JP2015005610A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015005610A JP2015005610A JP2013129849A JP2013129849A JP2015005610A JP 2015005610 A JP2015005610 A JP 2015005610A JP 2013129849 A JP2013129849 A JP 2013129849A JP 2013129849 A JP2013129849 A JP 2013129849A JP 2015005610 A JP2015005610 A JP 2015005610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- alignment mark
- protective tape
- division
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】デバイス(D)が形成されたウェーハ(W)の表面(81)に保護テープ(T)を貼着して、ウェーハの裏面(82)側から加工するウェーハの加工方法が、保護テープを介してウェーハの表面の分割予定ライン(83)を検出し、分割予定ラインに平行な直線上においてウェーハを挟んで対向する位置にアライメントマーク(M)を形成する工程と、アライメントマークを検出し、アライメントマークを基準にして分割予定ラインに沿ってウェーハを裏面側から加工する工程とを有する。
【選択図】図3
Description
3 チャックテーブル
5 ブレードユニット(加工手段)
8 撮像手段(検出手段)
9 マーキング手段
81 ウェーハの表面
82 ウェーハの裏面
83 分割予定ライン
86 保護テープの貼着面
87 保護テープの裏面
89 切削溝(アライメントマーク)
D デバイス
F 支持フレーム
M アライメントマーク
T 保護テープ
W ウェーハ
Claims (1)
- 表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面を、環状に形成された支持フレームの内側開口部を覆うように装着された保護テープの貼着面に貼着する貼着工程と、
貼着工程を実施した後に、ウェーハが貼着された該貼着面と反対の該保護テープの裏面側からマーキング装置の撮像手段で該保護テープを透過してウェーハの表面の該分割予定ラインを検出し、ウェーハを囲繞する該保護テープの裏面で且つ該分割予定ラインに対応した位置に該マーキング装置のマーキング手段により複数のアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
該アライメントマーク形成工程を実施した後に、該保護テープの裏面側を加工装置のチャックテーブルに保持し、該アライメントマークを該加工装置の検出手段で検出するアライメントマーク検出工程と、
該アライメントマーク検出工程で検出した該アライメントマークの位置を基準にウェーハを該裏面側から加工手段により該分割予定ラインに沿って複数のデバイスに分割する分割工程と、
を備えるウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013129849A JP6220165B2 (ja) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013129849A JP6220165B2 (ja) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015005610A true JP2015005610A (ja) | 2015-01-08 |
JP6220165B2 JP6220165B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=52301281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013129849A Active JP6220165B2 (ja) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6220165B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110010446A (zh) * | 2018-01-05 | 2019-07-12 | 株式会社迪思科 | 加工方法 |
KR20200115323A (ko) * | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307488A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | 半導体装置、その製造方法、加工ガイドおよびその加工装置 |
JP2008109026A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハおよび該半導体ウエーハの製造方法 |
JP2009158648A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
-
2013
- 2013-06-20 JP JP2013129849A patent/JP6220165B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307488A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | 半導体装置、その製造方法、加工ガイドおよびその加工装置 |
JP2008109026A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハおよび該半導体ウエーハの製造方法 |
JP2009158648A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110010446A (zh) * | 2018-01-05 | 2019-07-12 | 株式会社迪思科 | 加工方法 |
JP2019121686A (ja) * | 2018-01-05 | 2019-07-22 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN110010446B (zh) * | 2018-01-05 | 2024-02-20 | 株式会社迪思科 | 加工方法 |
JP2021177572A (ja) * | 2019-03-29 | 2021-11-11 | 株式会社ディスコ | 基板処理方法 |
CN111755385A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 株式会社迪思科 | 基板处理方法 |
KR20210133917A (ko) * | 2019-03-29 | 2021-11-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
JP2020167413A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社ディスコ | 基板処理方法 |
KR102392428B1 (ko) * | 2019-03-29 | 2022-05-02 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
JP7095012B2 (ja) | 2019-03-29 | 2022-07-04 | 株式会社ディスコ | 基板処理方法 |
US11424161B2 (en) | 2019-03-29 | 2022-08-23 | Disco Corporation | Substrate processing method |
KR102450755B1 (ko) | 2019-03-29 | 2022-10-04 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
JP7176058B2 (ja) | 2019-03-29 | 2022-11-21 | 株式会社ディスコ | 基板処理方法 |
DE102019204457B4 (de) | 2019-03-29 | 2024-01-25 | Disco Corporation | Substratbearbeitungsverfahren |
KR20200115323A (ko) * | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 기판 처리 방법 |
CN111755385B (zh) * | 2019-03-29 | 2024-04-16 | 株式会社迪思科 | 基板处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6220165B2 (ja) | 2017-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI641036B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
TWI677039B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
US20190035689A1 (en) | Wafer processing method | |
JP4874602B2 (ja) | ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ | |
KR20160013812A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP5881464B2 (ja) | ウェーハのレーザー加工方法 | |
JP2017195219A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR102338625B1 (ko) | 레이저 가공 장치 | |
US20110124181A1 (en) | Workpiece cutting method | |
JP2013184189A (ja) | レーザー加工装置 | |
KR102084269B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법 | |
JP2013115187A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20160075326A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6576267B2 (ja) | パッケージウェーハのアライメント方法 | |
JP6220165B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2016198874A (ja) | チャックテーブルの洗浄方法 | |
JP2009130315A (ja) | ウエーハの切削方法 | |
TW202129746A (zh) | 切割裝置以及切割方法 | |
KR101739975B1 (ko) | 웨이퍼 지지 플레이트 및 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법 | |
JP5991890B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2018192603A (ja) | 切削装置の切削ブレード検出機構 | |
JP2015076561A (ja) | 円形板状物の分割方法 | |
TWI711078B (zh) | 封裝晶圓的對準方法 | |
JP2007059802A (ja) | ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ | |
TW201347019A (zh) | 藍寶石晶圓之加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170321 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6220165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |