KR20210133917A - 기판 처리 방법 - Google Patents

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KR20210133917A
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칼 하인즈 프리바서
차니미르 알가이로프
야스요시 유비라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 적어도 하나의 분할 라인(12)이 형성된 제 1 표면(4) 및 이 제 1 표면(4)의 반대측의 제 2 표면(6)을 갖는 기판(2)을 처리하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 제 1 표면(4)에 보호 시트(30)를 부착하는 단계 그리고 보호 시트(30)에 복수 개의 정렬 표식(16)을 형성하도록 보호 시트(30)에 레이저 빔(LB)을 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한, 제 2 표면(6) 상에 후면 층(14)을 구비한 이러한 기판(2)을 처리하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 제 1 표면(4)측으로부터 기판(2)에 레이저 빔(LB)을 인가하는 단계를 포함한다. 기판(2)은 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성되며, 후면 층(14)에 및/또는 후면 층(14)이 존재하지 않는 제 2 표면(6)의 일 영역에 복수 개의 정렬 표식(16)을 형성하도록, 레이저 빔(LB)의 초점이 제 1 표면(4)보다 상기 제 2 표면(6)에 더 가까운 기판(2) 내부의 일 위치에 위치하는 조건 하에서 레이저 빔(LB)이 기판(2)에 인가된다. 본 발명의 방법은 기판 재료 제거 수단(26)을 사용하여 제 2 표면(6)측으로부터 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 기판 재료를 제거하는 단계를 추가로 포함하며, 정렬 표식(16)은 적어도 하나의 분할 라인(12)에 대해 기판 재료 제거 수단(26)을 정렬하기 위해 사용된다.

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 적어도 하나의 분할 라인이 형성된 제 1 표면 및 이 제 1 표면 반대측의 제 2 표면을 갖는 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
웨이퍼, 예를 들어, 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에는, 기판의 전방 표면 상에 소자 영역을 제공함으로써, 집적 회로(IC), 대규모 집적 회로(LSI) 및 발광 다이오드(LED)와 같은 소자가 형성된다. 기판은, 예를 들어, 탄화 규소(SiC), 질화 갈륨(GaN), 갈륨 비소(GaAs), 규소(Si) 등으로 형성된 웨이퍼일 수도 있다. 소자는, 예를 들어, 전력 절감 제품용으로 설계된 전력 반도체용의 반도체 소자일 수도 있다.
반도체 소자 제조 공정에서는, 복수 개의 분할 라인("스트리트(street)"라고도 지칭함)으로 구획된 복수 개의 소자가 마련된 소자 영역을 구비한 웨이퍼가 개별 다이(die)로 분할된다. 이러한 제조 공정은 일반적으로, 개별 다이를 획득하기 위해 분할 라인을 따라 웨이퍼를 절단하는 절단 단계를 포함한다. 웨이퍼는 그 전면 또는 후면에서부터 분할 라인을 따라 절단될 수도 있다.
광학 소자 제조 공정에서는, 사파이어 기판, 탄화 규소 기판 또는 질화 갈륨 기판과 같은 단결정 기판의 전면 상에, 예를 들어, n-형 질화물 반도체 층 및 p-형 질화물 반도체 층으로 구성된 광학 소자 층이 형성된다. 광학 소자 층은, 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드와 같은 광학 소자가 각각 형성되는 별개의 영역을 획정하기 위해 분할 라인에 의해 구획된다. 단결정 기판의 전면 상에 이러한 광학 소자 층을 제공함으로써, 광학 소자 웨이퍼가 형성된다. 광학 소자가 형성되는 별개의 영역을 분할하도록 광학 소자 웨이퍼가 분할 라인을 따라, 예를 들어, 절단되는 방식으로 분리됨으로써, 칩(chip) 또는 다이(die)와 같은 개별 광학 소자가 획득된다.
이와 같이 기판을 분할하는 일 방법으로서, 당 업계에서는 통상적으로, 기판이, 예를 들어, 블레이드 다이싱(blade dicing) 또는 레이저 절단(laser cutting)에 의해 분할 라인이 형성되어 있는 그 전면에서부터 분할 라인을 따라 절단된다. 이러한 방식으로, 기판을 절단하기 위한 절단 수단을 절단될 분할 라인에 대해 상당히 용이하게 정렬할 수 있다. 그러나, 기판의 전면 상에는 소자 영역도 형성되어 있기 때문에, 소자의 품질이 절단 공정으로 인해 영향을 받을 수도 있다. 특히, 전면 및/또는 후면의 칩핑(chipping)(모서리가 떨어져 나가는 현상) 및 결과물인 칩 또는 다이의 다이 강도 저하와 같은 문제가 자주 발생한다.
이러한 문제를 방지하기 위해, 기판을 그 후면에서부터 분할 라인을 따라 절단하는 방법이 제안되어 왔다. 그러나, 이러한 접근법에 의하면, 절단 수단을 절단될 분할 라인에 대해 정렬하기가 상당히 더 어려워 정렬 정확도가 상당히 감소된다. 이러한 정렬 정확도 감소를 일반적으로, 절단 수단의 위치 설정 공차를 증가시키도록 분할 라인을 더 넓게 만드는 방식으로 보상하여야 한다. 그러나, 이와 같이 분할 라인을 넓게 만들게 되면 기판 상에 수용될 수 있는 소자의 개수가 감소되며, 이에 따라 생산 효율에 영향을 미쳐 기판 재료의 낭비를 초래하게 된다. 이러한 문제는 특히, SiC 및 GaAs와 같은 고가의 기판 재료가 사용되는 경우 두드러지게 나타난다.
전술한 바와 같은 문제는, 기판의 후면 상에 금속 층과 같은 후면 층이 존재하는 경우, 더 심각해진다. 일반적으로, 이러한 후면 층이 존재하게 되면 기판 후면에서 분할 라인을 검출하기가 훨씬 더 어려우며, 이에 따라, 절단 수단을 정렬하기가 훨씬 더 어렵다. 특히, 후면 층이 가시광 및/또는 적외선(IR)의 투과를 차단할 수도 있다. 예를 들어, 절단 수단을 분할 라인에 대해 정렬하기 위하여 두 개의 별개의 카메라가 전면과 후면으로부터 동시에 기판을 촬영하기 위해 사용되는 경우, 카메라를 서로 정확하게 동기화하기가 매우 어려워, 일반적으로, 정렬 정확도 불량이 초래된다.
그러므로, 기판이 정확하고 효율적인 방식으로 처리될 수 있도록 하는 기판 처리 방법이 필요한 실정이다.
이에 따라, 본 발명의 목적은 기판이 정확하고 효율적인 방식으로 처리될 수 있도록 하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다. 이러한 목적은 청구항 1의 기술적 특징을 갖는 기판 처리 방법에 의해 그리고 청구항 6의 기술적 특징을 갖는 기판 처리 방법에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예가 종속항으로부터 제공된다.
본 발명은 적어도 하나의 분할 라인이 형성된 제 1 표면 및 이 제 1 표면 반대측의 제 2 표면을 갖는 기판을 처리하기 위한 방법을 제공한다. 이러한 방법은 제 1 표면에 보호 시트를 부착하는 단계와, 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 보호 시트에 레이저 빔을 인가하는 단계, 그리고 기판 재료 제거 수단을 사용하여 제 2 표면측으로부터 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거하는 단계를 포함한다. 정렬 표식은 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬하기 위해 사용된다.
본 발명의 방법에서는, 기판 재료가 제 2 표면측으로부터 적어도 하나의 분할 라인을 따라 제거된다. 그러므로, 기판 재료 제거 공정에 의해 제 1 표면의 완전 무결성이 손상되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 특히, 복수 개의 소자가 마련된 소자 영역이 제 1 표면에 형성되면, 소자의 품질이 기판 재료의 제거에 의해 영향을 받을 수도 있는 위험성을 최소화할 수 있다. 전면 및/또는 후면의 칩핑 및 결과물인 칩 또는 다이의 다이 강도 저하와 같은 문제의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 레이저 빔이 보호 시트에 인가된다. 이러한 방식으로, 정렬 표식이 효율적인 방식으로 그리고 고도의 정확도로 형성될 수 있다.
이렇게 형성된 정렬 표식은 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 기판 재료 제거 수단이 적어도 하나의 분할 라인에 대해 증대된 정렬 정확도로 정렬될 수 있어, 기판 재료 제거 공정이 고도의 정밀도로 수행될 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 분할 라인의 폭이 감소될 수 있어, 제 1 기판 표면 상에 증가된 개수의 소자와 같은 구성 요소가 수용될 수 있게 된다. 이러한 방식으로, 생산 효율이 상당히 향상되며 기판 재료의 낭비가 방지된다. 이것은 특히, SiC 및 GaAs와 같은 고가의 기판 재료의 경우에 유리하다.
그러므로, 본 발명의 처리 방법에 의하면, 기판이 정확하고 효율적인 방식으로 처리될 수 있다.
보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 보호 시트에 인가되는 레이저 빔은 펄스 레이저 빔(pulsed laser beam)일 수도 있다. 펄스 레이저 빔은, 예를 들어, 1 fs 내지 300 ns의 범위의 펄스 폭을 가질 수도 있다.
레이저 빔은, 보호 시트를 제 1 표면에 부착한 후, 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 보호 시트에 인가될 수도 있다. 이러한 방식으로, 적어도 하나의 분할 라인에 대한 보호 시트의 정렬 표식의 위치 설정이 더욱 증대된 정확도로 수행될 수 있다.
레이저 빔은 기판의 제 1 표면측으로부터 보호 시트에 인가될 수도 있다.
정렬 표식의 형상 및 배열이 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 각각의 또는 일부 정렬 표식이 하나 이상의 도트(dot) 또는 하나 이상의 라인(line), 예를 들어, 곡선 및/또는 직선의 형태로 형성될 수도 있다.
기판의 제 1 표면 상에 복수 개의 분할 라인이 형성될 수도 있다. 상기 방법은 기판 재료 제거 수단을 사용하여 분할 라인 중 하나 이상, 바람직하게는 전부를 따라 기판 재료를 제거하는 단계를 포함할 수도 있다. 이 경우, 정렬 표식은 제거되는 기판 재료가 따르는 분할 라인(들)에 대해 기판 재료 제거 수단을 정렬하기 위해 사용된다.
기판의 제 1 표면 상에 복수 개의 소자가 마련된 소자 영역이 형성될 수도 있다. 소자는 적어도 하나의 분할 라인에 의해 구획될 수도 있다. 소자 영역은 전자 소자, 반도체 소자, 예를 들어, 전력 반도체 소자, 특히, 에너지 효율적인 전력 반도체 소자 등과 같은 소자를 포함할 수도 있다. 소자는, 예를 들어, SiC MOSFET와 같은 MOSFET 또는 절연-게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)와 같은 트랜지스터 또는 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diode)와 같은 다이오드이거나 이를 포함할 수도 있다.
보호 시트는 소자 영역에 형성된 소자를 덮도록 기판의 제 1 표면에 부착될 수도 있다. 이러한 보호 시트는 제 1 기판 표면, 특히, 소자 영역에 형성된 소자를, 예를 들어, 오염 및/또는 손상으로부터 보호할 수도 있다.
기판은, 예를 들어, 반도체, 유리, 사파이어(Al2O3), 알루미나 세라믹과 같은 세라믹, 석영, 지르코니아, 티탄산 지로코산 납(PZT), 폴리카보네이트, 광학 결정 재료 등으로 형성될 수도 있다. 이러한 기판은 반도체 웨이퍼와 같은 웨이퍼일 수도 있다.
특히, 기판은, 예를 들어, 탄화 규소(SiC), 규소(Si), 갈륨 비소(GaAs), 질화 갈륨(GaN), 갈륨 인(GaP), 비화 인듐(InAs), 인화 인듐(InP), 질화 규소(SiN), 탄탈산 리튬(LT), 니오브산 리튬(LN), 질화 알루미늄(AlN), 산화 규소(SiO2) 등으로 형성될 수도 있다. 특히 바람직하게는, 기판은 SiC로 형성된다.
기판은 단결정 기판, 유리 기판, 화합물 반도체 기판과 같은 화합물 기판, 예를 들어, SiC, GaAs 또는 GaN 기판, 또는 세라믹 기판과 같은 다결정 기판일 수도 있다.
적어도 하나의 분할 라인의 폭은 1 ㎛ 이하일 수도 있다. 적어도 하나의 분할 라인의 폭은 1 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위, 10 ㎛ 내지 100 ㎛의 범위, 또는 10 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위일 수도 있다.
보호 시트의 일부가 기판의 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장될 수도 있다. 기판의 측방향 또는 반경 방향은 기판의 두께 방향과 직교하는 방향이다. 기판의 두께 방향은 제 1 기판 표면으로부터 제 2 기판 표면을 향해 연장된다. 기판의 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분은 기판의 제 1 표면을 둘러싸고 있으며, 특히, 둘레 방향으로 둘러싸고 있을 수도 있다.
보호 시트의 상기 부분은 기판의 제 1 표면을, 예를 들어, 10 ㎛ 내지 1000 ㎛, 또는 1000 ㎛ 이상 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장될 수도 있다. 보호 시트의 상기 부분은 기판의 외부 가장자리를, 예를 들어, 10 ㎛ 내지 1000 ㎛, 또는 1000 ㎛ 이상 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장될 수도 있다.
정렬 표식 중 적어도 하나가, 바람직하게는 일부가, 또는 특히 바람직하게는 전부가 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분에 형성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 기판 재료 제거 수단이 특히 높은 정렬 정확도로 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬될 수 있어, 기판 재료 제거 공정이 특히 고도의 정밀도로 수행될 수 있다.
제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분은 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향하여 기판의 두께 방향을 따라 연장될 수도 있다. 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분은 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향해 기판의 두께의 10% 이상, 20% 이상, 30% 이상, 40% 이상, 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 또는 90% 이상을 따라 연장될 수도 있다. 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분은 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향해 실질적으로 기판의 전체 두께를 따라 연장될 수도 있다.
정렬 표식 중 적어도 하나가, 바람직하게는 일부가, 또는 특히 바람직하게는 전부가 제 1 표면보다 제 2 표면에 더 가까운 위치에서 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분에 형성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 기판 재료 제거 수단이 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬될 수 있도록 하는 정렬 정확도가 훨씬 더 증대될 수 있다.
정렬 표식 중 적어도 하나가, 바람직하게는 일부가, 또는 특히 바람직하게는 전부가, 일 위치에서, 즉, 기판 두께 방향으로 해당 위치와 제 2 표면 사이의 제 2 거리와 기판 두께 방향으로 해당 위치와 제 1 표면 사이의 제 1 거리의 비가 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하, 0.5 이하, 0.4 이하, 0.3 이하, 0.2 이하 또는 0.1 이하인 위치에서 제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되는 보호 시트의 부분에 형성될 수도 있다. 정렬 표식 중 적어도 하나가, 바람직하게는 일부가, 또는 특히 바람직하게는 전부가 적어도 실질적으로 기판의 제 2 표면에 배치되는 일 위치에 형성될 수도 있다.
후면 층이 기판의 제 2 표면 상에 형성될 수도 있다. 후면 층은 전도성 층일 수도 있다. 예를 들어, 후면 층은 금속 층일 수도 있다. 후면 층은 가시광 및/또는 적외선(IR)에 대해 적어도 실질적으로 불투명한 금속과 같은 재료로 형성될 수도 있다.
본 발명의 방법에서는, 보호 시트에 형성된 정렬 표식이 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 정렬 공정이 후면 층의 존재로 인해 손상되지 않으며, 따라서, 고도의 정확도로 수행될 수 있다. 따라서, 상기 방법은 제 2 기판 표면 상에 금속 층과 같은 후면 층을 갖는 기판을 처리하기에 특히 유리하다.
금속 층과 같은 후면 층이 적어도 실질적으로 기판의 제 2 표면 전체를 덮을 수도 있다. 또한, 이 경우, 보호 시트의 정렬 표식을 사용하여 기판 시트 제거 수단은 적어도 하나의 분할 라인에 대해 확실하고 정확하게 정렬할 수 있다.
금속 층과 같은 후면 층이 기판의 제 2 표면의 일부만을 덮을 수도 있다. 특히, 후면 층이 제 2 표면의 중앙 부분에만 제공될 수도 있다. 이 경우, 후면 층은 제 2 표면의 중앙 부분을 둘러싸고 있는, 즉, 둘레 방향으로 둘러싸고 있는 제 2 표면의 둘레 부분 또는 둘레 방향 부분에는 존재하지 않을 수도 있다. 제 2 표면의 둘레 부분 또는 둘레 방향 부분은 0.1 mm 내지 3 mm의 범위의 폭, 예를 들어, 링 폭을 가질 수도 있다. 후면 층은 제 1 표면 상에 형성된 소자 영역에 대응하는 제 2 표면의 영역에만 존재할 수도 있다.
기판은, 제 1 표면 상에, 소자를 포함하지 않으며 소자 영역의 주위에, 즉, 소자 영역을 둘러싸도록 형성되는 둘레 가장자리 영역을 구비할 수도 있다. 후면 층은 제 1 표면의 둘레 가장자리 영역에 대응하는 제 2 표면의 영역에 존재하지 않도록 배치될 수도 있다.
보호 시트는 보호 필름으로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다.
보호 필름은 보호 필름의 전체 전방 표면이 제 1 표면과 직접 접촉하도록 제 1 표면에 적용될 수도 있다. 이 경우, 보호 필름의 전방 표면과 제 1 표면 사이에는 재료, 특히, 접착제가 존재하지 않는다.
따라서, 예를 들어, 기판 상의 접착제 층 또는 접착제 잔류물의 접착력으로 인한 제 1 표면의 가능한 오염 또는 손상 위험성을 확실하게 제거할 수 있다.
보호 필름은 보호 필름을 제 1 표면에 적용하는 동안 및/또는 적용 이후에 보호 필름에 외부 자극을 가함으로써 제 1 표면에 부착될 수도 있다. 보호 필름에 외부 자극을 가하는 방법은 보호 필름의 가열 단계 및/또는 보호 필름의 냉각 단계 및/또는 보호 필름에 진공을 인가하는 단계 및/또는, 예를 들어, 레이저 빔을 사용하여 광과 같은 방사선을 보호 필름에 조사하는 단계로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다. 외부 자극은 화학적 화합물 및/또는 전자 또는 플라즈마 조사 및/또는 압력, 마찰 또는 초음파 인가와 같은 기계적 처리 및/또는 정전기이거나 이를 포함할 수도 있다.
대안으로서 또는 추가적으로, 보호 필름에 접착제 층이 제공될 수도 있으며, 접착제 층은 보호 필름의 전방 표면의 둘레 영역에만 제공되며, 둘레 영역은 보호 필름의 전방 표면의 중앙 영역을 둘러싸고 있다. 이 경우, 보호 필름의 전방 표면의 중앙 영역에는 접착제가 존재하지 않는다. 보호 필름의 전방 표면의 중앙 영역에서는, 보호 필름의 전방 표면과 제 1 표면이 서로 직접 접촉할 수도 있다. 보호 필름은 접착제 층이 제 1 표면의 둘레 부분과만 접촉하도록 제 1 표면에 적용될 수도 있다. 접착제 층이 접촉할 수도 있는 제 1 표면의 둘레 부분은, 예를 들어, 소자가 존재하지 않는 제 1 표면의 둘레 가장자리 영역일 수도 있다.
그러므로, 예를 들어, 기판 상의 접착제 층 또는 접착제 잔류물의 접착력으로 인한 제 1 표면의 가능한 오염 또는 손상 위험성이 상당히 감소되거나 심지어 배제될 수 있다.
보호 필름은 단일 재료, 특히, 균질한 단일 재료로 형성될 수도 있다.
보호 필름이 폴리머와 같은 플라스틱 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 보호 필름이 폴리올레핀으로 형성될 수도 있다. 특히, 보호 필름이 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)으로 형성될 수도 있다.
보호 필름은 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 보다 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 그리고 훨씬 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 갖출 수도 있다.
보호 필름의 두께는 5 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 8 ㎛ 내지 100 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 내지 80 ㎛, 그리고 훨씬 더 바람직하게는 12 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위일 수도 있다.
보호 시트가 완충 층으로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다. 보호 시트가 보호 필름 및 완충 층으로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다.
완충 층은 보호 필름의 전방 표면 반대측의 후방 표면에 부착될 수도 있다. 완충 층이 보호 필름의 후방 표면에 부착되면, 기판의 두께 방향을 따라 제 1 표면으로부터 돌출되는 돌출부가 완충 층에 매립될 수 있다.
보호 시트, 특히, 완충 층으로 구성되거나 이를 포함하는 보호 시트는 기판 재료 제거 수단을 사용하여 제 2 표면측으로부터 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거하는 동안 기판을 지지하기 위한 캐리어(carrier)로서의 역할을 수행할 수 있다. 이러한 방식으로, 기판의 원하지 않는 위치 이동(shift) 또는 칩 또는 다이와 같은 기판으로부터 획득되는 구성 요소의 원하지 않는 위치 이동을 확실하게 방지할 수 있다.
완충 층의 재료가 특별히 제한되는 것은 아니다. 특히, 완충 층은 기판의 두께 방향을 따라 돌출되는 돌출부가 내부에 매립될 수 있는 임의의 유형의 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 완충 층은 수지, 접착제, 겔(gel) 등으로 형성될 수도 있다.
완충 층은 UV 방사선, 열, 전기장 및/또는 화학 작용제와 같은 외부 자극에 의해 경화될 수도 있다. 이 경우, 완충 층은 외부 자극 인가 시에 적어도 어느 정도 경화된다. 예를 들어, 완충 층은 경화성 수지, 경화성 접착제, 경화성 겔 등으로 형성될 수도 있다.
완충 층은 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 보다 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 그리고 훨씬 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 갖출 수도 있다.
완충 층의 두께는 10 ㎛ 내지 300 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 250 ㎛, 그리고 보다 바람직하게는 50 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위일 수도 있다.
보호 시트가 베이스 시트(base sheet)로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다. 보호 시트가 완충 층 및 베이스 시트로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다. 보호 시트가 보호 필름, 완충 층 및 베이스 시트로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다.
베이스 시트는 보호 필름에 부착된 완충 층의 전방 표면 반대측의 후방 표면에 부착될 수도 있다.
