JP2015028923A - 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられ、硬化後の硬化率の部分的な差異を小さくすることができる導電性粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられ、導電性粒子本体２と、導電性粒子本体２の表面上に配置された蛍光物質３とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、電極間の電気的な接続に用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。

上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子とバインダー樹脂とを含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、バインダー樹脂を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。また、バインダー樹脂を硬化させるために、光の照射と加熱とが併用されることがある。

上記のような用途に用いられる導電材料の一例として、下記の特許文献１には、絶縁性粒子付き導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料が開示されている。上記絶縁性粒子付き導電性粒子は、導電性粒子と、該導電性粒子の表面に固定化されており、固着性を有する絶縁性粒子とを含む。

下記の特許文献２には、接着剤である樹脂中に、発光成分を内包するカプセルと、導電性粒子とを含む導電材料が開示されている。発光成分を内包するカプセルと、導電性粒子とは、別々に配合されている。

下記の特許文献３には、金属材料で被覆されているコア粒子と、屈折率が１．５２以上である光反射性無機粒子により形成された光反射層とを備える光反射性導電性粒子が開示されている。上記光反射層は、上記コア粒子の表面上に配置されている。上記光反射性導電性粒子は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために用いられている。

特表２００７−５３７５７０号公報 特開２０１０−２５４７８８号公報 特開２０１１−８６８２３号公報

近年、導電材料により接着される様々な接続対象部材の熱劣化を抑えたり、接続対象部材の製造効率を高めたりすることなどを目的として、バインダー樹脂を硬化させる温度を低くすることが求められている。また、バインダー樹脂を硬化させる温度を低くするために、光の照射と加熱とが併用されることがある。

導電性粒子と光硬化性バインダー樹脂とを含む従来の導電材料を用いて、光硬化性バインダー樹脂を硬化させて接続構造体を得た場合には、得られる接続構造体において、光硬化性バンダー樹脂の硬化後の硬化率が、部分的に異なることがある。特に、光の照射時に、電極や導電性粒子によって光が遮られ、光が直接照射されなかった光硬化性バインダー樹脂部分の硬化率が低くなることがある。光硬化性バインダー樹脂の硬化後の硬化率が部分的に異なると、接続部全体で接着信頼性が低くなる。

本発明の目的は、光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられ、硬化後の硬化率の部分的な差異を小さくすることができる導電性粒子を提供すること、並びに該導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。

本発明の広い局面によれば、光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられ、導電性粒子本体と、前記導電性粒子本体の表面上に配置された蛍光物質とを備える、導電性粒子が提供される。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記蛍光物質が蛍光粒子又は蛍光層である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子本体が、導電性の外表面に突起を有する。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電性粒子本体の表面上に配置されており、かつ蛍光物質とは異なる絶縁性粒子を備える。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記蛍光物質が絶縁性粒子である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記光硬化性を有するバインダー樹脂が、熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂であり、前記導電性粒子は、前記熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられる。

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、光硬化性を有するバインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記光硬化性を有するバインダー樹脂が、熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂である。

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子と、光硬化性を有するバインダー樹脂とを含む導電材料に光を照射して、かつ前記バインダー樹脂を硬化させることで形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子本体により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記光硬化性を有するバインダー樹脂が、熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂であり、前記接続部が、前記導電材料に熱を付与及び光を照射して、かつ前記バインダー樹脂を硬化させることで形成されている。

本発明に係る導電性粒子は、導電性粒子本体と、上記導電性粒子本体の表面上に配置された蛍光物質とを備えるので、本発明に係る導電性粒子が光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられたときに、硬化後の硬化率の部分的な差異を小さくすることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図５は、本発明の第５の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図６は、図１に示す導電性粒子を含む導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。 図７は、図６に示す接続構造体を製造する各工程を説明するための断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

［導電性粒子］
本発明に係る導電性粒子は、光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられる。本発明に係る導電性粒子は、導電性粒子本体と、蛍光物質とを備える。上記蛍光物質は、上記導電性粒子本体の表面上に配置されている。

本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子が光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられたときに、硬化後の硬化率の部分的な差異を小さくすることができる。光の照射時に、電極や導電性粒子によって光が遮られ、光が直接照射されなかったバインダー樹脂部分において、蛍光物質により発せられた光に起因して、硬化率を効果的に高めることができる。バインダー樹脂の硬化後の硬化率の部分的な差異が小さくなることで、接続部全体で接着信頼性が高くなり、接続対象部材の反りを抑えることができる。また、光の照射時に、電極や導電性粒子によって光が遮られずに、光が直接照射されたバインダー樹脂部分においても、蛍光物質により発せられた光に起因して、硬化率を効果的に高めることができる。

また、本発明に係る導電性粒子では、該導電性粒子を含む導電材料を硬化させるために光硬化を用いているために、接続対象部材の熱劣化を抑えることができ、接続構造体の製造効率を高めることができる。また、本発明に係る導電性粒子では、導電材料を硬化させるために熱硬化と光硬化とを併用する場合に、導電材料の硬化時の加熱温度を低くすることができ、接続対象部材の熱劣化を抑えることができ、接続構造体の製造効率を高めることができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図１に示す導電性粒子１は、導電性粒子本体２と、複数の蛍光物質３とを備える。蛍光物質３は、導電性粒子本体２の表面上に配置されている。

蛍光物質３は、導電性粒子本体２の表面に接するように配置されている。導電性粒子１では、蛍光物質３は、蛍光粒子である。蛍光物質３は、蛍光特性を有する。導電性粒子１では、蛍光物質３は、絶縁性を有し、絶縁性物質であり、絶縁性粒子である。上記蛍光物質は、絶縁性を有することが好ましく、絶縁性物質であることが好ましく、絶縁性粒子であることが好ましい。

導電性粒子１では、蛍光物質３は、全体が蛍光特性を有する。上記蛍光物質は、全体が蛍光特性を有していてもよい。上記蛍光物質は、粒子の表面上に、蛍光特性を有する材料が配置された蛍光物質であってもよい。上記蛍光物質は、蛍光特性を有さない材料と蛍光特性を有する材料とのハイブリッド粒子であってもよい。

