JP2015023091A - 半導体素子の評価方法及び半導体素子の評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体素子に電圧を印加して不良箇所を発光で特定する半導体素子の評価方法であって、被評価素子に印加する電圧を徐々に上昇させながら発光状態を監視する工程と、所定の強度の発光が確認された時点で、前記電圧の上昇を停止する工程と、該上昇を停止した時の電圧を保持しながら前記被評価素子の発光部の撮影を行う工程と、前記発光部の場所を特定することで、半導体素子の不良箇所を特定する工程とを有することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【選択図】 図1
Description
このような解析において、何らかの方法で不良箇所を特定することができれば、収束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)による微細加工技術と、高解像度の走査電子顕微鏡(SEM)、透過電子顕微鏡(TEM)技術、及び、エネルギ分散型X線分光(EDX)のような不純物解析技術を用いることで不良箇所を直接観察することができ、不良原因の究明を行うことが可能になる。
一連の技術について各種検討がなされているが、その中でも、不良箇所特定が一番の問題である。
従って、発光を検出するためには、検出するカメラの感度を向上させるか、発光量を大きくすることが原理的には考えられる。
このうちで、カメラの感度向上は理想ではあるが、実際には各種感度のカメラをそろえることは不可能であり、また、カメラの感度を向上させたとしても、外乱とのSN比の問題等がある。
しかしながら、発明者が検討した結果、この方法では印加電圧を大きくしすぎてデバイスをさらに熱破壊するという問題があることを見出した。
このようにすることで、確実にデバイスの破壊を防ぐことができる。
このように、電圧が所定の電圧値だけ増加したときに撮像装置によって被評価素子を撮像することで、より確実にデバイスの破壊を防ぐことができる。
このように、発光状態を監視する撮像装置で発光部の撮影を行うことで、効率的に不良箇所を特定することができる。
制御装置が、上記のように電圧印加装置及び撮像装置を制御することで、確実にデバイスの破壊を防ぐことができる。
このように、撮像装置が発光部の撮影を行うことで、評価装置の構成を簡素にすることができる。
前述のように、不良箇所からの発光を検出する方法において、発光を検知するカメラの感度を向上させるよりも、印加電圧を大きくして発光が観察されるようになるまで徐々に印加電圧を大きくするほうが好ましいが、この方法では印加電圧を大きくしすぎてデバイスをさらに熱破壊するという問題があった。破壊されてしまうと、そもそもの不良箇所の分析に支障をきたしてしまう。
その結果、被評価素子に印加する電圧を徐々に上昇させながら発光状態を監視し、所定の発光量が確認された時点で、印加電圧の上昇を停止することで、被評価素子への印加電圧を上げすぎて必要以上にデバイスを破壊することを防ぐことができることを見出し、本発明をなすに至った。
図2に示すように、本発明の半導体素子の評価装置10は、被評価素子1を載せる載置台6と、被評価素子1にプローブ針5を介して電圧を印加する電圧印加装置4と、被評価素子1の発光状態を監視するとともに、被評価素子1の発光部を撮影する撮像装置2と、電圧印加装置4及び撮像装置2を制御する制御装置3を有している。
電圧印加装置4は例えばテスタであり、撮像装置2は例えばカメラである。
また、制御装置3は、被評価素子1に印加する電圧をステップ状に増加させるように電圧印加装置4を制御することができ、印加電圧が増加するたびに被評価素子1を撮像するように撮像装置2を制御することができる。
さらに、制御装置3は、撮像装置2からの映像信号に基づいて、撮像された領域の中で一番発光量(輝度)の高い箇所の輝度を数値化し、一番発光量の高い箇所の輝度が予め決められた輝度の閾値に到達するまで、電圧をステップ状に昇圧するように電圧印加装置4を制御することができる。
まず、被評価素子に印加する電圧を徐々に上昇させながら、発光状態を監視する(図1のステップS11参照)。
具体的には、評価装置10の載置台6上に載せた被評価素子1の所定のパッドにプローブ針5を当てて、電圧印加装置(例えば、テスタ)4から被評価素子1に電圧を印加する。印加する電圧はステップ状に上昇し、電圧が上昇するたびに発光を撮像装置(例えば、カメラ)2によって撮像する。
撮像するたびに、撮像装置2からの映像信号に基づいて、撮像された領域の中で一番発光量(輝度)の高い箇所の輝度が数値化され、一番発光量の高い箇所の輝度が予め決定した輝度の閾値に到達するまで、電圧をステップ状に昇圧するように電圧印加装置4は制御装置3によって制御される。
具体的には、一番発光量の高い箇所の輝度が閾値に到達したら、印加電圧の昇圧を停止するように電圧印加装置4は制御装置3によって制御される。
