JP2015020107A - 配向cnt生成用触媒層形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、鉄触媒層の厚さを制御することにより、所望の直径とされた配向CNTを製造することが可能となる。
特許文献2には、触媒金属を溶媒に溶解させて湿式触媒溶液を調整する工程と、湿式触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えた高配向カーボンナノチューブの製造方法が開示されている。
また、ディップコート法を用いて塗布層を形成した場合、塗膜層を均一な厚さにするために、基板の引き上げ速度を非常に遅くする必要があるため、配向CNT生成用触媒層の形成工程におけるスループット(生産性)が低下してしまうという問題があった。
また、該インクジェット法を用いて、大面積の基板に塗布する場合、多数のノズルが必要となる上、塗布速度が遅いため生産性の低さが問題となる。
具体的には、揮発性が高く、かつ低粘度の溶媒として、N,N−ジメチルホルムアミドと1−エトキシ−2−プロパノールとを混合させた溶媒、またはN,N−ジメチルホルムアミドとエタノールとを混合させた溶媒を用い、特許文献1,2に記載された塗布方法を用いて、該溶媒及び溶質を含む湿式触媒溶液を用いて塗布層を形成した。
図1〜図4は、本発明の実施の形態に係る配向CNT生成用触媒層形成方法を説明するための図である。図1は、湿式触媒溶液準備工程を示す図であり、図2は、基板を準備する工程を示す図である。図3は、塗布層形成工程を示す図であり、図4は、乾燥工程を示す図である。
図5は、本発明の実施の形態に係る配向CNT生成用触媒層形成方法により形成された配向CNT生成用触媒層上に配向CNTを形成する工程を示す図である。図1〜図5において、同一構成部分には、同一符号を付す。
始めに、図1に示す工程では、撹拌容器11内において、所定の量とされた溶媒12を作成し、次いで、溶媒12に溶質である硝酸鉄13(触媒金属塩)を所定の量添加し、撹拌機14を用いて、溶媒12に硝酸鉄13を完全に溶解させることで、溶媒12及び硝酸鉄13を含み、かつ粘度が1.0〜8.2Pa・sの範囲内とされた湿式触媒溶液15(低粘度とされた湿式触媒溶液)を作製する(湿式触媒溶液準備工程)。
湿式触媒溶液15は、揮発性が高く、かつ低粘度とされた溶媒12を含む容液である。
また、好ましくは、PGEとDMFとの混合質量比は、PGE:DMF=95:10〜60:40の範囲内にするとよい。これにより、水分の混入をより抑制でき、溶媒の安定性を向上させることができる。
より好ましくは、PGEとDMFとの混合質量比は、PGE:DMF=90:10〜80:20の範囲内にするとよい。これにより、さらに基板との濡れ性が良い混合範囲を選択できる。
また、好ましくは、エタノールとDMFとの混合質量比は、エタノール:DMF=95:10〜60:40の範囲内にするとよい。これにより、水分の混入をより抑制することが可能となるので、溶媒の安定性を向上させることができる。
より好ましくは、エタノールとDMFとの混合質量比は、エタノール:DMF=80:20〜70:30の範囲内にするとよい。これにより、さらに基板との濡れ性が良い混合範囲を選択できる。
よって、湿式触媒溶液15中における硝酸鉄13の濃度は、0.5〜15mass%の範囲内にするとよい。
なお、基板17の形状は、円形でもよいし、四角形でもよいが、本実施の形態では、塗布装置としてスリットコーター23(図3参照)を用いるため、基板17の形状は、四角形が好ましい。
基板17の形状を四角形とすることで、基板17の形状が円形の場合と比較して、塗布層21(図3参照)を形成する際の基板17の未使用面積(無駄)を小さくすることができる。
なお、石英ガラス基板は、シリコン酸化膜19上及びシリコン窒化膜と同様な機能を有する。よって、基板として石英ガラス基板を用いることで、後述する図5に示す配向CNT38の生産効率を向上させることができる。
また、石英ガラス基板は、容易に四角形に形成可能であるため、基板の形状の観点からも好ましい。
次いで、基板17の上面17aに、スリットノズル25の吐出口27から溶液供給ライン26を介して供給された湿式触媒溶液15(図1参照)を吐出させ、ステージ24をA方向に移動させることで、湿式触媒溶液15よりなる塗布層21を形成する。
塗布装置としてスリットコーター23を用いることにより、低粘度の湿式触媒溶液15を薄く且つ均一に塗布できる。
具体的には、塗布層形成工程の開始時点、すなわち基板17への触媒溶液15の塗布を開始した時点から、乾燥工程を開始する時点、例えば、基板17を介して塗布層21の加熱を開始する時点を、120sec以内、より好ましくは60sec以内とする。これにより、均一な厚さの配向CNT生成用触媒層29を形成することができる。
よって、塗布層21の平均の昇温速度は、30〜150℃/minの範囲内が好ましい。
塗布層21の乾燥開始から10sec程度の初期昇温速度として1200℃/minを超えると、湿式触媒溶液内で突沸が発生し、溶媒12が乾燥することで形成される配向CNT生成用触媒層29の外観にムラが生じるため、初期の昇温速度が1200℃/minを超えないことが好ましい。
始めに、内径が50mmとされたCVD装置(図示せず)の石英反応管(図示せず)内に、CNT生成用触媒層29が形成された基板17を配置し、次いで、石英反応管内に、200sccmとされたキャリアガス(例えば、窒素)を供給させながら、石英反応管をヒーター(図示せず)により加熱して、石英反応管の温度を600〜900℃程度まで昇温させる。