導電性粒子本体２は、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電部１２とを有する。導電部１２は導電層である。導電部１２は、基材粒子１１の表面を覆っている。導電性粒子本体２は、基材粒子１１の表面が導電部１２により被覆された被覆粒子である。導電性粒子本体２は表面に導電部１２を有する。

導電性粒子本体２は、基材粒子１１の表面上に複数の芯物質１３を有する。導電部１２は、基材粒子１１と芯物質１３とを被覆している。芯物質１３を導電部１２が被覆していることにより、導電性粒子１は導電性の表面に突起１ａを有し、導電性粒子本体２は導電性（導電部分）の表面に、複数の突起２ａを有し、導電部１２は外表面に複数の突起１２ａを有する。芯物質１３により導電部１２の表面が隆起されており、複数の突起１ａ，２ａ，１２ａが形成されている。

図２に、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。

図２に示す導電性粒子１Ａは、導電性粒子本体２と、複数の蛍光物質３Ａと、複数の絶縁性粒子４とを備える。蛍光物質３Ａは、導電性粒子本体２の表面上に配置されている。絶縁性粒子４は、導電性粒子本体２の表面上に配置されている。導電性粒子１Ａは、導電性の表面に突起１Ａａを有する。

蛍光物質３Ａは、蛍光特性を有する。蛍光物質３Ａは、導電性粒子本体２の表面に接するように配置されている。導電性粒子１Ａでは、蛍光物質３Ａは、蛍光粒子である。

絶縁性粒子４は、蛍光特性を有さない。蛍光物質３Ａは蛍光特性を有する。絶縁性粒子４は、蛍光物質とは異なる。

図３に、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。

図３に示す導電性粒子１Ｂは、導電性粒子本体２と、蛍光物質３Ｂと、複数の絶縁性粒子４とを備える。蛍光物質３Ｂは、導電性粒子本体２の表面上に配置されている。絶縁性粒子４は、導電性粒子本体２の表面上に配置されている。導電性粒子１Ｂは、導電性の表面に突起１Ｂａを有する。

蛍光物質３Ｂは、蛍光特性を有する。蛍光物質３Ｂは、導電性粒子本体２の表面に接するように配置されている。導電性粒子１Ｂでは、蛍光物質３Ｂは、蛍光層である。蛍光層である蛍光物質３Ｂは、導電性粒子本体２の絶縁性粒子４が配置されていない部分の表面上と、絶縁性粒子４の表面上とに配置されている。導電性粒子本体２の絶縁性粒子４が配置されていない部分の表面上に配置された蛍光物質３Ｂ部分と、絶縁性粒子４の表面上に配置された蛍光物質３Ｂ部分とは、一体的に形成されており、連なっている。

導電性粒子１，１Ａ，１Ｂのように、上記蛍光物質は、蛍光粒子又は蛍光層であることが好ましく、蛍光粒子であってもよく、蛍光層であってもよい。上記蛍光粒子は、蛍光絶縁性粒子であってもよい。

導電性粒子１のように、上記導電性粒子は、蛍光物質とは異なる上記絶縁性粒子を備えていなくてもよい。導電性粒子１Ａ，１Ｂのように、上記導電性粒子は、蛍光物質とは異なる上記絶縁性粒子を備えていてもよい。

図４に、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。

図４に示す導電性粒子１Ｃは、導電性粒子本体２Ｃと、蛍光物質３とを備える。蛍光物質３は、導電性粒子本体２Ｃの表面上に配置されている。導電性粒子１Ｃは、導電性の表面に突起１Ｃａを有する。

導電性粒子本体２Ｃは、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電部１２Ｃとを有する。導電部１２Ｃは導電層である。導電性粒子本体２Ｃは、導電性粒子本体２のように芯物質を有さない。導電部１２Ｃは、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。従って、導電性粒子本体２Ｃは導電性の表面に、突起２Ｃａを有する。また、導電部１２Ｃは表面（導電層の外表面）に、突起１２Ｃａを有する。複数の突起１２Ｃａを除く部分が、導電部１２Ｃの上記第１の部分である。複数の突起１２Ｃａは、導電部１２Ｃの厚みが厚い上記第２の部分である。

導電性粒子本体２Ｃのように、突起を形成するために、芯物質は必ずしも用いなくてもよい。

図５に、本発明の第５の実施形態に係る導電性粒子を断面図で示す。

図５に示す導電性粒子１Ｄは、導電性粒子本体２Ｄと、蛍光物質３とを備える。蛍光物質３は、導電性粒子本体２Ｄの表面上に配置されている。

導電性粒子本体２Ｄは、基材粒子１１と、基材粒子１１の表面上に配置された導電部１２Ｄとを有する。導電部１２Ｄは導電層である。導電部１２Ｄは、基材粒子１１の表面を覆っている。導電性粒子本体２Ｄは、基材粒子１１の表面が導電部１２Ｄにより被覆された被覆粒子である。導電性粒子本体２Ｄは表面に導電部１２Ｄを有する。

導電性粒子本体２Ｄは、芯物質を有さない。導電性粒子本体２Ｄは導電性の表面に突起を有さない。導電性粒子本体２Ｄは球状である。導電部１２Ｄは表面に突起を有さない。

導電性粒子１Ｄのように、上記導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していなくてもよい。上記導電性粒子本体は、導電性の表面に突起を有していなくてもよい。上記導電部は外表面に突起を有していなくてもよい。上記導電性粒子本体は、球状であってもよい。

以下、導電性粒子の他の詳細を説明する。

（導電性粒子）
上記蛍光物質の材料における発光に関しては、励起光波長と発光波長とが存在し、多くの場合、短波から長波に変換されることで発光する。上記蛍光物質は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記蛍光物質の材料における発光の一例を挙げると、励起光波長２５０ｎｍ及び発光波長３６５ｎｍを有する材料、励起光波長３６５ｎｍ及び発光波長６１０ｎｍを有する材料等が挙げられる。励起光波長２５０ｎｍ及び発光波長３６５ｎｍを有する材料を用いる場合に、波長３６５ｎｍの光の照射により、光硬化性を有するバインダー樹脂を硬化させる光硬化開始剤が好適に用いられる。励起光波長３６５ｎｍ及び発光波長６１０ｎｍを有する材料を用いる場合に、波長６１０ｎｍの光の照射により、光硬化性を有するバインダー樹脂を硬化させる光硬化開始剤が好適に用いられる。上記励起光波長及び上記発光波長はいずれも特に限定されない。上記蛍光物質の材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記蛍光物質の材料としては、有機化合物及び無機化合物等が挙げられる。

