JP2015005737A - 発光装置、カメラ - Google Patents

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Abstract

【課題】小型であり、また、影が生じにくい発光装置を提供する。【解決手段】定電流パルスを供給することができる開閉回路１１０と、定電流を供給することができる定電流ＤＣ電源１４０Ａと、スタートスイッチ１３２を備え制御パルス信号を供給することができる駆動回路１３０と、定電流パルスが供給される発光パネル１２０とを有し、駆動回路１３０は、半値幅が１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下の定電流を開閉回路１１０が供給するように、制御パルス信号をスタートスイッチ１３２の開閉動作に伴い出力する。これによりパルス状の定電流が供給される発光部を面状に広げることが可能となり、発光装置を小型化できる。また発光部に可撓性を持たせ湾曲させることにより影が生じにくくなる。【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、発光装置に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いた発光素子（有機ＥＬ素子とも記す）の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層とも記す）を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる。
有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を容易に形成することができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。
特開２００９−１３０１３２号公報
写真が暗い場所でも撮影できるように、フラッシュがカメラに搭載されている。
また、カメラを容易に携帯できるように、カメラの小型化または／および軽量化が求められている。
しかし、フラッシュを小さくすると、その発光部は線状または点状に近づき、以下の問題が顕在化する。
光は光源から直進するため、一の物体が投影する影は、光源が小さいほど明瞭になる。
これにより、例えば、フラッシュを用いて人の顔を暗い場所で撮影すると、鼻の影が頬に投影されてしまう場合がある。
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、小型の発光装置を提供することを課題の一とする。または、影が生じにくい発光装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
以下に説明する実施の形態には、発光部が面状に広がる光源を短い時間に、高い輝度で発光させることができる構成に着眼して創作された本発明の一態様が含まれる。
本発明の一態様の発光装置は、パルス状の定電流を供給する開閉回路と、パルス状の定電流が供給される発光パネルを有する。
本発明の一態様は、定電流および制御パルス信号が供給され、定電流パルスを供給することができる開閉回路と、定電流を供給することができる定電流電源と、制御パルス信号を供給することができ、スタートスイッチを備える駆動回路と、定電流パルスが供給される発光パネルと、を有する発光装置である。
そして、駆動回路は、半値幅が１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下の定電流を開閉回路が供給するように、制御パルス信号をスタートスイッチの開閉動作に伴い出力する。
また、本発明の一態様は、発光パネルが、支持基板と、支持基板上に面状に広がる発光素子と、を有し、発光素子は、第２の電極よりも支持基板側に第１の電極と、第１の電極と重なる第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間にＥＬ層と、を備える、上記の発光装置である。
また、本発明の一態様は、発光パネルが、曲面と、可撓性を有する支持基板と、支持基板上に面状に広がる発光素子と、を有し、発光素子は、支持基板側に第１の電極と、第１の電極と重なる第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間にＥＬ層と、を備える、上記の発光装置である。
また、本発明の一態様は、定電流電源が、直流電流を供給するＡＣＤＣコンバータと、直流電流が供給され、定電流を供給することができるＤＣＤＣコンバータと、を有する、上記の発光装置である。なお、本明細書では交流電流を直流電流に変換する装置をＡＣＤＣコンバータといい、直流電流の電圧を異なる電圧の直流電流に変換する装置をＤＣＤＣコンバータという。また、電流センサとともにＤＣＤＣコンバータを用いて定電流電源を構成することができる。
また、本発明の一態様は、第１の電圧を供給する電池と、第１の電圧が供給され、第１の電圧より高い第２の電圧を供給する第１のＤＣＤＣコンバータと、第２の電圧が供給されるコンデンサと、コンデンサから電力が供給され、定電流を供給することができる第２のＤＣＤＣコンバータと、を有する上記の発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記のいずれか一に記載の発光装置を備えるカメラまたはデジタルスチルカメラである。
本発明の一態様によれば、小型の発光装置を提供できる。または、影が生じにくい発光装置を提供できる。
実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る発光パネルを説明する図。 実施の形態に係る発光パネルを説明する図。 実施の形態に係る発光パネルを説明する図。 実施の形態に係る発光素子を説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。 実施例の発光パネルの電圧−輝度特性を示す図。 実施例の発光パネルの発光スペクトルを示す図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図１（Ａ−１）乃至図１（Ａ−３）を参照しながら説明する。
図１（Ａ−１）は本発明の一態様の発光装置の構成を説明するブロック図である。
本実施の形態で説明する発光装置１００Ａは、定電流および制御パルス信号が供給され、定電流パルスを供給することができる開閉回路１１０と、定電流を供給することができる定電流ＤＣ電源１４０Ａと、スタートスイッチ１３２を備え制御パルス信号を供給することができる駆動回路１３０と、定電流パルスが供給される発光パネル１２０と、を有する。そして、駆動回路１３０は、半値幅が１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下の定電流を開閉回路１１０が供給するように、制御パルス信号をスタートスイッチ１３２の開閉動作に伴い出力する。
上記本実施例で説明する発光装置１００Ａは、パルス状の定電流を供給する開閉回路１１０と、パルス状の定電流が供給される発光パネル１２０を含んで構成される。これにより、厚さを厚くすることなく、パルス状の定電流が供給される発光部を面状に広げることができる。その結果、小型の発光装置を提供できる。または、影が生じにくい発光装置を提供できる。
以下に、本発明の一態様の発光装置１００Ａを構成する個々の要素について説明する。
《発光パネル》
発光パネル１２０は、支持基板４０１と、支持基板４０１上に面状に広がる発光素子４０３と、を有する。そして、発光素子４０３は、支持基板４０１側に第１の電極４２１と、第１の電極４２１と重なる第２の電極４２５と、第１の電極４２１と第２の電極４２５の間にＥＬ層４２３とを備える（図２参照）。
発光パネル１２０は発光部の面積が５ｃｍ２以上２００ｃｍ２以下、好ましくは１５ｃｍ２以上１００ｃｍ２以下で面状に広がる。
これにより、発光パネル１２０は、従来のキセノンランプなどに比べて薄く、軽量にすることができる。また、発光に伴う発熱が発光パネル１２０の広い面積に分散されるため、効率よく放熱される。これにより、発光パネル１２０への蓄熱が抑制され、発光パネル１２０の劣化が抑制される。
なお、本明細書において、発光素子４０３の一対の電極間に設けられた層をＥＬ層という。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
発光性の有機化合物を選択して用いることにより、白色を呈する光を発するように、発光パネル１２０を構成できる。例えば、互いに補色の関係にある色を発する複数の発光性の有機化合物を用いることができる。または、赤色、緑色および青色を呈する発光性の有機化合物を用いることができる。また、さまざまな発光スペクトルを多様な有機化合物から選択して用いることができる。これにより、ホワイトバランスに優れた発光装置１００Ａを得ることができる。
