JP2015037117A - 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015037117A JP2015037117A JP2013168177A JP2013168177A JP2015037117A JP 2015037117 A JP2015037117 A JP 2015037117A JP 2013168177 A JP2013168177 A JP 2013168177A JP 2013168177 A JP2013168177 A JP 2013168177A JP 2015037117 A JP2015037117 A JP 2015037117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- solid
- imaging device
- state imaging
- support portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 80
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
そこで、このようなCMOS型固体撮像装置において、複数の画素が配列された画素領域が形成された半導体チップと、信号処理を行うロジック回路が形成された半導体チップとを電気的に接続して1つのデバイスとして構成した固体撮像装置が種々提案され、機能・性能の向上が提案されている。
本発明の他の目的は、製造コストを抑えつつ、好適に機能する撮像装置を提供することである。
また、本発明の撮像装置によれば、製造コストを抑えつつ、好適に機能する撮像装置とすることができる。
図1は、本実施形態の固体撮像装置1を模式的に示す斜視図であり、図2の上側および下側は、それぞれ固体撮像装置1の正面図および平面図である。固体撮像素子1は、図1および図2に示すように、複数のフォトダイオード(PD、光電変換部)が二次元状に配列された画素アレイ11を有する第一チップ10と、第一チップ10と電気的に接続される第二チップ20と、第一チップ10の、第二チップ20が配置された側の面に配置されて第一チップ10を支持する支持部30とを備えている。
第一配線部12と第二配線部21とは、接続層40に設けられた接続電極41により電気的に接続されている。複数の接続電極41間の隙間は、アンダーフィルなどとも呼ばれる接続樹脂42により充填され、接続樹脂42により、第一チップ10と第二チップ20との物理的接続強度が補強されている。接続樹脂は、必要に応じて設ければよく、必ずしも設けられなくてもよい。
ボンディングパッド18およびテスト端子19は、いずれも固体撮像装置1の平面視において、第二チップ20と重ならない位置に設けられている。
なお、支持部を形成すると、テスト端子の導体面が覆われて使用できなくなるため、第一チップ10や第二チップ20、あるいは両者が接続されたものの特性テストを行う必要がある場合は、支持部が形成される前に行う。
第一チップ10には、画素アレイ11に加え、読み出し回路の一部である垂直走査回路52が設けられている。垂直走査回路52は、固体撮像装置として機能するための動作信号を出力するもので、画素アレイ11のPDおよび第二チップ20と接続されている。
第二チップ20は、読み出し回路の一部である水平走査回路53と、駆動回路を構成する列処理回路54および出力回路55とを有している。
さらに、第一チップと第二チップとの電気的接続態様は、接続層を介した上述のものに限定されない。例えば、図12に示す変形例のように、第一チップ10および第二チップ20に、それぞれビア(Through Silicon Via, TSV)71および72を形成し、ビア71とビア72とを、導体からなる接続膜73で接続する構成なども用いることができる。この場合、第一配線部12と第二配線部21とは、第一配線部12および第二配線部21に含まれるケイ素酸化物どうしの直接接合で物理的に接続してもよいし、直接接合に適する組成で成膜されたケイ素酸化物等からなる緩衝層74を介して接続してもよい。
10 第一チップ
11 画素アレイ
18 ボンディングパッド(入出力端子)
19 テスト端子
20 第二チップ
30、61 支持部
101 第一チップウエハ
Claims (10)
- 入射した光を電気信号に変換する複数の光電変換部が配置された画素アレイを有する第一チップと、
前記第一チップの平面視面積よりも小さい平面視面積を有し、前記第一チップに電気的かつ物理的に接続された第二チップと、
前記第一チップの、前記第二チップが接続された面のうち、前記第二チップに覆われていない領域をすべて覆うように設けられ、前記第一チップの平坦性を保持するように支持する支持部と、
を備える固体撮像装置。 - 前記支持部は、樹脂またはガラスからなる、請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記支持部は、前記固体撮像装置の平面視において、前記第二チップの周囲を囲むように配置されている、請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記支持部の厚みは、前記第二チップの厚みよりも大きく、前記第二チップが前記支持部に覆われている、請求項1から3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記第一チップは外部接続用の入出力端子を有し、前記入出力端子が、前記固体撮像装置の平面視において、前記第二チップと重ならない位置に設けられている、請求項1から4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記第一チップは外部接続用のテスト端子を有し、前記テスト端子が、前記固体撮像装置の平面視において、前記第二チップと重ならない位置に設けられている、請求項1から5のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の固体撮像装置を備える、撮像装置。
- 入射した光を電気信号に変換する複数の光電変換部が配置された画素アレイを有する第一チップと、前記第一チップの平面視面積よりも小さい平面視面積を有し、前記第一チップに電気的かつ物理的に接続された第二チップとを備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記第一チップ上に前記第二チップを配置して前記第一チップと前記第二チップとを電気的に接続する第二チップ接続工程と、
前記第一チップ上に液体の支持部材料を充填して固化し、支持部を形成する支持部形成工程と、
前記第一チップを薄膜化する薄膜化工程と、
を備える、固体撮像装置の製造方法。 - 前記第二チップ接続工程において、前記第一チップは第一チップウエハに複数形成され、前記第一チップウエハ上に前記第二チップが配置される、請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記支持部形成工程は、前記第二チップ接続工程に続いて行われ、前記第二チップを覆うように前記支持部材料が充填される、請求項8または9に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013168177A JP6116437B2 (ja) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 |
PCT/JP2014/063453 WO2015022795A1 (ja) | 2013-08-13 | 2014-05-21 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 |
US15/007,704 US9865641B2 (en) | 2013-08-13 | 2016-01-27 | Solid-state imaging device, manufacturing method therefor, and imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013168177A JP6116437B2 (ja) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015037117A true JP2015037117A (ja) | 2015-02-23 |
JP6116437B2 JP6116437B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=52468187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013168177A Active JP6116437B2 (ja) | 2013-08-13 | 2013-08-13 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9865641B2 (ja) |
JP (1) | JP6116437B2 (ja) |
WO (1) | WO2015022795A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6292049B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2018-03-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP3087598A4 (en) * | 2013-12-27 | 2017-09-20 | Intel Corporation | Optoelectronic packaging assemblies |
DE112016003966T5 (de) * | 2015-09-01 | 2018-06-14 | Sony Corporation | Gestapelter Körper |