上記蛍光物質の材料である無機化合物としては、ＳｒＢ_４Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）_３Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｐｂ^２＋、ＢａＳｉ_２Ｏ_５：Ｐｂ^２＋、ＹＰＯ_４：Ｃｅ^３＋及びＳｒＢ_４Ｏ_７：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。これらは、励起光波長２５４ｎｍ及び発光波長３６５ｎｍを有する材料である。上記蛍光物質の材料である無機化合物の他の例としては、ＢａＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ^２＋（励起光波長３５５ｎｍ及び発光波長４８８ｎｍ）等が挙げられる。

また、上記蛍光物質の材料が無機化合物である蛍光物質の市販品としては、シンロイヒ社製「ルミライトナノＲ−Ｙ２０２」（平均粒子径３０ｎｍ）（励起光波長３５５ｎｍ及び発光波長６１９ｎｍ）等が挙げられる。

上記蛍光物質の材料である有機化合物としては、ビスフェノールフルオレン（励起光波長２７５ｎｍ及び発光波長３６５ｎｍ）、２，５−ジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ、励起光波長３０３ｎｍ及び発光波長３７０ｎｍ）、メチルグリーンピロニンスチルベン（ＭＰＳ、励起光波長３６４ｎｍ及び発光波長３９５ｎｍ）及び２，５−ビス（４−アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＡ０９、励起光波長３６５ｎｍ及び発光波長３９５ｎｍ）等が挙げられる。

また、上記蛍光物質の材料の他の例としては、一般的に蛍光プローブとして販売されている以下の物質も使用できる。例えば、アミノ酸プローブ（ＤＰＳ−Ｃ１、励起光波長３１５ｎｍ及び発光波長３８５ｎｍ）、及びＣａプローブ（Ｉｎｄｏ−１、励起光波長３３０ｎｍ及び発光波長４１０ｎｍ）等を使用できる。さらに様々な反応基を有するように表面が被覆処理され、様々な蛍光発光が可能である微粒子（ＦｌｕｏＳｐｈｅｒｅｓ）も販売されている。

上記蛍光物質は、導電性粒子の表面を被覆していることが好ましい。被覆方法としては、ボールミル、ハイブリタイザーなどを使用し、導電性粒子の表面に蛍光物質を物理的な衝撃で被覆する方法や、溶媒中に導電性粒子と蛍光物質とを分散させ、シランカップリング剤などを介して化学反応で被覆する方法がある。また、蛍光物質を絶縁性粒子中に内在させ、絶縁性粒子により導電性粒子の表面を被覆してもよい。

上記蛍光物質が蛍光層である場合に、蛍光層の厚みは好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。上記蛍光層の厚みが上記下限以上であると、接続構造体における硬化後のバインダー樹脂の硬化率に差異がより一層生じ難くなる。上記蛍光層の厚みが上記上限以下であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。

上記蛍光物質が蛍光粒子である場合に、蛍光粒子の平均粒子径は好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記蛍光粒子の平均粒子径が上記下限以上であると、接続構造体における硬化後のバインダー樹脂の硬化率に差異がより一層生じ難くなる。上記蛍光粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。

上記蛍光粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。上記蛍光粒子の平均粒子均径は、任意の蛍光粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

上記導電性粒子本体は、少なくとも表面に導電部を有する粒子である。上記導電性粒子本体は、全体が導電部であってもよく、基材粒子と該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有していてもよい。

上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。

上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、一般的に導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、圧縮により導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。

上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。また、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させることにより、導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成可能である。また、基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子が得られる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、及び非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子の材料である無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記基材粒子が金属粒子である場合には、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。

上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、より一層好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは１．５μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは３００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に一層好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の平均粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。上記基材粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が充分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が狭くなる。

上記基材粒子の平均粒子径は、０．１μｍ以上、５μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の平均粒子径が０．１〜５μｍの範囲内であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。電極間の間隔をより一層小さくしたり、導電部の厚みを厚くしても、より一層小さい導電性粒子を得たりする観点からは、上記基材粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、好ましくは３μｍ以下である。

上記基材粒子の上記平均粒子径は数平均粒子径を示す。該平均粒子径は、例えばコールターカウンター（ベックマンコールター社製）を用いて測定可能である。

上記導電部の厚み（複数の導電部がある場合には、複数の導電部全体の厚み）は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。上記導電部の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。上記導電部の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。

上記導電性粒子本体の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは２．５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以下である。上記導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、上記導電性粒子本体の平均粒子径が２．５μｍ以上であると、接続抵抗の低減効果が特に大きい。

上記導電性粒子本体の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子本体の平均粒子径は、任意の導電性粒子本体５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。

上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部の材料である金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、タングステン、モリブデン及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記導電性粒子は、導電性の表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子本体は、表面に複数の突起を有することが好ましい。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部の外表面に突起を容易に形成可能である。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、突起によって、導電性粒子と電極との間のバインダー樹脂が効果的に排除される。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。

上記導電性粒子の表面に突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電部を形成した後、該第１の導電部上に芯物質を配置し、次に第２の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。芯物質はめっき反応中にめっき浴中で生成してもよいし、別途作製された粒子をめっき浴中に添加してもよい。

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。

上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質の材料である金属は、上記導電部の材料である金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質の材料は、ニッケルを含むことが好ましい。また、上記金属の酸化物としては、アルミナ、シリカ及びジルコニア等が挙げられる。

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

上記導電性粒子の表面積１μｍ^２あたりの上記突起の数は３個以上であり、好ましくは５個以上である。上記導電性粒子の表面積１μｍ^２あたりの上記突起の数は３０個以下であり、好ましくは２０個以下である。上記突起の数が上記下限以上及び上記上限以下であると、ボイドの発生がより一層抑えられ、かつ電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

上記導電性粒子における上記突起の平均高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

上記導電性粒子における上記突起の個数及び平均高さは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により粒子を上方から撮影した後、その画像を解析することにより、測定可能である。また、レーザー顕微鏡により突起高さを直接測定してもよい。