베이스 시트의 재료가 특별히 제한되는 것은 아니다. 베이스 시트는, 예를 들어, 폴리 염화 비닐(PVC), 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 또는 폴리올레핀의 폴리머 재료와 같은 연질 재료 또는 연성 재료로 형성될 수도 있다.
대안으로서, 베이스 시트가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및/또는 규소 및/또는 유리 및/또는 스테인리스강(SUS)과 같은 경질 재료 또는 강성 재료로 형성될 수도 있다.
또한, 베이스 시트가 위에 열거된 재료의 조합으로 형성될 수도 있다.
베이스 시트는 180℃ 이상의 온도까지, 바람직하게는 220℃ 이상의 온도까지, 보다 바람직하게는 250℃ 이상의 온도까지, 그리고 훨씬 더 바람직하게는 300℃ 이상의 온도까지 내열성을 갖출 수도 있다.
베이스 시트의 두께는 30 ㎛ 내지 1500 ㎛, 바람직하게는 40 ㎛ 내지 1200 ㎛, 그리고 보다 바람직하게는 50 ㎛ 내지 1000 ㎛의 범위일 수도 있다.
베이스 시트의 전방 표면이 완충 층의 후방 표면과 접촉할 수도 있으며, 베이스 시트의 전방 표면 반대측의 후방 표면은 기판의 제 2 표면과 실질적으로 평행할 수도 있다. 따라서, 기판 재료 제거 수단을 사용하여 제 2 표면측으로부터 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거하는 경우, 예를 들어, 척 테이블(chuck table) 상에 베이스 시트의 후방 표면을 배치함으로서, 이러한 후방 표면에 적절한 역압이 인가될 수 있다.
보호 시트는, 레이저 빔, 즉, 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 인가되는 레이저 빔에 대해 투명한 재료로 형성될 수도 있다. 보호 필름이 레이저 빔에 투명한 재료로 형성될 수도 있다. 완충 층이 레이저 빔에 대해 투명한 재료로 형성될 수도 있다. 베이스 시트가 레이저 빔에 대해 투명한 재료로 형성될 수도 있다.
보호 필름 및/또는 완충 층 및/또는 베이스 시트에 복수 개의 정렬 표식 중 하나, 일부 또는 전부를 형성하도록 레이저 빔이 보호 시트에 인가될 수도 있다.
제 1 표면을 초과하여 측방향으로 또는 반경 방향으로 연장되며 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향해 기판의 두께 방향을 따라 연장되는 보호 시트의 부분은 적어도 실질적으로 완충 층의 일부일 수도 있다.
본 발명은 또한, 적어도 하나의 분할 라인이 형성된 제 1 표면 및 이 제 1 표면 반대측의 제 2 표면을 가지며, 제 2 표면 상에 후면 층이 형성되어 있는 기판을 처리하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 제 1 표면측으로부터 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 포함하며, 기판은 레이저 빔에 대해 투명한 재료로 형성되며, 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 일 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록, 레이저 빔의 초점이 제 1 표면보다 제 2 표면에 더 가까운 기판 내부의 일 위치에 위치하는 조건 하에서 레이저 빔이 기판에 인가된다. 상기 방법은 기판 재료 제거 수단을 사용하여 제 2 표면측으로부터 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거하는 단계를 추가로 포함한다. 정렬 표식은 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬하기 위해 사용된다.
기판, 적어도 하나의 분할 라인, 후면 층 및 정렬 표식은 전술한 바와 동일한 특징, 특질 및 특성을 가질 수도 있다.
본 발명의 방법에서는, 기판 재료가 제 2 표면측으로부터 적어도 하나의 분할 라인을 따라 제거된다. 그러므로, 기판 재료 제거 공정에 의해 제 1 표면의 완전 무결성이 손상되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 특히, 복수 개의 소자가 마련된 소자 영역이 제 1 표면에 형성되면, 소자의 품질이 기판 재료의 제거에 의해 영향을 받을 수도 있는 위험성을 최소화할 수 있다. 전면 및/또는 후면의 칩핑 및 결과물인 칩 또는 다이의 다이 강도 저하와 같은 문제의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 일 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록, 레이저 빔의 초점이 제 1 표면보다 제 2 표면에 더 가까운 기판 내부의 일 위치에 위치하는 조건 하에서 레이저 빔이 기판에 인가된다. 이러한 방식으로, 정렬 표식이 효율적인 방식으로 그리고 고도의 정확도로 형성될 수 있다. 특히, 레이저 빔의 초점을 제 1 표면보다 제 2 표면에 더 가까운 기판 내부의 일 위치에 배치함으로써, 제 2 표면측에서 정렬 표식이 명확하게 보이는 것을 확실하게 보장할 수 있다.
이렇게 형성된 정렬 표식은 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 기판 재료 제거 수단이 증대된 정렬 정확도로 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬될 수 있어, 기판 재료 제거 공정이 고도의 정밀도로 수행될 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 분할 라인의 폭이 감소될 수 있어, 제 1 기판 표면 상의 증가된 개수의 소자와 같은 구성 요소를 수용할 수 있게 된다. 이러한 방식으로, 생산 효율이 상당히 향상되며 기판 재료의 낭비가 방지된다. 이것은 특히, SiC 및 GaAs와 같은 고가의 기판 재료의 경우에 유리하다.
그러므로, 본 발명의 처리 방법에 의하면 기판이 정확하고 효율적인 방식으로 처리될 수 있다.
레이저 빔의 초점이 기판 내부의 일 위치에, 즉, 기판 두께 방향으로 해당 위치와 제 2 표면 사이의 제 2 거리와 기판 두께 방향으로 해당 위치와 제 1 표면 사이의 제 1 거리의 비가 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하, 0.5 이하, 0.4 이하, 0.3 이하, 0.2 이하 또는 0.1 이하인 위치에 위치할 수도 있다. 레이저 빔의 초점이 적어도 실질적으로 기판의 제 2 표면에 배치된 기판 내부의 일 위치에 위치할 수도 있다. 레이저 빔의 초점이 적어도 실질적으로 기판의 제 2 표면과 후면 층 사이의 계면에 배치되는 기판 내부의 일 위치에 위치할 수도 있다.
레이저 빔의 초점이 제 1 표면보다 제 2 표면에 더 가까운 기판 내부의 일 위치에 위치하기 때문에, 레이저 빔의 상당 부분이 제 2 기판 표면에서 및/또는 제 2 기판 표면 가까이에서, 예를 들어, 제 2 기판 표면과 후면 층 사이의 계면에서 및/또는 계면 가까이에서 흡수되는 것을 보장할 수 있다. 그러므로, 정렬 표식이 특히, 제 2 표면측에서 명확하게 보이도록 효율적인 방식으로 그리고 고도의 정확도로 형성될 수 있다. 예를 들어, 정렬 표식이 후면 층을 적어도 부분적으로 용융시킴으로써 후면 층에 형성될 수도 있다.
후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 일 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 기판에 인가되는 레이저 빔은 펄스 레이저 빔일 수도 있다. 펄스 레이저 빔의 펄스 폭은, 예를 들어 1 fs 내지 300 ns의 범위일 수도 있다.
정렬 표식의 형상 및 배열이 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 각각의 또는 일부 정렬 표식은 하나 이상의 도트 또는 하나 이상의 라인, 예를 들어, 곡선 및/또는 직선의 형태로 형성될 수도 있다.
기판의 제 1 표면 상에 복수 개의 분할 라인이 형성될 수도 있다. 상기 방법은 기판 재료 제거 수단을 사용하여 분할 라인 중 하나 이상, 바람직하게는 전부를 따라 기판 재료를 제거하는 단계를 포함할 수도 있다. 이 경우, 정렬 표식은 제거되는 기판 재료가 따르는 분할 라인(들)에 대해 기판 재료 제거 수단을 정렬하기 위해 사용된다.
기판의 제 1 표면 상에 복수 개의 소자가 마련된 소자 영역이 형성될 수도 있다. 소자는 적어도 하나의 분할 라인에 의해 구획될 수도 있다. 소자 영역은 전자 소자, 반도체 소자, 예를 들어, 전력 반도체 소자, 특히, 에너지 효율적인 전력 반도체 소자 등과 같은 소자를 포함할 수도 있다. 소자는, 예를 들어, SiC MOSFET와 같은 MOSFET 또는 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)와 같은 트랜지스터, 또는 쇼트키 배리어 다이오드와 같은 다이오드이거나 이를 포함할 수도 있다.
후면 층은 전도성 층일 수도 있다. 예를 들어, 후면 층은 금속 층일 수도 있다. 후면 층은 가시광 및/또는 적외선(IR)에 대해 적어도 실질적으로 불투명한 금속과 같은 재료로 형성될 수도 있다.
본 발명의 방법에서는, 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 일 영역에 형성된 정렬 표식이 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 정렬 공정이 후면 층의 존재로 인해 손상되지 않으며, 따라서, 고도의 정확도로 수행될 수 있다.
금속 층과 같은 후면 층이 적어도 실질적으로 기판의 제 2 표면 전체를 덮을 수도 있다. 후면 층이 제 2 기판 표면 전체를 덮고 있으면, 정렬 표식이 모두 후면 층에 형성된다. 이 경우, 후면 층의 정렬 표식을 사용하여 기판 시트 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 확실하고 정확하게 정렬할 수 있다.
금속 층과 같은 후면 층이 기판의 제 2 표면의 일부만을 덮을 수도 있다. 특히, 후면 층이 제 2 표면의 중앙 부분에만 제공될 수도 있다. 이 경우, 후면 층은 제 2 표면의 중앙 부분을 둘러싸고 있는, 즉, 둘레 방향으로 둘러싸고 있는 제 2 표면의 둘레 부분 또는 둘레 방향 부분에는 존재하지 않을 수도 있다. 후면 층은 제 1 표면 상에 형성된 소자 영역에 대응하는 제 2 표면의 영역에만 존재할 수도 있다.
기판은, 제 1 표면 상에, 소자를 포함하지 않으며 소자 영역의 주위에, 즉, 소자 영역을 둘러싸도록 형성되는 둘레 가장자리 영역을 구비할 수도 있다. 후면 층은 제 1 표면의 둘레 가장자리 영역에 대응하는 제 2 표면의 영역에 존재하지 않도록 배치될 수도 있다.
후면 층이 제 2 기판 표면의 일부만 덮고 있으면, 정렬 표식이 모두 후면 층에 형성될 수도 있거나, 정렬 표식이 모두 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 형성될 수도 있거나, 또는 정렬 표식 중 일부가 후면 층에 형성될 수도 있으며 정렬 표식 중 일부는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 형성될 수도 있다. 또한, 이러한 경우에 따라, 정렬 표식을 사용하여 기판 재료 제거 수단을 적어도 하나의 분할 라인에 대해 확실하고 정확하게 정렬할 수 있다.
상기 방법은 제 1 표면에 보호 시트를 부착하는 단계를 추가로 포함할 수도 있다. 보호 시트는 레이저 빔, 즉, 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 기판에 인가되는 레이저 빔에 대해 투명한 재료로 형성될 수도 있다. 보호 시트가, 레이저 빔을 기판에 인가하기 전에, 제 1 표면에 부착될 수도 있다. 레이저 빔은 보호 시트를 통해 기판에 인가될 수도 있으며, 즉, 레이저 빔이 보호 시트를 통해 투과된다.
