JP2014531508A5 - - Google Patents
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Description
液体ベースの処理に伴う既知の問題点の幾つかを排除することができる代替的な技術が、いわゆる気相処理法である。一般的な気相処理では、反応チャンバ内に存在する物質レベルの優れた制御が可能となる。これを利用して、正確かつ着実に蒸気の運搬を確保することもできる。例えば、Ashurst等著、「反スティクション単分子層のための向上した気相堆積法(Improved vapour−phase deposition technique for anti−stiction monolayers)」、SPIE Photonics West2004の議事録、第5342巻、カリフォルニア州サンノゼ、1月24−29日、p.204−211(2004)は、ジクロロジメチルシラン(DDMS)、テトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FOTS)、およびパーフルオロデシルトリクロロシラン(FDTS)のSAMを堆積するための気相堆積法および装置を教示し;Zhuang等著、「MEMSにおける反スティクション適用のための気相の自己組織化単分子膜(Vapor−phase self−assembled monolayers for anti−stiction applications in MEMS)」、Journal of Microelectromechanical Systems、2007年12月、第16巻、第6号、p.1451−1460は、テトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FOTS)、テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン(FOTES)、テトラヒドロオクチルメチルジクロロシラン(FOMDS)、パーフルオロデシルトリクロロシラン(FDTS)、およびオクタデシルトリクロロシラン(OTS)から気相で成長するSAMを教示し;Mayer等著、「微小電気機械システムにおいて接着制御するためのフルオロアルキルシランの単層膜の化学蒸着(Chemical vapor deposition of fluoroalkysilane monolayer films for adhesion control in microelectromechanical systems)」、J.Vac.Sci.Tecnol.B18(5).2000年9月/10月は、MEMSにテトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FOTS)コーティングを適用するための蒸着法を教示し;米国特許出願公開第2005/0051086号は、MEMS上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)の層を堆積するための装置を教示している。
好適には、1以上の前駆体物質は、パーフルオロデシルトリクロロシラン(FDTS)を含む。代替的に、あるいはそれに加えて、1以上の前駆体物質は、ジクロロジメチルシラン(DDMS)、オクタデシルトリクロロシラン(OTS)、1−オクタデセン、テトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FOTS)、テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン(FOTES)、テトラヒドロオクチルメチルジクロロシラン(FOMDS)、およびヘキサメチルジシラザン(HMDS)からなる前駆体物質の群から選択された前駆体物質を含みうる。
例として、1sccmのFDTSの前駆体物質を処理チャンバに供給するために、毎分30立方センチメートル(sccm)の流量の窒素のキャリアガスが第1のバブラー10aを通って流れるように設定される。同時に、50sccmの水蒸気を処理チャンバに供給するために、100sccmの流量の窒素のキャリアガスが第2のバブラー10bを通って流れるように設定される。真空ポンプ14および圧力制御コントローラ(APC)を利用して、処理チャンバ3内の堆積蒸気について40Tの動作圧力を維持する。処理チャンバ3は室温〜20℃で動作したが、内部でFDTSの前駆体物質の凝縮が確実に起こらないように蒸気供給ラインを加熱した。
処理チャンバ3に前駆体物質を供給するためにキャリアガスとバブルチャンバ10aおよび10bを利用した結果、前駆体物質の所望の蒸気圧を得るために、処理チャンバ3を先行技術において公表された通常の動作圧力、一般に10Torr未満にまで下降させる必要がない。本発明者は、100Torr以上の動作圧力で、FDTSの反スティクションコーティングを確実に製造することができた。このように高い圧力は、堆積プロセスが終了するのに掛かる時間を短縮するのを補助する要因の1つである。
本出願人は、上述した流量堆積技術における前駆体物質として、ジクロロジメチルシラン(DDMS)、オクタデシルトリクロロシラン(OTS)、1−オクタデセン、テトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FOTS)、テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン(FOTES)、テトラヒドロオクチルメチルジクロロシラン(FOMDS)、およびヘキサメチルジシラザン(HMDS)を利用することにより、MEMS上への反スティクションコーティングの堆積速度が同様に向上することに気付いた。
Claims (24)
- デバイスの構造上にコーティングを堆積するのに適した堆積法において、当該方法が:
内部で前記コーティングが堆積される処理チャンバを提供するステップと;
1以上の前駆体物質の蒸気を前記処理チャンバに提供するステップと;
1以上の反応体物質の蒸気を前記処理チャンバに提供するステップと、を含んでおり、
