JP2015012765A - インバータ回路の制御回路、この制御回路を備えたインバータ装置、このインバータ装置を備えた誘導加熱装置、および、制御方法 - Google Patents

インバータ回路の制御回路、この制御回路を備えたインバータ装置、このインバータ装置を備えた誘導加熱装置、および、制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ドライバに入力するパルス信号のデューティ比が所定値を超えない、インバータ回路の制御回路を提供する。
【解決手段】インバータ回路に駆動信号を入力して、インバータ回路を制御する制御回路において、インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の元になるパルス信号Paの位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の元になるパルス信号Pcの位相との差である位相差θを変化させることで、インバータ回路の出力を制御する。パルス信号Paのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて位相差θを小さくし、パルス信号Pcのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて位相差θを大きくする。パルス信号のローレベル期間を長くすることで位相差θを変化させるので、パルス信号のデューティ比が大きくなることはない。
【選択図】図1

Description

本発明は、インバータ回路の制御回路、この制御回路を備えたインバータ装置、このインバータ装置を備えた誘導加熱装置、および、制御方法に関し、特に、フェーズシフト制御を利用するものである。
コイルに高周波電流を流すことで磁界を変化させ、磁界に配置された加熱対象物に渦電流を発生させることで加熱対象物を加熱する誘導加熱装置が開発されている。例えば、特許文献1に、フェーズシフト制御を行うインバータ装置を備えた誘導加熱装置が記載されている。当該誘導加熱装置は、インバータ装置の各スイッチング素子に入力する駆動信号の位相差を変化させることで、出力の制御を行う。
図8は、従来の誘導加熱装置A’の全体構成を説明するための図である。
誘導加熱装置A’は、直流電源1、インバータ装置、コイル5、および、共振コンデンサ6を備えている。インバータ装置は、直流電源1が出力する直流電流を高周波電流に変換して、コイル5に出力する。コイル5は、高周波電流が流れることにより磁界を変化させ、この磁界に配置された加熱対象物Bに渦電流を発生させる。加熱対象物Bは、渦電流が流れることで電気抵抗によってジュール熱を発生し、自己発熱により加熱される。インバータ装置は、4つのスイッチング素子2a〜2dを備えるインバータ回路200と、制御回路700とを備えている。制御回路700は、インバータ回路200の制御を行うものであり、パルス信号生成部730がパルス信号を生成し、ドライバ740がパルス信号を増幅した駆動信号を各スイッチング素子2a〜2dに出力する。各スイッチング素子2a〜2dが、入力される駆動信号に応じてオンとオフとを切り替えることで、直流電源1から入力される直流電流が交流電流に変換されて、コイル5に出力される。
インバータ装置は、フェーズシフト制御によりインバータ回路200の出力電力を変化させる。すなわち、制御回路700は、スイッチング素子2cに出力する駆動信号の位相をスイッチング素子2aに出力する駆動信号の位相より遅らせるが、この位相差を変化させることで、出力の制御を行う。
図9は、従来のフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。同図(a)は出力電力を減少させている状態を示しており、同図(b)は出力電力を増加させている状態を示している。同図において、PaおよびPcは、パルス信号生成部730が生成したパルス信号を示している。パルス信号Paはドライバ740で増幅されてスイッチング素子2aに入力され、パルス信号Pcはドライバ740で増幅されてスイッチング素子2cに入力される。パルス信号Pcの位相はパルス信号Paの位相より位相差θだけ遅れている。
同図(a)においては、パルス信号Pcのローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングをΔTだけ早めて、すなわち、ハイレベル期間を変更せずにローレベル期間をΔTだけ短縮することで、パルス信号Pcの位相を進めている。これにより、位相差θは小さくなって、出力電力が減少する。
同図(b)においては、パルス信号Pcのローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングをΔTだけ遅らせて、すなわち、ハイレベル期間を変更せずにローレベル期間をΔTだけ延長することで、パルス信号Pcの位相を遅らせている。これにより、位相差θは大きくなって、出力電力が増加する。
特開2009‐259851号公報
パルス信号Pa,Pcは、定常状態においては、デューティ比(パルス信号におけるハイレベル期間をパルス周期で割ったもの)を50%として生成されるので、ドライバ740もデューティ比が50%であることを想定して設計される。すなわち、デューティ比が50%の場合に問題なく動作し得る最も経済的な設計がなされる。
しかしながら、図9(a)に示すように、出力電力を減少させる過渡状態において、パルス信号Pcのローレベル期間を短縮しているので、定常状態よりもデューティ比が大きくなっている。したがって、インバータ回路200の出力電力を変化させる過渡状態において、デューティ比が50%を超えてしまう場合がある。
ドライバ740に入力されるパルス信号Pcのデューティ比が50%を超えた場合、ドライバ740を構成する回路が故障したり、インバータ回路200の動作が不安定になる可能性がある。例えば、ドライバ740がパルストランス方式のゲートドライブ回路(図2(a)参照)の場合、パルストランスが飽和して過電流が流れ、パルストランスの一次巻線が焼損したり、一次巻線に直列接続されたトランジスタが故障してしまう可能性がある。故障に至らない場合でも、パルストランスの二次巻線に正常な駆動パルスが生成されないため、インバータ回路200の動作が不安定になったり、故障したりする可能性がある。また、ドライバ740がフォトカプラ方式のゲートドライブ回路(図2(b)参照)の場合、フォトカプラや一部の抵抗、トランジスタの使用率が上昇して、温度過昇により故障する可能性がある。故障に至らない場合でも、フォトカプラの寿命が設計値より短くなり、機器に必要な寿命を満足できない可能性がある。
本発明は上記した事情のもとで考え出されたものであって、ドライバに入力するパルス信号のデューティ比が所定値(例えば、50%)を超えない、インバータ回路の制御回路を提供することをその目的としている。
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
本発明の第1の側面によって提供される制御回路は、インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、前記先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を小さくし、前記追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を大きくすることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記インバータ回路の出力電力に連動する電気的信号の測定値を目標値から減算した偏差に基づく補償値を出力する制御手段と、前記補償値がゼロ以上であるか否かを判別する判別手段と、前記先行駆動信号を生成する先行駆動信号生成手段と、前記追従駆動信号を生成する追従駆動信号生成手段とを備え、前記先行駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ未満であると判別された場合に、生成する先行駆動信号のローレベル期間を長くし、前記追従駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ以上であると判別された場合に、生成する追従駆動信号のローレベル期間を長くする。
本発明の第2の側面によって提供される制御回路は、インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、前記先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を大きくし、前記追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を小さくすることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記インバータ回路の出力電力に連動する電気的信号の測定値を目標値から減算した偏差に基づく補償値を出力する制御手段と、前記補償値がゼロ以上であるか否かを判別する判別手段と、前記先行駆動信号を生成する先行駆動信号生成手段と、前記追従駆動信号を生成する追従駆動信号生成手段とを備え、前記先行駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ以上であると判別された場合に、生成する先行駆動信号のハイレベル期間を短くし、前記追従駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ未満であると判別された場合に、生成する追従駆動信号のハイレベル期間を短くする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記電気的信号は、前記インバータ回路の入力電力である。
本発明の第3の側面によって提供される制御回路は、インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、前記追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を小さくし、前記追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を大きくすることを特徴とする。
本発明の第4の側面によって提供される制御回路は、インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、前記先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を小さくし、前記先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を大きくすることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記位相差を変化させるときの速さは、0.5π[rad/s]以上、2π[rad/s]以下である。
本発明の好ましい実施の形態においては、前記位相差を小さくするときの速さは、前記位相差を大きくするときの速さより速い。
本発明の第5の側面によって提供されるインバータ装置は、インバータ回路と、本発明の第1ないし第4の側面によって提供される制御回路とを備えていることを特徴とする。
本発明の第6の側面によって提供される誘導加熱装置は、直流電源と、本発明の第5の側面によって提供されるインバータ装置と、前記インバータ装置から入力される交流電流によって磁界を発生させるコイルとを備えていることを特徴とする。
本発明の第7の側面によって提供される制御方法は、インバータ回路を制御する制御方法であって、前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号を生成する第1の工程と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号を、前記先行駆動信号より位相を遅らせた信号として生成する第2の工程と、生成された先行駆動信号および追従駆動信号をそれぞれ対応するスイッチング素子に入力する第3の工程とを備え、前記先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、前記追従駆動信号の位相との位相差を小さくし、前記追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、前記位相差を大きくすることを特徴とする。
本発明の第8の側面によって提供される制御方法は、インバータ回路を制御する制御方法であって、前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号を生成する第1の工程と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号を、前記先行駆動信号より位相を遅らせた信号として生成する第2の工程と、生成された先行駆動信号および追従駆動信号をそれぞれ対応するスイッチング素子に入力する第3の工程とを備え、前記先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、前記追従駆動信号の位相との位相差を大きくし、前記追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、前記位相差を小さくすることを特徴とする。
本発明の第1の側面によると、位相差を小さくする場合には先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせ、位相差を大きくする場合には追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせる。また、本発明の第2の側面によると、位相差を小さくする場合には追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、位相差を大きくする場合には先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進める。したがって、デューティ比が所定値より小さくなる場合はあるが、所定値より大きくなることはない。これにより、デューティ比が所定値を超えることに起因するドライブ回路の故障やインバータ装置の不安定動作を防止することができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
