JP2018520518A5

JP2018520518A5 -

Info

Publication number: JP2018520518A5
Application number: JP2017567077A
Authority: JP
Filing date: 2016-05-26
Publication date: 2019-07-04
Anticipated expiration: 2036-05-26

Claims

基板をＵＶ放射及び第１の反応性ガスに晒すことであって、前記基板には開口特徴部が画定されており、前記開口特徴部が多孔性低誘電率誘電体層及び導電性材料によって画定されており、前記多孔性低誘電率誘電体層がケイ素及び炭素含有材料であること、並びに
ＵＶアシスト光化学蒸着を用いて、前記開口特徴部において前記多孔性低誘電率誘電体層の露出した表面にポア封止層を選択的に形成すること
を含む、方法。
前記ＵＶアシスト光化学蒸着が、
前記多孔性低誘電率誘電体層にＵＶ放射を送達しながら、前記基板を、キャリアガス、並びにケイ素、炭素、及び窒素を含む前駆体化合物に晒すこと
を含む、請求項１に記載の方法。
前記基板をケイ素、炭素、及び窒素を含む前記前駆体化合物に晒した後、堆積した前記ポア封止層をＵＶ放射に晒すこと
を更に含む、請求項２に記載の方法。
前記ＵＶアシスト光化学蒸着、並びに、前記基板をケイ素、炭素、及び窒素を含む前記前駆体化合物に晒した後に前記堆積したポア封止層をＵＶ放射に晒すことを、前記ポア封止層が所定の厚さに到達するまで繰り返すこと
を更に含む、請求項３に記載の方法。
前記開口特徴部の前記導電性材料からポア封止残留物を除去するために、前記基板を堆積後の処置プロセスに晒すこと
を更に含む、請求項４に記載の方法。
前記開口特徴部を第２の導電性材料で充填すること
を更に含む、請求項４に記載の方法。
前記開口特徴部の前記多孔性低誘電率誘電体層への前記ポア封止層の堆積レートが、前記開口特徴部の前記導電性材料へのポア封止残留物の堆積レートよりも大きい、請求項１に記載の方法。
前記前駆体化合物が、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、トリシリルアミン、ジメチルアミノトリメチルシラン、シクロトリシラザン、トリメチルトリビニルシクロトリシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ノナメチシクロトリシラザン、又はそれらの組み合わせから選択される、請求項２に記載の方法。
前記キャリアガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素、又はそれらの組み合わせから選択される、請求項２に記載の方法。
前記ポア封止層が、各堆積サイクルにおいて、約１オングストロームから約５オングストロームの範囲の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
前記堆積したポア封止層をＵＶ放射に晒すことが、前記基板が配置されているチャンバに第２の反応性ガスを流入させることを含む、請求項３に記載の方法。
前記第２の反応性ガスが、ＮＨ_３、Ｈ_２、Ｏ_２、Ｎ_２Ｏ、ＣＯ_２、又はそれらの組み合わせから選択される、請求項１１に記載の方法。
前記堆積したポア封止層をＵＶ放射に晒すことが、約６Ｔｏｒｒから約２００Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧力で行われる、請求項１２に記載の方法。
前記所定の厚さが約５オングストロームから約２００オングストロームの範囲である、請求項４に記載の方法。
前記開口特徴部が、トレンチ、ビア、孔、開口、ライン、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。