上記絶縁性粒子は、絶縁性を有する粒子である。絶縁性粒子は導電性粒子よりも小さい。絶縁性粒子を備える導電性粒子を用いて電極間を接続すると、絶縁性粒子により、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の導電性粒子における導電性粒子本体間には絶縁性粒子が存在するので、上下の電極間ではなく、横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子本体及び導電部と電極との間の絶縁性粒子を容易に排除できる。導電性粒子及び導電性粒子本体の導電性の表面に突起が設けられている場合には、導電性粒子本体及び導電部と電極との間の絶縁性粒子をより一層容易に排除できる。

上記絶縁性粒子を構成する材料としては、絶縁性の樹脂、及び絶縁性の無機物等が挙げられる。上記絶縁性の樹脂としては、基材粒子として用いることが可能な樹脂粒子を形成するための樹脂として挙げた上記樹脂が挙げられる。上記絶縁性の無機物としては、基材粒子として用いることが可能な無機粒子を形成するための無機物として挙げた上記無機物が挙げられる。

上記絶縁性粒子の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。

圧着時の絶縁性粒子の脱離性をより一層高める観点からは、絶縁性粒子は、無機粒子を含むことが好ましく、シリカ粒子であることが好ましい。上記無機粒子としては、シラス粒子、ハイドロキシアパタイト粒子、マグネシア粒子、酸化ジルコニウム粒子及びシリカ粒子等が挙げられる。圧着時の絶縁性粒子の脱離性をより一層高める観点からは、上記絶縁性粒子はシリカ粒子を含むことが好ましく、上記無機粒子はシリカ粒子であることが好ましい。上記シリカ粒子としては、粉砕シリカ、球状シリカが挙げられ、球状シリカを用いることが好ましい。また、シリカ粒子は表面に、例えばカルボキシル基、水酸基等の化学結合可能な官能基を有することが好ましく、水酸基を有することがより好ましい。無機粒子は比較的硬く、特にシリカ粒子は比較的硬い。このような硬い絶縁性粒子を備える導電性粒子を用いた場合には、導電性粒子とバインダー樹脂とを混練する際に、導電性粒子本体の表面から、硬い絶縁性粒子が脱離しやすい。

また、上記絶縁性粒子の平均粒子径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。上記絶縁性粒子の平均粒子径が上記下限以上であると、隣接する導電性粒子間の距離が電子のホッピング距離よりも大きくなり、リークが起こり難くなる。上記絶縁性粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、熱圧着する際に必要な圧力及び熱量が小さくなる。

上記導電性粒子の表面に上記絶縁性粒子を付着させる方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、並びに粒子の存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション法、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。絶縁性粒子がより一層脱離し難くなることから、導電性粒子の表面に、化学結合を介して絶縁性粒子を配置する方法が好ましい。この化学的結合には、共有結合、水素結合、イオン結合及び配位結合等が含まれる。なかでも、共有結合が好ましく、反応性官能基を用いた化学結合が好ましい。

導電性粒子の表面及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電性粒子の表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電性粒子の表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。

上記絶縁性粒子の平均粒子径は、数平均粒子径を示す。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。

上記導電性粒子における導電部を露出させるためには、上記絶縁性粒子による被覆率は、好ましくは５％以上、好ましくは７０％以下である。上記絶縁性粒子による被覆率は、導電部（又は金属表面粒子）の表面積全体に占める絶縁性粒子により被覆されている部分の面積である。上記被覆率が５％以上であると、隣接する導電性粒子本体同士が、絶縁性粒子によってより一層確実に絶縁される。上記被覆率が７０％以下であると、電極の接続の際に熱及び圧力を必要以上にかける必要がなくなり、排除された絶縁性粒子によるバインダー樹脂の性能の低下が抑えられる。

[導電材料］
上記導電材料は、上述した導電性粒子と、光硬化性を有するバインダー樹脂とを含む。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。該異方性導電材料には、上下の電極間を導通するための導電材料が含まれる。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルムとして使用され得る。上記導電材料が導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

接続構造体における接続部にボイドが発生するのを抑制し、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、導電ペーストであり、かつペースト状の状態で接続対象部材の上面に塗工されることが好ましい。

上記バインダー樹脂は光硬化性を有する。上記バインダー樹脂は、光硬化性化合物（光の照射により硬化可能な化合物）と、光硬化開始剤とを含むことが好ましい。上記バインダー樹脂は、熱硬化性及び光硬化性を有することが好ましい。上記バインダー樹脂は、光硬化性化合物（光の照射により硬化可能な化合物）と、光硬化開始剤と、熱硬化性化合物（熱の付与により硬化可能な化合物）と、熱硬化剤とを含むことも好ましい。

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、好ましくは９０．９９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、更に好ましくは２０重量％以下、特に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

光硬化性化合物：
光の照射によって硬化するように、上記導電材料は、光硬化性化合物を含むことが好ましい。光の照射により光硬化性化合物を半硬化（Ｂステージ化）させ、硬化性化合物の流動性を低下させてもよい。

上記光硬化性化合物としては特に限定されず、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物及び環状エーテル基を有する光硬化性化合物等が挙げられる。

上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物であることが好ましい。（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物の使用により、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。電極間の導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。

上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物が挙げられる。

上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。

上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも用いることができる。

上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られた光硬化性化合物であることが好ましい。このような光硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。

上記光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。

上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記光硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。

また、上記光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。

上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

光硬化開始剤：
上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。また、上記光硬化開始剤は、上記蛍光物質における励起光波長及び発光波長を考慮して適宜選択することができる。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光硬化開始剤としては、光ラジカル開始剤であってもよいし、光カチオン開始剤であってもよい。

上記光ラジカル硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤、ベンゾフェノン光硬化開始剤、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。

上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。

上記光カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。

上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記光硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１５重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を適度に光硬化させることができる。

熱硬化性化合物：
上記熱硬化性化合物は熱硬化性を有する。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましく、チイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことがより好ましい。エポキシ基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する熱硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。導電材料の硬化性を高める観点からは、上記熱硬化性化合物１００重量％中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記熱硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であってもよい。

上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。

上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。

上記熱硬化性化合物は、フェノキシ樹脂を含んでいてもよい。この場合に、フェノキシ樹脂と、上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物とを併用してもよい。この場合に、上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、フェノキシ樹脂ではないことが好ましい。