発光性の有機化合物を用いると、無機材料を用いた発光ダイオードに比べて幅が広い発光スペクトルを得られる。幅が広い発光スペクトルを有する光は、自然光に近く、写真の撮影に好適である。また、可撓性を有する支持基板と当該支持基板上の有機ＥＬ素子を備える可撓性を有する発光パネルを、曲面を有する筐体に沿わせて配置することができる。これにより、筐体に用いる意匠を損なうことなく発光装置を配置することができる。例えば、カメラの曲面を有する筐体に沿って、フラッシュを配置することができる。
なお、発光パネル１２０の構成は、実施の形態２において詳細に説明する。
《定電流ＤＣ電源》
定電流ＤＣ電源１４０Ａは、直流電流を供給するＡＣＤＣコンバータと、直流電流が供給されるＤＣＤＣコンバータと、を有する。
ＤＣＤＣコンバータが供給する定電流の一例を図１（Ａ−２）に示す。
《駆動回路》
駆動回路１３０は、所定の幅の制御パルス信号を供給する。
所定の幅としては、１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下、好ましくは１０ミリ秒以上１００ミリ秒以下である。
例えば、スタートスイッチ１３２、ラッチ回路およびモノステイブル・マルチバイブレータを用いて、駆動回路１３０を構成することができる。
具体的には、スタートスイッチ１３２を用いてラッチ回路にハイまたはロウの信号を供給し、ラッチ回路はトリガ信号を供給し、トリガ信号が供給されたモノステイブル・マルチバイブレータは、所定の幅を有する矩形波を、制御パルス信号として供給する。
なお、制御パルス信号を定電流ＤＣ電源１４０Ａに供給し、定電流ＤＣ電源１４０Ａを、制御パルス信号を用いて制御する構成にしてもよい。具体的には、ＤＣＤＣコンバータが定電流を供給するタイミングを、制御パルス信号を用いて制御してもよい。これにより、所定の幅を有する定電流、すなわち定電流パルスの波形を整えることができる。
《開閉回路》
開閉回路１１０は、定電流と制御パルス信号が供給されている間、定電流パルスを発光パネル１２０に供給する。
例えば、開閉回路１１０をパワートランジスタまたはパワーＦＥＴを用いて構成することができる。具体的には、パワートランジスタのゲートに制御パルス信号を供給し、第１の電極に定電流を供給し、第２の電極に発光パネル１２０を電気的に接続して、開閉回路１１０を構成できる。
なお、定電流ＤＣ電源１４０Ａが供給する定電流パルスの時間の経過に伴う変化の一例を図１（Ａ−３）に示す。例えば、２Ａの電流を５０ミリ秒の間、発光パネル１２０に供給することができる。
＜変形例＞
本実施の形態の変形例に例示する発光装置について、図１（Ｂ−１）乃至図１（Ｂ−３）を参照しながら説明する。
図１（Ｂ−１）は本発明の一態様の発光装置の構成を説明するブロック図である。
図１（Ｂ−１）を参照して説明する発光装置１００Ｂは、図１（Ａ−１）を参照して説明する発光装置１００Ａとは定電流ＤＣ電源１４０Ｂの構成およびカウンタ回路を備える構成が異なる。なお、他の構成は図１（Ａ−１）を参照して説明する発光装置１００Ａと同じであるため、上記の説明を参酌するものとする。
《定電流ＤＣ電源の変形例》
本実施の形態の変形例で説明する定電流ＤＣ電源１４０Ｂは、第１の電圧を供給する電池と、第１の電圧が供給され第１の電圧より高い第２の電圧を供給する第１のＤＣＤＣコンバータと、第２の電圧が供給されるコンデンサと、コンデンサから電力が供給される第２のＤＣＤＣコンバータと、を有する。
第１のＤＣＤＣコンバータは、電池の電圧を第２の電圧に昇圧して供給する。
コンデンサは、第２の電圧で充電される。
第２のＤＣＤＣコンバータは、コンデンサに蓄えられた電力が供給され、定電流を供給する。
この構成によれば、コンデンサが電力を第２のＤＣＤＣコンバータに供給する間において、第２のＤＣＤＣコンバータは定電流を供給することができる。なお、コンデンサに蓄えられた電力が所定の値を下回ると、第２のＤＣＤＣコンバータは定電流を供給できなくなる。
定電流ＤＣ電源１４０Ｂが供給する電流の時間の経過に伴う変化の一例を図１（Ｂ−２）に示す。
定電流ＤＣ電源１４０Ｂは、少なくとも駆動回路１３０が供給する制御パルス信号の幅（例えば５０ミリ秒）より長く、定電流を供給することができる。電流が開閉回路１１０を流れると、コンデンサに蓄えられた電力が消費され、ついには定電流ＤＣ電源１４０Ｂが定電流を供給することができなくなる。その結果、矩形波でない電流が発光パネル１２０に流れることにより、発光パネル１２０が所定の輝度より低く、有用でない輝度で発光し、電力が不要に消費されてしまう。開閉回路１１０は、このようにして電力が不要に消費されないように、電流を所定の時間供給した後に、電流の供給を停止することができる。なお、開閉回路１１０が供給する電流の時間の変化に伴う変化の一例を図１（Ｂ−３）に示す。
このように、定電流ＤＣ電源１４０Ｂは、電池を用いて定電流を供給することができる。これにより、携帯が容易な発光装置１００Ｂを提供することができる。
《カウンタ回路》
カウンタ回路１５０は駆動回路１３０が制御パルス信号を供給した回数を積算する。これにより発光パネル１２０を発光させた回数を知ることができる。
例えば、発光パネル１２０を発光させた回数に依存して、発光パネル１２０の輝度が低下する場合がある。
低下した発光パネル１２０の明るさを補てんするために、カウンタ回路１５０に積算された回数を駆動回路１３０にフィードバックして、制御パルス信号の幅を長くしてもよい。
または、低下した発光パネル１２０の明るさを補てんするために、カウンタ回路１５０に積算された回数を定電流ＤＣ電源１４０Ｂにフィードバックして、定電流ＤＣ電源１４０Ｂが供給する定電流の大きさを大きくしてもよい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができる発光パネルの構成について、図２乃至図４を参照しながら説明する。
《発光パネルの構成例１》
図２（Ａ）は、本発明の一態様の発光パネルを示す平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）を一点鎖線Ａ−Ｂで切断した断面図である。
図２（Ａ）（Ｂ）に示す発光パネルは、支持基板４０１、封止基板４０５及び封止材４０７に囲まれた空間４１５内に、発光素子４０３を備える。発光素子４０３は、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子であり、具体的には、支持基板４０１上に可視光を透過する第１の電極４２１を有し、第１の電極４２１上にＥＬ層４２３を有し、ＥＬ層４２３上に可視光を反射する第２の電極４２５を有する。
本発明の一態様に適用する発光素子はボトムエミッション構造に限られず、例えばトップエミッション構造であってもよい。本発明の一態様に適用できる発光素子の構成については、実施の形態３にて詳述する。
第１の端子４０９ａは、補助配線４１７及び第１の電極４２１と電気的に接続する。第１の電極４２１上には、補助配線４１７と重なる領域に、絶縁層４１９が設けられている。第１の端子４０９ａと第２の電極４２５は、絶縁層４１９によって電気的に絶縁されている。第２の端子４０９ｂは、第２の電極４２５と電気的に接続する。なお、本実施の形態では、補助配線４１７上に第１の電極４２１が形成されている構成を示すが、第１の電極４２１上に補助配線４１７を形成してもよい。
支持基板４０１と大気との界面に光取り出し構造４１１ａを有することが好ましい。大気と支持基板４０１の界面に光取り出し構造４１１ａを設けることで、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光パネルの光の取り出し効率を向上させることができる。
また、発光素子４０３と支持基板４０１との間に光取り出し構造４１１ｂを有することが好ましい。光取り出し構造４１１ｂが凹凸を有する場合、光取り出し構造４１１ｂと第１の電極４２１の間に、平坦化層４１３を設けることが好ましい。これによって、第１の電極４２１を平坦な膜とすることができ、ＥＬ層４２３における第１の電極４２１の凹凸に起因するリーク電流の発生を抑制することができる。また、平坦化層４１３と支持基板４０１との界面に、光取り出し構造４１１ｂを有するため、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光パネルの光の取り出し効率を向上させることができる。
