JP2011086693A - 半導体装置の検査システムおよび方法 - Google Patents

Abstract

【課題】検査費用を大幅に増大させることなく、かつ、スループットを低下させることなく、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップを不良品半導体チップとして識別する。
【解決手段】半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、電気的特性検査を実行し、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査方法において、外観検査の実行後に、ステージ10c上に載置された外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線を照射することによって、外観検査結果がＮＧの半導体チップの電気的特性検査結果をＮＧにし、ステージ20c上に載置された電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップに対してインクマーキングを施す。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、次いで、電気的特性検査を実行し、次いで、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査システムおよび方法に関する。

特に、本発明は、半導体装置の検査に要する費用を大幅に増大させることなく、かつ、スループットを低下させることなく、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップを不良品半導体チップとして識別することができる半導体装置の検査システムおよび方法に関する。

従来から、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、次いで、電気的特性検査を実行し、次いで、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査システムが知られている。この種の半導体装置の検査システムの例としては、例えば特許文献１（特開２００７−２２７４１９号公報）の図１、図２などに記載されたものがある。

特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムでは、外観検査装置と電気的特性検査装置（プローバ）とが別個に設けられている。更に、外観検査装置および電気的特性検査装置（プローバ）が通信回線を介してデータサーバに接続されている。

詳細には、特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムでは、まず最初に、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査が外観検査装置によって実行される。また、外観検査結果が外観検査装置からデータサーバに伝達される。

次いで、特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムでは、電気的特性検査が電気的特性検査装置（プローバ）によって実行される。また、電気的特性検査結果が電気的特性検査装置（プローバ）からデータサーバに伝達される。

次いで、特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムでは、データサーバに格納された外観検査結果および電気的特性検査結果に基づき、テスト制御部によって、外観検査結果がＮＧの半導体チップおよび電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップが不良品半導体チップとして判別される。

次いで、特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムでは、テスト制御部の処理結果に基づき、インクマーキング装置（集中マーカ）によって、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングが半導体チップに施される。その結果、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別できるようになる。

特開２００７−２２７４１９号公報

ところで、特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムでは、上述したように、外観検査装置、電気的特性検査装置（プローバ）などを相互に接続する通信回線が設けられている。更に、外観検査結果、電気的特性検査結果などを格納するためのデータサーバが設けられている。そのため、検査システム全体が大掛かりになってしまい、検査システム全体にかかる費用が嵩んでしまう。

一方、仮に、外観検査装置と電気的特性検査装置（プローバ）とを相互に接続する通信回線が設けられない場合には、特許文献１の図１、図２などに記載された半導体装置の検査システムとは異なる手法によって、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別できるようにする必要がある。

その手法の一例として、例えば、外観検査の実行後に外観検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施し、次いで、電気的特性検査の実行後に電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す手法が考えられる。

ところが、その手法では、外観検査の実行後にインクマーキングを施すインクマーキング装置と、電気的特性検査の実行後にインクマーキングを施すインクマーキング装置とを別個に設ける必要がある。そのため、検査システム全体にかかる費用が嵩んでしまう。また、外観検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングが半導体チップに施された後、そのインクマーキングが乾燥するまで次の電気的特性検査を開始することができないため、スループットが低下してしまう。

あるいは、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別できるようにする手法の他の例として、例えば、外観検査の実行後に、オペレータによって外観検査結果を外観検査装置から電気的特性検査装置に手動で伝達する手法が考えられる。

ところが、その手法では、外観検査結果を外観検査装置から電気的特性検査装置に伝達するオペレータが必要になってしまうため、検査システム全体にかかる費用が嵩んでしまう。

前記問題点に鑑み、本発明は、半導体装置の検査に要する費用を大幅に増大させることなく、かつ、スループットを低下させることなく、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップを不良品半導体チップとして識別することができる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。

本発明者は、鋭意研究を行った結果、半導体チップにＸ線を照射することにより、半導体チップの電気的特性が変化することを見出した。詳細には、本発明者は、電気的特性異常を有していない半導体チップにＸ線を照射することにより、その半導体チップが電気的特性異常を有するようになることを見出した。