接続構造体における電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは２００００以上、好ましくは７００００以下である。

本明細書において、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。

上記フェノキシ樹脂と、上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物とを併用する場合には、上記導電材料は、上記フェノキシ樹脂と上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９９：１で含むことが好ましく、１０：９０〜９０：１０で含むことがより好ましく、２０：８０〜８０：２０で含むことが更に好ましく、３０：７０〜７０：３０で含むことが特に好ましい。

熱硬化性化合物を用いる場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜７０：３０で含むことがより好ましく、１０：９０〜５０：５０で含むことが更に好ましい。上記導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜５０：５０で含むことが特に好ましい。

熱硬化剤：
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記導電材料を低温でより一層速やかに硬化させることができるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、導電材料の保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。

上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。

［接続構造体］
上記導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

上記接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、上記接続部が、上記導電材料に光を照射して、かつ上記バインダー樹脂を硬化させることで形成されており、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子本体により電気的に接続されていることが好ましい。

図６は、図１に示す導電性粒子１を含む導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

図６に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とを接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１と、光硬化性を有するバインダー樹脂とを含む導電材料に光を照射して、上記バインダー樹脂を硬化させることにより形成されている。接続部５４は、導電性粒子１と、硬化したバインダー樹脂６１とを含む。

図６では、図示の便宜上、導電性粒子１は略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを用いてもよい。

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子本体２（符号の図示は省略）により電気的に接続されている。

接続部５４は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２とを有する。図６では、点線部が、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界である。接続部５４を形成する際に、第１，第２の接続対象部材５２，５３間に導電材料を配置した後に、第１の接続対象部材５２、得られる接続部５４及び第２の接続対象部材５３の積層方向に、マスクを介さずに、上記導電材料に光が照射されている。具体的には、後に接続部５４となる導電材料の、第１の接続対象部材５２側とは反対の表面側から、導電材料に光が照射されている。この結果、導電材料に光が直接照射された領域が第２の領域Ｒ２となり、第２の領域Ｒ２の硬化率が高くなる。また、導電性粒子１及び第２の電極５３ａによって光が遮られ、導電材料に光が直接照射されなかった領域が第１の領域Ｒ１となる。本実施形態では、導電性粒子１が蛍光物質３を備えているので、蛍光物質３から発せられた光によって、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２の硬化率の部分的な差異が小さくなる。

例えば、接続構造体５１を得るために、第１の接続対象部材５２の表面上に導電材料を配置した後、導電材料の第１の接続対象部材５２側とは反対の表面上に第２の接続対象部材５３を配置する前に、光を照射したとしても、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２の硬化率の部分的な差異が小さくなる。

図６に示す接続構造体５１は、具体的には、例えば、図７（ａ）〜（ｃ）に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記導電材料として、導電性粒子１と、光硬化性及び熱硬化性を有するバインダー樹脂６１Ｘとを含む導電材料を用いている。なお、熱硬化性を有さず、光硬化性のみを有するバインダー樹脂を用いてもよい。

図７（ａ）に示すように、第１の電極５２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材５２を用意する。また、複数の導電性粒子１とバインダー樹脂６１Ｘとを含む導電材料を用意する。次に、第１の接続対象部材５２の第１の電極５２ａ側の表面上に、上記導電材料を用いて、導電材料層５４Ｘを配置する。このとき、第１の電極５２ａ上に、１つ又は複数の導電性粒子１が配置されていることが好ましい。ここでは、上記導電材料として、導電ペーストを用いているので、導電ペーストの配置は、導電ペーストの塗布により行われている。上記導電材料層５４Ｘは、導電ペースト層である。

次に、図７（ｂ）に示すように、導電材料層５４Ｘの第１の接続対象部材５２側とは反対の表面上に、第２の接続対象部材５３を配置する。

次に、導電材料層５４Ｘに光を照射することにより、導電材料層５４Ｘ及びバインダー樹脂６１Ｘの硬化を進行させる。導電材料層５４Ｘの硬化を進行させて、導電材料層５４ＸをＢステージ化する。バインダー樹脂６１Ｘの硬化を進行させて、バインダー樹脂６１ＸをＢステージ化する。図７（ｃ）に示すように、導電材料層５４ＸのＢステージ化により、第１の接続対象部材５２の表面上に、Ｂステージ化された導電材料層５４Ｙを形成する。バインダー樹脂６１ＸのＢステージ化により、Ｂステージ化されたバインダー樹脂６１Ｙを形成する。

ここでは、導電材料層５４Ｘの下方から、すなわち導電材料層５４Ｘの第１の接続対象部材５２側の表面から、マスクを介さずに、導電材料層５４Ｘに光を照射している。なお、第１の接続対象部材５２の下方から、第１の接続対象部材５２、得られる接続部５４及び第２の接続対象部材５３の積層方向に、導電材料層５４Ｘに光を照射した結果、Ｂステージ化された導電材料層５４Ｙが形成されている。

光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源や、波長４２０ｎｍ以下の特定波長に強い発光を有する光源等が挙げられる。波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。また、波長４２０ｎｍ以下の特定波長に強い発光を有する光源の具体例としては、ＬＥＤランプ等が挙げられる。なかでもＬＥＤランプが好ましい。ＬＥＤランプを用いた場合には、被照射物自身の発熱が非常に少なくなり、発熱による上記導電材料の過度の硬化を防ぐことができる。

光の照射により上記導電材料層をＢステージ化させるために、上記導電材料層の硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、波長３６５ｎｍにピークを持つＬＥＤランプ光源を用いる場合は、好ましくは１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２程度である。また、上記導電材料層の硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、好ましくは５００ｍＪ／ｃｍ^２以上、より好ましくは２０００ｍＪ／ｃｍ^２以上、好ましくは１０００００ｍＪ／ｃｍ^２以下、より好ましくは２００００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。

なお、光の照射は、上記第２の接続対象部材の配置前、配置時又は配置後に行われ、配置前に行われてもよく、配置時に行われてもよく、配置後に行われてもよい。

なお、光の照射により上記導電材料層をＢステージ化せずに、熱の付与により上記導電材料層をＢステージ化してもよい。熱の付与の後に、光を照射してもよい。上記導電材料層に熱を付与することにより硬化を進行させて、上記導電材料層をＢステージ化する場合には、上記導電材料層を充分にＢステージ化させるための加熱温度は好ましくは８０℃以上、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは１１０℃以下である。