光取り出し構造４１１ａ及び光取り出し構造４１１ｂの材料としては、例えば、樹脂を用いることができる。また、光取り出し構造４１１ａ及び光取り出し構造４１１ｂとして、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることもできる。例えば、支持基板４０１上に上記レンズやフィルムを、支持基板４０１又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造４１１ａ及び光取り出し構造４１１ｂを形成することができる。
平坦化層４１３は、光取り出し構造４１１ｂと接する面よりも、第１の電極４２１と接する面のほうが平坦である。平坦化層４１３の材料としては、透光性を有し、高屈折率である材料（例えば、屈折液等の液状物質、ガラス、樹脂等）を用いることができる。
なお、本発明の一態様の発光パネルは、光取り出し構造を設けない構成とすることもできる。その場合、可視光を反射する第２の電極を鏡として用いることができ、好ましい。
《発光パネルの構成例２》
図３は、本発明の一態様の発光パネルを示す平面図であり、図４（Ａ）（Ｂ）は、それぞれ図３を一点鎖線Ｘ−Ｙで切断した断面図である。
図４（Ａ）に示す発光パネルでは、支持基板１２２０上に絶縁膜１２２４を介して発光素子１２５０が設けられている。絶縁膜１２２４上には補助配線１２０６が設けられており、第１の電極１２０１と電気的に接続する。第１の電極１２０１の端部及び端子１２１０の端部は隔壁１２０５で覆われている。また、第１の電極１２０１を介して補助配線１２０６を覆う隔壁１２０５が設けられている。発光素子１２５０は、支持基板１２２０、封止基板１２２８、及び封止材１２２７により封止されている。支持基板１２２０の表面には光取り出し構造１２０９が貼り合わされている。支持基板１２２０及び封止基板１２２８に可撓性を有する基板を用いることで、可撓性を有する発光パネルを実現できる。
発光素子１２５０はボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子であり、具体的には、支持基板１２２０上に可視光を透過する第１の電極１２０１を有し、第１の電極１２０１上にＥＬ層１２０２を有し、ＥＬ層１２０２上に可視光を反射する第２の電極１２０３を有する。
図４（Ｂ）に示す発光パネルでは、図４（Ａ）に示す発光パネルが有する支持基板１２２０及び光取り出し構造１２０９の代わりに、光取り出し構造を有する支持基板１２２９が設けられている。支持基板１２２９は支持体としての機能及び発光パネルの光の取り出し効率を向上させる機能の双方を有する。
ここで、可撓性を有する発光パネルを作製する際、可撓性を有する基板上に発光素子を形成する方法としては、例えば、可撓性を有する基板上に、発光素子を直接形成する第１の方法と、可撓性を有する基板とは異なる耐熱性の高い基板（以下、作製基板と記す）上に発光素子を形成した後、作製基板と発光素子とを剥離して、可撓性を有する基板に発光素子を転置する第２の方法と、がある。
例えば、可撓性を有する程度に薄い厚さのガラス基板のように、発光素子の作製工程でかける温度に対して耐熱性を有する基板を用いる場合には、第１の方法を用いると、工程が簡略化されるため好ましい。
また、第２の方法を適用することで、作製基板上で形成した透水性の低い絶縁膜等を、可撓性を有する基板に転置することができる。したがって、透水性が高く、耐熱性が低い有機樹脂等を、可撓性を有する基板の材料として用いても、可撓性を有し、信頼性が高い発光パネルを作製できる。
《発光パネルの材料》
本発明の一態様の発光パネルに用いることができる材料の一例を記す。
［基板］
発光素子からの光を取り出す側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイア、有機樹脂などの材料を用いることができる。
膜厚の薄い基板を用いることで、発光パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する発光パネルを実現できる。また、可撓性を有する発光パネルを使用しないときに折りたたんで収納することもできる。これにより、写真スタジオのレフ板（ｂｏａｒｄ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）に換えて、広い面積でフラッシュ発光する照明装置として用いることができる。または、折り畳むことができる照明装置を提供することができる。
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた発光パネルも軽量にすることができる。
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた金属基板等を用いることもできる。金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、封止基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又はアルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。
また、導電性の基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。
可撓性の基板としては、上記材料を用いた層が、発光パネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素子の寿命の低下等を抑制するために、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることができる。
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることができる。
［絶縁膜］
支持基板と発光素子の間に、絶縁膜を形成してもよい。絶縁膜には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。特に、発光素子への水分等の侵入を抑制するため、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の透水性の低い絶縁膜を用いることが好ましい。同様の目的や材料で、発光素子を覆う絶縁膜を設けてもよい。
［隔壁］
隔壁には、有機樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。有機樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。無機絶縁材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。隔壁の作製が容易となるため、特に感光性の樹脂を用いることが好ましい。
隔壁の形成方法は、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。
［補助配線］
補助配線は必ずしも設ける必要は無いが、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。
補助配線の材料は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成する。また、補助配線の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、その場合には腐食の問題が生じないように積層構造とし、ＩＴＯなどと接しない層にアルミニウムを用いれば良い。補助配線の膜厚は、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
補助配線の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、補助配線を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、補助配線の表面が粗く隙間の多い構成となり、ＥＬ層が補助配線を完全に覆うことが難しく、上部電極と補助配線との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
［封止材］
発光パネルの封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であってもよい。例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。発光パネルは、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の樹脂で充填されていてもよい。また、樹脂内に乾燥剤が含まれていてもよい。
［光取り出し構造］
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができる発光素子について図５を用いて説明する。
《発光素子の構成例》
図５（Ａ）に示す発光素子は、第１の電極２０１及び第２の電極２０５の間にＥＬ層２０３を有する。本実施の形態では、第１の電極２０１が陽極として機能し、第２の電極２０５が陰極として機能する。
第１の電極２０１と第２の電極２０５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層２０３に第１の電極２０１側から正孔が注入され、第２の電極２０５側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層２０３において再結合し、ＥＬ層２０３に含まれる発光物質が発光する。
ＥＬ層２０３は、発光物質を含む発光層３０３を少なくとも有する。
また、ＥＬ層２０３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。ＥＬ層２０３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。
図５（Ｂ）に示す発光素子は、第１の電極２０１及び第２の電極２０５の間にＥＬ層２０３を有し、該ＥＬ層２０３では、正孔注入層３０１、正孔輸送層３０２、発光層３０３、電子輸送層３０４、及び電子注入層３０５が、第１の電極２０１側からこの順に積層されている。
図５（Ｃ）（Ｄ）に示す発光素子のように、第１の電極２０１及び第２の電極２０５の間に複数のＥＬ層が積層されていてもよい。この場合、積層されたＥＬ層の間には、中間層２０７を設けることが好ましい。中間層２０７は、電荷発生領域を少なくとも有する。
例えば、図５（Ｃ）に示す発光素子は、第１のＥＬ層２０３ａと第２のＥＬ層２０３ｂとの間に、中間層２０７を有する。また、図５（Ｄ）に示す発光素子は、ＥＬ層をｎ層（ｎは２以上の自然数）有し、各ＥＬ層の間には、中間層２０７を有する。
ＥＬ層２０３（ｍ）とＥＬ層２０３（ｍ＋１）の間に設けられた中間層２０７における電子と正孔の挙動について説明する。第１の電極２０１と第２の電極２０５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層２０７において正孔と電子が発生し、正孔は第２の電極２０５側に設けられたＥＬ層２０３（ｍ＋１）へ移動し、電子は第１の電極２０１側に設けられたＥＬ層２０３（ｍ）へ移動する。ＥＬ層２０３（ｍ＋１）に注入された正孔は、第２の電極２０５側から注入された電子と再結合し、当該ＥＬ層２０３（ｍ＋１）に含まれる発光物質が発光する。また、ＥＬ層２０３（ｍ）に注入された電子は、第１の電極２０１側から注入された正孔と再結合し、当該ＥＬ層２０３（ｍ）に含まれる発光物質が発光する。よって、中間層２０７において発生した正孔と電子は、それぞれ異なるＥＬ層において発光に至る。
なお、ＥＬ層同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、中間層を介さずにＥＬ層同士を接して設けることができる。例えば、ＥＬ層の一方の面に電荷発生領域が形成されている場合、その面に接してＥＬ層を設けることができる。
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、二つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
《発光素子の材料》
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限られず、二層以上積層してもよい。
〈陽極〉
陽極として機能する電極（第１の電極２０１）は、導電性を有する金属、合金、導電性化合物等を一種又は複数種用いて形成することができる。特に、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有したインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
なお、陽極が電荷発生領域と接する場合は、仕事関数の大きさを考慮せずに、様々な導電性材料を用いることができ、例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金等も用いることができる。
〈陰極〉
陰極として機能する電極（第２の電極２０５）は、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。特に、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。
なお、陰極が電荷発生領域と接する場合は、仕事関数の大きさを考慮せずに、様々な導電性材料を用いることができる。例えば、ＩＴＯ、珪素又は酸化珪素を含有したインジウムスズ酸化物等も用いることができる。
電極は、それぞれ、真空蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すれば良い。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法を用いれば良い。
〈正孔注入層３０１〉
正孔注入層３０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。
正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物や、また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）などの高分子化合物や、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
また、正孔注入層３０１を、電荷発生領域としても良い。陽極と接する正孔注入層３０１が電荷発生領域であると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を該陽極に用いることができる。電荷発生領域を構成する材料については後述する。
〈正孔輸送層３０２〉
正孔輸送層３０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。
正孔輸送性の高い物質としては、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば良く、特に、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）等の芳香族炭化水素化合物、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ等の高分子化合物など、種々の化合物を用いることができる。
〈発光層３０３〉
発光層３０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
発光層３０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ルブレン等が挙げられる。
また、発光層３０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））等の有機金属錯体が挙げられる。
なお、発光層３０３は、上述した発光性の有機化合物（発光物質、ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としても良い。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、ゲスト材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層３０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
ホスト材料としては、上述の正孔輸送性の高い物質（例えば、芳香族アミン化合物やカルバゾール誘導体）や、後述の電子輸送性の高い物質（例えば、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、オキサゾール系配位子又はチアゾール系配位子を有する金属錯体）等を用いることができる。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、ＣｚＰＡ、ＤＮＡ、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈなどの縮合芳香族化合物、ＮＰＢ等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加しても良い。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加しても良い。
また、発光層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を２つ有する発光素子において、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
〈電子輸送層３０４〉
電子輸送層３０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。
電子輸送性の高い物質としては、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば良く、特に、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。
電子輸送性の高い物質としては、例えば、Ａｌｑ、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等や、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などを用いることができる。また、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。
〈電子注入層３０５〉
電子注入層３０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。
電子注入性の高い物質としては、例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層３０４を構成する物質を用いることもできる。
〈電荷発生領域〉
電荷発生領域は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていてもよい。
正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、上述の正孔輸送層に用いることができる材料が挙げられ、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、上述の電子輸送層に用いることができる材料が挙げられる。
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
また、電子供与体としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、又は元素周期表における第１３族に属する金属及びその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジウム、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、上述したＥＬ層２０３及び中間層２０７を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いた電子機器について図６を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置は、デジタルスチルカメラ等のカメラのフラッシュ、撮影機能を有する携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）や携帯情報端末が備えるカメラのフラッシュ等に用いることができる。また、警告灯、灯台、装飾用途などのイルミネーション等に用いることができる。
図６（Ａ）はデジタルスチルカメラの一例を示している。デジタルスチルカメラ７３００は、筐体７３０１、レンズ７３０４、発光装置７３１０等を有する。発光装置７３１０には、本発明の一態様の発光装置が適用されている。発光装置７３１０の発光部７３０３は、レンズ７３０４を囲うように配置されている。本発明の一態様の発光装置は可撓性を有するため、湾曲させることができる。デジタルスチルカメラ７３００では、非発光部７３０５が筐体７３０１の形状に沿って折り曲げられているため、発光部７３０３をレンズ７３０４の周囲に広く配置できる。これにより、フラッシュを用いて人の顔を暗い場所で撮影する場合であっても、例えば鼻の影が頬に投影されにくくすることができる。なお、発光素子を非発光部７３０５に同一の工程で作製して設け、動作状態を示すインジケータに用いてもよい。
図６（Ｂ）（Ｃ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７３５０の一面（表面ともいえる）を図６（Ｂ）に示し、該一面の背面（裏面ともいえる）を図６（Ｃ）に示す。
携帯電話機７３５０は、筐体７３５１、表示部７３５２、レンズ７３５４、レンズ７３５６、発光装置７３６０等を有する。発光装置７３６０には、本発明の一態様の発光装置が適用されている。発光装置７３６０は発光部７３５３及び非発光部７３５５を有し、発光部７３５３は、レンズ７３５４を囲うように配置されている。発光部７３５３は、非発光時に鏡として用いる仕様であってもよい。
なお、被写体が表示部７３５２側にある場合は、発光部７３５３と同様に表示部７３５２の全面又は一部が発光部となりレンズ７３５６を使用して画像を撮影することも可能である。この場合、表示部７３５２は撮影直前に発光部に切り替えることもできる。例えば、表示部７３５２の全面又は一部を被写体を表示する表示部として用い、撮影直前に該表示部を発光部に切り替えてもよい。同様に発光部７３５３の全面又は一部も表示部として用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
本実施例では、本発明の一態様の発光装置について説明する。
本実施例で作製した発光パネルの平面図を図３に示し、図３における一点鎖線Ｘ−Ｙ間の断面図を図４（Ｂ）に示す。なお、図３では発光パネルの構成の一部を省略して示す。
図４（Ｂ）に示すように、本実施例の発光パネルは、光取り出し構造を有する支持基板１２２９上に絶縁膜１２２４を介して発光素子１２５０が設けられている。絶縁膜１２２４上には補助配線１２０６が設けられており、第１の電極１２０１と電気的に接続する。第１の電極１２０１の端部及び端子１２１０の端部は隔壁１２０５で覆われている。また、第１の電極１２０１を介して補助配線１２０６を覆う隔壁１２０５が設けられている。発光素子１２５０は、支持基板１２２９、封止基板１２２８、及び封止材１２２７により封止されている。
本実施例の発光パネルでは、支持基板１２２９としてポリエステル系樹脂の拡散フィルムを用い、封止基板１２２８として薄いガラス層及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層を有する基板を用いた。これらの基板は可撓性を有し、本実施例の発光パネルは、フレキシブルな発光パネルである。また、本実施例の発光パネルにおける発光領域の面積は５６ｍｍ×４２ｍｍである。
発光素子１２５０はボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子であり、具体的には、支持基板１２２９上に可視光を透過する第１の電極１２０１を有し、第１の電極１２０１上にＥＬ層１２０２を有し、ＥＬ層１２０２上に可視光を反射する第２の電極１２０３を有する。
本実施例の発光パネルの作製方法について説明する。
まず、作製基板であるガラス基板上に、下地膜、剥離層（タングステン膜）、被剥離層をこの順で形成した。本実施例において、被剥離層は、絶縁膜１２２４、補助配線１２０６、第１の電極１２０１、及び隔壁１２０５を含む。
補助配線１２０６は絶縁膜１２２４上に計７本形成した。このとき補助配線１２０６のピッチが５．３ｍｍになるように、また幅Ｌ２が３２２μｍとなるようにした。第１の電極１２０１としては、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜を形成した。補助配線１２０６を覆う隔壁１２０５は、幅Ｌ１が３３０μｍとなるように計７本形成した。
次に、仮支持基板と、第１の電極１２０１と、を、剥離用接着剤を用いて接着し、剥離層を用いて被剥離層を作製基板より剥離した。これにより、被剥離層は仮支持基板側に設けられる。
続いて、作製基板から剥離され、絶縁膜１２２４が露出した被剥離層に紫外光硬化型接着剤を用いて支持基板１２２９を貼り合わせた。支持基板１２２９としては、前述の通り、ポリエステル系樹脂の拡散フィルムを用いた。その後、仮支持基板を剥離し、支持基板１２２９上に第１の電極１２０１を露出させた。
次に、第１の電極１２０１上にＥＬ層１２０２及び第２の電極１２０３を形成した。ＥＬ層１２０２は、第１の電極１２０１側から、青色の発光を呈する蛍光性化合物を含む発光層を有する第１のＥＬ層、中間層、並びに、緑色の発光を呈する燐光性化合物を含む発光層及び赤色の発光を呈する燐光性化合物を含む発光層を有する第２のＥＬ層がこの順で積層した。第２の電極１２０３には、銀を用いた。
次に、封止材１２２７であるゼオライトを含む光硬化性樹脂を塗布し、紫外光を照射することで硬化させた。そして、紫外光硬化型接着剤を用いて、支持基板１２２９と、封止基板１２２８である、薄いガラス層及びポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層を有する基板と、を貼り合わせた。
以上により得られた発光パネルの動作特性について測定を行った。このときの発光パネルの電圧−輝度特性を、図７の凡例のうち「初期」として示す。また、発光パネルの発光スペクトルを図８に示す。図８に示すように、本実施例の発光パネルは、青色の発光を呈する蛍光性化合物、緑色の発光を呈する燐光性化合物、赤色の発光を呈する燐光性化合物それぞれに由来する光がいずれも含まれる発光スペクトルを示すことがわかった。
その後、該発光パネルを用いた発光装置の信頼性試験を行った。信頼性試験としては、発光パネルを、間隔をあけて３０００回または１万回発光させた。発光１回につき、発光パネルに２Ａの電流を５０ミリ秒（ｍｓ）間流した。また、発光の間隔（非発光の時間）は１０秒とした。
図７に、３千回発光させた後、及び１万回発光させた後の発光パネルの電圧−輝度特性を示す。
図７から、発光パネルの電圧−輝度特性は、１万回発光させた後でも、信頼性試験前とほとんど変わらず、発光パネルの劣化が見られなかった。このことから、本発明の一態様の発光装置の信頼性の高さが示された。
１００Ａ 発光装置
１００Ｂ 発光装置
１１０ 開閉回路
１２０ 発光パネル
１３０ 駆動回路
１３２ スタートスイッチ
１４０Ａ 定電流ＤＣ電源
１４０Ｂ 定電流ＤＣ電源
１５０ カウンタ回路
２０１ 第１の電極
２０３ ＥＬ層
２０３ａ ＥＬ層
２０３ｂ ＥＬ層
２０５ 第２の電極
２０７ 中間層
３０１ 正孔注入層
３０２ 正孔輸送層
３０３ 発光層
３０４ 電子輸送層
３０５ 電子注入層
４０１ 支持基板
４０３ 発光素子
４０５ 封止基板
４０７ 封止材
４０９ａ 端子
４０９ｂ 端子
４１１ａ 光取り出し構造
４１１ｂ 光取り出し構造
４１３ 平坦化層
４１５ 空間
４１７ 補助配線
４１９ 絶縁層
４２１ 第１の電極
４２３ ＥＬ層
４２５ 第２の電極
１２０１ 第１の電極
１２０２ ＥＬ層
１２０３ 第２の電極
１２０５ 隔壁
１２０６ 補助配線
１２０９ 光取り出し構造
１２１０ 端子
１２２０ 支持基板
１２２４ 絶縁膜
１２２７ 封止材
１２２８ 封止基板
１２２９ 支持基板
１２５０ 発光素子
７３００ デジタルスチルカメラ
７３０１ 筐体
７３０３ 発光部
７３０４ レンズ
７３０５ 非発光部
７３１０ 発光装置
７３５０ 携帯電話機
７３５１ 筐体
７３５２ 表示部
７３５３ 発光部
７３５４ レンズ
７３５５ 非発光部
７３６０ 発光装置

Claims (6)

  1. 定電流および制御パルス信号が供給され、定電流パルスを供給することができる開閉回路と、
    前記定電流を供給することができる定電流電源と、
    前記制御パルス信号を供給することができ、スタートスイッチを備える駆動回路と、
    前記定電流パルスが供給される発光パネルと、を有し、
    前記駆動回路は、半値幅が１ミリ秒以上１０００ミリ秒以下の定電流を前記開閉回路が供給するように、前記制御パルス信号を前記スタートスイッチの開閉動作に伴い出力する、発光装置。
  2. 前記発光パネルが、支持基板と、前記支持基板上に面状に広がる発光素子と、を有し、
    前記発光素子は、前記支持基板側に第１の電極と、前記第１の電極と重なる第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間にＥＬ層と、を備える、請求項１記載の発光装置。
  3. 前記発光パネルが、曲面と、可撓性を有する支持基板と、前記支持基板上に面状に広がる発光素子と、を有し、
    前記発光素子は、前記支持基板側に第１の電極と、前記第１の電極と重なる第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間にＥＬ層と、を備える、請求項１記載の発光装置。
  4. 前記定電流電源が、直流電流を供給するＡＣＤＣコンバータと、
    前記直流電流が供給され、定電流を供給することができるＤＣＤＣコンバータと、を有する、請求項１または請求項２のいずれか一に記載の発光装置。
  5. 第１の電圧を供給する電池と、
    前記第１の電圧が供給され、前記第１の電圧より高い第２の電圧を供給する第１のＤＣＤＣコンバータと、
    前記第２の電圧が供給されるコンデンサと、
    前記コンデンサから電力が供給され、定電流を供給することができる第２のＤＣＤＣコンバータと、を有する請求項１または請求項２のいずれか一に記載の発光装置。
  6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の発光装置を備えるカメラまたはデジタルスチルカメラ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102447A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Ｏｌｅｄ照明装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102625606B1 (ko) * 2013-05-21 2024-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 카메라
JP2015028918A (ja) 2013-06-27 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、カメラ
US9525811B2 (en) 2013-07-01 2016-12-20 Qualcomm Incorporated Display device configured as an illumination source
USD762640S1 (en) * 2013-08-20 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable information terminal
JP2015062173A (ja) 2013-08-20 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、カメラ
JP6473589B2 (ja) * 2013-09-19 2019-02-20 株式会社半導体エネルギー研究所 携帯情報端末
JP6562608B2 (ja) 2013-09-19 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器、及び電子機器の駆動方法
JP6479375B2 (ja) * 2013-09-19 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102358935B1 (ko) 2014-02-12 2022-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
US10516816B2 (en) * 2014-11-19 2019-12-24 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Enhanced information handling device cover
US10359689B2 (en) * 2015-05-29 2019-07-23 Everready Precision Ind. Corp. Flashlight device
KR20180077939A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
US10382660B2 (en) 2017-05-01 2019-08-13 Dell Products L. P. Using a light source to temporarily saturate a camera sensor of a camera connected to a computer
CN114253048A (zh) * 2017-07-21 2022-03-29 亮锐控股有限公司 控制分段闪光灯系统的方法
KR102441681B1 (ko) * 2017-12-05 2022-09-07 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법
WO2020053701A1 (ja) 2018-09-12 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11269911B1 (en) 2018-11-23 2022-03-08 Amazon Technologies, Inc. Using specified performance attributes to configure machine learning pipeline stages for an ETL job
US11657186B2 (en) 2021-08-03 2023-05-23 Dell Products, L.P. Privacy shield design and placement in an information handling system (IHS)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043558A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置
JP2006046947A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Shinshu Univ 環状発光装置
JP2012049276A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Panasonic Corp 部品実装用装置および撮像用の照明装置ならびに照明方法

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4860039A (en) * 1985-10-31 1989-08-22 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Photographic camera system and using thereof
US6688528B2 (en) * 1997-07-15 2004-02-10 Silverbrook Research Pty Ltd Compact display assembly
JP3576926B2 (ja) * 2000-05-25 2004-10-13 キヤノン株式会社 撮像装置
JP4288553B2 (ja) * 2000-07-25 2009-07-01 富士フイルム株式会社 カメラのストロボ装置
EP1315977B1 (en) 2000-08-02 2008-11-19 Seiko Epson Corporation Electronic apparatus and control method
US7430025B2 (en) 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
US20020034930A1 (en) 2000-09-11 2002-03-21 Shunpei Yamazaki Electronic device and method of usage thereof
JP2002335432A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd デジタルカメラ付液晶表示装置
JP4068929B2 (ja) * 2002-09-18 2008-03-26 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 ストロボ装置、及びそのストロボ装置を用いたカメラ
JP2004208228A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Olympus Corp デジタルカメラおよびデジタルカメラ用レンズ鏡筒ユニット
US20040212555A1 (en) * 2003-04-23 2004-10-28 Falco Mark A. Portable electronic device with integrated display and camera and method therefore
JP2004350208A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Tohoku Pioneer Corp カメラ付き電子機器
JP2005017349A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Kyocera Corp Ｌｅｄフラッシュ機能を有する携帯情報端末
JP4316960B2 (ja) 2003-08-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP4036168B2 (ja) * 2003-09-09 2008-01-23 株式会社日立製作所 携帯電話
JP2005108672A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Seiko Instruments Inc Ｅｌ素子およびこれを用いた表示機器
TWI267822B (en) * 2004-04-30 2006-12-01 Fuji Photo Film Co Ltd Organic electroluminescence device that can adjust chromaticity
JP2005333521A (ja) 2004-05-21 2005-12-02 Konica Minolta Holdings Inc 携帯端末
CN2710014Y (zh) * 2004-06-01 2005-07-13 张光永 无阴影照相机
JP2006005712A (ja) 2004-06-18 2006-01-05 Konica Minolta Holdings Inc 携帯端末
JP2006115474A (ja) 2004-09-14 2006-04-27 Konica Minolta Holdings Inc カメラ及びそのカメラを組み込んだ画像表示装置
JPWO2006030644A1 (ja) * 2004-09-14 2008-05-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 カメラ及びそのカメラを組み込んだ画像表示装置
US8319714B2 (en) 2004-12-22 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and method of operation thereof
US8550907B2 (en) 2005-03-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Game machine
JP2006313197A (ja) 2005-05-06 2006-11-16 Olympus Imaging Corp 携帯型撮像機器
JP2007163876A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Canon Inc 照明装置及び撮影装置
CN101366269B (zh) * 2006-01-20 2010-11-03 索尼爱立信移动通讯股份有限公司 用于电子器件的照相机
CN1808222A (zh) * 2006-01-27 2006-07-26 上海序参量科技发展有限公司 具有摄像功能的显示屏
JP2008072288A (ja) 2006-09-13 2008-03-27 Konica Minolta Holdings Inc 撮影装置
KR101174015B1 (ko) * 2006-09-14 2012-08-16 엘지전자 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조 방법
CN101191981A (zh) * 2006-11-22 2008-06-04 乐金电子（昆山）电脑有限公司 便携式通讯工具辅助照明的驱动方法
JP5135790B2 (ja) 2006-12-26 2013-02-06 ソニー株式会社 ピーク輝度レベル制御装置、自発光表示装置、電子機器、ピーク輝度レベル制御方法及びコンピュータプログラム
JP2008165108A (ja) * 2007-01-04 2008-07-17 Fuji Electric Holdings Co Ltd リブ機能を併せ持つカラーフィルタ基板、リブ機能を併せ持つ色変換フィルタ基板、および、これらを用いたカラー有機ｅｌ素子、並びに、これらの製造方法
JP2008257086A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
US8692930B2 (en) * 2007-08-20 2014-04-08 Matthew Rolston Photographer, Inc. Mobile device with operation for modifying visual perception
JP4548519B2 (ja) * 2007-10-16 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 光源装置
JP4893600B2 (ja) 2007-11-22 2012-03-07 パナソニック電工株式会社 面状発光型照明装置
JP2009295769A (ja) * 2008-06-05 2009-12-17 Nec Corp Ｌｅｄフラッシュ装置ならびに電子機器
JP2010004692A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Mitsumi Electric Co Ltd フラッシュ用電源装置
JP2010028366A (ja) * 2008-07-17 2010-02-04 Nikon Corp 電子カメラ、カメラシステム及び閃光装置
US20120169253A1 (en) * 2008-08-20 2012-07-05 Matthew Rolston Photographer, Inc. Modifying visual perception
TWI408643B (zh) * 2008-09-18 2013-09-11 Richtek Technology Corp Ｌｅｄ顯示系統及其控制方法以及該ｌｅｄ顯示系統的驅動器及其控制方法
CN201269941Y (zh) * 2008-09-26 2009-07-08 华晶科技股份有限公司 具闪光灯的镜头环结构
CN101765264B (zh) 2008-12-24 2013-08-28 联咏科技股份有限公司 发光二极管光源驱动电路与其自动亮度补偿方法
CN201383066Y (zh) * 2009-03-25 2010-01-13 郑娟 照相机闪光灯环形转换装置
US8911653B2 (en) * 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP5293497B2 (ja) 2009-08-18 2013-09-18 ソニー株式会社 表示装置
CN101695463B (zh) 2009-10-24 2011-09-28 黄维克 具有视觉训练功能的镜架
CN102668096B (zh) 2009-10-30 2015-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8963442B2 (en) * 2009-11-04 2015-02-24 International Rectifier Corporation Driver circuit with an increased power factor
JP2011147075A (ja) 2010-01-18 2011-07-28 Nikon Corp カメラの表示装置
US20110241558A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device and Driving Method Thereof
JP5678487B2 (ja) 2010-04-09 2015-03-04 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置
CN201788345U (zh) * 2010-07-14 2011-04-06 承奕科技股份有限公司 具有环型光源装置的相机
KR101643617B1 (ko) * 2010-07-28 2016-08-10 삼성전자주식회사 디지털 촬영 장치 및 그의 슬립 모드 제어 방법
US9013613B2 (en) * 2010-09-21 2015-04-21 Sony Corporation Sensor-equipped display apparatus and electronic apparatus
US9143668B2 (en) * 2010-10-29 2015-09-22 Apple Inc. Camera lens structures and display structures for electronic devices
JP2012129478A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Toshiba Lighting & Technology Corp Ｅｌモジュールおよび照明装置
JP5819069B2 (ja) * 2011-01-20 2015-11-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置
JP5825505B2 (ja) 2011-02-02 2015-12-02 ソニー株式会社 制御装置、表示制御方法、およびプログラム
US9035337B2 (en) * 2011-02-14 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and lighting device
JP5445599B2 (ja) 2011-03-23 2014-03-19 株式会社デンソー 車両用装置、および機器連携システム
JP5692332B2 (ja) 2011-03-23 2015-04-01 株式会社デンソー 車両用装置、および機器連携システム
JP2013061436A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Lenovo Singapore Pte Ltd 液晶シャッタを備える電子機器
JP2013070271A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Fujitsu Ltd 電子機器
JP5674701B2 (ja) 2012-03-22 2015-02-25 株式会社東芝 情報処理端末装置
CN202634506U (zh) * 2012-04-11 2012-12-26 上海昌域投资管理有限公司 手机oled环形闪光灯
US8823611B2 (en) 2012-06-07 2014-09-02 Golconda Holdings, Llc Portable frame-less reversible luminous suction cup display
KR102405992B1 (ko) * 2013-04-24 2022-06-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102625606B1 (ko) * 2013-05-21 2024-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 카메라

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043558A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置
JP2006046947A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Shinshu Univ 環状発光装置
JP2012049276A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Panasonic Corp 部品実装用装置および撮像用の照明装置ならびに照明方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019102447A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Ｏｌｅｄ照明装置
US10770674B2 (en) 2017-11-28 2020-09-08 Lg Display Co., Ltd. OLED lighting apparatus

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