JP2015001478A - 粒子径分布測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検査光が粒子群に当たって生じる二次光の特性に基づいて粒子径分布が算出される。粒子径分布の算出において、粒子径分布の仮想解から算出される二次光の特性を実際の測定で得られた二次光の特性に近づけるべく仮想解を複数回更新する。その際、一の反復解法によって算出した粒子径分布を、別の反復解法に仮想解として与え、その結果算出された粒子径分布を新たな粒子径分布として更新し、この手順を複数回繰り返して粒子径分布を算出する。
【選択図】図2
Description
ここで求めたいのは粒子径分布を表すベクトルqであるが、これが右辺にあるため、逆問題を解くことになる。
同様の問題は、二次光のドップラーシフトから逆問題を解いて粒子径分布を求める所謂動的粒子径分布測定装置をはじめとする、二次光の他の特性から逆問題を解いて粒子径分布を求める粒子径分布測定装置全てに共通する。
前記演算部が、一の反復解法によって算出した粒子径分布を、別の反復解法に前記仮想解として与えて算出させた新たな粒子径分布によって更新する手順を1回又は複数回繰り返すものであることを特徴とする。
前記基準粒子径分布としては一様分布が挙げられる。
符号2は、前記セルCに検査光Lを照射する光源である。この実施形態では光源として、例えばコヒーレントなレーザ光を照射する半導体レーザを用いている。
符号8は、光検出器32の受光面中央に検査光Lが収斂するように設定された凸レンズである。
符号4は、前記各光検出器31、32からの出力信号を受信し、変換等の処理を行うバッファ、増幅器等で構成されている信号処理部である。
より具体的に説明すると、この解法実行部51は、図3に示すように、粒子径分布の仮想解から算出される仮想的な二次光の空間強度分布(請求項で言う仮想二次光特性に相当し、以下、仮想光強度分布と言う。)を算出する光強度分布算出部51aと、前記仮想光強度分布を前記実光強度分布に近づけるべく仮想解を更新する仮想解更新部51bとを具備し、前記光強度分布算出部51aと仮想解更新部51bとの動作を交互に繰り返し行うことによって得られた仮想解を粒子径分布として算出するものである。繰り返し回数は予め定めた一定回数でもよいし、後述する評価値が所定の閾値を超えた時点等で終了するようにしてもよい。
また、この解法実行部51は、複数の仮想解を受け付けることができ、各仮想解について並列にあるいは順に演算してそれぞれ粒子径分布を算出することができる。
なお、解法実行部51の動作開始には、初期仮想解が必要であるところ、これらはメモリの所定領域に予め複数格納してあり、解法実行部51は動作開始時にこれら各初期仮想解を取得するようにしてある。初期仮想解の一例を図4に示す。
次に、かかる構成の粒子径分布測定装置1の動作を、演算部5の動作を中心にして以下に説明する。
次に、各解法実行部51が、例えば図4 a〜dに示すような複数の初期仮想解をそれぞれ取得する(ステップ1)。
そして、かかるステップ2〜ステップ4を予め定めた回数だけ繰り返す。
その結果、得られたM個の粒子径分布のうち、正規化評価値が最もよいものを、粒子径分布の最終算出結果として、演算部5は出力する。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
解法実行部51が受け付ける(又は取得する)仮想解は、1つでも構わない。
また、本発明は、所謂動的粒子径分布測定装置に適用してもよい。その場合、二次光特性は二次光のドップラーシフトから得られるものとなる。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
1・・・粒子径分布測定装置
2・・・光源(半導体レーザ)
31、32・・・受光部(光検出器)
5・・・演算部
Claims (7)
- 分散された粒子群に検査光を照射する光源と、前記検査光が粒子群に当たって生じる二次光を受光する受光部と、前記受光部の出力信号から得られる二次光の特性(以下、実二次光特性と言う。)に基づいて前記粒子群の粒子径分布を算出する演算部とを具備し、
前記演算部が、粒子径分布の仮想解から算出される仮想的な二次光の特性(以下、仮想二次光特性と言う。)を前記実二次光特性に近づけるべく前記仮想解を1回以上更新し、その結果得られた仮想解を粒子径分布として算出する反復解法を用いるものであって、
前記演算部が、一の反復解法によって算出した粒子径分布を、別の反復解法に前記仮想解として与えて算出させた新たな粒子径分布によって更新する手順を1回以上繰り返すものであることを特徴とする粒子径分布測定装置。 - 前記演算部が、互いに異なる複数の仮想解を一の反復解法に与えて複数の粒子径分布を算出し、それら複数の粒子径分布のうちの一部又は全部を、別の反復解法に仮想解として与えて算出させた新たな複数の粒子径分布によって更新する手順を1回以上繰り返して複数の粒子径分布を算出し、それらのうちから所定の評価法にあてはめたときに最も評価のよい粒子径分布を出力するものであることを特徴とする請求項1記載の粒子径分布測定装置。
- 前記演算部が、前記一の反復解法で算出された複数の粒子径分布のうち、前記評価法にあてはめたときに最も評価のよいものから所定番目までのものを選択して、前記別の反復解法に仮想解として与えるものであることを特徴とする請求項2記載の粒子径分布測定装置。
- 前記評価法が反復解法毎に定められており、各評価法が、対応する反復解法で算出された粒子径分布に対して、それぞれ独自の評価値である個別評価値を出力するものであって、
所定の基準粒子径分布を前記各評価法にあてはめてそれぞれ得られる個別評価値を、評価法毎の代表値として定めておき、評価すべき粒子径分布について得られる個別評価値を、当該評価法の代表値によって正規化することを特徴とする請求項2又は3記載の粒子径分布測定装置。 - 前記基準粒子径分布が一様分布であることを特徴とする請求項4記載の粒子径分布測定装置。
- 分散させた粒子群に検査光を照射し、前記検査光が粒子群に当たって生じる二次光の特性(以下、実二次光特性と言う。)に基づいて前記粒子群の粒子径分布を算出する粒径分布測定方法において、
粒子径分布の仮想解から算出される仮想的な二次光特性(以下、仮想二次光特性と言う。)を前記実二次光特性に近づけるべく前記仮想解を複数回更新し、その結果得られた仮想解を粒子径分布として算出する反復解法を用いるものであって、
一の反復解法によって算出した粒子径分布を、別の反復解法に前記仮想解として与えて算出させた新たな粒子径分布によって更新する手順を1回以上繰り返すことを特徴とする粒子径分布測定方法。 - 分散された粒子群に検査光を照射する光源と、前記検査光が粒子群に当たって生じる二次光を受光する複数の受光部と、前記各受光部の出力信号から得られた二次光の特性(以下、実二次光特性と言う。)に基づいて前記粒子群の粒子径分布を算出する演算部とを具備した粒子径分布測定装置に搭載されるプログラムであって、
前記演算部に、
粒子径分布の仮想解から算出される仮想的な二次光の特性(以下、仮想二次光特性と言う。)を前記実二次光特性に近づけるべく前記仮想解を1回以上更新し、その結果得られた仮想解を粒子径分布として算出する反復解法を実行する機能と、
一の反復解法によって算出した粒子径分布を、別の反復解法に前記仮想解として与えて算出させた新たな粒子径分布によって更新する手順を1回以上繰り返す機能とを発揮させることを特徴とするプログラム。
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