更に詳細には、本発明者は、Ｘ線照射装置の蛍光Ｘ線のフィラメントに４０ｋＶの電圧を印加すると共に４０ｍＡの電流を通電し、モリブデンのショットキーバリアメタルを有するショットキーバリアダイオードチップに対して、放射線量が１２，０００レントゲン／ｓｅｃのＸ線を１８０ｓｅｃ照射することにより、逆方向漏れ電流の値が所定値になる逆方向耐圧が、７５．３Ｖから７０．２Ｖに減少することを見出した。

請求項１に記載の発明によれば、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、次いで、電気的特性検査を実行し、次いで、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査システムにおいて、
外観検査装置（１０）と、電気的特性検査装置（２０）とを、通信回線を介して接続することなく別個に設け、
外観検査装置（１０）のステージ（１０ｃ）上に載置された半導体ウエハの半導体チップに対し、外観検査結果に基づいてＸ線を照射するＸ線照射装置（１０ｂ）を外観検査装置（１０）に設け、
電気的特性検査装置（２０）のステージ（２０ｃ）上に載置された半導体ウエハの半導体チップに対し、電気的特性検査結果に基づいてインクマーキングを施すインクマーキング装置（２０ｂ）を電気的特性検査装置（２０）に設け、
外観検査結果を外観検査装置（１０）から電気的特性検査装置（２０）に伝達せず、外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線をＸ線照射装置（１０ｂ）が照射することによって、外観検査結果がＮＧの半導体チップの電気的特性検査結果をＮＧにすることを特徴とする半導体装置の検査システムが提供される。

請求項２に記載の発明によれば、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、次いで、電気的特性検査を実行し、次いで、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査方法において、
半導体チップの外観検査の実行後に、外観検査装置（１０）のステージ（１０ｃ）上に載置された半導体ウエハの外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線を照射することによって、外観検査結果がＮＧの半導体チップの電気的特性検査結果をＮＧにし、
電気的特性検査装置（２０）のステージ（２０ｃ）上に載置された半導体ウエハの電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップに対してインクマーキングを施すことを特徴とする半導体装置の検査方法が提供される。

請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、外観検査装置（１０）と、電気的特性検査装置（２０）とが、通信回線を介して接続されることなく別個に設けられている。また、外観検査装置（１０）のステージ（１０ｃ）上に載置された半導体ウエハの半導体チップに対し、外観検査結果に基づいてＸ線を照射するＸ線照射装置（１０ｂ）が、外観検査装置（１０）に設けられている。更に、電気的特性検査装置（２０）のステージ（２０ｃ）上に載置された半導体ウエハの半導体チップに対し、電気的特性検査結果に基づいてインクマーキングを施すインクマーキング装置（２０ｂ）が、電気的特性検査装置（２０）に設けられている。

詳細には、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、まず最初に、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査が、外観検査装置（１０）によって実行される。外観検査結果は、外観検査装置（１０）から電気的特性検査装置（２０）に伝達されない。

次いで、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線が、Ｘ線照射装置（１０ｂ）によって照射される。

次いで、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、外観検査装置（１０）による外観検査が実行された後の半導体チップに対し、電気的特性検査装置（２０）によって電気的特性検査が実行される。電気的特性検査では、最初から電気的特性異常を有していた半導体チップの電気的特性検査結果がＮＧになると共に、最初は電気的特性異常を有しておらず、外観異常のみを有していた半導体チップであって、Ｘ線照射装置（１０ｂ）によってＸ線が照射された半導体チップの電気的特性検査結果がＮＧになる。

次いで、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップに対し、インクマーキング装置（２０ｂ）によってインクマーキングが施される。

詳細には、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、最初から電気的特性異常を有していた半導体チップに対してインクマーキングが施されると共に、最初は電気的特性異常を有しておらず、外観異常のみを有していた半導体チップであって、Ｘ線照射装置（１０ｂ）によってＸ線が照射された半導体チップに対してインクマーキングが施される。

つまり、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングが半導体チップに施される。その結果、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別できるようになる。

換言すれば、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、外観検査装置（１０）と電気的特性検査装置（２０）とを接続する通信回線を設ける必要なく、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別することができる。

更に、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、外観検査の実行後に外観検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す必要なく、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別することができる。

また、請求項１に記載の半導体装置の検査システムでは、オペレータによって外観検査結果を外観検査装置から電気的特性検査装置に手動で伝達する必要なく、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別することができる。