堆積蒸気が前記処理チャンバ内で形成され、前記堆積蒸気は、10:1より大きい前記反応体物質と前記前駆体物質の容積比を含んでいることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の堆積法において、前記反応体物質と前記前駆体物質の容積比が、50:1以上であることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の堆積法において、前記反応体物質と前記前駆体物質の容積比が、100:1以上であることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至3の何れか一項に記載の堆積法において、前記処理チャンバ内の動作圧力が10Torrより大きいことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至3の何れか一項に記載の堆積法において、前記処理チャンバ内の動作圧力が40Torr以上であることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至3の何れか一項に記載の堆積法において、前記処理チャンバ内の動作圧力が100Torr以上であることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の堆積法において、前記1以上の前駆体物質の蒸気が、前記処理チャンバの外側から前記1以上の前駆体物質の蒸気を運搬することによって前記処理チャンバに提供されることを特徴とする方法。
- 請求項7に記載の堆積法において、前記1以上の前駆体物質の蒸気は、キャリアガスが1以上のバブルチャンバを通過することによって前記処理チャンバへと運搬されることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至8の何れか一項に記載の堆積法において、前記1以上の反応体物質の蒸気が、前記処理チャンバの外側から前記1以上の反応体物質の蒸気を運搬することによって前記処理チャンバに提供されることを特徴とする方法。
- 請求項9に記載の堆積法において、前記1以上の反応体物質の蒸気は、キャリアガスが1以上のバブルチャンバを通過することによって前記処理チャンバへと運搬されることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至10の何れか一項に記載の堆積法において、前記1以上の前駆体物質が、パーフルオロデシルトリクロロシラン(FDTS)を含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至11の何れか一項に記載の堆積法において、前記1以上の前駆体物質が、ジクロロジメチルシラン(DDMS)、オクタデシルトリクロロシラン(OTS)、1−オクタデセン、テトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FOTS)、テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン(FOTES)、テトラヒドロオクチルメチルジクロロシラン(FOMDS)およびヘキサメチルジシラザン(HMDS)からなる前駆体物質の群から選択された前駆体物質を含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至11の何れか一項に記載の堆積法において、前記1以上の前駆体物質が、親水性の有機部分または生物活性の有機部分を有する前駆体物質を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至13の何れか一項に記載の堆積法において、前記1以上の反応体物質が水(H2O)を含んでいることを特徴とする方法。
- 請求項8、10、または請求項8若しくは10を引用する請求項11乃至14の何れか一項に記載の堆積法において、前記キャリアガスが、窒素または窒素ベースのガスといった不活性ガスであることを特徴とする方法。
- 請求項8、10、または請求項8若しくは10を引用する請求項11乃至14の何れか一項に記載の堆積法において、前記キャリアガスがヘリウムを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至16の何れか一項に記載の堆積法がさらに、微小電気機械構造(MEMS)を洗浄する、および/またはイオン化するステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項17に記載の堆積法において、前記微小電気機械構造(MEMS)を洗浄する、および/またはイオン化するステップが、前記1以上の前駆体物質の蒸気および前記1以上の反応体物質の蒸気を前記処理チャンバに提供する前に前記処理チャンバ内で行われることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至18の何れか一項に記載の堆積法がさらに、1以上の蒸気供給ラインを加熱するステップを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至19の何れか一項に記載の堆積法において、前記コーティングが、自己組織化単分子膜(SAM)のコーティングを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至20の何れか一項に記載の堆積法において、前記デバイスが微小電気機械構造(MEMS)を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至21の何れか一項に記載の堆積法において、前記デバイスが半導体構造を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至22の何れか一項に記載の堆積法において、前記デバイスが携帯デバイスを含むことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至23の何れか一項に記載の堆積法において、前記デバイスが織物または布地を含むことを特徴とする方法。
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