보호 시트가 소자 영역에 형성된 소자를 덮도록 기판의 제 1 표면에 부착될 수도 있다. 보호 시트는 제 1 기판 표면, 특히, 소자 영역에 형성된 소자를, 예를 들어, 오염 및/또는 손상으로부터 보호할 수도 있다.
보호 시트는 전술한 바와 동일한 특징, 특질 및 특성을 가질 수도 있다. 특히, 보호 시트는 전술한 바와 같이 보호 필름 및/또는 완충 층 및/또는 베이스 시트로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다.
본 발명의 방법은 제 1 표면측으로부터 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 추가로 포함할 수도 있으며, 기판은 레이저 빔에 대해 투명한 재료로 형성되며, 레이저 빔은, 기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하도록, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 적어도 복수 개의 위치에서 기판에 인가된다.
기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하도록 기판에 인가되는 레이저 빔은 펄스 레이저 빔일 수도 있다. 펄스 레이저 빔의 펄스 폭은, 예를 들어, 1 fs 내지 300 ns의 범위일 수도 있다.
기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하도록 기판에 인가되는 레이저 빔은 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 보호 시트에 인가되는 레이저 빔과 동일한 레이저 빔이거나 상이한 레이저 빔일 수도 있다.
기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하도록 기판에 인가되는 레이저 빔은 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하도록 기판에 인가되는 레이저 빔과 동일한 레이저 빔이거나 상이한 레이저 빔일 수도 있다.
기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하기 위한 레이저 빔이, 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하기 위한 레이저 빔을 기판에 인가한 후에, 기판에 인가될 수도 있다. 이러한 방식으로, 정렬 표식이 특히 고도의 정확도로 형성되는 것을 보장할 수 있다. 특히, 기판에 형성된 변형 영역이 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하기 위해 레이저 빔을 인가하는 공정에 간섭하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
대안으로서, 기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하기 위한 레이저 빔이, 후면 층에 및/또는 후면 층이 존재하지 않는 제 2 표면의 영역에 복수 개의 정렬 표식을 형성하기 위한 레이저 빔을 기판에 인가하기 전에, 기판에 인가될 수도 있다.
기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하기 위한 레이저 빔이, 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하기 위한 레이저 빔을 보호 시트에 인가한 후에, 기판에 인가될 수도 있다.
대안으로서, 기판에 복수 개의 변형 영역을 형성하기 위한 레이저 빔이, 보호 시트에 복수 개의 정렬 표식을 형성하기 위한 레이저 빔을 보호 시트에 인가하기 전에, 기판에 인가될 수도 있다.
복수 개의 분할 라인이 제 1 기판 표면 상에 형성되면, 상기 방법은 분할 라인 중 하나 이상, 바람직하게는 전부를 따라 적어도 복수 개의 위치에서 제 1 표면측으로부터 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 포함할 수도 있다. 이 경우, 복수 개의 변형 영역이 분할 라인 중 하나 이상을 따라, 바람직하게는 전부를 따라 적어도 복수 개의 위치에서 기판에 형성된다.
레이저 빔의 초점이 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향한 방향으로 제 1 표면으로부터 거리를 두고 위치하는 조건 하에서 레이저 빔이 적어도 하나의 분할 라인을 따라 적어도 복수 개의 위치에서 기판에 인가될 수도 있다. 대안으로서, 레이저 빔의 초점이 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향한 방향의 반대 방향으로 제 1 표면으로부터 거리를 두고 위치하는 조건 하에서 레이저 빔이 적어도 하나의 분할 라인을 따라 적어도 복수 개의 위치에서 기판에 인가될 수도 있다.
각각의 변형 영역이 기판의 체적 내부에, 즉, 기판 내부에 전체적으로 배치될 수도 있다. 이 경우, 변형 영역은 제 1 표면까지 완전히 연장되지는 않고, 즉, 제 1 표면에 도달하도록 연장되지는 않으며, 변형 영역은 제 2 표면까지 완전히 연장되지는 않고, 즉, 제 2 표면에 도달하도록 연장되지는 않는다. 대안으로서, 변형 영역 중 적어도 하나, 일부 또는 전부가 제 1 표면 및/또는 제 2 표면까지 연장될 수도 있다.
변형 영역은 펄스 레이저 빔과 같은 레이저 빔의 인가에 의해 변형된 기판의 영역이다. 예를 들어, 변형 영역은 기판 재료의 구조가 레이저 빔의 인가에 의해 변형된 기판의 영역일 수도 있다.
변형 영역이 비정질 영역 또는 균열이 형성되는 영역이거나 이를 포함할 수도 있다. 변형 영역이 기판 재료 내부의 공간, 예를 들어, 공동(cavity)으로 구성되거나 이를 포함할 수도 있으며, 공간은 비정질 영역 또는 균열이 형성되는 영역에 의해 둘러싸여 있다.
변형 영역이 균열이 형성되는 영역, 즉, 균열이 형성된 영역이거나 이를 포함하면, 이러한 균열은 미세 균열일 수도 있다. 균열은 ㎛ 범위의 치수, 예를 들어, 길이 및/또는 폭을 가질 수도 있다. 예를 들어, 균열은 0.1 ㎛ 내지 100 ㎛ 범위의 폭 및/또는 1 ㎛ 내지 1000 ㎛ 범위의 길이를 가질 수도 있다.
복수 개의 변형 영역은, 적어도 하나의 분할 라인의 연장 방향으로 서로 인접한 변형 영역의 중심 사이의 거리가 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 30 ㎛, 그리고 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 15 ㎛의 범위에 있도록, 기판에 형성될 수도 있다.
변형 영역은 적어도 하나의 분할 라인의 연장 방향으로 등간격으로 배치될 수도 있다. 대안으로서, 인접한 또는 이웃한 변형 영역 중 일부 또는 전부가 적어도 하나의 분할 라인의 연장 방향으로 서로 상이한 거리를 가질 수도 있다.
변형 영역은 0.1 ㎛ 내지 30 ㎛, 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛, 그리고 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위의 직경을 가질 수도 있다.
인접한 또는 이웃한 변형 영역이 서로 중첩되지 않도록, 복수 개의 변형 영역이 기판에 형성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 특히, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거하는 단계에서, 기판이 그 효율적인 추가의 취급 및/또는 처리를 허용하기에 충분한 정도의 강도 또는 견고성을 유지하는 것을 특히 확실하게 보장할 수 있다.
적어도 하나의 분할 라인의 폭 방향으로 및/또는 적어도 하나의 분할 라인의 연장 방향으로 인접한 또는 이웃한 변형 영역의 외부 가장자리 사이의 거리가 적어도 1 ㎛일 수도 있다.
인접한 또는 이웃한 변형 영역이, 예를 들어, 적어도 하나의 분할 라인의 폭 방향으로 및/또는 적어도 하나의 분할 라인의 연장 방향으로 적어도 부분적으로 서로 중첩되도록, 복수 개의 변형 영역이 기판에 형성될 수도 있다.
변형 영역이 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향한 방향으로 기판의 두께의 일부만을 따라 연장되도록 형성될 수도 있다. 변형 영역의 일부 또는 전부가 기판 두께의 5% 이상 60% 이하, 바람직하게는 10% 이상 40% 이하, 그리고 보다 바람직하게는 15% 이상 30% 이하를 따라 연장되도록 형성될 수도 있다.
기판 재료 제거 수단, 특히, 블레이드 또는 쏘우(saw)의 수명 증대의 관점에서, 기판의 두께를 따라 길게 연장되는 변형 영역을 형성하는 것이 특히 바람직하다.
기판의 두께를 따른 변형 영역의 일부 또는 전부의 연장량은, 예를 들어, 기판의 두께를 따라 기판 재료를 완전히 제거할지 또는 부분적으로 제거할지에 따라, 예를 들어, 기판을 그 두께를 따라 완전히 또는 부분적으로 절단함으로써 적절히 선택될 수 있다.
기판 두께를 따른 변형 영역의 연장량 및 기판 두께를 따른 변형 영역의 위치는, 예를 들어, 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향한 방향으로 제 1 표면으로부터 적절한 거리에 레이저 빔의 초점을 위치시킴으로써 정확하게 제어될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 적어도 하나의 분할 라인을 따른 레이저 빔이 인가되는 복수 개의 위치 각각에서는, 복수 개의 변형 영역, 예를 들어, 두 개 이상의, 세 개 이상의, 네 개 이상의, 다섯 개 이상의, 또는 여섯 개 이상의 변형 영역이 형성될 수도 있으며, 이들 복수 개의 변형 영역은 제 1 표면으로부터 제 2 표면을 향한 방향을 따라, 즉, 기판의 두께 방향을 따라 서로 나란히 배열될 수도 있다. 이러한 방식으로, 복수의 층의 변형 영역이 형성될 수 있으며, 이들 복수의 층은 기판의 두께 방향을 따라 적층된다. 이러한 변형 영역 층으로 이루어진 적층체는 기판 두께의 30% 이상, 40% 이상, 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 또는 90% 이상에 걸쳐 연장될 수 있다.
본 발명의 방법에서는, 기판 재료가 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기계적으로 제거될 수도 있다. 특히, 기판 재료는 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판을 기계적으로 절단함으로써 적어도 하나의 분할 라인을 따라 제거될 수도 있다.
기판 재료는 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판을 절단함으로써 제거될 수도 있다. 예를 들어, 기판이 기판 재료 제거 수단으로서 블레이드 또는 쏘우와 같은 기계적 절단 수단을 사용하여 절단될 수도 있다. 기판 재료 제거 수단으로서 레이저 절단 수단을 사용하는 레이저 절단에 의해, 특히, 레이저 어블레이션(laser ablation)에 의해 기판 재료가 제거될 수도 있다. 기판 재료가, 예를 들어, 기판 재료 제거 수단으로서 플라즈마 공급원 등을 사용하여 플라즈마 절단에 의해 제거될 수도 있다. 기판의 절단은 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거하는 특히 효율적이고 간단하며 신뢰할 수 있는 방법이다.
적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판에 복수 개의 변형 영역을 형성함으로써 변형 영역이 형성되는 영역에서 기판의 강도가 감소한다. 그러므로, 기판에 이러한 변형 영역을 형성함으로써, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 상당히 용이하게 제거할 수 있다. 특히, 적어도 하나의 분할 라인을 따라 이루어지는 기판 재료의 기계적 제거, 예를 들어, 기판의 기계적 절단이 보다 효율적인 방식으로, 예를 들어, 빠른 처리 속도로 수행될 수 있다. 예를 들어, 블레이드 다이싱(blade dicing) 공정 또는 쏘우 다이싱(saw dicing) 공정의 경우, 블레이드 다이싱 속도 또는 쏘우 다이싱 속도가 상당히 빨라질 수 있다.
본 발명의 방법에서는, 기판 재료가 제 2 표면으로부터 제 1 표면을 향한 방향으로 기판의 두께의 일부만을 따라 제거될 수도 있다. 기판 재료가 기판 두께의 30% 이상, 바람직하게는 40% 이상, 보다 바람직하게는 50% 이상, 훨씬 더 바람직하게는 60% 이상, 그리고 보다 훨씬 더 바람직하게는 70% 이상을 따라 제거될 수도 있다.
기판 재료가 기판의 전체 두께를 따라 제거될 수도 있다. 이러한 방식으로, 기판이 기판 재료 제거 공정에 의해 적어도 하나의 분할 라인을 따라 분할된다.