具体的には、一番発光量の高い箇所の輝度が閾値に到達したときの電圧を保持するように電圧印加装置4は制御装置3によって制御され、その状態で被評価素子1からの発光状態を示す画像を取得するように撮像装置2は制御装置3によって制御され、画像の取得が完了した時点で電圧印加を停止させるように電圧印加装置4は制御装置3によって制御される。
具体的には、撮像装置2で取得した被評価素子1からの発光状態を示す画像から発光部の場所を特定し、半導体素子の不良箇所を特定する。
試料として、ボロンをドープした抵抗率が10Ω・cmで直径200mmのp型シリコンウェーハを用いた。このウェーハに1000℃のパイロ雰囲気(高純度水蒸気雰囲気)中で300nmの厚さのゲート酸化を行い、これにリンドープのポリシリコンをデポし、その後フォトリソグラフィー工程、エッチング工程により、ポリシリコンを電極パターンに加工し、MOSキャパシタを作製した。
なお閾値は、0V印加のときの発光強度の値を0として発光が画面内で最初に観察されたときの発光強度の値を閾値とした。
実施例では、発光が観察された時点で電圧印加を停止したことで、図3(b)に示すような局所的な発光(右下の円で囲まれた領域)、すなわち不良箇所を特定することが可能となった。
また、実施例では、図3(a)に示すように、250Vに到達した時点で電圧印加を停止したので、流れる電流を2×10−6A以下に抑えることができ、デバイスをさらに熱破壊することを防止することができた。
実施例と同様にしてMOSキャパシタを作製した。
このMOSキャパシタのポリシリコン電極に電圧を1Vステップで0Vから印加し、
各ステップ毎に特に発光強度を観察することなく、また発光の閾値も特に決めずに、ある程度の発光が確認されるまで電圧を上昇させた。印加電圧の昇圧レートは、1V/secとした。
その結果、発光したときには既に図4(b)に示すように発光が素子内のかなり広い領域(円で囲まれた領域)に広がり、不良箇所を高精度で特定することができなかった。
また、比較例の方法では発光が確認された時点で不良箇所が大きく破壊されてしまい、不良原因の解析が困難になった。
比較例では、図4(a)に示すように、300Vに到達するまで電圧印加を停止しなかったので、不良箇所に1×10−4A程度の電流が流れてしまい、デバイスをさらに熱破壊することを防止することができなかった
4…電圧印加装置(テスタ)、 5…プローブ針、 6…載置台、 10…評価装置。
Claims (7)
- 半導体素子に電圧を印加して不良箇所を発光で特定する半導体素子の評価方法であって、
被評価素子に印加する電圧を徐々に上昇させながら発光状態を監視する工程と、
所定の強度の発光が確認された時点で、前記電圧の上昇を停止する工程と、
該上昇を停止した時の電圧を保持しながら前記被評価素子の発光部の撮影を行う工程と、
前記発光部の場所を特定することで、半導体素子の不良箇所を特定する工程と
を有することを特徴とする半導体素子の評価方法。 - 前記発光状態の監視を撮像装置で行い、
前記被評価素子への電圧の印加を、電圧印加装置によって行い、
前記電圧の上昇、前記電圧の上昇の停止、及び、前記電圧の保持を、制御装置が撮像装置の出力信号に基づいて、前記電圧印加装置を制御することによって行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の評価方法。 - 前記発光状態を監視する工程は、前記電圧が所定の電圧値だけ増加したときに前記撮像装置によって前記被評価素子を撮像する段階を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の評価方法。
- 前記発光部の撮影を前記撮像装置で行うことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体素子の評価方法。
- 半導体素子に電圧を印加して不良箇所を発光で特定する半導体素子の評価装置であって、
被評価素子に電圧を印加する電圧印加装置と、
前記被評価素子の発光状態を監視する撮像装置と、
前記撮像装置からの信号に基づいて、前記電圧印加装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記被評価素子に印加する電圧を徐々に増加させるように前記電圧印加装置を制御し、前記撮像装置が所定の強度の発光を検知したときに、前記電圧の上昇を停止させ、該停止した電圧を保持するように前記電圧印加装置を制御することを特徴とする半導体素子の評価装置。 - 前記制御装置は、前記電圧が所定の電圧値だけ増加したときに前記半導体素子を撮像するように、前記電圧印加装置及び前記撮像装置を制御することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の評価装置。
- 前記撮像装置が前記発光部の撮影を行うことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体素子の評価装置。
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