なお、導電材料層５４Ｘに光を照射せずに、導電材料層５４ＸをＢステージ化しない場合には、導電材料層５４Ｘの表面上に第２の接続対象部材５３を配置し、導電材料層５４Ｘに光を照射して、バインダー樹脂６１Ｘを硬化させればよい。

Ｂステージ化された導電材料層５４Ｙを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとで導電性粒子１を圧縮することにより、第１，第２の電極５２ａ，５３ａと導電性粒子本体２との接触面積が大きくなる。このため、導通信頼性がより一層高くなる。

Ｂステージ化された導電材料層５４Ｙを硬化させることにより、第１の接続対象部材５２と第２の接続対象部材５３とが、接続部５４により接続される。また、第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、導電性粒子本体２により電気的に接続される。このようにして、図６に示す接続構造体５１を得ることができる。本実施形態では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、上記導電材料を短時間で硬化させることができる。

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。

上記導電性粒子及び上記導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に適用できる。なかでも、上記導電性粒子及び上記導電材料は、ＦＯＧ用途又はＣＯＧ用途に好適であり、ＣＯＧ用途により好適である。上記導電性粒子及び上記導電材料は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとガラス基板との接続に適用することが好ましく、半導体チップとガラス基板との接続に適用することがより好ましい。

上記接続構造体では、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との組み合わせが、ガラス基板とフレキシブルプリント基板又は半導体チップとの組み合わせであることが好ましく、ガラス基板と半導体チップとの組み合わせであることがより好ましい。上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材のいずれが、ガラス基板であってもよく、フレキシブルプリント基板又は半導体チップであってもよい。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
（１）蛍光粒子の作製工程
尿素、プロピレングリコール、硝酸ユーロビウム６水和物、硝酸ストロンチウム及び四ホウ酸ナトリウムを加えた水溶液を１００℃で加熱撹拌して、金属イオンが分散したグリコール沈殿物を作製した。この沈殿物を遠心分離で分離し、４００℃で仮焼成して有機物を分解させた後、さらに１２００℃で焼成することで、ＳｒＢ_４Ｏ_７：Ｅｕ^２＋（平均粒子径３００ｎｍ、励起波長２５４ｎｍ、発光波長３６５ｎｍ）の蛍光粒子を得た。

（２）蛍光絶縁性粒子の作製工程
上記で得られた蛍光粒子の表面をビニルトリエトキシシランで被覆し、ビニル基を表面に有する蛍光粒子（Ｘ１）を得た。

セパラブルフラスコに、純水１０００ｍＬ（１００重量部）、上記蛍光粒子（Ｘ１）１０重量部、メタクリル酸メチル１重量部、メタクリル酸グリシジル０．０５重量部、ジメタクリル酸エチレングリコール０．０５重量部、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレート０．０２重量部、及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン］０．０１重量部を含むモノマー組成物を入れた。窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行い、反応が終了した後、凍結乾燥して、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレートに由来するＰ−ＯＨ基、及びメタクリル酸グリシジルに由来するエポキシ基を表面に有し、かつ蛍光粒子を含有する蛍光絶縁性粒子（絶縁性を有する蛍光粒子、平均粒子径３２０ｎｍ）を得た。

得られた蛍光絶縁性粒子を蒸留水に分散させて、蛍光絶縁性粒子を１０重量％含む分散液（Ｙ１）を得た。

（３）蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程
ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面上にニッケルめっき層（導電層）が形成されている導電性粒子（導電性粒子本体、平均粒子径３．０１μｍ、導電層の厚み０．１０μｍ）を用意した。この導電性粒子５０重量部を蒸留水３００ｍＬ（３００重量部）に分散させて、分散液を得た。この分散液に、上記分散液（Ｙ１）５０ｍＬを滴下し５０℃で８時間撹拌した。分散液を濾過した後、メタノールで洗浄し、１２０℃で７時間真空乾燥した。このようにして、導電性粒子のニッケル金属表面の水酸基と蛍光絶縁性粒子におけるＰ−ＯＨ基とを化学結合させることで、導電性粒子の表面に蛍光絶縁性粒子を付着させて、蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子（蛍光絶縁性粒子を備える導電性粒子）を得た。

（４）接続構造体の作製
熱硬化性化合物であるレゾルシノールグリシジルエーテル３０重量部と、熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）５重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・オルネクス社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）５重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ」）０．１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ２０重量部とを配合し、さらに上記蛍光絶縁性粒子付きの導電性粒子を配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の含有量が１０重量％である異方性導電ペーストを得た。

次にＬ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの複層電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍの金電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、波長２５４ｎｍ及び３６５ｎｍに発光ピークのある紫外線ランプを用いて、照射エネルギーが２０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、異方性導電ペースト層の下方のガラス基板側から、異方性導電ペースト層に紫外線を照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、かつ紫外線の照射と同時に、上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層して異方性導電ペースト層の温度が１３０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、２ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を硬化させて、接続構造体を得た。

（実施例２）
（１）蛍光粒子の作製工程
尿素、プロピレングリコール、硝酸ユーロビウム６水和物、硝酸バリウム及び硝酸アルミニウム９水和物を加えた水溶液を１００℃で加熱撹拌して、金属イオンが分散したグリコール沈殿物を作製した。この沈殿物を遠心分離で分離し、４００℃で仮焼成して有機物を分解させた後、さらに硫黄を入れた２重るつぼで１２００℃で焼成して硫化することで、ＢａＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ（平均粒子径３００ｎｍ、励起波長３５５ｎｍ、発光波長４８８ｎｍ）の蛍光粒子を得た。

（２）蛍光絶縁性粒子の作製工程
上記で得られた蛍光粒子の表面をビニルトリエトキシシランで被覆し、ビニル基を表面に有する蛍光粒子（Ｘ２）を得た。

セパラブルフラスコに、純水１０００ｍＬ（１００重量部）、上記蛍光粒子（Ｘ２）１０重量部、メタクリル酸メチル１重量部、メタクリル酸グリシジル０．０５重量部、ジメタクリル酸エチレングリコール０．０５重量部、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレート０．０２重量部、及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン］０．０１重量部を含むモノマー組成物を入れた。窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行い、反応が終了した後、凍結乾燥して、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレートに由来するＰ−ＯＨ基、及びメタクリル酸グリシジルに由来するエポキシ基を表面に有し、蛍光微粒子を含有する蛍光絶縁性粒子（絶縁性を有する蛍光粒子、平均粒子径３２０ｎｍ）を得た。