기판 재료가 제 2 표면으로부터 제 1 표면을 향한 방향으로 변형 영역의 전체 연장선을 따라 또는 이러한 연장선의 일부만을 따라 제거될 수도 있다. 변형 영역의 전체 연장선을 따라 기판 재료를 제거함으로써, 기판으로부터 획득된 칩 또는 다이와 같은 구성 요소의 다이 강도가 더욱 증가될 수 있다. 기판 재료가 변형 영역의 연장선의 30% 이상, 바람직하게는 40% 이상, 보다 바람직하게는 50% 이상, 훨씬 더 바람직하게는 60% 이상, 그리고 보다 훨씬 더 바람직하게는 70% 이상을 따라 제거될 수도 있다.
본 발명의 방법은 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판을 분할하도록 적어도 하나의 분할 라인을 따라 기판 재료를 제거한 후에 기판에 외력을 인가하는 단계를 추가로 포함할 수도 있다.
예를 들어, 보호 시트를 반경 방향으로 확장시킴으로써, 즉, 보호 시트를 확장 테이프로서 사용함으로써 외력이 기판에 인가될 수도 있다.
대안으로서, 예를 들어, 보호 시트가 사용되지 않은 경우에는, 확장 테이프가 제 1 기판 표면에 부착될 수도 있다. 이어서, 확장 테이프를 반경 방향으로 확장시킴으로써 기판이 적어도 하나의 분할 라인을 따라 분할될 수도 있다.
이하, 본 발명의 비제한적인 예가 도면을 참조하여 설명된다:
도 1은 본 발명의 방법의 실시예에 의해 처리될 기판으로서의 웨이퍼를 보여주는 단면도이며;
도 2는 본 발명의 방법의 제 1 실시예에 따라 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 3은 도 2에 도시된 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 4는 본 발명의 방법의 제 1 실시예에 따라 기판을 시트에 부착하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 5는 본 발명의 방법의 제 1 실시예에 따라 기판을 절단하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 6은 도 5에 도시된 기판을 절단하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 7은 본 발명의 방법의 제 1 실시예에 따라 기판에 외력을 인가하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 8은 본 발명의 방법의 제 2 실시예에 따라 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 9는 본 발명의 방법의 제 2 실시예의 수정예에 따라 기판에 레이저 빔을인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 10은 본 발명의 방법의 제 3 실시예에 따라 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 11은 본 발명의 방법의 제 3 실시예의 수정예에 따라 기판에 레이저 빔을인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 12는 본 발명의 방법의 제 4 실시예에 따라 기판에 보호 시트를 부착하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 13은 본 발명의 방법의 제 4 실시예에 따라 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 14는 본 발명의 방법의 제 4 실시예에 따라 기판을 시트에 부착하는 단계의 결과를 보여주며 기판을 절단하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 15는 본 발명의 방법의 제 4 실시예의 수정예에 따라 기판에 보호 시트를 부착하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 16은 본 발명의 방법의 제 4 실시예의 수정예에 따라 기판에 레이저 빔을인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 17은 본 발명의 방법의 제 4 실시예의 수정예에 따라 기판을 절단하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 18은 본 발명의 방법의 제 5 실시예에 따라 보호 시트를 기판에 부착하는 단계의 결과를 보여주는 단면도이며;
도 19는 본 발명의 방법의 제 5 실시예에 따라 기판에 레이저 빔을 인가하는 단계를 예시한 단면도이며;
도 20은 본 발명의 방법의 제 5 실시예에 따라 기판을 절단하는 단계를 예시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 설명된다. 이러한 바람직한 실시예는 기판으로서의 웨이퍼를 처리하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 방법의 실시예에 의해 처리될 기판(2)의 단면도이다. 기판(2)은 반도체 웨이퍼, 특히, SiC 웨이퍼이다. 그러나, 전술한 바와 같이, 상이한 유형의 기판, 특히, 상이한 기판 재료가 사용될 수도 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(2)은 제 1 표면(4) 및 제 1 표면(4)의 반대측의 제 2 표면(6)을 갖는다. 제 1 표면(4)과 제 2 표면(6)은 실질적으로 서로 평행하다. 제 1 표면(4) 상에는 복수 개의 소자(10)가 마련된 소자 영역(8)이 형성되어 있다. 이들 소자(10)는 제 1 표면(4) 상에 또한 형성된 복수 개의 분할 라인(12)에 의해 구획되어 있다. 분할 라인(12)은 실질적으로 격자 패턴으로 배열된다. 소자(10)는, 예를 들어, MOSFET 또는 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)와 같은 트랜지스터, 또는 쇼트키 배리어 다이오드와 같은 다이오드이거나 이를 포함할 수도 있다.
제 2 표면(6) 상에 후면 층(14)이 형성된다. 후면 층(14)은 적어도 실질적으로 가시광 및 적외선(IR)에 대해 불투명한 금속 층이다. 후면 층(14)은 제 2 표면(6)의 크기가 작은 둘레 부분을 제외하고는 제 2 표면(6)의 거의 전체를 덮는다(도 1 참조).
이하, 본 발명의 방법의 제 1 실시예가 도 2 내지 도 7을 참조하여 설명된다.
도 2에 화살표로 표시된 바와 같이, 펄스 레이저 빔(LB)이 제 1 표면(4)측으로부터 기판(2)에 인가된다. 펄스 레이저 빔(LB)은, 예를 들어, 1 fs 내지 300 ns의 범위의 펄스 폭을 가질 수도 있다. 펄스 레이저 빔(LB)이 기판(2)을 통과하여 투과되도록 기판(2)의 재료, 특히, SiC는 펄스 레이저 빔(LB)에 대해 투명하다. 펄스 레이저 빔(LB)의 초점이 적어도 실질적으로 기판(2)의 제 2 표면(6)과 후면 층(14) 사이의 계면에 마련된 일 위치에 위치한 조건 하에서 펄스 레이저 빔(LB)이 기판(2)에 인가된다. 이러한 초점의 배치에 대해서는 도 2에 도시되어 있지 않다. 초점이 적어도 실질적으로 기판(2)의 제 2 표면(6)과 후면 층(14) 사이의 계면에 위치하도록 함으로써, 펄스 레이저 빔(LB)의 상당 부분이 이러한 계면에 흡수되며, 이에 의해 후면 층(14)이 적어도 부분적으로 용융된다. 이러한 방식으로, 후면 층(14)에 정렬 표식(16)이 형성된다(도 2 참조). 이어서, 후면 층(14)의 상이한 위치에 추가로 정렬 표식(16)을 형성하도록, 펄스 레이저 빔(LB)의 초점이 기판(2)의 횡방향으로 이동된다. 이러한 방법으로 펄스 레이저 빔(LB)을 사용함으로써, 복수 개의 정렬 표식(16)이, 특히, 제 2 표면(6)측으로부터 명확하게 보일 수 있도록, 효율적인 방식으로 그리고 고도의 정확도로 후면 층(14)에 형성될 수 있다.
예를 들어, 복수 개의 정렬 표식(16)을 형성하기 위해 기판(2)에 인가되는 펄스 레이저 빔(LB)은 다음과 같은 특성을 가질 수도 있다.
파장 : 300 nm 내지 1100 nm;
펄스 폭 : 10 ns 내지 100 ns;
펄스 에너지 : 1 μJ 내지 10 μJ;
펄스 피치(중심간 피치) : 0.5 ㎛ 내지 4 ㎛.
제 1 실시예에 있어서, 정렬 표식(16)은 적어도 하나의 정렬 표식(16)이 각각의 분할 라인(12)의 실질적으로 폭 방향 중심에 배치되도록 제공된다(도 3 참조). 정렬 표식(16)은, 예를 들어, 하나 이상의 도트(dot) 또는 하나 이상의 라인(line)의 형태로 형성될 수도 있다. 그러나, 정렬 표식(16)의 형상 및 배열은, 상세히 전술한 바와 같이, 특별히 제한되는 것은 아니다.
후면 층(14)에 정렬 표식(16)을 형성한 후, 기판(2)에 복수 개의 변형 영역(18)을 형성하도록 펄스 레이저 빔(LB)이 각각의 분할 라인(12)을 따라 복수 개의 위치에서 제 1 표면(4)측으로부터 기판(2)에 인가된다(도 2 및 도 3 참조). 복수 개의 변형 영역(18)을 형성하도록 기판(2)에 인가된 펄스 레이저 빔(LB)은 복수 개의 정렬 표식(16)을 형성하도록 기판(2)에 인가된 펄스 레이저 빔(LB)과 동일할 수도 있다. 대안으로서, 이러한 목적으로 서로 다른 두 가지의 레이저 빔이 사용될 수도 있다.
예를 들어, 복수 개의 변형 영역(18)을 형성하기 위해 기판(2)에 인가되는 펄스 레이저 빔(LB)은 다음과 같은 특성을 가질 수도 있다.
파장 : 300 nm 내지 1100 nm;
펄스 폭 : 10 ns 내지 100 ns;
펄스 에너지 : 5 μJ 내지 40 μJ;
펄스 피치(중심간 피치) : 6 ㎛ 내지 24 ㎛.
정렬 표식(16)을 형성한 후 변형 영역(18)을 형성함으로써, 정렬 표식(16)이 특히 고도의 정확도로 형성되는 것을 보장할 수 있다. 특히, 변형 영역(18)이 정렬 표식(16)을 형성하기 위해 펄스 레이저 빔(LB)을 인가하는 공정에 간섭하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
변형 영역(18)은 펄스 레이저 빔(LB)을 인가하여 변형된 기판(2)의 영역이다. 예를 들어, 변형 영역(18)은 비정질 영역 및/또는 균열이 형성되는 영역이거나 이를 포함할 수도 있다. 상세히 전술한 바와 같이, 균열은 ㎛ 범위의 치수, 예를 들어, 길이 및/또는 폭을 가질 수도 있다.
본 실시예에 있어서, 각각의 변형 영역(18)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(2)의 체적 내부에 전체적으로 배치된다. 따라서, 각각의 변형 영역(18)은 제 1 표면(4)으로부터 제 2 표면(6)을 향한 방향으로 기판(2)의 두께의 일부만을 따라 연장된다. 기판 두께를 따른 변형 영역(18)의 연장량 및 기판 두께를 따른 변형 영역(18)의 위치는, 예를 들어, 제 1 표면(4)으로부터 적절한 거리에 펄스 레이저 빔(LB)의 초점이 위치하도록 함으로써 정확하게 제어될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 분할 라인(12)을 따른 복수 개의 위치 각각에, 복수 개의, 즉, 세 개의 변형 영역(18)이 형성되며, 이들 변형 영역(18)은 기판(2)의 두께 방향을 따라 서로 나란히 배열된다. 이러한 방식으로, 기판 두께를 따라 적층되는 복수 층의 변형 영역(18)이 형성된다. 그러나, 변형 영역(18)의 개수, 배열, 연장량 및 형상이 특별히 제한되는 것은 아니다.