そのため、請求項１に記載の半導体装置の検査システムによれば、半導体装置の検査に要する費用を大幅に増大させることなく、かつ、スループットを低下させることなく、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップを不良品半導体チップとして識別することができる。

請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、まず最初に、半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査が、外観検査装置（１０）によって実行される。詳細には、外観検査結果は、外観検査装置（１０）から電気的特性検査装置（２０）に伝達されない。

次いで、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、外観検査装置（１０）のステージ（１０ｃ）上に載置された半導体ウエハの外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線がＸ線照射装置（１０ｂ）から照射され、その結果、外観検査結果がＮＧの半導体チップの電気的特性検査結果がＮＧになる。

次いで、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、外観検査装置（１０）による外観検査が実行された後の半導体チップに対し、電気的特性検査装置（２０）によって電気的特性検査が実行される。詳細には、電気的特性検査では、最初から電気的特性異常を有していた半導体チップの電気的特性検査結果がＮＧになると共に、最初は電気的特性異常を有しておらず、外観異常のみを有していた半導体チップであって、Ｘ線が照射された半導体チップの電気的特性検査結果がＮＧになる。

次いで、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップに対してインクマーキングが施される。

詳細には、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、最初から電気的特性異常を有していた半導体チップに対してインクマーキングが施されると共に、最初は電気的特性異常を有しておらず、外観異常のみを有していた半導体チップであって、Ｘ線が照射された半導体チップに対してインクマーキングが施される。

つまり、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングが半導体チップに施される。その結果、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別できるようになる。

換言すれば、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、外観検査装置（１０）と電気的特性検査装置（２０）とを接続する通信回線を設ける必要なく、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別することができる。

更に、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、外観検査の実行後に外観検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す必要なく、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別することができる。

また、請求項２に記載の半導体装置の検査方法では、オペレータによって外観検査結果を外観検査装置から電気的特性検査装置に手動で伝達する必要なく、複数の半導体チップのうち、どの半導体チップが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップであるかを識別することができる。

そのため、請求項２に記載の半導体装置の検査方法によれば、半導体装置の検査に要する費用を大幅に増大させることなく、かつ、スループットを低下させることなく、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップを不良品半導体チップとして識別することができる。

第１の実施形態の半導体装置の検査システムの概略的な構成図である。 第１の実施形態の半導体装置の検査システムによって検査される半導体ウエハＷを示した図である。 第１の実施形態の半導体装置の検査システムの一部を構成する外観検査装置１０のステージ１０ｃの概略的な平面図である。 第１の実施形態の半導体装置の検査システムの一部を構成する外観検査装置１０の概略的な正面図である。 第１の実施形態の半導体装置の検査システムの一部を構成する電気的特性検査装置２０の概略的な正面図である。

以下、本発明の半導体装置の検査システムの第１の実施形態について説明する。第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、図１に示すように、撮像装置１０ａと、Ｘ線照射装置１０ｂと、ステージ１０ｃと、ステージ制御装置１０ｄと、判別装置１０ｅと、記憶装置１０ｆとが、外観検査装置１０に設けられている。また、例えば逆方向漏れ電流特性、スレッシュホールド電圧特性などを検査するためのプローブ２０ａと、例えば有機溶剤性などのインクを塗布するインクマーキング装置２０ｂと、ステージ２０ｃと、ステージ制御装置２０ｄと、判別装置２０ｅと、記憶装置２０ｆとが、電気的特性検査装置２０に設けられている。

詳細には、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、図１に示すように、外観検査装置１０と、電気的特性検査装置２０とが、通信回線を介して接続されることなく別個に設けられている。また、図４に示すように、外観検査装置１０のステージ１０ｃ（図３参照）上に載置された半導体ウエハＷ（図２および図３参照）の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に対し、外観検査結果に基づいてＸ線を照射するＸ線照射装置１０ｂが、外観検査装置１０に設けられている。

更に、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、図５に示すように、電気的特性検査装置２０のステージ２０ｃ上に載置された半導体ウエハＷ（図２および図３参照）の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に対し、電気的特性検査結果に基づいてインクマーキングを施すインクマーキング装置２０ｂが、電気的特性検査装置２０に設けられている。