第1実施形態に係る誘導加熱装置の全体構成を説明するための図である。 第1実施形態に係るドライバを構成するドライブ回路の一例である。 第1実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。 第1実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。 第2実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。 第3実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。 第4実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。 従来の誘導加熱装置の全体構成を説明するための図である。 従来のフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。
以下、本発明の実施の形態を、本発明に係る制御回路を誘導加熱装置のインバータ装置に用いた場合を例として、図面を参照して具体的に説明する。
図1は、第1実施形態に係る誘導加熱装置の全体構成を説明するための図である。
誘導加熱装置Aは、直流電源1、インバータ装置、コイル5、および、共振コンデンサ6を備えている。誘導加熱装置Aは、電磁誘導を利用して加熱対象物Bを加熱するものである。
直流電源1は、直流電流を出力するものであり、例えば、電力系統から入力される交流電流を整流する整流回路と、平滑する平滑コンデンサとを備えている。なお、直流電源1は、交流電流を直流電流に変換して出力するものに限られず、例えば、燃料電池、蓄電池、太陽電池などの直流電流を出力するものであってもよい。
インバータ装置は、直流電源1から入力される直流電流を高周波電流に変換して、コイル5に出力するものである。インバータ装置は、インバータ回路2と制御回路7とを備えており、以下では「インバータ装置8」と記載する。インバータ装置8の詳細については、後述する。
コイル5は、磁界を発生させるためのものであり、導体線を螺線状に巻いたものである。本実施形態では、誘導加熱装置Aを加熱調理用のものとして、コイル5の上部に鍋などを配置するので、コイル5を平面的に螺線状に巻いた渦巻形状としているが、これに限られない。コイル5の形状は、加熱対象物Bの形状や配置の状態に応じたものとすればよい。例えば、コイル5を円筒形状に巻いたいわゆるコイル形状として、その中央に加熱対象物Bを配置するようにしてもよい。コイル5は、インバータ装置8から入力される高周波電流が流れることで磁界を変化させる。そして、この磁界に配置された例えば鍋などの加熱対象物Bに、渦電流が発生する。加熱対象物Bには、渦電流が流れることで電気抵抗によるジュール熱が発生し、自己発熱によって加熱対象物Bは加熱される。
共振コンデンサ6は、コイル5によるインピーダンスを打ち消すためのものであり、コイル5に直列接続されることで直列共振回路を構成している。
コイル5と加熱対象物Bとは磁気結合しているので、コイル5、共振コンデンサ6および加熱対象物Bをまとめて、インバータ装置8に接続された負荷と考えることができる。つまり、誘導加熱装置Aは、直流電源1が出力する直流電流をインバータ装置8が交流電流に変換して、負荷に供給するものである。インバータ装置8は、負荷に供給する電力を制御することができる。本実施形態では、インバータ装置8は、フェーズシフト制御により出力電力を制御する。
インバータ装置8は、単相フルブリッジ型のインバータ回路2と制御回路7とを備えている。インバータ回路2は、4個のスイッチング素子2a〜2d、フライホイールダイオード3a〜3d、および、スナバコンデンサ4a〜4dを備えている。本実施形態では、スイッチング素子2a〜2dとしてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor : 絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ)を使用している。なお、スイッチング素子2a〜2dはIGBTに限定されず、バイポーラトランジスタ、MOSFETなどであってもよい。また、フライホイールダイオード3a〜3dおよびスナバコンデンサ4a〜4dの種類も限定されない。
スイッチング素子2aと2bとは、スイッチング素子2aのエミッタ端子とスイッチング素子2bのコレクタ端子とが接続されて、直列接続されている。スイッチング素子2aのコレクタ端子は直流電源1の正極側に接続され、スイッチング素子2bのエミッタ端子は直流電源1の負極側に接続されて、ブリッジ構造を形成している。同様に、スイッチング素子2cと2dとが直列接続されてブリッジ構造を形成している。スイッチング素子2aと2bで形成されているブリッジ構造を先行アームとし、スイッチング素子2cと2dで形成されているブリッジ構造を追従アームとする。先行アームのスイッチング素子2aと2bとの接続点には出力ラインが接続され、追従アームのスイッチング素子2cと2dとの接続点にも出力ラインが接続されている。これら2つの出力ラインの間に、コイル5と共振コンデンサ6とが直列接続されている。各スイッチング素子2a〜2dのゲート端子には、制御回路7から出力される駆動信号Pa’〜Pd’(後述)が入力される。
各スイッチング素子2a〜2dは、それぞれ駆動信号Pa’〜Pd’に基づいて、オン状態とオフ状態とを切り替えられる。各アームの両端はそれぞれ直流電源1の正極と負極とに接続されているので、正極側のスイッチング素子がオン状態で負極側のスイッチング素子がオフ状態の場合、当該アームの出力ラインの電位は直流電源1の正極側の電位となる。一方、正極側のスイッチング素子がオフ状態で負極側のスイッチング素子がオン状態の場合、当該アームの出力ラインの電位は直流電源1の負極側の電位となる。これにより、直流電源1の正極側の電位と負極側の電位とが切り替えられたパルス状の電圧信号が各出力ラインから出力され、出力ライン間の電圧である線間電圧が交流電圧となる。
フライホイールダイオード3a〜3dは、スイッチング素子2a〜2dのコレクタ端子とエミッタ端子との間に、それぞれ逆並列に接続されている。すなわち、フライホイールダイオード3a〜3dのアノード端子はそれぞれスイッチング素子2a〜2dのエミッタ端子に接続され、フライホイールダイオード3a〜3dのカソード端子はそれぞれスイッチング素子2a〜2dのコレクタ端子に接続されている。フライホイールダイオード3a〜3dは、それぞれスイッチング素子2a〜2dの切り替えによって発生する逆起電力による逆方向の高い電圧がスイッチング素子2a〜2dに印加されないようにするためのものである。