上記方法で形成される配向CNT38の平均長さは、例えば、50〜600μmの範囲内であることが好ましい。
湿式触媒溶液の溶媒としてサンプル1〜22を作成した。表1に示すように、サンプル1〜11としては、PGE(東京化成工業株式会社製)とDMF(キシダ化学株式会社製)とを混合させたものを用いた。このときのPGE及びDMFの濃度は、表1に示す濃度とした。
粘度測定器としてRION社製のビスコテスター(型式VT−03F)を用いて、サンプル1〜11の粘度を測定した結果を表1に示す。
サンプル1〜11の粘度を測定に使用した粘度測定器を用いて、サンプル12〜22の粘度を測定した結果を表2に示す。
これにより、スリットコーターを用いて、安定した塗布が可能な粘度は、1.0mPa・s以上であることが確認できた。
次に、現実的な室内作業環境を考慮して、表1及び表2に示すサンプル1〜22の温度を10〜40℃の範囲内で変化させ、各サンプルに和光純薬工業株式会社製の硝酸鉄(III)九水和物(溶質)を少しずつ加えて撹拌し、硝酸鉄(III)九水和物を溶解させることで、表3及び表4に示すサンプル23〜44(湿式触媒溶液)を作製した。
その後、サンプル1〜11の粘度を測定に使用した粘度測定器を用いて、サンプル23〜44の粘度を測定した。この結果を表3及び表4に示す。
また、最も粘度の高いサンプル33を塗布したところ、安定した塗布を行うことができた。このことから、スリットコーターを用いて湿式触媒溶液を安定して塗布することが可能な湿式触媒溶液の粘度の範囲は、1.0〜8.2mPa・sの範囲内であることが確認できた。
実施例として、以下の方法により、表5に示すサンプル1A〜7Aを作製し、参考例として表6に示すサンプル8A〜14Aを作製した。なお、表5及び表6では、配向CNT生成用触媒層を単に「触媒層」と記載した。
始めに、7.86gのPGE(東京化成工業株式会社製)と、1.94gのDMF(キシダ化学株式会社製)と、十分に撹拌混合することで、溶媒を作製した。
実験例1で使用した粘度測定装置を用いて、上記湿式触媒溶液の粘度を測定したところ、1.98mPa・sであった。
その後、実施例のサンプル1Aの塗布層の写真を撮った。この写真を図6に示す。
図6を参照するに、実施例のサンプル1Aでは、外観上、四隅においても湿式触媒溶液の広がりはなく、直角が保たれており、全体的に均一な厚さとされた塗布層であることが確認できた。
具体的には、以下の方法により、サンプル1A〜7Aの塗布層を乾燥させることで、配向CNT生成用触媒層を形成した。
乾燥開始から10minの間保持した後、単結晶シリコンウェハをホットプレートから降ろして、冷却を実施した。
単結晶シリコンウェハの温度が常温程度まで冷えてから、精密天秤にて重量を測定してから導電性樹脂製のケースに収納した。
次いで、単結晶シリコンウェハの温度が常温程度まで冷えてから、精密天秤を用いて重量を測定し、その後、導電性樹脂製のケースに収納した。
具体的には、大陽日酸製CVD装置を用いたCVD法により、配向CNT生成用触媒層上に配向CNTを形成した。
このとき、反応炉として石英ガラスチャンバーを使用し、抵抗加熱式ヒータを用いて窒素雰囲気下で700℃になるよう十分に予熱を実施した。
その後、石英チャンバー内の温度を保持したまま窒素雰囲気下において、6インチシリコンウエハの予熱を180sec実施し、その後、石英チャンバー内にアセチレンと窒素とが混合された混合ガスを30sec投入した。
次いで、ヒーターによる加熱を停止し、窒素雰囲気下で十分にパージを行ってから石英ガラスチャンバーから単結晶シリコンウェハを取り出した。
また、実施例のサンプル4Aの断面SEM写真を図7に示し、参考例のサンプル11Aの断面SEM写真を図8に示す。
比較例では、以下の方法により、表7に示すサンプル15A〜21Aを作製した。なお、表7では、配向CNT生成用触媒層を単に「触媒層」と記載した。
比較例では、インクジェット塗布装置(株式会社マイクロジェット社製)を用いて、実施例で作製した湿式触媒溶液を、実施例で作製した単結晶シリコンウェハのシリコン酸化膜上に塗布することで、塗布層を形成した。
図9を参照するに、湿式触媒溶液が広がることで、塗布層の四隅が丸くなり、塗布層の厚さが不均一であることが分かった。
次いで、サンプル1A〜14Aの配向CNTの形成方法と同様な手法により、サンプル15A〜21Aの配向CNTを形成した。
全てのサンプルで配向CNTが形成されていることが確認できた。しかしながら、配向CNT生成用触媒層の厚さに依存することなく、均一な厚さとされた配向CNTが形成されたサンプルは、スリットコーターを用いて塗布層を形成したサンプルのうち、自然乾燥をさせないで強制乾燥させたサンプル(実施例のサンプル)のみであった。
また、比較例のサンプルでは、塗布後の外観観察において、小さなスパンでの不均一性が確認されたが、配向CNTにも小さいスパンでの高さや密度の差が見られ、かつ、端の方では配向状態が成立していない部分が確認された。
Claims (11)
- 基板上に配向CNT生成用触媒層を形成する配向CNT触媒層形成方法であって、
溶媒に溶質となる硝酸鉄が溶解され、かつ粘度が1.0〜8.2mPa・sの範囲とされた湿式触媒溶液を準備する湿式触媒溶液準備工程と、
スリットコート法により、前記基板上に前記湿式触媒溶液を塗布することで、液状とされた塗布層を形成する塗布層形成工程と、
前記塗布層の形成開始から乾燥開始までの所要時間を120秒以内とし、該塗布層を均一に乾燥させることで、配向CNT生成用触媒層を形成する乾燥工程と、
