導体素子を構成することが盛んに試みられ
ており、その代表的−例は光導電型Ｃ以下ＰＣ型と略称
する）の受光素子に見ることができる。
れよりも極めて大きいことに注目され、例えば水銀カド
ミウムテルルＯＩｇＯｄ、Ｔ ６ ）のような多元十宵
体を用いて半導体素子を構成することが盛んに試みられ
ており、その代表的−例は光導電型Ｃ以下ＰＣ型と略称
する）の受光素子に見ることができる。
この受光素子は構造も簡単であり、しかも本発明の主題
たるオーミックコンタクトの１１６を大きく受ける半導
体装置でもあるので、以下て【“ＪこのＰＣ型の受光素
子を対象として論じることとする。
たるオーミックコンタクトの１１６を大きく受ける半導
体装置でもあるので、以下て【“ＪこのＰＣ型の受光素
子を対象として論じることとする。
（Ｃ）従来技術と問題点
第１図は従来のＰＣ型受光素子の構造をηくずＶｄ＋面
図であるが便宜上半導体バルク部８はｎ型であるものと
する。ただし同図において２は支持Ｉｌ（板、４は半導
体バルク部表面の保護膜、６は金ｉ！１４ Ｆｌ（極、
ｌはこの受光素子を冷却する例えばデユワ・−内の銅ブ
ロックであり、２は最初にＩｔ ［ｌｌｌ１ ｌ、た受
光線・］−法を示す。
図であるが便宜上半導体バルク部８はｎ型であるものと
する。ただし同図において２は支持Ｉｌ（板、４は半導
体バルク部表面の保護膜、６は金ｉ！１４ Ｆｌ（極、
ｌはこの受光素子を冷却する例えばデユワ・−内の銅ブ
ロックであり、２は最初にＩｔ ［ｌｌｌ１ ｌ、た受
光線・］−法を示す。
従来こうした半導体装１Ｈのオーミックフンタクンジウ
ム（Ｉｌｌ）が用いられていた。ところが例えばＪ、
Ｖｌ＃Ｃ６ｒＯＣｈａＭ、、 ｆ３０ｃ、 、 ：ｓＱ
［、ＩＤ−８’Ｉ’Ａ’ｌ’Ｅ ８０Ｉ−ＥＮＯＥ Ａ
ＮＴ） １’Ｆ＋ＬｎｌＩＮＯＬＯＧＹ、、１１Ｄ１ｎ
ａ 、 １９８０ 、Ｐ１４０６〜１４０８．８．λｆ
ａｒ９ａｌｉｔ ｍｔａ！、’Ｄｉｊ’ｆｕｔｓｉｖｎ
ｏ７’ｉ＠、ｔｉｗｍ ｉｎ Ｈｑｌ−，０ｄｘＴａ
“において報告されているように、Ｉｎの多元半導体、
特にＨ９０ｄ’Ｊ’ａ中における拡散速度は、Ｓｔなど
に較べて非常に大きく、例えば１４５℃、２時間の熱処
理で１０Ａｍ程度、１４５℃、１９時間の熱処理では２
（）μｎＬ８！度となる。
ム（Ｉｌｌ）が用いられていた。ところが例えばＪ、
Ｖｌ＃Ｃ６ｒＯＣｈａＭ、、 ｆ３０ｃ、 、 ：ｓＱ
［、ＩＤ−８’Ｉ’Ａ’ｌ’Ｅ ８０Ｉ−ＥＮＯＥ Ａ
ＮＴ） １’Ｆ＋ＬｎｌＩＮＯＬＯＧＹ、、１１Ｄ１ｎ
ａ 、 １９８０ 、Ｐ１４０６〜１４０８．８．λｆ
ａｒ９ａｌｉｔ ｍｔａ！、’Ｄｉｊ’ｆｕｔｓｉｖｎ
ｏ７’ｉ＠、ｔｉｗｍ ｉｎ Ｈｑｌ−，０ｄｘＴａ
“において報告されているように、Ｉｎの多元半導体、
特にＨ９０ｄ’Ｊ’ａ中における拡散速度は、Ｓｔなど
に較べて非常に大きく、例えば１４５℃、２時間の熱処
理で１０Ａｍ程度、１４５℃、１９時間の熱処理では２
（）μｎＬ８！度となる。
従って、上記金楓市、極形成後の熱工程によって第１図
の素子の全組成極５たるＩｎは半導体バルク８中に矢印
イで示したように広く拡散することになる。このため、
最初にｔｒ ｔＩ！ｌｌ した受光寸法２は効果を失い
、光電変１すを行う事実−Ｌの受光部寸法は２′として
〉１１シた鵡夏囲に４ｙｉぬられてしまって、その結果
受光素子の機能ずｔｒ ｉ）ち感度は低下するという欠
点を有していた。 □ （ｄ） 発明の目的 本発明は一ト記彷・来の欠点に鋸、みてｔ「されたもの
で、上記のような火τｌ的受光計１寸法の熱工程にょる
変化を小さく抑え、所期の受光性ｆｉｔルを失わない半
導体装置の製造方法の提供を目的とするものである。
の素子の全組成極５たるＩｎは半導体バルク８中に矢印
イで示したように広く拡散することになる。このため、
最初にｔｒ ｔＩ！ｌｌ した受光寸法２は効果を失い
、光電変１すを行う事実−Ｌの受光部寸法は２′として
〉１１シた鵡夏囲に４ｙｉぬられてしまって、その結果
受光素子の機能ずｔｒ ｉ）ち感度は低下するという欠
点を有していた。 □ （ｄ） 発明の目的 本発明は一ト記彷・来の欠点に鋸、みてｔ「されたもの