スナバコンデンサ4a〜4dは、スイッチング素子2a〜2dのコレクタ端子とエミッタ端子との間に、それぞれ接続されている。スナバコンデンサ4a〜4dは、スイッチング素子2a〜2dの切り替えによってコレクタ端子とエミッタ端子との間に印加されるサージ電圧を吸収するものである。なお、スナバコンデンサ4a〜4dにそれぞれ抵抗を直列接続してスナバ回路としてもよい。
なお、フライホイールダイオード3a〜3dおよびスナバコンデンサ4a〜4dは、いずれか一方のみを備えるようにしてもよいし、いずれも備えないようにしてもよい。
制御回路7は、インバータ回路2の制御を行うものであり、直流電源1に入力される交流電力が目標電力になるように制御することで、インバータ回路2の出力電力を制御する。制御回路7は、フェーズシフト制御によってインバータ回路2の制御を行う。すなわち、追従アームのスイッチング素子2c(2d)に出力する駆動信号の位相を先行アームのスイッチング素子2a(2b)に出力する駆動信号の位相より遅らせるが、この位相差を変化させることで、出力電力の制御を行う。制御回路7は、電力算出部71、電力設定部72、パルス信号生成部73、および、ドライバ74を備えている。
電力算出部71は、電力系統から直流電源1に入力される交流電力を算出するものである。図1においては図示されていないが、直流電源1には電力系統と整流回路との間に電流センサおよび電圧センサが設けられている。当該電流センサは、電力系統から直流電源1に入力される交流電流を検出して、電流信号Iを電力算出部71に出力している。また、当該電圧センサは、電力系統から直流電源1に入力される交流電圧を検出して、電圧信号Vを電力算出部71に出力している。電力算出部71は、入力される電流信号Iおよび電圧信号Vから電力値Pを算出して、パルス信号生成部73に出力する。なお、電力算出部71を直流電源1に設けて、電力値Pを直流電源1から制御回路7に入力するようにしてもよい。
電力設定部72は、電力値Pの目標値P*を設定するものであり、設定された目標値P*をパルス信号生成部73に出力する。電力設定部72は、図示しない操作手段の操作に応じて、目標値P*を設定する。操作手段は、例えば、つまみの回転により火力を変化させるものであり、一方方向(例えば時計回り)につまみを回転させると目標値P*が大きい値に設定され、他方方向(例えば反時計回り)につまみを回転させると目標値P*が小さい値に設定される。
パルス信号生成部73は、パルス信号Pa〜Pdを生成するものであり、例えばマイクロコンピュータなどによって実現されている。パルス信号生成部73は、電力算出部71から入力される電力値Pと、電力設定部72から入力される目標値P*とに基づいてパルス信号Pa〜Pdを生成し、ドライバ74に出力する。パルス信号生成部73は、電力制御部731、判別部732、先行パルス信号生成部733、および、追従パルス信号生成部734を備えている。
電力制御部731は、インバータ回路2に入力される電力の制御を行うためのものである。電力制御部731は、電力算出部71より出力される電力値Pと、電力設定部72より出力される目標値P*との電力偏差ΔP(=P*−P)を入力されて、当該電力偏差ΔPをゼロにするための電力補償値Xを判定部732に出力する。電力制御部731は、例えば、PI制御を行っている。
判別部732は、電力制御部731より入力される電力補償値Xがゼロ以上であるか否かを判別するものである。判別部732は、電力補償値Xがゼロ以上である場合、電力補償値Xを追従パルス信号生成部734に出力する。一方、判別部732は、電力補償値Xがゼロ未満である場合、電力補償値Xを先行パルス信号生成部733に出力する。
先行パルス信号生成部733は、先行アームのスイッチング素子2aおよび2bに入力される駆動信号Pa’およびPb’の元になるパルス信号PaおよびPbを生成するものである。先行パルス信号生成部733は、所定の周期Tでデューティ比が50%であるパルス信号を生成し、判別部732から電力補償値Xが入力されている間だけ、電力補償値Xの絶対値に応じて大きくなるΔTだけローレベル期間を長くする。具体的には、ローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ遅らせる。先行パルス信号生成部733は、このようにして生成したパルス信号をパルス信号Paとして、ドライバ74に出力する。また、先行パルス信号生成部733は、パルス信号Paを反転させた信号を生成し、判別部732から電力補償値Xが入力されている間だけ、電力補償値Xに応じたΔTだけローレベル期間を長くする。具体的には、ローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ遅らせる。先行パルス信号生成部733は、このようにして生成したパルス信号をパルス信号Pbとして、ドライバ74に出力する。
追従パルス信号生成部734は、追従アームのスイッチング素子2cおよび2dに入力される駆動信号Pc’およびPd’の元になるパルス信号PcおよびPdを生成するものである。追従パルス信号生成部734は、所定の周期Tでデューティ比が50%であるパルス信号を生成し、判別部732から電力補償値Xが入力されている間だけ、電力補償値Xに応じて大きくなるΔTだけローレベル期間を長くする。具体的には、ローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ遅らせる。追従パルス信号生成部734は、このようにして生成したパルス信号をパルス信号Pcとして、ドライバ74に出力する。また、追従パルス信号生成部734は、パルス信号Pcを反転させた信号を生成し、判別部732から電力補償値Xが入力されている間だけ、電力補償値Xの絶対値に応じたΔTだけローレベル期間を長くする。具体的には、ローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ遅らせる。追従パルス信号生成部734は、このようにして生成したパルス信号をパルス信号Pdとして、ドライバ74に出力する。パルス信号Pc(Pd)の位相は、インバータ装置8の起動時には、パルス信号Pa(Pb)の位相に一致している。操作部の操作により、電力設定部72が目標値P*をゼロから大きくすることにより、追従パルス信号生成部734がパルス信号Pc(Pd)の位相を遅らせることで、インバータ回路2から電力が出力される。
なお、パルス信号生成部73によるパルス信号の生成方法は、上述したものに限られない。電力制御部731より出力される電力補償値Xに応じて、パルス信号Pa,Pbまたはパルス信号Pc,Pdの位相を遅らせることができればよい。
本実施形態では、パルス信号生成部73をディジタル回路として実現した場合について説明したが、アナログ回路として実現してもよい。また、各部が行う処理をプログラムで設計し、当該プログラムを実行させることでコンピュータをパルス信号生成部73として機能させてもよい。また、当該プログラムを記録媒体に記録しておき、コンピュータに読み取らせるようにしてもよい。
