JPH0714899A - 半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法 - Google Patents
半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法Info
- Publication number
- JPH0714899A JPH0714899A JP17615393A JP17615393A JPH0714899A JP H0714899 A JPH0714899 A JP H0714899A JP 17615393 A JP17615393 A JP 17615393A JP 17615393 A JP17615393 A JP 17615393A JP H0714899 A JPH0714899 A JP H0714899A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- standby current
- current
- failure
- emission microscope
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スタンバイ電流不良のある半導体装置におい
て、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡
を用いて調査し、微小リーク電流が流れていたり、広い
範囲で電流が流れていたりするスタンバイ電流不良の故
障メカニズムを正確に把握できる。 【構成】 スタンバイ電流不良のある半導体装置におい
て、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡
にて調査し、プロッタ図により発光している回路の構成
を解読する。さらに、故障箇所の推定を行い、ＳＥＭ，
ＦＩＢを用いて故障箇所を観察してこの不良半導体装置
の故障メカニズムを解析するものである。
て、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡
を用いて調査し、微小リーク電流が流れていたり、広い
範囲で電流が流れていたりするスタンバイ電流不良の故
障メカニズムを正確に把握できる。 【構成】 スタンバイ電流不良のある半導体装置におい
て、電流発生箇所である発光箇所をエミッション顕微鏡
にて調査し、プロッタ図により発光している回路の構成
を解読する。さらに、故障箇所の推定を行い、ＳＥＭ，
ＦＩＢを用いて故障箇所を観察してこの不良半導体装置
の故障メカニズムを解析するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電化製品に使われるＩＣ
の一部分を構成しているＭＯＳＩＣのスタンバイ電流不
良の解析方法に関するものである。
の一部分を構成しているＭＯＳＩＣのスタンバイ電流不
良の解析方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶塗布法によりＩＣ全面に液晶
を塗布して、リーク電流が流れることにより発生する発
熱により色が変化した箇所を調べて、電流発生箇所の調
査を行い、その後、プロッタ図で電流が発生している回
路の構成を解読して、ＳＥＭ，ＦＩＢを用いて故障箇所
を観察して、故障メカニズムを把握していた。
を塗布して、リーク電流が流れることにより発生する発
熱により色が変化した箇所を調べて、電流発生箇所の調
査を行い、その後、プロッタ図で電流が発生している回
路の構成を解読して、ＳＥＭ，ＦＩＢを用いて故障箇所
を観察して、故障メカニズムを把握していた。
【０００３】しかし、液晶は比較的大きなリーク電流
（３ｍＷ以上）に感応するため、微小リーク電流の検出
が困難であった。また発熱による液晶の変色領域が拡が
り、変色箇所の特定が困難であった。
（３ｍＷ以上）に感応するため、微小リーク電流の検出
が困難であった。また発熱による液晶の変色領域が拡が
り、変色箇所の特定が困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶塗布法
では、微小リーク電流の発生箇所や広い範囲で電流が流
れた場合、その正確な発生箇所の特定は極めて困難であ
ったため、故障箇所の推定はほとんどできなかった。そ
こで、本発明は従来のこのような欠点を解決するために
エミッション顕微鏡を用いて電流発生箇所を調査して、
プロッタ図より電流発生回路の構成を解読して、故障箇
所の特定ができるようにすることを目的としている。
では、微小リーク電流の発生箇所や広い範囲で電流が流
れた場合、その正確な発生箇所の特定は極めて困難であ
ったため、故障箇所の推定はほとんどできなかった。そ
こで、本発明は従来のこのような欠点を解決するために
エミッション顕微鏡を用いて電流発生箇所を調査して、
プロッタ図より電流発生回路の構成を解読して、故障箇
所の特定ができるようにすることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明はエミッション顕微鏡を用いて、半導体内
部で電流（すなわち、ホットエレクトロン）が流れたと
きに発生する微弱な光を捕えることによって、スタンバ
イ時の電流発生箇所を正確に突き止められるようにし、
その後、プロッタ図を用いて電流発生箇所の回路の構成
の解読を行い、故障箇所の特定ができるようにした。
に、この発明はエミッション顕微鏡を用いて、半導体内
部で電流（すなわち、ホットエレクトロン）が流れたと
きに発生する微弱な光を捕えることによって、スタンバ
イ時の電流発生箇所を正確に突き止められるようにし、
その後、プロッタ図を用いて電流発生箇所の回路の構成
の解読を行い、故障箇所の特定ができるようにした。
【０００６】
【作用】上記のように、エミッション顕微鏡は微弱な光
にも感度よく感応するので、半導体内部に電流が流れた
場合に発生する微弱な光を捕えることができるエミッシ
ョン顕微鏡を用いれば、微小リーク電流や広い範囲で電
流が流れた場合でもその発生箇所を正確に突き止めるこ
とができる。このため、電流発生箇所の回路構成がプロ
ッタ図により解読でき、その後、故障箇所の推定を行い
ＳＥＭ，ＦＩＢで故障箇所を観察することによって故障
のメカニズムが把握できるようになる。
にも感度よく感応するので、半導体内部に電流が流れた
場合に発生する微弱な光を捕えることができるエミッシ