で、上記のような火τｌ的受光計１寸法の熱工程にょる
変化を小さく抑え、所期の受光性ｆｉｔルを失わない半
導体装置の製造方法の提供を目的とするものである。
（＃）発明の構成
そしてこの目的は、本発明によればｎ型の水銀カド主ラ
ムテルルを材料とする半導体装１＃ ｌｉ構成するに際
して、その装置の低抵抗接続部を構成する電極主材料と
して金を用い、当該命中に１〜１（）止置パーセントの
インジウムまたは上記水銀カドミウムテルル中において
上記インジウムと同しかそれ以下の拡散係数を有し、か
つｎ＋ｉ３７半導体部を小軛囲に構成する性質の元素を
含有させたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供することによって連成される。
ムテルルを材料とする半導体装１＃ ｌｉ構成するに際
して、その装置の低抵抗接続部を構成する電極主材料と
して金を用い、当該命中に１〜１（）止置パーセントの
インジウムまたは上記水銀カドミウムテルル中において
上記インジウムと同しかそれ以下の拡散係数を有し、か
つｎ＋ｉ３７半導体部を小軛囲に構成する性質の元素を
含有させたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供することによって連成される。
ω 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第２図は本発明による新規な製造方法によって作成され
る半導体装置、特にＰＣ型受光素子の構造を示す断面図
であって、第１図と同等部位には同一記号を付して示し
である。
る半導体装置、特にＰＣ型受光素子の構造を示す断面図
であって、第１図と同等部位には同一記号を付して示し
である。
本発明における金属゛電極５としては金（Ａｕ）を主成
分とし、その中に１〜１０ Ｎ、 ｔｉｉパーセントの
ＩｎまたはＩＩｙＯｄＴｇ中において当該Ｉｎと同じか
あるいはそれ以下の拡散係数を有する例えば硼素（Ｂ）
、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇα）、亜鉛（Ｚ
、”）水銀（Ｈｇ’）、などの元素のいずれかが添加さ
れている。
分とし、その中に１〜１０ Ｎ、 ｔｉｉパーセントの
ＩｎまたはＩＩｙＯｄＴｇ中において当該Ｉｎと同じか
あるいはそれ以下の拡散係数を有する例えば硼素（Ｂ）
、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇα）、亜鉛（Ｚ
、”）水銀（Ｈｇ’）、などの元素のいずれかが添加さ
れている。
これらの元素はＨｇ（ＪｄＴ−中において大きな拡散速
度を呈しないから、例え前記のような熱工程が第２図の
素子にほどこされても、本来Ａｕ中に含まれている上記
元素の鼠は数パーセントに制限されており、しかも拡散
係数がＩｎと同じかそれ以下であるために、これら元素
のＨ９０ｄＴｇ中における拡散距離は、第２図中の矢印
口で示したようにわずかであって、ｎ十層となる部分６
は第２図中における境界線ハの内側に止まる。
度を呈しないから、例え前記のような熱工程が第２図の
素子にほどこされても、本来Ａｕ中に含まれている上記
元素の鼠は数パーセントに制限されており、しかも拡散
係数がＩｎと同じかそれ以下であるために、これら元素
のＨ９０ｄＴｇ中における拡散距離は、第２図中の矢印
口で示したようにわずかであって、ｎ十層となる部分６
は第２図中における境界線ハの内側に止まる。
このために実質的な受光部寸法２は、前記第１図中のガ
にまで縮められることはなく、最初に設計した曲りの受
光部寸法２が確保できる。そして機械的打、・触は強固
であり、しかも低抵抗であるために良好なオーミックコ
ンタクトが得られる。
にまで縮められることはなく、最初に設計した曲りの受
光部寸法２が確保できる。そして機械的打、・触は強固
であり、しかも低抵抗であるために良好なオーミックコ
ンタクトが得られる。
なお、この本発明に係るオーミックコンタクトの製造方