具体的には、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、まず最初に、図３および図４に示すように、例えばショットキーバリアダイオードチップ、ＭＯＳＦＥＴチップ、ＩＧＢＴチップ、ＰＮダイオードチップ、ＪＢＳ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）チップ、バイポーラトランジスタチップ、サイリスタチップ、トライアックチップなどのような未分割状態の複数の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）が形成された半導体ウエハＷ（図２および図３参照）が、外観検査装置１０のステージ１０ｃ上に載置される。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、図４に示すように、撮像装置１０ａによって半導体ウエハＷの半導体チップＣＰの外観検査が実行される。次いで、半導体チップＣＰの外観検査結果がＯＫであるか、あるいは、ＮＧであるかが、判別装置１０ｅ（図１参照）によって判別される。次いで、半導体チップＣＰの外観検査結果が記憶装置１０ｆ（図１参照）に格納される。第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、半導体チップＣＰの外観検査結果が、外観検査装置１０（図１および図４参照）から電気的特性検査装置２０（図１および図５参照）に伝達されない。次いで、ステージ制御装置１０ｄ（図１参照）によってステージ１０ｃ上の半導体ウエハＷが移動せしめられ、次いで、他の半導体チップＣＰに対する外観検査が実行され、次いで、その半導体チップＣＰの外観検査結果がＯＫであるか、あるいは、ＮＧであるかが、判別装置１０ｅによって判別され、次いで、その半導体チップＣＰの外観検査結果が記憶装置１０ｆに格納される。次いで、上述した工程が繰り返され、半導体ウエハＷ全体の半導体チップＣＰの外観検査が実行される。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、図４に示すように、外観検査結果がＮＧであると判別装置１０ｅ（図１参照）に判別された半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線が、Ｘ線照射装置１０ｂによってＰｂ（鉛）マスク１０ｂ１の開口を介して照射される。

詳細には、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、ある半導体チップＣＰの外観検査結果がＮＧである旨が記憶装置１０ｆ（図１参照）から読み出され、その半導体チップＣＰの外観検査結果に基づき、Ｘ線照射装置１０ｂによってＸ線がその半導体チップＣＰに対して照射される。代わりに、第２の実施形態の半導体装置の検査システムでは、記憶装置１０ｆを省略し、ある半導体チップＣＰの外観検査結果がＮＧであると判別装置１０ｅ（図１参照）によって判別された直後に、その半導体チップＣＰに対し、Ｘ線照射装置１０ｂによってＸ線を照射することも可能である。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、図１に示すように、外観検査装置１０による外観検査およびＸ線照射が実行された後の半導体ウエハＷが、電気的特性検査装置２０のステージ２０ｃに搬送される。次いで、図５に示すように、電気的特性検査装置２０のプローブ２０ａの探針が半導体ウエハＷ（図２および図３参照）の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に接触せしめられ、半導体チップＣＰの電気的特性検査が実行される。詳細には、電気的特性検査として例えば逆方向漏れ電流特性検査が実行される場合には、電気的特性検査装置２０のプローブ２０ａの探針が半導体チップＣＰの表面電極（図示せず）に接触せしめられ、半導体チップＣＰの裏面電極が導電性ステージ２０ｃに接触せしめられる。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、半導体チップＣＰ（図２および図３参照）の電気的特性検査結果がＯＫであるか、あるいは、ＮＧであるかが、判別装置２０ｅ（図１参照）によって判別される。次いで、半導体チップＣＰの電気的特性検査結果が記憶装置２０ｆ（図１参照）に格納される。次いで、ステージ制御装置２０ｄ（図１参照）によってステージ２０ｃ上の半導体ウエハＷが移動せしめられ、次いで、他の半導体チップＣＰに対する電気的特性検査が実行され、次いで、その半導体チップＣＰの電気的特性検査結果がＯＫであるか、あるいは、ＮＧであるかが、判別装置２０ｅによって判別され、次いで、その半導体チップＣＰの電気的特性検査結果が記憶装置２０ｆに格納される。次いで、上述した工程が繰り返され、半導体ウエハＷ全体の半導体チップＣＰの電気的特性検査が実行される。

詳細には、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、最初から電気的特性異常を有していた半導体チップＣＰ（図２および図３参照）の電気的特性検査結果がＮＧになると共に、最初は電気的特性異常を有しておらず、外観異常のみを有していた半導体チップＣＰであって、Ｘ線照射装置１０ｂ（図１および図４参照）によってＸ線が照射された半導体チップの電気的特性検査結果がＮＧになる。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に対し、インクマーキング装置２０ｂ（図１および図５参照）によってインクマーキングが施される。