ョン顕微鏡を用いれば、微小リーク電流や広い範囲で電
流が流れた場合でもその発生箇所を正確に突き止めるこ
とができる。このため、電流発生箇所の回路構成がプロ
ッタ図により解読でき、その後、故障箇所の推定を行い
ＳＥＭ，ＦＩＢで故障箇所を観察することによって故障
のメカニズムが把握できるようになる。
【０００７】
【実施例】以下に、この発明のスタンバイ電流不良の解
読方法を図面に基づいて説明する。図１において、まず
ＩＣの電源電圧を変え、スタンバイ電流の変化を調査す
る。次にエミッション顕微鏡により発光箇所の調査を行
う。そして、プロッタ図を用いて発光箇所、すなわち電
流発生箇所の回路構成を解読する。電源電圧を変えたと
きのスタンバイ電流の特性と電流発生箇所の回路図から
故障箇所の推定を行う。ここで、発光部（電流発生箇
所）と故障箇所とが一致する場合もあれば、一致しない
場合もある。
読方法を図面に基づいて説明する。図１において、まず
ＩＣの電源電圧を変え、スタンバイ電流の変化を調査す
る。次にエミッション顕微鏡により発光箇所の調査を行
う。そして、プロッタ図を用いて発光箇所、すなわち電
流発生箇所の回路構成を解読する。電源電圧を変えたと
きのスタンバイ電流の特性と電流発生箇所の回路図から
故障箇所の推定を行う。ここで、発光部（電流発生箇
所）と故障箇所とが一致する場合もあれば、一致しない
場合もある。
【０００８】その後、推定した故障箇所をＳＥＭ，ＦＩ
Ｂで観察して、その結果から故障のメカニズムを把握す
る。
Ｂで観察して、その結果から故障のメカニズムを把握す
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は従来解析不
可能であった微小リーク電流や広い範囲でのリーク電流
に起因するスタンバイ電流不良に対しても故障箇所の特
定ができ、それをもとに故障メカニズムを把握して対策
をとることによってＩＣの歩留を向上させる効果があ
る。
可能であった微小リーク電流や広い範囲でのリーク電流
に起因するスタンバイ電流不良に対しても故障箇所の特
定ができ、それをもとに故障メカニズムを把握して対策
をとることによってＩＣの歩留を向上させる効果があ
る。
【図１】本発明のスタンバイ電流不良の解析手順を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２】従来のスタンバイ電流不良の解析手順を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
Claims (4)
- 【請求項１】 スタンバイ電流不良箇所の調査をエミッ
ション顕微鏡を用いて行うことを特徴とする半導体装置
のスタンバイ電流不良の解析方法。 - 【請求項２】 リーク電流が流れたときに発生する微弱
な光をエミッション顕微鏡で検出することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置のスタンバイ電流不良の解析
方法。 - 【請求項３】 電圧電源、電流計、エミッション顕微
鏡、プロッタ図、ＳＥＭ、ＦＩＢを用いてスタンバイ電
流不良箇所の特定を行うことを特徴とする半導体装置の
スタンバイ電流不良の解析方法。 - 【請求項４】 電源電圧を変え、スタンバイ電流の変化
を調査する工程と、エミッション顕微鏡により発光箇所
を調査する工程と、プロッタ図により発光箇所の回路構
成を解読する工程と、故障箇所を推定する工程と、ＳＥ
Ｍにより故障箇所を観察する工程と、ＦＩＢにより、故
障箇所の断面を観察する工程とからなることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置のスタンバイ電流不良の解
析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17615393A JPH0714899A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17615393A JPH0714899A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714899A true JPH0714899A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=16008593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17615393A Pending JPH0714899A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体装置のスタンバイ電流不良の解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714899A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249630B1 (ko) * | 1996-06-14 | 2000-03-15 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 이미션 현미경에 의한 반도체층의 고장 해석방법 및 반도체 장치 고장 해석 시스템 |
| JP2015023091A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子の評価方法及び半導体素子の評価装置 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP17615393A patent/JPH0714899A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100249630B1 (ko) * | 1996-06-14 | 2000-03-15 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 이미션 현미경에 의한 반도체층의 고장 해석방법 및 반도체 장치 고장 해석 시스템 |
| JP2015023091A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子の評価方法及び半導体素子の評価装置 |
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