得られた蛍光絶縁性粒子を蒸留水に分散させて、蛍光絶縁性粒子を１０重量％含む分散液（Ｙ２）を得た。

（３）蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程
ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面上にニッケルめっき層（導電層）が形成されている導電性粒子（導電性粒子本体、平均粒子径３．０１μｍ、導電層の厚み０．１０μｍ）を用意した。この導電性粒子５０重量部を蒸留水３００ｍＬ（３００重量部）に分散させて、分散液を得た。この分散液に、上記分散液（Ｙ２）５０ｍＬを滴下し５０℃で８時間撹拌した。分散液を濾過した後、メタノールで洗浄し、１２０℃で７時間真空乾燥した。このようにして、導電性粒子のニッケル金属表面の水酸基と蛍光絶縁性粒子におけるＰ−ＯＨ基とを化学結合させることで、導電性粒子の表面に蛍光絶縁性粒子を付着させて、蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子（蛍光絶縁性粒子を備える導電性粒子）を得た。

（４）接続構造体の作製
熱硬化性化合物であるレゾルシノールグリシジルエーテル３０重量部と熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）５重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・オルネクス社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）５重量部と、光重合開始剤であるチタノセン系化合物（チバ・ジャパン社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ７８４」）０．１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ２０重量部とを配合し、さらに上記蛍光絶縁性粒子付きの導電性粒子を配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の含有量が１０重量％である異方性導電ペーストを得た。

次にＬ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの複層電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍの金電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、波長３５５ｎｍ及び４８８ｎｍに発光ピークのある紫外線、可視光ランプを用いて、照射エネルギーが２０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、異方性導電ペースト層の下方のガラス基板側から、異方性導電ペースト層に紫外線を照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、かつ紫外線の照射と同時に、上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層して異方性導電ペースト層の温度が１３０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、２ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を硬化させて接続構造体を得た。

（実施例３）
（１）導電性粒子の作製工程
ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面上にニッケルめっき層（導電層）が形成されている導電性粒子（導電性粒子本体、平均粒子径３．０１μｍ、導電層の厚み０．１０μｍ）を用意した。

（２）絶縁性粒子の作製工程
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブを取り付けた１０００ｍＬセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル３８０ｍｍｏｌ、ジメタクリル酸エチレングリコール１３ｍｍｏｌ、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレート０．５ｍｍｏｌ、及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン］１ｍｍｏｌを含むモノマー組成物を入れた。該モノマー組成物を固形分が１０重量％となるように蒸留水を添加した後、３００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレートに由来するＰ−ＯＨ基を表面に有する絶縁性粒子ａ（平均粒子径３００ｎｍ）を得た。

得られた絶縁性粒子ａを蒸留水に分散させて、絶縁性粒子ａを１０重量％含む分散液を得た。

（３）絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程
得られた導電性粒子５０重量部を蒸留水３００ｍＬに分散させて、分散液を得た。この分散液に、絶縁性粒子ａを１０重量％含む分散液５０ｍＬを滴下し５０℃で８時間撹拌した。その後、ろ過し、メタノールで洗浄し、１２０℃で７時間真空乾燥した。このようにして、導電性粒子のニッケル金属表面の水酸基と絶縁性粒子ａにおけるＰ−ＯＨ基とを化学結合させることで、導電性粒子の表面に絶縁性粒子ａを付着させて、絶縁性粒子付き導電性粒子（絶縁性粒子を有する導電性粒子）を得た。

（４）防錆処理、及び表面コーティング処理
エタノールと純水とを重量比１：１で含む溶液にオレイルリン酸を溶解させて、オレイルリン酸の１重量％溶液を得た。得られた絶縁性層の形成前の絶縁性粒子付き導電性粒子５０重量部をオレイルリン酸１重量％溶液３００ｍＬ中に入れ、５０℃で１時間撹拌した後、濾過し、乾燥して、オレイルリン酸により表面が被覆された絶縁性粒子付き導電性粒子を得た。メチルメタクリレート（ＭＭＡ、重合性化合物）０．５重量部、ラジカル重合開始剤である２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン］（和光純薬工業社製「ＶＡ−０５７」）０．０５重量部、及び２，５−ビス（４−アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール０．０１重量部を混合し、得られたオレイルリン酸により表面が被覆された絶縁性粒子付き導電性粒子と共に純水１Ｌに入れた。次に、６０℃で８時間撹拌した後、濾過し、乾燥して、蛍光物質を含む絶縁性層が形成された絶縁性粒子付き導電性粒子（蛍光層及び絶縁性粒子を備える導電性粒子）を得た。

（５）接続構造体の作製
熱硬化性化合物であるレゾルシノールグリシジルエーテル３０重量部と熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）５重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・オルネクス社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）５重量部と、光重合開始剤であるチタノセン系化合物（チバ・ジャパン社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ７８４」）０．１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ２０重量部とを配合し、さらに上記蛍光物質を含む絶縁性層が形成された絶縁性粒子付き導電性粒子を、配合物１００重量％中での含有量が１０重量％となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、蛍光物質を含む絶縁性層が形成された絶縁性粒子付き導電性粒子の含有量が１０重量％である異方性導電ペーストを得た。

次にＬ／Ｓが１５μｍ／１５μｍのＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの複層電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが１５μｍ／１５μｍの金電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上のチップ搭載部分に、得られた異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、波長３６５ｎｍ及び３９５ｎｍに発光ピークのある紫外線ランプを用いて、照射エネルギーが２０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、異方性導電ペースト層の下方のガラス基板側から、異方性導電ペースト層に紫外線を照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、かつ紫外線の照射と同時に、上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層して異方性導電ペースト層の温度が１３０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、２ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を硬化させて接続構造体を得た。