ドライバ74は、パルス信号生成部73から入力されるパルス信号Pa〜Pdを増幅して、各スイッチング素子2a〜2dを駆動できるレベルの駆動信号Pa’〜Pd’として出力する。本実施形態では、ドライバ74を、パルストランス方式(図2(a)参照)のゲートドライブ回路としている。なお、ドライバ74は、パルストランス方式のゲートドライブ回路に限定されず、フォトカプラ方式(図2(b)参照)などの他の方式のゲートドライブ回路としてもよい。ドライバ74は、入力されるパルス信号Pa〜Pdのデューティ比が50%であることを想定して設計される。すなわち、デューティ比が50%の場合に問題なく動作し得る最も経済的な設計がなされる。なお、スイッチング素子2aおよび2b(2cおよび2d)が瞬間的にオン状態になってしまうことを防ぐために、駆動信号Pa’〜Pd’にデッドタイムを設けるようにしてもよい。
次に、誘導加熱装置Aの作用と効果について説明する。
誘導加熱装置Aは、電力算出部71が算出する電力値Pが、電力設定部72によって設定される目標値P*になるようにフィードバック制御される。直流電源1に入力される交流電力が変動して電力値Pが目標値P*より大きくなった場合や、操作部の操作により目標値P*が小さい値に変更された場合、電力偏差ΔPが負の値になる。この場合、電力制御部731から出力される電力補償値Xが負の値になり、判別部732が電力補償値Xを先行パルス信号生成部733に出力する。これにより、先行パルス信号生成部733が出力するパルス信号Pa(Pb)の位相が遅れ、パルス信号Pc(Pd)の位相との位相差θが小さくなる。
先行パルス信号生成部733のΔTが大きいほど、パルス信号Pa(Pb)の位相の遅れが大きくなるので、位相差θの変化が速く進み、ΔTが小さいほど、パルス信号Pa(Pb)の位相の遅れが小さくなるので、位相差θの変化が遅く進む。位相差θの変化が速すぎると、インバータ回路2の出力電力にオーバーシュートやアンダーシュートが発生し、位相差θの変化が遅すぎると、インバータ回路2の出力電力の変化が遅くなる。本実施形態では、位相差θの変化が、約π[rad/s]、すなわち、インバータ回路2の出力電力が最大から最小まで変化するのに約1秒かかるように、電力制御部731の各制御ゲイン、および、電力補償値XからΔTを算出する定数を設計している。オーバーシュートやアンダーシュートを防ぎ、出力電力の変化が遅く感じないようにするためには、位相差θの変化の速さを、0.5π[rad/s]以上、2π[rad/s]以下とするのがよい。
また、誘導加熱装置Aを加熱調理用のものとして用いる場合、例えば鍋が沸騰しているのを見て火力を小さくするなど、火力を低減する場合の方が火力を増大させる場合より急を要する。したがって、本実施形態では、位相差θを小さくするときの速さを、位相差θを大きくするときの速さより速くなるように設計している。すなわち、電力補償値Xの絶対値が同じでも、先行パルス信号生成部733のΔTが、追従パルス信号生成部734のΔTより大きくなるようにしている。
図3および図4は、第1実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。これらの図において、PaおよびPbは先行パルス信号生成部733が出力するパルス信号PaおよびPbを示しており、PcおよびPdは追従パルス信号生成部734が出力するパルス信号PcおよびPdを示している。パルス信号Pc(Pd)の位相はパルス信号Pa(Pb)の位相より位相差θだけ遅れている。
図3は、位相差θを小さくしている状態を示している。パルス信号PcおよびPdの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号PaおよびPbは、電力補償値Xの絶対値に対応するΔTだけローレベル期間が長くなり、位相が遅れている。これにより、位相差θは徐々に小さくなっている。なお、図3および図4は、過渡状態を解りやすくするために、ΔTを極端に大きくして位相差θが急激に小さくなるように記載している。実際は、ΔTはもっと小さく、位相差θの変化も小さい。
パルス信号Paはドライバ74で増幅されて、駆動信号Pa’としてスイッチング素子2aに入力される。スイッチング素子2aは、駆動信号Pa’がハイレベルのときにオン状態になり、駆動信号Pa’がローレベルのときにオフ状態になる。つまり、スイッチング素子2aは、パルス信号Paがハイレベルのときにオン状態になり、パルス信号Paがローレベルのときにオフ状態になる。同様に、スイッチング素子2b(2c,2d)は、パルス信号Pb(Pc,Pd)がハイレベルのときにオン状態になり、パルス信号Pb(Pc,Pd)がローレベルのときにオフ状態になる。スイッチング素子2aとスイッチング素子2dとがオン状態の場合、先行アームの出力ラインと追従アームの出力ラインとの電位差は、直流電源1の正極側と負極側との電位差「E」になる。また、スイッチング素子2bとスイッチング素子2cとがオン状態の場合、先行アームの出力ラインと追従アームの出力ラインとの電位差は、「−E」になる。図3の最下段に示す波形は、先行アームの出力ラインと追従アームの出力ラインとの電位差、すなわち、負荷(コイル5、共振コンデンサ6および加熱対象物B)に印加される電圧の波形である。パルス信号PaおよびPdがハイレベルのときに「E」になり、パルス信号PbおよびPcがハイレベルのときに「−E」になっている。位相差θが小さくなることで、負荷に電圧が印加される時間が短くなり電流が流れる時間が短くなって、インバータ回路2の出力電力が小さくなっている。
インバータ回路2の出力電力が小さくなって、直流電源1に入力される電力が小さくなり、電力値Pが目標値P*に一致するようになる。
一方、直流電源1に入力される交流電力が変動して電力値Pが目標値P*より小さくなった場合や、操作部の操作により目標値P*が大きい値に変更された場合、電力偏差ΔPが正の値になる。この場合、電力制御部731から出力される電力補償値Xが正の値になり、判別部732が電力補償値Xを追従パルス信号生成部734に出力する。これにより、追従パルス信号生成部734が出力するパルス信号Pc(Pd)の位相が遅れ、パルス信号Pa(Pb)の位相との位相差θが大きくなる。
図4は、位相差θを大きくしている状態を示している。パルス信号PaおよびPbの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号PcおよびPdは、電力補償値Xに対応するΔTだけローレベル期間が長くなり、位相が遅れている。これにより、位相差θは徐々に大きくなっている。図4の最下段に示す波形は、先行アームの出力ラインと追従アームの出力ラインとの電位差、すなわち、負荷に印加される電圧の波形である。位相差θが大きくなることで、負荷に電圧が印加される時間が長くなり電流が流れる時間が長くなって、インバータ回路2の出力電力が大きくなっている。
インバータ回路2の出力電力が大きくなって、直流電源1に入力される電力が大きくなり、電力値Pが目標値P*に一致するようになる。