を含むことを特徴とする配向CNT生成用触媒層形成方法。 - 前記溶媒は、N,N−ジメチルホルムアミドと1−エトキシ−2−プロパノールとを混合させることで形成することを特徴とする請求項1に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記溶媒は、N,N−ジメチルホルムアミドとエタノールとを混合させることで形成することを特徴とする請求項1に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記硝酸鉄として、硝酸鉄(III)九水和物を用いることを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記湿式触媒溶液中における前記硝酸鉄の濃度を0.5〜15mass%の範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし4のうち、いずれか1項に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記塗布層形成工程では、前記湿式触媒溶液の塗布開始から塗布終了までの時間を60sec以内にすることを特徴とする請求項1ないし5のうち、いずれか1項に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記塗布層形成工程では、前記塗布層の厚さを0.5〜15μmの範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし6のうち、いずれか1項に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記乾燥工程では、前記塗布層の平均の昇温速度が30〜150℃/minの範囲内となるように、前記塗布層の下面全体を均一に加熱することを特徴とする請求項1ないし7のうち、いずれか1項に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記基板として、シリコン基板、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板、シリコン基板の表面にシリコン窒化膜を有する窒化膜付きシリコン基板のうち、いずれか1つの基板を用いることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記基板として、石英ガラス基板を用いることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
- 前記配向CNT生成用触媒層の厚さを0.5〜15nmの範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし10のうち、いずれか1項に記載の配向CNT生成用触媒層形成方法。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2005286158A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器 |
WO2009038172A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | カーボンナノ構造物成長用触媒層形成方法、触媒層形成用液及びカーボンナノ構造物製造方法 |
JP2010222248A (ja) * | 2003-11-17 | 2010-10-07 | Konica Minolta Holdings Inc | ナノ構造炭素材料の製造方法、前記製造方法により形成されたナノ構造炭素材料および前記ナノ構造炭素材料を有する基板 |
JP2012211034A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2013071876A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 湿式触媒を用いた配向cnt製造方法及び配向cnt |
-
2013
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010222248A (ja) * | 2003-11-17 | 2010-10-07 | Konica Minolta Holdings Inc | ナノ構造炭素材料の製造方法、前記製造方法により形成されたナノ構造炭素材料および前記ナノ構造炭素材料を有する基板 |
JP2005286158A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器 |
WO2009038172A1 (ja) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | カーボンナノ構造物成長用触媒層形成方法、触媒層形成用液及びカーボンナノ構造物製造方法 |
JP2012211034A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2013071876A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 湿式触媒を用いた配向cnt製造方法及び配向cnt |
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