기판(2)에 변형 영역(18)이 형성됨으로써 이와 같이 변형 영역(18)이 형성된 영역에서 기판(2)의 강도가 감소한다. 그러므로, 아래에 상세히 설명되는 바와 같이, 분할 라인(12)을 따라 기판 재료를 상당히 용이하게 제거할 수 있다. 특히, 분할 라인(12)을 따라 이루어지는 기판(2)의 기계적 절단과 같은 기판 재료의 기계적인 제거 작업이 보다 효율적인 방식으로, 예를 들어, 빠른 처리 속도로 수행될 수 있다. 블레이드 다이싱 공정 또는 쏘우 다이싱 공정의 경우, 블레이드 다이싱 속도 또는 쏘우 다이싱 속도가 상당히 빨라질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 모든 변형 영역(18)이 전체적으로 기판(2)의 내부에 배치되어 있는 반면, 균열(20)은 변형 영역(18)으로부터, 특히, 제 1 표면(4)을 향해 연장된다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 선택적으로, 균열(20)이 제 1 표면(4)까지 완전히 연장될 수도 있다. 기판(2)의 이러한 균열(20)은 변형 영역(18)의 기판 재료의 변형에 의해 야기된다. 균열(20)이 존재함으로 인해, 아래에 상세히 설명되는 바와 같이, 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 분할하는 공정이 더욱 용이해진다.
정렬 표식(16)과 변형 영역(18)이 모두 형성된 후(도 3 참조), 기판(2)이 시트(22)에 부착된다. 구체적으로, 시트(22)가 소자 영역(8)에 형성된 소자(10)를 덮도록 기판(2)의 제 1 표면(4)이 시트(22)에 부착된다(도 4 참조). 시트(22)는 종래의 다이싱 테이프이거나 상세히 전술한 보호 시트일 수도 있다. 예를 들어, 시트(22)는 상세히 전술한 바와 같이 보호 필름 및/또는 완충 층 및/또는 베이스 시트로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다. 시트(22)가 환형 프레임(24)의 내부 개구를 폐쇄하도록 시트(22)의 둘레 부분이 환형 프레임(24)에 의해 지지된다.
시트(22)에는 기판(2)의 제 1 표면(4)에 시트(22)를 부착하기 위한 접착제 층(도시하지 않음)이 제공될 수도 있다. 접착제 층은 시트(22)의 전방 표면의 둘레 영역에만 배치될 수도 있다. 이 경우, 시트(22)의 전방 표면의 중앙 영역에서는, 시트(22)의 전방 표면과 제 1 표면(4)이 서로 직접 접촉한다. 따라서, 예를 들어, 기판(2) 상의 접착제 층이나 접착제 잔류물의 접착력으로 인한 제 1 표면(4), 특히, 소자(10)의 가능한 오염이나 손상의 위험성이 현저하게 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.
기판(2)을 시트(22)에 부착한 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 재료가 기판(2)의 제 2 표면(6)측으로부터 분할 라인(12)을 따라 제거된다. 기판 재료는 기판 재료 제거 수단으로서의 다이싱 블레이드(26)를 사용하여 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 기계적으로 절단함으로써 제거된다. 대안으로서, 예를 들어, 기판 재료 제거 수단으로서 레이저 절단 수단을 사용하여 레이저 절단에 의해, 특히, 레이저 어블레이션에 의해 기판 재료가 제거될 수도 있다. 기판(2)은 후면 층(14)을 통해 분할 라인(12)을 따라 절단된다(도 5 참조). 따라서, 이러한 절단 공정에서 정렬 표식(16)이 제거된다.
기판(2)은, 예를 들어, 상이한 절단 폭을 갖는 다이싱 블레이드를 채용하는 절단 단계와 같은 상이한 절단 공정의 조합을 사용하여, 단일 절단부에 의해 또는 계단식 절단부에 의해 절단될 수도 있다. 기판(2)을 절단하는 공정은, 상세히 전술한 바와 같이, 변형 영역(18)이 존재함으로 인해 상당히 용이해진다.
후면 층(14)에 형성된 정렬 표식(16)은 다이싱 블레이드(26)를 절단될 분할 라인(12)에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 다이싱 블레이드(26)가 증대된 정렬 정확도로 분할 라인(12)에 대해 정렬될 수 있어, 기판 절단 공정이 고도의 정밀도로 수행될 수 있다. 따라서, 분할 라인(12)의 폭이 감소될 수 있어, 제 1 표면(4) 상에 증가된 개수의 소자(10)를 수용할 수 있게 된다. 이러한 방식으로, 생산 효율이 상당히 증대되며, 기판 재료의 낭비가 방지된다. 이것은 특히, SiC 및 GaAs와 같은 고가의 기판 재료의 경우에 유리하다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(2)은 기판(2)의 두께의 일부만을 따라 절단된다. 특히, 기판(2)은 변형 영역(18)의 전체 연장선을 따라 제 2 표면(6)으로부터 제 1 표면(4)을 향한 방향으로 절단된다. 이러한 방식으로, 변형 영역(18)이 기판 절단 공정에서 제거된다. 그러므로, 기판(2)(도 7 참조)으로부터 획득될 다이의 다이 강도가 더욱 증가될 수 있다.
기판 절단 공정에서 다이싱 블레이드(26)에 의해 기판(2)에 인가되는 힘에 의해 균열(20)의 전파가 향상될 수도 있다. 예를 들어, 이러한 힘에 의해 균열(20) 중 일부가 제 1 표면(4)까지 완전히 연장될 수도 있다. 이러한 방식으로, 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 분할하는 공정이 더 용이해질 수 있다.
기판(2)이 모든 분할 라인(12)을 따라 절단된 후, 도 6에 도시된 바와 같이, 시트(22)가, 예를 들어, 확장 드럼 등을 사용하여 반경 방향으로 확장된다. 이러한 방식으로, 기판(2)을 분할 라인(12)을 따라 개별 다이(28)로 분할하도록 반경 방향 외력이 기판(2)에 인가된다(도 7 참조). 구체적으로, 기판(2)은, 기판 절단 단계에서 부분 절단부가 형성됨으로 인해, 기판(2)의 강도가 감소되어 있는 분할 라인(12)을 따라 분할된다. 제 1 표면(4)을 향해, 특히, 제 1 표면(4)까지 완전히 연장되는 균열(20)에 의해 분할 라인(12)을 따라 기판(2)의 강도가 더욱 약화되면, 기판(2)을 분할하는 공정이 훨씬 더 용이해진다.
이러한 방식으로 기판(2)을 완전히 분할한 후, 개별 다이(28)가, 예를 들어, 픽업 장치(도시하지 않음)를 사용하여 시트(22)로부터 집어 올려질 수 있다.
본 실시예의 방법에서는, 기판(2)이 그 두께의 일부만을 따라 절단된 다음 기판에 외력이 인가됨으로써 완전히 분할되기 때문에, 분할 라인(12)의 폭이 훨씬 더 감소될 수 있다. 특히, 분할 라인이 폭이 다이싱 블레이드(26)의 절단 폭보다 작게 선택될 수 있다. 예를 들어, 분할 라인의 폭이 30 ㎛ 이하, 바람직하게는 20 ㎛ 이하일 수도 있다.
이하, 본 발명의 방법의 제 2 실시예가 도 8 및 도 9를 참조하여 설명된다.
제 2 실시예의 방법은, 제 1 실시예의 방법과 비교하여, 기판(2)에 펄스 레이저 빔(LB)을 인가하기 전에 보호 시트(30)(도 8 및 도 9 참조)가 기판(2)의 제 1 표면(4)에 부착된다는 점이 유일하게 다른 점이다.
제 1 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 정렬 표식(16)과 변형 영역(18)을 형성하도록 펄스 레이저 빔(LB)이 기판(2)에 인가된다(도 8 참조). 그러나, 펄스 레이저 빔(LB)은 보호 시트(30)를 통과하여 인가된다. 펄스 레이저 빔(LB)이 보호 시트(30)를 통과하여 투과되도록 보호 시트(30)는 펄스 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성될 수도 있다. 대안으로서, 펄스 레이저 빔(LB)이 제 1 기판 표면(4)에 도달하도록 보호 시트(30)를 절단할 수도 있다.
보호 시트(30)는 소자 영역(8)에 형성된 소자(10)를 덮도록 제 1 표면(4)에 부착된다. 따라서, 보호 시트(30)에 의해 소자(10)가, 예를 들어, 파편, 먼지 입자 등에 의한 오염 및 손상으로부터 확실하게 보호된다.
보호 시트(30)는 상세히 전술한 특징, 특질 및 특성을 가질 수도 있다. 특히, 보호 시트(30)는 전술한 바와 같이 보호 필름 및/또는 완충 층 및/또는 베이스 시트로 구성되거나 이를 포함할 수도 있다.
보호 시트(30)에는 보호 시트(30)를 기판(2)의 제 1 표면(4)에 부착하기 위한 접착제 층(도시하지 않음)이 제공될 수도 있다. 접착제 층은 보호 시트(30)의 전방 표면의 둘레 영역에만 배치될 수도 있다. 이 경우, 보호 시트(30)의 전방 표면의 중앙 영역에서는, 보호 시트(30)의 전방 표면과 제 1 표면(4)이 서로 직접 접촉한다. 따라서, 예를 들어, 기판(2) 상의 접착제 층이나 접착제 잔류물의 접착력으로 인한 제 1 표면(4), 특히, 소자(10)의 가능한 오염이나 손상의 위험성이 현저하게 감소되거나 심지어 제거될 수 있다.
대안으로서, 보호 시트(30)의 전체 전방 표면이 제 1 표면(4)과 직접 접촉하도록 보호 시트(30)가 제 1 표면(4)에 적용될 수도 있다. 이 경우, 보호 시트(30)의 전방 표면과 제 1 표면(4) 사이에 재료, 특히, 접착제가 존재하지 않는다. 그러므로, 제 1 표면(4)의 가능한 오염 또는 손상의 위험성이 확실하게 제거될 수 있다.
본 발명의 방법의 제 2 실시예의 수정예가 도 9에 도시되어 있다. 본 수정예에서는, 보호 시트(30)가 환형 프레임(32)(도 9)의 내부 개구를 폐쇄하도록 보호 시트(30)의 둘레 부분이 환형 프레임(32)에 의해 지지되는 방식으로 제 2 실시예가 수정된다. 또한, 제 2 실시예의 수정예에서는, 제 1 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 정렬 표식(16)과 변형 영역(18)을 형성하도록 펄스 레이저 빔(LB)이 기판(2)에 인가된다(도 9 참조).
환형 프레임(32)을 제공함으로써, 기판 처리 단계에서의 기판(2)의 취급이 더욱 용이해지며 훨씬 더 효율적으로 이루어질 수 있다. 특히, 이러한 방식으로, 기판(2)을 절단하기 전에 기판(2)을 시트(22)(도 4 참조)에 부착하는 단계가 생략될 수 있다.
제 2 실시예 및 그 수정예에서는, 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 절단하여 분할하는 후속 단계가 제 1 실시예에서와 실질적으로 동일한 방식으로 수행된다(도 5, 도 6 및 도 7 참조). 특히, 제 2 실시예의 수정예에서는, 보호 시트(30)가, 예를 들어, 확장 드럼 등을 사용하여 반경 방향으로 확장된다. 이러한 방식으로, 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 개별 다이(28)로 분할하도록 반경 방향 외력이 기판(2)에 인가된다(도 7 참조).
이러한 방식으로 기판(2)을 완전히 분할한 후, 개별 다이(28)가, 예를 들어, 픽업 장치(도시하지 않음)를 사용하여 집어 올려질 수 있다.