図3に示すように、位相差θを小さくする場合、パルス信号PcおよびPdの位相を変更せずに、パルス信号PaおよびPbのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせている。したがって、パルス信号PaおよびPbのデューティ比が50%より小さくなる場合はあるが、50%より大きくなることはない。また、図4に示すように、位相差θを大きくする場合、パルス信号PaおよびPbの位相を変更せずに、パルス信号PcおよびPdのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせている。したがって、パルス信号PcおよびPdのデューティ比が50%より小さくなる場合はあるが、50%より大きくなることはない。これにより、デューティ比が50%を超えることに起因するドライブ回路の故障やインバータ装置8の不安定動作を防止することができる。
なお、本実施形態においては、デューティ比を50%にした場合について説明しているが、これに限られない。50%はあくまで例示であって、50%以外の所定値としてもよい。先行パルス信号生成部733および追従パルス信号生成部734は、ローレベル期間を長くすることでパルス信号の位相を遅らせて位相差θを変化させるので、デューティ比を設定されている所定値より大きくすることがない。
本実施形態においては、直流電源1に入力される交流電力がインバータ回路2の出力電力とほぼ同じであることを利用して、直流電源1に入力される交流電力を制御することで、インバータ回路2の出力電力を制御しているが、これに限られない。例えば、インバータ回路2の出力電力を直接制御するようにしてもよい。すなわち、電力算出部71がインバータ回路2の出力電流および出力電圧から出力電力を算出し、電力設定部72が出力電力の目標値を設定するようにしてもよい。また、直流電源1からインバータ回路2に入力される直流電力を制御するようにしてもよい。また、直流電源1に入力される交流電流を制御するようにしてもよいし、当該交流電流から推定される交流電力を制御するようにしてもよい。
上記第1実施形態においては、パルス信号Pa〜Pdのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、位相差を変化させる場合について説明したが、これに限られない。例えば、パルス信号Pa〜Pdのハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、位相差を変化させるようにしてもよい。この場合を、第2実施形態として、以下に説明する。
第2実施形態に係る誘導加熱装置A2は、判別部732、先行パルス信号生成部733および追従パルス信号生成部734の機能が異なるだけで、全体構成は図1と同様である。第1実施形態に係る誘導加熱装置Aのものと区別するために、以下では、判別部732’、先行パルス信号生成部733’および追従パルス信号生成部734’として、判別部732、先行パルス信号生成部733および追従パルス信号生成部734との相違点について説明する。
判別部732’は、電力補償値Xがゼロ以上である場合、電力補償値Xを先行パルス信号生成部733’に出力する。一方、判別部732’は、電力補償値Xがゼロ未満である場合、電力補償値Xを追従パルス信号生成部734’に出力する。
先行パルス信号生成部733’は、判別部732’から電力補償値Xが入力されている間、電力補償値Xに応じて大きくなるΔTだけ、パルス信号PaおよびPbのハイレベル期間を短くする。具体的には、ハイレベルからローレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ早くする。
追従パルス信号生成部734’は、判別部732’から電力補償値Xが入力されている間、電力補償値Xの絶対値に応じて大きくなるΔTだけ、パルス信号PcおよびPdのハイレベル期間を短くする。具体的には、ハイレベルからローレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ早くする。
図5は、第2実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。同図において、Paは先行パルス信号生成部733’が出力するパルス信号Paを示しており、Pcは追従パルス信号生成部734’が出力するパルス信号Pcを示している。パルス信号Pcの位相はパルス信号Paの位相より位相差θだけ遅れている。なお、パルス信号PbおよびPdの波形の記載は省略している。
同図(a)は、位相差θを小さくしている状態を示している。パルス信号Paの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号Pcは、電力補償値Xに対応するΔTだけハイレベル期間が短くなり、位相が進んでいる。これにより、位相差θは徐々に小さくなっている。同図(b)は、位相差θを大きくしている状態を示している。パルス信号Pcの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号Paは、電力補償値Xの絶対値に対応するΔTだけハイレベル期間が短くなり、位相が進んでいる。これにより、位相差θは徐々に大きくなっている。
図5に示すように、パルス信号PaまたはPcのハイレベル期間を短くすることで位相を進めて位相差θを変化させているので、パルス信号PaおよびPcのデューティ比が50%より小さくなる場合はあるが、50%より大きくなることはない。したがって、第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、パルス信号PaおよびPbの位相を固定して、パルス信号PcおよびPdのハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、位相差を小さくし、パルス信号PcおよびPdのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、位相差θを大きくするようにしてもよい。この場合を、第3実施形態として、以下に説明する。
第3実施形態に係る誘導加熱装置A3は、判別部732が設けられておらず、電力制御部731が出力する電力補償値Xを追従パルス信号生成部734に入力する点、および、先行パルス信号生成部733および追従パルス信号生成部734の機能が異なる点が、第1実施形態に係る誘導加熱装置Aと異なっている。その他の点については、第1実施形態に係る誘導加熱装置Aと共通するので、図示および説明を省略している。
第3実施形態に係る先行パルス信号生成部733は、パルス信号Paとパルス信号Pbの位相を変更させずに、ドライバ74に出力する。
第3実施形態に係る追従パルス信号生成部734は、電力制御部731から入力される電力補償値Xがゼロ未満である場合、電力補償値Xの絶対値に応じて大きくなるΔTだけ、パルス信号PcおよびPdのハイレベル期間を短くする。具体的には、ハイレベルからローレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ早くする。また、電力制御部731から入力される電力補償値Xがゼロ以上である場合、電力補償値Xに応じて大きくなるΔTだけ、パルス信号PcおよびPdのローレベル期間を長くする。具体的には、ローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ遅くする。
図6は、第3実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。同図において、Paは先行パルス信号生成部733が出力するパルス信号Paを示しており、Pcは追従パルス信号生成部734が出力するパルス信号Pcを示している。パルス信号Pcの位相はパルス信号Paの位相より位相差θだけ遅れている。なお、パルス信号PbおよびPdの波形の記載は省略している。
同図(a)は、位相差θを小さくしている状態を示している。パルス信号Paの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号Pcは、電力補償値Xの絶対値に対応するΔTだけハイレベル期間が短くなり、位相が進んでいる。これにより、位相差θは徐々に小さくなっている。同図(b)は、位相差θを大きくしている状態を示している。パルス信号Paの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号Pcは、電力補償値Xに対応するΔTだけローレベル期間が長くなり、位相が遅れている。これにより、位相差θは徐々に大きくなっている。
図6に示すように、パルス信号Pcのハイレベル期間を短くすることで位相を進め、ローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、位相差θを変化させているので、パルス信号Pcのデューティ比が50%より小さくなる場合はあるが、50%より大きくなることはない。したがって、第3実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
逆に、パルス信号PcおよびPdの位相を固定して、パルス信号PaおよびPbのローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、位相差θを小さくし、パルス信号PaおよびPbのハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、位相差を大きくするようにしてもよい。この場合を、第4実施形態として、以下に説明する。
第4実施形態に係る誘導加熱装置A4は、判別部732が設けられておらず、電力制御部731が出力する電力補償値Xを先行パルス信号生成部733に入力する点、および、先行パルス信号生成部733および追従パルス信号生成部734の機能が異なる点が、第1実施形態に係る誘導加熱装置Aと異なっている。その他の点については、第1実施形態に係る誘導加熱装置Aと共通するので、図示および説明を省略している。
第4実施形態に係る追従パルス信号生成部734は、パルス信号Pcとパルス信号Pdの位相を変更させずに、ドライバ74に出力する。
第4実施形態に係る先行パルス信号生成部733は、電力制御部731から入力される電力補償値Xがゼロ未満である場合、電力補償値Xの絶対値に応じて大きくなるΔTだけ、パルス信号PaおよびPbのローレベル期間を長くする。具体的には、ローレベルからハイレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ遅くする。また、電力制御部731から入力される電力補償値Xがゼロ以上である場合、電力補償値Xに応じて大きくなるΔTだけ、パルス信号PaおよびPbのハイレベル期間を短くする。具体的には、ハイレベルからローレベルへの切り替えのタイミングを通常よりΔTだけ早くする。
図7は、第4実施形態に係るフェーズシフト制御により出力電力を変化させるときの過渡状態を説明するための波形図である。同図において、Paは先行パルス信号生成部733が出力するパルス信号Paを示しており、Pcは追従パルス信号生成部734が出力するパルス信号Pcを示している。パルス信号Pcの位相はパルス信号Paの位相より位相差θだけ遅れている。なお、パルス信号PbおよびPdの波形の記載は省略している。
同図(a)は、位相差θを小さくしている状態を示している。パルス信号Pcの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号Paは、電力補償値Xの絶対値に対応するΔTだけローレベル期間が長くなり、位相が遅れている。これにより、位相差θは徐々に小さくなっている。同図(b)は、位相差θを大きくしている状態を示している。パルス信号Pcの位相は変更されず、周期Tのままでパルスが生成されている。一方、パルス信号Paは、電力補償値Xに対応するΔTだけハイレベル期間が短くなり、位相が進んでいる。これにより、位相差θは徐々に大きくなっている。
図7に示すように、パルス信号Paのハイレベル期間を短くすることで位相を進め、ローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、位相差θを変化させているので、パルス信号Paのデューティ比が50%より小さくなる場合はあるが、50%より大きくなることはない。したがって、第4実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
第1ないし第4実施形態においては、誘導加熱装置のインバータ装置8に、本発明を用いた場合について説明したが、これに限られない。本発明は、フェーズシフト制御を行うすべてのインバータ装置に用いることができる。例えば、電源装置(高周波電源装置や溶接電源装置など)や駆動装置のインバータ装置に本発明を用いるようにしてもよい。つまり、図1における負荷(コイル5、共振コンデンサ6および加熱対象物B)に代えて、別の負荷にインバータ装置8が電力を供給する場合にも、本発明を用いることができる。
本発明に係るインバータ回路の制御回路、この制御回路を備えたインバータ装置、このインバータ装置を備えた誘導加熱装置、および、制御方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るインバータ回路の制御回路、この制御回路を備えたインバータ装置、このインバータ装置を備えた誘導加熱装置、および、制御方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
A,A2,A3,A4 誘導加熱装置
1 直流電源
2 インバータ回路
2a、2b、2c、2d スイッチング素子
3a、3b、3c、3d フライホイールダイオード
4a、4b、4c、4d スナバコンデンサ
5 コイル
6 共振コンデンサ
7 制御回路
71 電力算出部
72 電力設定部
73 パルス信号生成部
731 電力制御部(制御手段)
732,732’ 判別部
733,733’ 先行パルス信号生成部(先行駆動信号生成手段)
734,734’ 追従パルス信号生成部(追従駆動信号生成手段)
74 ドライバ(先行駆動信号生成手段、追従駆動信号生成手段)
8 インバータ装置
B 加熱対象物

Claims (13)

  1. インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、
    前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、
    前記先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を小さくし、
    前記追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を大きくする、
    ことを特徴とする制御回路。
  2. 前記インバータ回路の出力電力に連動する電気的信号の測定値を目標値から減算した偏差に基づく補償値を出力する制御手段と、
    前記補償値がゼロ以上であるか否かを判別する判別手段と、
    前記先行駆動信号を生成する先行駆動信号生成手段と、
    前記追従駆動信号を生成する追従駆動信号生成手段と、
    を備え、
    前記先行駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ未満であると判別された場合に、生成する先行駆動信号のローレベル期間を長くし、
    前記追従駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ以上であると判別された場合に、生成する追従駆動信号のローレベル期間を長くする、
    請求項1に記載の制御回路。
  3. インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、
    前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、
    前記先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を大きくし、
    前記追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を小さくする、
    ことを特徴とする制御回路。
  4. 前記インバータ回路の出力電力に連動する電気的信号の測定値を目標値から減算した偏差に基づく補償値を出力する制御手段と、
    前記補償値がゼロ以上であるか否かを判別する判別手段と、
    前記先行駆動信号を生成する先行駆動信号生成手段と、
    前記追従駆動信号を生成する追従駆動信号生成手段と、
    を備え、
    前記先行駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ以上であると判別された場合に、生成する先行駆動信号のハイレベル期間を短くし、
    前記追従駆動信号生成手段は、前記判別手段によってゼロ未満であると判別された場合に、生成する追従駆動信号のハイレベル期間を短くする、
    請求項1に記載の制御回路。
  5. 前記電気的信号は、前記インバータ回路の入力電力である、
    請求項2または4に記載の制御回路。
  6. インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、
    前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、
    前記追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を小さくし、
    前記追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を大きくする、
    ことを特徴とする制御回路。
  7. インバータ回路に駆動信号を入力して、前記インバータ回路を制御する制御回路であって、
    前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号の位相と、他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号の位相との差である位相差を変化させることで、前記インバータ回路の出力を制御し、
    前記先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて前記位相差を小さくし、
    前記先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて前記位相差を大きくする、
    ことを特徴とする制御回路。
  8. 前記位相差を変化させるときの速さは、0.5π[rad/s]以上、2π[rad/s]以下である、
    請求項1ないし7のいずれかに記載の制御回路。
  9. 前記位相差を小さくするときの速さは、前記位相差を大きくするときの速さより速い、
    請求項1ないし8のいずれかに記載の制御回路。
  10. インバータ回路と、請求項1ないし9のいずれかに記載の制御回路と、
    を備えていることを特徴とするインバータ装置。
  11. 直流電源と、請求項10に記載のインバータ装置と、前記インバータ装置から入力される交流電流によって磁界を発生させるコイルと、
    を備えていることを特徴とする誘導加熱装置。
  12. インバータ回路を制御する制御方法であって、
    前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号を生成する第1の工程と、
    他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号を、前記先行駆動信号より位相を遅らせた信号として生成する第2の工程と、
    生成された先行駆動信号および追従駆動信号をそれぞれ対応するスイッチング素子に入力する第3の工程と、
    を備え、
    前記先行駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、前記追従駆動信号の位相との位相差を小さくし、
    前記追従駆動信号のローレベル期間を長くすることで位相を遅らせて、前記位相差を大きくする、
    ことを特徴とする制御方法。
  13. インバータ回路を制御する制御方法であって、
    前記インバータ回路の一方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する先行駆動信号を生成する第1の工程と、
    他方のアームに配置されているスイッチング素子に入力する追従駆動信号を、前記先行駆動信号より位相を遅らせた信号として生成する第2の工程と、
    生成された先行駆動信号および追従駆動信号をそれぞれ対応するスイッチング素子に入力する第3の工程と、
    を備え、
    前記先行駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、前記追従駆動信号の位相との位相差を大きくし、
    前記追従駆動信号のハイレベル期間を短くすることで位相を進めて、前記位相差を小さくする、
    ことを特徴とする制御方法。
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