（実施例４）
蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程において、導電性粒子本体として、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面に芯物質としてニッケル粉体（平均粒子径１５０ｎｍ）が付着しており、かつニッケル粉体が付着したジビニルベンゼン樹脂粒子の表面上にニッケルめっき層（導電層）が形成されている導電性粒子（導電性粒子本体、平均粒子径３．０３μｍ、導電層の厚み０．０９μｍ）を使用したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。上記導電性粒子本体は、導電性の外表面に複数の突起を有する。

（実施例５）
蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程において、導電性粒子本体として、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面上にニッケルめっき層（導電層）が形成されている導電性粒子（導電性粒子本体、平均粒子径２．０３μｍ、導電層の厚み０．０７μｍ）を使用したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例６）
蛍光絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程において、導電性粒子本体として、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面上にニッケルめっき層、及び金めっき層（導電層）がこの順で形成されている導電性粒子（導電性粒子本体、平均粒子径３．０１μｍ、ニッケルめっき層の厚み０．１０μｍ、金めっき層０．０３５５μｍ）を使用したこと以外は実施例１と同様にして、接続構造体を得た。

（実施例７）
ゾルゲル法を使用して作製したシリカ粒子（平均粒子径２００ｎｍ）の表面をビニルトリエトキシシランで被覆し、ビニル基を表面に有する絶縁性粒子を絶縁性粒子本体として得た。

水２００ｍＬ中に、上記絶縁性粒子本体１重量部と、高分子化合物となる化合物であるメタクリル酸０．２２重量部と、高分子化合物となる化合物であるジメタクリル酸エチレングリコール０．０５重量部と、開始剤（和光純薬工業社製「Ｖ−５０」）０．５重量部と分散剤であるアシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレート０．０５重量部とをスリーワンモーターで十分に攪拌しながら７０℃まで昇温し、７０℃で６時間保持して、上記モノマーを重合させた。その後、冷却し、遠心分離機で固液分離を２回行い、余分なモノマーを洗浄により除去し、高分子化合物により表面全体が被覆され、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールメタクリレートに由来するＰ−ＯＨ基を表面に有する絶縁性粒子ｂを得た。得られた絶縁性粒子ｂを蒸留水に分散させて、絶縁性粒子ｂを１０重量％含む分散液を得た。

絶縁性粒子付き導電性粒子の作製工程において、絶縁性粒子ａを１０重量％含む分散液を、絶縁性粒子ｂを１０重量％含む分散液に変更したこと以外は実施例３と同様にして、接続構造体を得た。

（比較例１）
防錆処理、及び表面コーティング処理をしなかったこと以外は実施例３と同様にして接続構造体を得た。

（評価）
（１）硬化率の測定
得られた接続構造体において、電極の遮光部分によって光が遮られ、導電材料に光が直接照射されなかった第１の領域Ｒ１と、導電材料に光が直接照射された第２の領域Ｒ２とのバインダー樹脂の硬化率を測定した。

上記硬化率は、顕微ＦＴＩＲ（ＶＡＲＩＡＮ社製「Ｖａｒｉａｎ ３１００」）を用いて、エポキシ基の残存量を測定することで求めた。

（２）接続構造体の導通性（上下の電極間）
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。２つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通性を下記の基準で判定した。

［接続構造体の導通性の判定基準］
○○：接続抵抗が３．０Ω以下
○：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
△：接続抵抗が５．０Ωを超え、１０Ω以下
×：接続抵抗が１０Ωを超える

（３）接続構造体の導通信頼性
得られた接続構造体において、チップと基板との電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。その後、−４５℃〜１２５℃、保持時間３０分の熱サイクル試験機に、接続構造体を入れた。１０００サイクル経過後に接続抵抗を４端子法で測定し、初期に導通していた１００箇所の電極中における導通不良となった電極の割合を計算することにより、接続構造体における導通信頼性を評価した。接続構造体における導通信頼性を下記の基準で判定した。

［接続構造体の導通信頼性の判定基準］
○○：導通不良となった電極の割合が１％未満
○：導通不良となった電極の割合が１％以上、５％未満
△：導通不良となった電極の割合が５％以上、１０％未満
×：導通不良となった電極の割合が１０％以上

結果を下記の表１に示す。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…導電性粒子
１ａ，１Ａａ，１Ｂａ，１Ｃａ…突起
２，２Ｃ，２Ｄ…導電性粒子本体
２ａ，２Ｃａ…突起
３，３Ａ，３Ｂ…蛍光物質
４…絶縁性粒子
１１…基材粒子
１２，１２Ｃ，１２Ｄ…導電部
１２ａ，１２Ｃａ…突起
１３…芯物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
５４Ｘ…導電材料層（硬化前）
５４Ｙ…Ｂステージ化された導電材料層
６１…バインダー樹脂
６１Ｘ…バインダー樹脂（硬化前）
６１Ｙ…Ｂステージ化されたバインダー樹脂
Ｒ１…第１の領域
Ｒ２…第２の領域

Claims (10)

1. 光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられ、
   導電性粒子本体と、
   前記導電性粒子本体の表面上に配置された蛍光物質とを備える、導電性粒子。
2. 前記蛍光物質が蛍光粒子又は蛍光層である、請求項１に記載の導電性粒子。
3. 前記導電性粒子本体が、導電性の外表面に突起を有する、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
4. 前記導電性粒子本体の表面上に配置されており、かつ蛍光物質とは異なる絶縁性粒子を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
5. 前記蛍光物質が絶縁性粒子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
6. 前記光硬化性を有するバインダー樹脂が、熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂であり、
   前記熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂中に分散されて用いられる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子と、
   光硬化性を有するバインダー樹脂とを含む、導電材料。
8. 前記光硬化性を有するバインダー樹脂が、熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂である、請求項７に記載の導電材料。
9. 第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
   第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
   前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
   前記接続部が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子と、光硬化性を有するバインダー樹脂とを含む導電材料に光を照射して、かつ前記バインダー樹脂を硬化させることで形成されており、
   前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子本体により電気的に接続されている、接続構造体。
10. 前記光硬化性を有するバインダー樹脂が、熱硬化性及び光硬化性を有するバインダー樹脂であり、
    前記接続部が、前記導電材料に熱を付与及び光を照射して、かつ前記バインダー樹脂を硬化させることで形成されている、請求項９に記載の接続構造体。

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