이하, 본 발명의 방법의 제 3 실시예가 도 10 및 도 11을 참조하여 설명된다.
제 3 실시예의 방법은, 후면 층(14)이 존재하지 않는 제 2 표면(6)의 영역에 정렬 표식(16)이 형성되는 점이, 제 1 실시예의 방법과 상이하다(도 10 및 도 11 참조).
도 10에 도시된 바와 같이, 후면 층(14)이 기판(2)의 제 2 표면(6)의 일부만 덮는다. 특히, 후면 층(14)은 제 2 표면(6)의 중앙 부분에만 제공된다. 따라서, 후면 층(14)은 제 2 표면(6)의 중앙 부분을 둘러싸고 있는 제 2 표면(6)의 둘레 부분(34)에는 존재하지 않는다. 둘레 부분(34)은 적어도 실질적으로 환형의 형상을 가질 수도 있다. 이러한 둘레 부분(34)은 0.1 mm 내지 3 mm의 폭, 예를 들어, 링 폭을 가질 수도 있다. 본 실시예에서, 후면 층(14)은 실질적으로, 제 1 표면(4)에 형성된 소자 영역(8)에 대응하는 제 2 표면(6)의 영역에만 존재한다.
제 3 실시예의 방법에서는, 모든 정렬 표식(16)이 후면 층(14)이 존재하지 않는 제 2 표면(6)의 둘레 부분(34)에 형성된다(도 10 참조). 특히, 적어도 실질적으로 제 2 표면(6)의 둘레 부분(34)에 마련된 일 위치에 펄스 레이저 빔(LB)의 초점이 위치하도록 함으로써 정렬 표식(16)이 형성된다(도 10 참조). 초점이 적어도 실질적으로 제 2 표면(6)에 위치하도록 함으로써, 해당 표면에 펄스 레이저 빔(LB)의 상당 부분이 흡수되며, 이에 의해 제 2 표면(6)측으로부터 명확하게 보이는 둘레 부분(34)에 정렬 표식(16)이 형성된다.
이러한 정렬 표식(16)을 사용함으로써, 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 절단하는 후속 단계를 위해, 다이싱 블레이드(26)가 분할 라인(12)에 대해 확실하고 정확하게 정렬될 수 있다.
제 3 실시예의 방법에서, 변형 영역(18)은 제 1 실시예의 방법에서와 동일한 방식으로 기판(2)에 형성된다. 복수 개의 변형 영역(18)을 형성하도록 기판(2)에 인가된 펄스 레이저 빔(LB)은 복수 개의 정렬 표식(16)을 형성하도록 기판(2)에 인가된 펄스 레이저 빔(LB)과 동일할 수도 있다. 대안으로서, 이러한 목적으로 서로 다른 두 가지의 레이저 빔이 사용될 수도 있다.
본 발명의 방법의 제 3 실시예의 수정예가 도 11에 도시되어 있다. 본 수정예에서는, 기판(2)의 제 2 표면(6)을 시트(36)에 부착하는 방식으로 제 3 실시예가 수정된다(도 11 참조). 시트(36)가 환형 프레임(38)의 내부 개구를 폐쇄하도록 시트(36)의 둘레 부분이 환형 프레임(38)에 의해 지지된다(도 11 참조).
시트(36)는 종래의 다이싱 테이프이거나 전술한 보호 시트(30)와 같은 보호 시트일 수도 있다.
환형 프레임(38)에 의해 지지된 시트(36)에 기판(2)의 제 2 표면(6)을 부착함으로써, 기판 처리 단계에서 기판(2)의 취급이 더욱 용이해지며 훨씬 더 효율적으로 이루어질 수 있다.
제 3 실시예 및 그 수정예에서, 분할 라인(12)을 따라 기판(2)을 절단하여 분할하는 후속 단계가 제 1 실시예에서와 실질적으로 동일한 방식으로 수행된다(도 5, 도 6 및 도 7 참조).
이러한 방식으로 기판(2)을 완전히 분할한 후, 개별 다이(28)가, 예를 들어, 픽업 장치(도시하지 않음)를 사용하여 집어 올려질 수 있다.
이하, 본 발명의 방법의 제 4 실시예가 도 12 내지 도 17을 참조하여 설명 된다.
제 4 실시예의 방법은, 정렬 표식(16)이 보호 시트에 형성된다는 점에서, 제 1 실시예의 방법과 실질적으로 상이하다.
제 4 실시예의 방법에서, 펄스 레이저 빔(LB)을 기판(2)에 인가하기 전에, 보호 시트가 기판(2)의 제 1 표면(4)에 부착된다. 본 실시예에서, 보호 시트는 보호 시트(30)이며, 전술한 특징, 특질 및 특성을 가질 수도 있다. 특히, 보호 시트(30)는, 상세히 전술한 바와 같이, 접착제 층(도시하지 않음)에 의해 또는 접착제 층 없이 제 1 표면(4)에 부착될 수도 있다.
보호 시트(30)는 소자 영역(8)에 형성된 소자(10)를 덮도록 제 1 표면(4)에 부착된다. 이러한 보호 시트(30)는 오염 및 손상으로부터 제 1 표면(4), 특히, 소자(10)를 보호한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 보호 시트(30)의 부분(40)이 제 1 표면(4)을 초과하여 측방향으로 연장된다. 보호 시트(30)의 부분(40)은 제 1 표면(4)을 둘러싸고 있다. 부분(40)은 실질적으로 환형의 형상을 가질 수도 있다. 그 외 다른 실시예에서는, 예를 들어, 직사각형 또는 정사각형의 기판의 경우, 부분(40)이 적어도 실질적으로 개방된 직사각형 형상 또는 개방된 정사각형 형상, 즉, 중앙에 개구가 있는 직사각형 또는 정사각형 형상을 가질 수도 있다.
보호 시트(30)를 제 1 표면(4)에 부착한 후, 도 13에 도시된 바와 같이, 변형 영역(18)이 기판(2)에 형성되며, 정렬 표식(16)이 보호 시트(30)에 형성된다. 이들 두 단계의 순서는 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 변형 영역(18)이 정렬 표식(16)보다 먼저 형성될 수도 있다. 대안으로서, 정렬 표식(16)이 변형 영역(18)보다 먼저 형성될 수도 있다.
제 2 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로 기판(2)에 변형 영역(18)을 형성하도록 펄스 레이저 빔(LB)이 기판(2)에 인가된다(도 8 및 도 13 참조). 특히, 펄스 레이저 빔(LB)은 보호 시트(30)를 통과하여 인가된다. 펄스 레이저 빔(LB)이 보호 시트(30)를 통과하여 투과되도록 보호 시트(30)는 펄스 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성될 수도 있다. 대안으로서, 펄스 레이저 빔(LB)이 제 1 기판 표면(4)에 도달하도록 보호 시트(30)를 절단할 수도 있다.
보호 시트(30)에 정렬 표식(16)를 형성하도록 펄스 레이저 빔(LB)이 보호 시트(30)에 인가된다. 특히, 정렬 표식(16)이 형성될 보호 시트(30)의 위치에 펄스 레이저 빔(LB)의 초점이 위치하도록 함으로써 정렬 표식(16)이 보호 시트(30)에 형성된다. 모든 정렬 표식(16)이 제 1 표면(4)을 초과하여 측방향으로 연장되는 보호 시트(30)의 부분(40)에 형성된다(도 13 참조). 이러한 방식으로, 다이싱 블레이드(26)가 분할 라인(12)에 대해 특히 높은 정렬 정확도로 정렬될 수 있어, 기판 절단 공정(도 14 참조)이 특히 고도의 정밀도로 수행될 수 있다.
본 실시예에서, 변형 영역(18)을 형성하기 위해 기판(2)에 인가되는 펄스 레이저 빔(LB)은 정렬 표식(16)을 형성하기 위해 보호 시트(30)에 인가되는 펄스 레이저 빔(LB)과 동일할 수도 있다. 대안으로서, 이러한 목적으로 서로 다른 두 가지의 레이저 빔이 사용될 수도 있다.
정렬 표식(16)과 변형 영역(18)이 모두 형성된 후, 기판(2)이 추가의 시트(42)에 부착된다(도 14 참조). 구체적으로, 보호 시트(30)가 제공되어 있는 기판(2)의 제 1 표면(4)이 시트(42)에 부착된다. 시트(42)는 종래의 다이싱 테이프일 수도 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 시트(42)가 환형 프레임(44)의 내부 개구를 폐쇄하도록 시트(42)의 둘레 부분이 환형 프레임(44)에 의해 지지된다. 이러한 방식으로, 기판 처리 단계에서의 기판(2)의 취급이 더욱 용이해질 수 있다.
기판(2)을 시트(42)에 부착한 후, 제 1 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로 기판(2)이 다이싱 블레이드(26)(도 14 참조)를 사용하여 제 2 표면(6)측으로부터 분할 라인(12)을 따라 절단된다. 특히, 기판(2)은 후면 층(14)을 통해 분할 라인(12)을 따라 절단된다.
보호 시트(30)의 부분(40)에 형성된 정렬 표식(16)은 제 2 표면(6)측으로부터 명확하게 볼 수 있으며(도 14 참조), 다이싱 블레이드(26)를 절단될 분할 라인(12)에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 다이싱 블레이드(26)가 향상된 정렬 정확도로 분할 라인(12)에 대해 정렬될 수 있어, 기판 절단 공정이 고도의 정밀도로 수행될 수 있다. 따라서, 분할 라인(12)의 폭이 감소될 수 있어, 제 1 표면(4) 상에 증가된 개수의 소자(10)가 수용될 수 있게 된다. 이러한 방식으로, 생산 효율이 상당히 증대되며, 기판 재료의 낭비가 방지된다.
기판(2)이 모든 분할 라인(12)을 따라 절단된 후, 시트(42)가, 예를 들어, 확장 드럼 등을 사용하여 반경 방향으로 확장된다. 이러한 방식으로, 제 1 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 기판(2)을 분할 라인(12)을 따라 개별 다이(28)로 분할하도록 반경 방향 외력이 기판(2)에 인가된다(도 7 참조).
이러한 방식으로 기판(2)을 완전히 분할한 후, 개별 다이(28)가, 예를 들어, 픽업 장치(도시하지 않음)를 사용하여 집어 올려질 수 있다.
본 발명의 방법의 제 4 실시예의 수정예가 도 15 내지 도 17에 도시되어 있다. 본 수정예에서는, 제 4 실시예의 보호 시트(30)보다 더욱 제 1 표면(4)을 초과하여 측방향으로 연장되는 보호 시트(30)를 사용하는 방식으로 그리고 보호 시트(30)의 측방향 최외측 부분을 환형 프레임(46)(도 15 참조)에 부착하는 방식으로 제 4 실시예가 수정된다. 보호 시트(30)에 의해 환형 프레임(46)의 내부 개구가 폐쇄되도록, 보호 시트(30)가 환형 프레임(46)에 부착된다.
이러한 방식으로 환형 프레임(46)을 제공함으로써, 기판 처리 단계에서의 기판(2)의 취급이 더욱 용이해지며 훨씬 더 효율적으로 이루어질 수 있다. 특히, 이러한 방식으로, 기판(2)을 절단하기 전에 기판(2)을 시트(42)(도 14 참조)에 부착하는 단계가 생략될 수 있다.
보호 시트(30)를 제 1 표면(4)에 부착한 후, 제 4 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 변형 영역(18)이 기판(2)에 형성되며 정렬 표식(16)이 보호 시트(30)에 형성된다(도 13 및 도 16 참조).
정렬 표식(16)과 변형 영역(18)이 모두 형성된 후, 제 4 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 기판(2)이 다이싱 블레이드(26)를 사용하여 제 2 표면(6)측으로부터 분할 라인(12)을 따라 절단된다(도 14 및 도 17 참조).
이어서, 기판(2)이 모든 분할 라인(12)을 따라 절단된 후, 보호 시트(30)가, 예를 들어, 확장 드럼 등을 사용하여 반경 방향으로 확장된다. 이러한 방식으로, 기판(2)을 분할 라인(12)을 따라 개별 다이(28)로 분할하도록 반경 방향 외력이 기판(2)에 인가된다(도 7 참조). 제 4 실시예의 수정예의 방법에서는, 단일 시트, 즉, 보호 시트(30)만이 기판(2)의 제 1 표면(4)에 부착된다. 그러므로, 기판(2)을 분할하는 공정이, 보호 시트(30)를 반경 방향으로 확장시킴으로써, 특히 효율적이고 확실한 방식으로 수행될 수 있다.
이러한 방식으로 기판(2)을 완전히 분할한 후, 개별 다이(28)가, 예를 들어, 픽업 장치(도시하지 않음)를 사용하여 집어 올려질 수 있다.
이하, 본 발명의 방법의 제 5 실시예가 도 18 내지 도 20을 참조하여 설명된다.
제 5 실시예의 방법은 보호 시트(30)의 구성 면에서 제 4 실시예의 수정예의 방법과 상이하다.
특히, 제 5 실시예의 방법에서는, 보호 시트(30)가 베이스 시트(48) 및 완충 층(50)을 포함한다(도 18 참조). 완충 층(50)이 제 1 표면(4)에 부착된다. 또한, 상세히 전술한 바와 같이, 보호 필름(도시하지 않음)이 제 1 표면(4)과 완충 층(50) 사이에 배치되도록 제공된다. 더욱이, 보호 필름은 기판(2)의 측벽과 완충 층(50)의 사이에 배치된다. 이러한 보호 필름을 제공함으로써, 완충 층(50)의 재료로 인한 기판(2)의 오염 가능성이 확실하게 방지된다. 상세히 전술한 바와 같이, 보호 필름은 접착제 층에 의해 또는 접착제 층 없이 제 1 표면(4)에 부착될 수도 있다.
실질적으로, 전체 기판(2)이 완충 층(50)에 매립되어 있다. 그러나, 후면 층(14)의 후방 표면(52)이 노출되어 있으며, 즉, 완충 층(50)에 의해 덮어지지 않는다(도 18 참조). 완충 층(50)은 실질적으로 기판(2)의 두께와 동일한 두께, 예를 들어, 100 ㎛ 내지 150 ㎛의 두께를 가질 수도 있다.
제 1 표면(4)을 초과하여 측방향으로 연장되는 보호 시트(30)의 부분(40)이 완충 층(50)에 의해 형성되는 실질적인 범위이며, 실질적으로 기판(2)의 전체 두께를 따라 제 1 표면(4)으로부터 제 2 표면(6)을 향해 연장된다(도 18 참조).
베이스 시트(48), 완충 층(50) 그리고 보호 필름을 포함하는 보호 시트(30)는 기판 절단 및 분할 공정 동안 기판(2)을 지지하기 위한 특히 신뢰할 만한 캐리어의 역할을 한다. 기판(2)의 원하지 않는 위치 변동 또는 결과물로서의 다이(28)의 원하지 않는 위치 변동을 확실하게 방지할 수 있다.
베이스 시트(48)의 전방 표면이 완충 층(50)의 후방 표면과 접촉한다. 베이스 시트(48)의 이러한 전방 표면 반대측의 후방 표면은 기판의 제 2 표면(6)과 실질적으로 평행할 수도 있다. 따라서, 기판(2)을 다이싱 블레이드(26)를 사용하여 제 2 표면(6)측으로부터 분할 라인(12)을 따라 절단하는 경우, 예를 들어, 척 테이블(chuck table)(도시하지 않음) 상에 베이스 시트(48)의 후방 표면을 배치함으로서, 이러한 후방 표면에 적절한 역압이 인가될 수 있다.
베이스 시트의 재료가 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 베이스 시트는 폴리 염화 비닐(PVC), 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA) 또는 폴리올레핀과 같은 폴리머 재료로 형성될 수도 있다.
완충 층의 재료가 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 완충 층은 수지, 접착제, 겔(gel) 등으로 형성될 수도 있다.
보호 필름의 재료가 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 보호 필름은 폴리머, 예를 들어, 폴리올레핀과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수도 있다. 특히, 보호 필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 또는 폴리부틸렌(PB)으로 형성될 수도 있다.
펄스 레이저 빔(LB)이 베이스 시트(48), 완충 층(50) 및 보호 필름을 통과하여 투과되도록 베이스 시트(48), 완충 층(50) 및 보호 필름은 펄스 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성된다.
보호 시트(30)를 제 1 표면(4)에 부착한 후, 도 19에 도시된 바와 같이, 변형 영역(18)이 기판(2)에 형성되며 정렬 표식(16)이 보호 시트(30)에 형성된다. 이들 두 단계의 순서는 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 변형 영역(18)이 정렬 표식(16)보다 먼저 형성될 수도 있다. 대안으로서, 정렬 표식(16)이 변형 영역(18)보다 먼저 형성될 수도 있다.
제 2 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로 기판(2)에 변형 영역(18)을 형성하도록 펄스 레이저 빔(LB)이 기판(2)에 인가된다(도 8 및 도 19 참조). 특히, 펄스 레이저 빔(LB)은 펄스 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 보호 시트(30)를 통해 인가된다.
펄스 레이저 빔(LB)은 보호 시트(30)에 정렬 표식(16)을 형성하도록 보호 시트(30)에 인가된다. 정렬 표식(16)은 모두 제 1 표면(4)을 초과하여 측방향으로 연장되는 보호 시트(30)의 부분(40)에 형성된다. 구체적으로, 정렬 표식(16)은 모두, 적어도 실질적으로 기판(2)의 제 2 표면(6)에 배치된 위치에서 완충 층(50)에 형성된다(도 19 참조). 이러한 방식으로, 다이싱 블레이드(26)가 분할 라인(12)에 대해 정렬될 수 있도록 하는 정렬 정확도(도 20 참조)가 훨씬 더 증대될 수 있다.
본 실시예에서, 변형 영역(18)을 형성하기 위해 기판(2)에 인가되는 펄스 레이저 빔(LB)은 정렬 표식(16)을 형성하기 위해 보호 시트(30)에 인가되는 펄스 레이저 빔(LB)과 동일할 수도 있다. 대안으로서, 이러한 목적으로 서로 다른 두 가지의 레이저 빔이 사용될 수도 있다.
정렬 표식(16)과 변형 영역(18)이 모두 형성된 후, 제 1 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 기판(2)이 다이싱 블레이드(26)를 사용하여 제 2 표면(6)측으로부터 분할 라인(12)을 따라 절단된다(도 20 참조). 특히, 기판(2)은 후면 층(14)을 통해 분할 라인(12)을 따라 절단된다.
보호 시트(30)의 완충 층(50)에 형성된 정렬 표식(16)을 제 2 표면(6)측으로부터 특히 명확하게 볼 수 있으며(도 20 참조), 이러한 정렬 표식은 다이싱 블레이드(26)를 절단될 분할 라인(12)에 대해 정렬하기 위해 사용된다. 그러므로, 다이싱 블레이드(26)가 훨씬 더 향상된 정렬 정확도로 분할 라인(12)에 대해 정렬될 수 있어, 기판 절단 공정이 특히 고도의 정밀도로 수행될 수 있다.
기판(2)이 모든 분할 라인(12)을 따라 절단된 후, 보호 시트(30)가, 예를 들어, 확장 드럼 등을 사용하여 반경 방향으로 확장된다. 이러한 방식으로, 제 1 실시예의 방법에서와 실질적으로 동일한 방식으로, 기판(2)을 분할 라인(12)을 따라 개별 다이(28)로 분할하도록 반경 방향 외력이 기판(2)에 인가된다(도 7 참조).
이러한 방식으로 기판(2)을 완전히 분할한 후, 개별 다이(28)가, 예를 들어, 픽업 장치(도시하지 않음)를 사용하여 집어 올려질 수 있다.

Claims (8)

  1. 적어도 하나의 분할 라인(12)이 형성된 제 1 표면(4) 및 이 제 1 표면(4)의 반대측의 제 2 표면(6)을 가지며 상기 제 2 표면(6) 상에 후면 층(14)이 형성되어 있는 기판(2)을 처리하기 위한 방법으로서,
    상기 기판(2)에 상기 제 1 표면(4)측으로부터 레이저 빔(LB)을 인가하는 단계로서, 상기 기판(2)은 상기 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성되며, 상기 후면 층(14)에, 상기 후면 층(14)이 존재하지 않는 상기 제 2 표면(6)의 영역에, 또는 상기 후면 층(14) 및 상기 제 2 표면(6)의 상기 영역에, 복수 개의 정렬 표식(16)을 형성하도록, 상기 레이저 빔(LB)의 초점이 상기 제 1 표면(4)보다 상기 제 2 표면(6)에 더 가까운 상기 기판(2) 내부의 위치에 위치하는 조건 하에서, 상기 레이저 빔(LB)이 상기 기판(2)에 인가되는 것인 단계;
    기판 재료 제거 수단(26)을 사용하여 상기 제 2 표면(6)측으로부터 상기 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 기판 재료를 제거하는 단계
    를 포함하며,
    상기 정렬 표식(16)은 상기 기판 재료 제거 수단(26)을 상기 적어도 하나의 분할 라인(12)에 대해 정렬하기 위해 사용되는 것인 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 후면 층(14)은 금속 층인 것인 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 표면(4)에 보호 시트(30)를 부착하는 단계
    를 추가로 포함하며,
    상기 보호 시트(30)는 상기 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성되고,
    상기 레이저 빔(LB)은 상기 보호 시트(30)를 통해 상기 기판(2)에 인가되는 것인 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 표면(4)측으로부터 상기 기판(2)에 레이저 빔(LB)을 인가하는 단계
    를 추가로 포함하며,
    상기 기판(2)은 상기 레이저 빔(LB)에 대해 투명한 재료로 형성되고,
    상기 레이저 빔(LB)은, 상기 기판(2)에 복수 개의 변형 영역(18)을 형성하도록, 상기 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 적어도 복수 개의 위치에서 상기 기판(2)에 인가되는 것인 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 재료는 상기 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 기계적으로 제거되는 것인 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 재료는 레이저 절단에 의해 상기 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 제거되는 것인 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 재료는, 상기 제 2 표면(6)으로부터 상기 제 1 표면(4)을 향한 방향으로, 상기 기판(2)의 두께의 단지 일부만을 따라 제거되는 것인 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 상기 기판(2)을 분할하도록, 상기 적어도 하나의 분할 라인(12)을 따라 기판 재료를 제거한 후에, 상기 기판(2)에 외력을 인가하는 단계
    를 추가로 포함하는 기판 처리 방법.
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