詳細には、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、最初から電気的特性異常を有していた半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に対してインクマーキングが施されると共に、最初は電気的特性異常を有しておらず、外観異常のみを有していた半導体チップＣＰであって、Ｘ線照射装置１０ｂ（図１および図５参照）によってＸ線が照射された半導体チップＣＰに対してインクマーキングが施される。

つまり、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングが半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に施される。その結果、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、複数の半導体チップＣＰのうち、どの半導体チップＣＰが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップＣＰであるかを識別できるようになる。

次いで、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、未分割状態の複数の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）がそれぞれの半導体チップＣＰに分割され、インクマーキングが施された半導体チップＣＰが不良品半導体チップＣＰとして除去され、インクマーキングが施されていない半導体チップＣＰが製品として用いられる。

換言すれば、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、外観検査装置１０（図１参照）と電気的特性検査装置２０（図１参照）とを接続する通信回線を設ける必要なく、複数の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）のうち、どの半導体チップＣＰが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップＣＰであるかを識別することができる。

更に、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、外観検査の実行後に外観検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップＣＰ（図２および図３参照）に施す必要なく、複数の半導体チップＣＰのうち、どの半導体チップＣＰが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップＣＰであるかを識別することができる。

また、第１の実施形態の半導体装置の検査システムでは、オペレータによって外観検査結果を外観検査装置１０（図１参照）から電気的特性検査装置２０（図１参照）に手動で伝達する必要なく、複数の半導体チップＣＰ（図２および図３参照）のうち、どの半導体チップＣＰが、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの不良品半導体チップＣＰであるかを識別することができる。

そのため、第１の実施形態の半導体装置の検査システムによれば、半導体装置の検査に要する費用を大幅に増大させることなく、かつ、スループットを低下させることなく、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップＣＰを不良品半導体チップＣＰとして識別することができる。

１０ 外観検査装置
１０ａ 撮像装置
１０ｂ Ｘ線照射装置
１０ｃ ステージ
１０ｄ ステージ制御装置
１０ｅ 判別装置
１０ｆ 記憶装置
２０ 電気的特性検査装置
２０ａ プローブ
２０ｂ インクマーキング装置
２０ｃ ステージ
２０ｄ ステージ制御装置
２０ｅ 判別装置
２０ｆ 記憶装置

Claims (2)

1. 半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、次いで、電気的特性検査を実行し、次いで、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査システムにおいて、
   外観検査装置（１０）と、電気的特性検査装置（２０）とを、通信回線を介して接続することなく別個に設け、
   外観検査装置（１０）のステージ（１０ｃ）上に載置された半導体ウエハの半導体チップに対し、外観検査結果に基づいてＸ線を照射するＸ線照射装置（１０ｂ）を外観検査装置（１０）に設け、
   電気的特性検査装置（２０）のステージ（２０ｃ）上に載置された半導体ウエハの半導体チップに対し、電気的特性検査結果に基づいてインクマーキングを施すインクマーキング装置（２０ｂ）を電気的特性検査装置（２０）に設け、
   外観検査結果を外観検査装置（１０）から電気的特性検査装置（２０）に伝達せず、外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線をＸ線照射装置（１０ｂ）が照射することによって、外観検査結果がＮＧの半導体チップの電気的特性検査結果をＮＧにすることを特徴とする半導体装置の検査システム。
2. 半導体ウエハに形成された未分割状態の複数の半導体チップの外観検査を実行し、次いで、電気的特性検査を実行し、次いで、外観検査結果または電気的特性検査結果がＮＧであることを示すインクマーキングを半導体チップに施す半導体装置の検査方法において、
   半導体チップの外観検査の実行後に、外観検査装置（１０）のステージ（１０ｃ）上に載置された半導体ウエハの外観検査結果がＮＧの半導体チップに対し、電気的特性検査結果がＯＫからＮＧに変化する量のＸ線を照射することによって、外観検査結果がＮＧの半導体チップの電気的特性検査結果をＮＧにし、
   電気的特性検査装置（２０）のステージ（２０ｃ）上に載置された半導体ウエハの電気的特性検査結果がＮＧの半導体チップに対してインクマーキングを施すことを特徴とする半導体装置の検査方法。

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