法はＰＣ型受光素子ばかりでなく、三元合金の半導体′
）Ａ樹上に構成１される他の半導体素子例えばＰＶ型（
光起電力形）素子あるいはこれらと一体化して同一半導
体基板上に作られる検出用増幅器、その他の半導体装Ｉ
Ｍについても適用可能である。
法はＰＣ型受光素子ばかりでなく、三元合金の半導体′
）Ａ樹上に構成１される他の半導体素子例えばＰＶ型（
光起電力形）素子あるいはこれらと一体化して同一半導
体基板上に作られる検出用増幅器、その他の半導体装Ｉ
Ｍについても適用可能である。
（ｇ） 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明に係る半導体装置
の製造方法は、特別な技術を新たに導入することなく容
易に多くの半導体装置の製造に適用可能なものであるた
めに、実用上多大の効果が期待できる。
の製造方法は、特別な技術を新たに導入することなく容
易に多くの半導体装置の製造に適用可能なものであるた
めに、実用上多大の効果が期待できる。
第１図は従来の半導体装置、特にＰＯ形形光光素子構造
を示す断面図、第２図は本発明によるＰＣ型受光素子の
構造を示す断面図である。 ８は〒唾体バルク部、４は保護１１５は金属電極６はｒ
内管をそれぞれ４（ず。 マ・１゜ 代理人 弁理士 井 桁 貞 −： ″ ・、ｊ、１
゜１７、し′ １、−：ゴ／ 第１■ ハ １１
を示す断面図、第２図は本発明によるＰＣ型受光素子の
構造を示す断面図である。 ８は〒唾体バルク部、４は保護１１５は金属電極６はｒ
内管をそれぞれ４（ず。 マ・１゜ 代理人 弁理士 井 桁 貞 −： ″ ・、ｊ、１
゜１７、し′ １、−：ゴ／ 第１■ ハ １１
Claims (1)
- ｎ型の水銀カドミウムテルルを材料とする半導体装置を
構成するに際して、そのＩＩの低抵抗接続部を形成する
電極主材料として金を用い、当該金中に１〜１０重量パ
ーセントのインジウムまたは上記水銀カドミウムテルル
中において上記インジウムと同じかそれ以下の拡散係数
を有し、かつｎ＋型半導体部を小範囲に構成する性質の
元素を含有せしめたことを特徴とする半導体装置の製造
り法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025042A JPS58141526A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025042A JPS58141526A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141526A true JPS58141526A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12154853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57025042A Pending JPS58141526A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688344A1 (fr) * | 1992-03-03 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, d'un compose ii-vi comprenant du mercure. |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP57025042A patent/JPS58141526A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688344A1 (fr) * | 1992-03-03 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, d'un compose ii-vi comprenant du mercure. |
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