JP6572839B2 - 半導体基板の評価方法 - Google Patents
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Description
前記半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜の上からコロナチャージを印加して該酸化膜上に保持する工程と、
前記コロナチャージの印加を停止した後に、電流検出型のAFMにより、前記コロナチャージが保持された酸化膜をスキャンし、該酸化膜を通じて流れてくる電流を検出する工程とを有することを特徴とする半導体基板の評価方法を提供する。
被測定基板2としてボロンをドープしたp型の直径200mmシリコンウェーハ(シリコン単結晶ウェーハ)を準備した。このシリコンウェーハの抵抗率は10Ω・cmである。
被測定基板2としてボロンをドープしたp型の直径200mmシリコンウェーハ(シリコン単結晶ウェーハ)を準備した。このシリコンウェーハの抵抗率は10Ω・cmである。
被測定基板2としてボロンをドープしたp型の直径200mmシリコンウェーハ(シリコン単結晶ウェーハ)を準備した。このシリコンウェーハの抵抗率は10Ω・cmである。
3a…金属線電極、 4…導電性のAFMプローブ、 5…電流計。
Claims (3)
- 半導体基板上に形成した酸化膜の絶縁特性を評価することで前記半導体基板の評価を行う半導体基板の評価方法であって、
前記半導体基板表面に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜の上からコロナチャージを印加して該酸化膜上に保持する工程と、
前記コロナチャージの印加を停止した後に、電流検出型のAFMにより、前記コロナチャージが保持された酸化膜をスキャンし、該酸化膜を通じて流れてくる電流を検出することで電流値の分布を調べる工程とを有することを特徴とする半導体基板の評価方法。 - 前記酸化膜を通じて流れてくる電流は、前記コロナチャージによって前記酸化膜上に保持されたチャージに起因した電流であることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の評価方法。
- 前記コロナチャージを印加する工程の前に、前記コロナチャージを印加する酸化膜とは反対側の表面に形成された酸化膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体基板の評価方法。
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