WO2020248212A1 (zh) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 芯片封装结构和电子设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003139820A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチチップモジュール及びそのチップ間接続テスト方法 |
JP2005026633A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 半導体パッケージの製造方法 |
JP2006080145A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Nec Electronics Corp | チップオンチップ型半導体集積回路装置 |
US20080308928A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Industrial Technology Research Institute | Image sensor module with a three-dimensional die-stacking structure |
JP2011146527A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012164870A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4734381A (en) * | 1985-10-24 | 1988-03-29 | Atlantic Richfield Company | Method of making a thin film cadmium telluride solar cell |
JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
KR100541650B1 (ko) * | 2003-08-12 | 2006-01-10 | 삼성전자주식회사 | 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP4349232B2 (ja) | 2004-07-30 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP5985136B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP4783868B1 (ja) * | 2010-03-17 | 2011-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
WO2012145038A1 (en) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | Teledyne Rad-Icon Imaging Corp. | Method of direct silicon tiling of a tiled image sensor array |
US20130320359A1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Sematech, Inc. | Heterogeneous stack structures with optical to electrical timing reference distribution |
-
2013
- 2013-08-13 JP JP2013168177A patent/JP6116437B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-21 WO PCT/JP2014/063453 patent/WO2015022795A1/ja active Application Filing
-
2016
- 2016-01-27 US US15/007,704 patent/US9865641B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003139820A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチチップモジュール及びそのチップ間接続テスト方法 |
JP2005026633A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-01-27 | Sony Corp | 半導体パッケージの製造方法 |
JP2006080145A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Nec Electronics Corp | チップオンチップ型半導体集積回路装置 |
US20080308928A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Industrial Technology Research Institute | Image sensor module with a three-dimensional die-stacking structure |
JP2011146527A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012164870A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9865641B2 (en) | 2018-01-09 |
JP6116437B2 (ja) | 2017-04-19 |
WO2015022795A1 (ja) | 2015-02-19 |
US20160141328A1 (en) | 2016-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6818721B2 (ja) | イメージセンシング装置の製造方法 | |
US9305958B2 (en) | Solid-state image sensing apparatus and electronic apparatus to improve quality of an image | |
CN108695349B (zh) | 具有层压层的半导体装置和设备 | |
US9165968B2 (en) | 3D-stacked backside illuminated image sensor and method of making the same | |
US9634060B2 (en) | Stacked solid-state image sensor and imaging apparatus including the same | |
US9478520B2 (en) | Solid-state imaging device, imaging apparatus, substrate, semiconductor device and method of manufacturing the solid-state imaging device | |
JP4940667B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2010040621A (ja) | 固体撮像デバイス及びその製造方法 | |
KR20100108109A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
JP5721370B2 (ja) | 光センサの製造方法、光センサ及びカメラ | |
JP2012089739A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP6045250B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP2012009547A (ja) | 固体撮像装置、電子機器 | |
WO2014122999A1 (ja) | 積層型固体撮像装置および撮像装置 | |
JP6116437B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびに撮像装置 | |
JP2009259934A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2012169488A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
US9287318B2 (en) | Solid-state imaging sensor, method of manufacturing the same, and camera | |
JP2023055816A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
JP6388662B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2013232473A (ja) | 撮像素子およびチップ積層構造 | |
US20230353896A1 (en) | Expanded image sensor pixel array | |
JP2013175540A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
WO2015122299A1 (ja) | 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法 | |
JP6002062B2 (ja) | 半導体光検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20161205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170321 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6116437 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |