JP2015005610A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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【課題】光を透過し難いウェーハであっても、ウェーハを裏面側から表面の分割予定ラインに沿って精度よく加工すること。
【解決手段】デバイス(D)が形成されたウェーハ(W)の表面(81)に保護テープ(T)を貼着して、ウェーハの裏面(82)側から加工するウェーハの加工方法が、保護テープを介してウェーハの表面の分割予定ライン(83)を検出し、分割予定ラインに平行な直線上においてウェーハを挟んで対向する位置にアライメントマーク(M)を形成する工程と、アライメントマークを検出し、アライメントマークを基準にして分割予定ラインに沿ってウェーハを裏面側から加工する工程とを有する。
【選択図】図3

Description

本発明は、分割予定ラインが表面に形成されたウェーハを裏面側から切削するウェーハの加工方法に関する。
切削水によるデバイスの汚染を防止するために、デバイスが形成されたウェーハの表面に保護テープを貼着して、ウェーハの裏面側から切削するウェーハの加工方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載のウェーハの加工方法では、ウェーハを透過する波長の光(シリコンウェーハの場合には赤外光)がウェーハの裏面側から照射され、ウェーハの表面側に位置する分割予定ラインが検出される。この分割予定ラインの検出結果に基づいてウェーハの裏面側から切削ブレードによって切り込まれることで、ウェーハが分割予定ラインに沿って切削される。
特開平07−075955号公報
しかしながら、ドープ量が高いウェーハや厚みが大きなウェーハ等のように光を透過し難いウェーハの場合には、ウェーハの裏面側から表面側の分割予定ラインを高精度に検出することが困難な場合がある。よって、光を透過し難いウェーハについては、表面側の分割予定ラインを基準に裏面側から精度よく加工することができないとう問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、光を透過し難いウェーハを裏面側から加工する場合であっても、ウェーハの表面の分割予定ラインに沿って加工することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
本発明のウェーハの加工方法は、表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面を、環状に形成された支持フレームの内側開口部を覆うように装着された保護テープの貼着面に貼着する貼着工程と、貼着工程を実施した後に、ウェーハが貼着された該貼着面と反対の該保護テープの裏面側からマーキング装置の撮像手段で該保護テープを透過してウェーハの表面の該分割予定ラインを検出し、ウェーハを囲繞する該保護テープの裏面で且つ該分割予定ラインに対応した位置に該マーキング装置のマーキング手段により複数のアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、該アライメントマーク形成工程を実施した後に、該保護テープの裏面側を加工装置のチャックテーブルに保持し、該アライメントマークを該加工装置の検出手段で検出するアライメントマーク検出工程と、該アライメントマーク検出工程で検出した該アライメントマークの位置を基準にウェーハを該裏面側から加工手段により該分割予定ラインに沿って複数のデバイスに分割する分割工程と、を備える。
この構成によれば、保護テープの裏面のウェーハを囲繞する領域で、且つ分割予定ラインに対応した位置にアライメントマークが形成される。よって、光を透過し難いウェーハであっても、ウェーハを透過させて直に分割予定ラインを検出することなく、保護テープのアライメントマークの位置を基準に分割予定ラインの位置を特定できる。よって、ドープ量が高いウェーハや厚みの大きなウェーハ等を裏面側から加工する際に、ウェーハの表面の分割予定ラインに沿ってウェーハを個々のデバイスに精度よく分割することができる。
本発明によれば、保護テープの裏面のウェーハを囲繞する領域において、分割予定ラインに対応した位置にアライメントマークを形成することで、光を透過し難いウェーハであっても、裏面側から表面の分割予定ラインに沿って精度よく加工することができる。
本実施の形態に係る切削装置の斜視図である。 本実施の形態に係る貼着工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係るアライメントマーク形成工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係るアライメントマーク検出工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係る分割工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係るアライメントマーク形成工程の他の一例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。図1は、本実施の形態に係る切削装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置は、図1に示す構成に限定されない。また、以下の説明では、加工装置として切削装置を例示して説明するが、この構成に限定されない。加工装置は、ウェーハを分割予定ラインに沿って加工可能であれば、どのような加工装置でもよい。
図1に示すように、切削装置1は、切削水によるデバイスDの汚染を防止するために、デバイスDが形成されたウェーハWの表面81(図2参照)に保護テープTを貼着して、ウェーハWの裏面82側から切削するように構成されている。ウェーハWは略円板状に形成されており、表面が格子状の分割予定ライン83(図2参照)によって複数の領域に区画されている。格子状の分割予定ライン83に区画された各領域には、各種デバイスDが形成されている。ウェーハWの表面81にはデバイスDを保護する保護テープTが貼着されており、この保護テープTの外周には環状の支持フレームFが貼着されている。
このように、ウェーハWは、表面のデバイスDが保護テープTにカバーされ、保護テープTを介して支持フレームFに支持された状態で切削装置1に搬入される。なお、ウェーハWは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にIC、LSI等のデバイスが形成された半導体ウェーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にLED等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハでもよい。また、保護テープTは、撮像手段8によって透過されて、ウェーハWの表面81の分割予定ライン83を検出可能であれば、どのように形成されてもよい。
切削装置1の基台2上には、チャックテーブル3をX軸方向に移動するチャックテーブル移動機構4が設けられている。チャックテーブル移動機構4は、基台2上に配置されたX軸方向に平行な一対のガイドレール41と、一対のガイドレール41にスライド可能に設置されたモータ駆動のX軸テーブル42とを有している。X軸テーブル42の上部には、チャックテーブル3が設けられている。また、X軸テーブル42の背面側には、図示しないナット部が形成され、このナット部にボールネジ43が螺合されている。そして、ボールネジ43の一端部に連結された駆動モータ44が回転駆動されることで、チャックテーブル3がガイドレール41に沿ってX軸方向に移動される。
チャックテーブル3は、円板状に形成されており、θテーブル45を介してX軸テーブル42の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル3の上面には、ポーラスセラミックス材により保持面31が形成されている。保持面31は、チャックテーブル3内の流路を通じて吸引源(不図示)に接続されており、保持面31上に生じる負圧によってウェーハWが吸着保持される。チャックテーブル3の周囲には、一対の支持アームを介して4つのクランプ部32が設けられている。各クランプ部32がエアアクチュエータにより駆動されることで、ウェーハWの周囲の支持フレームFが四方から挟持固定される。
切削装置1の基台2上には、ブレードユニット5をチャックテーブル3の上方でY軸方向及びZ軸方向に移動するブレードユニット移動機構6が設けられている。ブレードユニット移動機構6は、基台2上に配置されたY軸方向に平行な一対のガイドレール61と、一対のガイドレール61にスライド可能に設置されたモータ駆動のY軸テーブル62とを有している。Y軸テーブル62は上面視矩形状に形成されており、そのX軸方向における一端部には側壁部63が立設している。
また、ブレードユニット移動機構6は、側壁部63の壁面に設置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール64(1つのみ図示)と、一対のガイドレール64にスライド可能に設置されたZ軸テーブル65とを有している。Z軸テーブル65には、チャックテーブル3に向ってY軸方向に延在するスピンドルユニット7が片持で支持されている。また、Y軸テーブル62、Z軸テーブル65の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ66、67が螺合されている。そして、ボールネジ66、67の一端部に連結された駆動モータ68、69が回転駆動されることで、ブレードユニット5がガイドレール61、64に沿ってY軸方向及びZ軸方向に移動される。
ブレードユニット5の切削ブレード51は、スピンドルユニット7のスピンドル軸(不図示)の先端に設けられている。切削ブレード51は、ダイアモンド砥粒をレジンボンドで固めて円形にしたレジンブレードで構成されている。切削ブレード51はブレードカバー52によって周囲が覆われており、ブレードカバー52には切削部分に向けて切削水を噴射する噴射ノズル53が設けられている。ブレードユニット5は、切削ブレード51を高速回転させ、複数の噴射ノズル53から切削部分に切削水を噴射しつつウェーハWを切削加工する。
スピンドルユニット7には、ブレードユニット5にX軸方向で隣り合うように、アライメント用の撮像手段8とレーザーマーカー等のマーキング手段9が設けられている。本実施の形態に係る切削装置1では、切削による分割工程だけでなく、撮像手段8とマーキング手段9を用いて後述するアライメントマーク形成工程が実施される。切削加工時には、アライメントマークM(図4参照)が撮像手段8によって撮像され、撮像画像に含まれるアライメントマークMの検出によってアライメント処理が実施される。なお、アライメントマーク形成工程の詳細については後述する。
このように構成された切削装置1では、貼着工程後の保護テープT付きのウェーハWが搬入されて、アライメントマーク形成工程、アライメントマーク検出工程、分割工程が実施される。貼着工程では、保護テープTの貼着面86にウェーハWの表面81が貼着され、ウェーハWの表面81のデバイスDが保護テープTによってカバーされる(図2参照)。保護テープTが貼着されたウェーハWは、保護テープTを上方に向けた状態で切削装置1に搬入される。
アライメントマーク形成工程では、保護テープTの裏面87のウェーハWの外側で分割予定ライン83に対応した位置にアライメントマークMが形成される(図3参照)。アライメントマーク検出工程では、ウェーハWが上下反転されて、保護テープTの貼着面86側からアライメントマークMが検出される(図4参照)。分割工程では、アライメントマークMの位置を基準にウェーハWが裏面82側から加工され、ウェーハWが分割予定ライン83に沿って複数のデバイスに分割される(図5参照)。このような一連の工程により、光を透過し難いウェーハWであっても、ウェーハWの裏面82側から分割予定ライン83に沿って分割することが可能になっている。
以下、図2から図5を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳細に説明する。図2は貼着工程、図3はアライメントマーク形成工程、図4はアライメントマーク検出工程、図5は分割工程のそれぞれ一例を示す図である。
図2に示すように、先ず貼着工程が実施される。貼着工程では、環状の支持フレームFの内側開口部を覆うように保護テープTが装着され、保護テープTの貼着面86にウェーハWの表面81が貼着される。保護テープTの貼着により、ウェーハWの裏面82が露出されると共に、ウェーハWの表面81のデバイスDが保護テープTによって保護される。保護テープTにより、後工程の切削加工時に切削水によるデバイスDの汚染が防止される。なお、貼着工程は、オペレータによる手作業で実施されてもよいし、不図示の貼着装置によって行われてもよい。保護テープTの貼着後のウェーハWは切削装置1に搬入される。
図3に示すように、貼着工程が実施された後には、アライメントマーク形成工程が実施される。アライメントマーク形成工程では、図3Aに示すように、保護テープTが貼着されていないウェーハWの裏面82がチャックテーブル3に保持され、ウェーハWの周囲の支持フレームFがクランプ部32に保持される。すなわち、保護テープTの貼着面86が下方に向けられて、貼着面86の反対の保護テープTの裏面87が上方に向けられる。そして、保護テープTの裏面87側から撮像手段8で保護テープTを透過させてウェーハWの表面81が撮像され、ウェーハWの表面81の分割予定ライン83(図3B参照)が検出される。
分割予定ライン83が検出されると、マーキング手段9の射出口がウェーハWを囲繞する保護テープTの裏面87で且つ分割予定ライン83に対応した位置に位置付けられる。そして、マーキング手段9の射出口によって保護テープTにレーザー光線が照射され、保護テープTの裏面87に複数(本実施の形態では4つ)のアライメントマークMが形成される(図3B参照)。本実施の形態では、アライメントマークMは、直交する一対の分割予定ライン83の延長上において、それぞれウェーハWを挟んだ対向位置に形成される。このため、ウェーハWを挟んで対向するアライメントマークMを結ぶと、直交する一対の分割予定ライン83に対して平行な直線L1、L2が形成される。
このように、分割予定ライン83に対応した位置にアライメントマークMが形成されることで、ウェーハWの裏面82側からでもアライメントマークMを基準に分割予定ライン83を特定することが可能になっている。なお、分割予定ライン83に対応した位置とは、分割予定ライン83の延長上に限定されず、分割予定ライン83に対して平行な直線上の位置であればよい。また、複数のアライメントマークMは、一方向の分割予定ライン83を特定可能であればよく、分割予定ライン83に平行な直線上に少なくとも2箇所にアライメントマークMが形成されていればよい。さらに、アライメントマークMは、分割予定ライン83を検出可能であればよく、レーザーダイシングによる保護テープTの裏面87の除去、変質、変色等で形成される。
図4に示すように、アライメントマーク形成工程が実施された後には、アライメントマーク検出工程が実施される。アライメントマーク検出工程では、保護テープTを介してチャックテーブル3にウェーハWが保持され、ウェーハWの周囲の支持フレームFがクランプ部32に保持される。すなわち、アライメントマーク形成工程の場合とは上下逆向きの状態でウェーハWがチャックテーブル3に保持される。そして、撮像手段8で保護テープTの貼着面86が撮像され、保護テープTの裏面87に形成された複数のアライメントマークMが検出される。なお、アライメントマーク検出工程におけるウェーハWの上下反転作業は、専用の機構によって実施されてもよいし、オペレータの手作業によって実施されてもよい。
図5に示すように、アライメントマーク検出工程が実施された後には、分割工程が実施される。分割工程では、図5Aに示すように、複数のアライメントマークMを基準として分割予定ライン83が特定される。すなわち、複数のアライメントマークMのうち直線L1を形成するアライメントマークMの位置に基づいて、直交する一対の分割予定ライン83のうち一方の分割予定ライン83の延在方向が特定される。この直線L1がX軸方向と平行になるようにチャックテーブル3の向きが調整され、高速回転した切削ブレード51が一方向の分割予定ライン83の上方に位置合わせされる。
そして、噴射ノズル53(図1参照)から切削水が噴射されながら、ウェーハWが切削ブレード51に切り込まれる。切削ブレード51によってウェーハWが保護テープTに達するまで切り込まれると、切削ブレード51に対してチャックテーブル3(図1参照)がX軸方向に切削送りされる。このとき、ウェーハWの表面81(図2参照)には、保護テープTが貼着されているので、切削水による汚染が防止される。一本の分割予定ライン83が切削されると、隣接する分割予定ライン83に切削ブレード51が位置合わせされて切削される。この動作が繰り返されてウェーハWが一方向の全ての分割予定ライン83に沿って切削される。
ウェーハWが一方向の全ての分割予定ライン83に沿って切削されると、図5Bに示すように、チャックテーブル3(図1参照)が90度回転される。この場合、複数のアライメントマークMのうち直線L2を形成するアライメントマークMの位置に基づいて、直交する一対の分割予定ライン83のうち他方向の分割予定ライン83の延在方向が特定される。この直線L2がX軸方向と平行になるようにチャックテーブル3の向きが調整されると共に、高速回転した切削ブレード51が他方向の分割予定ライン83の上方に位置合わせされる。
そして、噴射ノズル53(図1参照)から切削水が噴射されながら、他方向の分割予定ライン83に沿ってウェーハWが切削される。ウェーハWが他方向の全ての分割予定ライン83に沿って切削されることで、ウェーハWが複数のデバイスDに分割される。このようにして、ウェーハWの裏面82側から分割予定ライン83の位置を直接検出できない場合であっても、保護テープT上のアライメントマークMを基準にしてウェーハWの裏面82側から分割予定ライン83に沿って切削することが可能になっている。
以上のように、本実施の形態に係るウェーハWの加工方法によれば、保護テープTの裏面87のウェーハWを囲繞する領域で、且つ分割予定ライン83に対応した位置にアライメントマークMが形成される。よって、光を透過し難いウェーハWであっても、ウェーハWを透過させて直に分割予定ライン83を検出することなく、保護テープTのアライメントマークMの位置を基準に分割予定ライン83の位置を特定できる。よって、ドープ量が高いウェーハや厚みの大きなウェーハWを裏面82側から加工する際に、ウェーハWの表面81の分割予定ライン83に沿ってウェーハWを個々のデバイスDに分割することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記した実施の形態では、アライメントマーク形成工程においてレーザーマーキングによって保護テープTの裏面87にアライメントマークMを形成する構成としたが、この構成に限定されない。アライメントマーク形成工程は、保護テープTの裏面87にアライメントマークMを形成可能であればよく、図6の変形例に示すように、切削加工によってアライメントマークMを形成してもよい。具体的には、保護テープTの裏面87のウェーハWの切り込みエッジ近傍が切削ブレード51(図1参照)によってハーフカットされることで、アライメントマークとしての切削溝89が形成される。
この場合、切削溝89は、分割予定ライン83に対して平行に数mm(例えば、2〜3mm)ずらして形成される。これにより、分割工程において、ウェーハWが切削ブレード51によって保護テープTに達するまで切り込まれても、保護テープTがフルカットされることが防止される。この場合、切削ブレード51がマーキング手段9(図1参照)として機能するため、切削装置1にマーキング手段9を設ける必要がない。
また、本実施の形態においては、切削装置1の撮像手段8によって、アライメントマーク形成工程で分割予定ライン83を検出し、アライメントマーク検出工程でアライメントマークMを検出する構成としたが、この構成に限定されない。切削装置1は、アライメントマーク形成工程用の撮像手段と、アライメントマーク検出工程用の撮像手段とを個別に備える構成としてもよい。
また、本実施の形態においては、切削装置1が加工装置としてだけではなく、マーキング装置として機能する構成としたが、この構成に限定されない。アライメントマーク形成工程は、専用のマーキング装置で実施されてもよい。この場合、マーキング装置の撮像手段によって保護テープTを介してウェーハWの分割予定ライン83が検出され、マーキング装置のマーキング手段によって保護テープTの裏面87にアライメントマークMが形成される。したがって、切削装置1にマーキング手段9を設ける必要がない。
また、本実施の形態及び変形例においては、レーザーマーキング又は切削加工によりアライメントマークMが形成される構成としたが、この構成に限定されない。アライメントマークMは、分割予定ライン83の位置を特定可能であれば、どのような手段で形成されてもよい。例えば、保護テープTの裏面87の一部が着色されることでアライメントマークMが形成されてもよい。
また、本実施の形態及び変形例においては、切削加工によってウェーハWを分割する構成について説明したが、この構成に限定されない。ウェーハWを裏面82側から表面81の分割予定ライン83に沿って分割する構成であればよく、例えば、レーザー加工によりウェーハWを分割する構成でもよい。
また、本実施の形態では、アライメントマーク形成工程、アライメントマーク検出工程、分割工程が同一の加工装置で実施されたが、貼着工程も同一の加工装置で実施されてもよい。また、一部の工程または各工程が、異なる加工装置で実施されてもよい。
以上説明したように、本発明は、光を透過し難いウェーハであっても、裏面側から表面の分割予定ラインに沿って精度よく加工することができるという効果を有し、特に、ドープ量が高いウェーハや厚みの大きなウェーハを裏面側から切削するウェーハの加工方法に有用である。
1 切削装置(加工装置)
3 チャックテーブル
5 ブレードユニット(加工手段)
8 撮像手段(検出手段)
9 マーキング手段
81 ウェーハの表面
82 ウェーハの裏面
83 分割予定ライン
86 保護テープの貼着面
87 保護テープの裏面
89 切削溝(アライメントマーク)
D デバイス
F 支持フレーム
M アライメントマーク
T 保護テープ
W ウェーハ

Claims (1)

  1. 表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
    ウェーハの表面を、環状に形成された支持フレームの内側開口部を覆うように装着された保護テープの貼着面に貼着する貼着工程と、
    貼着工程を実施した後に、ウェーハが貼着された該貼着面と反対の該保護テープの裏面側からマーキング装置の撮像手段で該保護テープを透過してウェーハの表面の該分割予定ラインを検出し、ウェーハを囲繞する該保護テープの裏面で且つ該分割予定ラインに対応した位置に該マーキング装置のマーキング手段により複数のアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
    該アライメントマーク形成工程を実施した後に、該保護テープの裏面側を加工装置のチャックテーブルに保持し、該アライメントマークを該加工装置の検出手段で検出するアライメントマーク検出工程と、
    該アライメントマーク検出工程で検出した該アライメントマークの位置を基準にウェーハを該裏面側から加工手段により該分割予定ラインに沿って複数のデバイスに分割する分割工程と、
    を備えるウェーハの加工方法。
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