KR20160020105A - 그래핀의 전사 방법 - Google Patents

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Abstract

그래핀의 전사 방법에 관한 것으로, 희생층 상에 위치하는 그래핀을 준비하는 단계; 상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계; 상기 희생층을 식각시키는 단계; 상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계; 상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계; 상기 금속 지지층을 제거하는 단계; 및 상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;를 포함하는 그래핀의 전사 방법을 제공할 수 있다.

Description

그래핀의 전사 방법{METHOD OF TRANSFERRING GRAPHENE}
그래핀의 전사 방법에 관한 것이다.
현재까지 그래핀을 전사하는 공정은 대부분 PMMA와 같은 고분자를 그래핀의 지지층(support layer)으로 사용하여 물 위에 그래핀 층을 띄운 다음 이를 기판으로 건진 후 지지층을 제거하고 건조시키는 방법으로 이루어져왔다. 고분자 지지층을 제거할 때 유기용매를 사용하므로 그래핀 층을 전사하는 기판의 제한이 있다.
또 다른 방법으로는 전이금속 위에 성장된 그래핀에 엘라스토머 도장을 붙이고 금속을 식각한 후 그래핀을 원하는 기판에 도장(stamping)공정을 이용하여 전사하는 방법이 있다. 이러한 방법은 그래핀과 도장 사이의 물리적인 접촉에만 의존하므로 고품질의 그래핀을 도장 위에 위치시키는 것이 어렵다는 문제점이 있다.
또한, 그래핀 패턴은 대부분 포토리소그래피 공정을 이용한다. 고분자 감광제를 그래핀에 패턴하고 포토마스크를 이용하여 UV를 조사한 후 현상하면 감광제 패턴이 그래핀 위에 형성된다. 이때 감광제가 덮고 있지 않은 그래핀을 산소 RIE를 이용하여 제거한 후 감광제를 유기용매에 제거한다. 이러한 공정 역시 유기용매, 습식공정에 취약한 기판 위의 그래핀에는 적용할 수 없다는 문제가 있다.
또 다른 방법으로는 기판 위에 전사한 그래핀을 레이저로 식각 하여 패턴하는 방법이 있다. 이 역시 레이저에 영향을 받는 기판 위에 전사한 그래핀에는 적용할 수 없다는 문제가 있다.
개선된 그래핀의 전사 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 구현예에서는, 희생층 상에 위치하는 그래핀을 준비하는 단계; 상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계; 상기 희생층을 식각시키는 단계; 상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계; 상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계; 상기 금속 지지층을 제거하는 단계; 및 상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;를 포함하는 그래핀의 전사 방법을 제공한다.
상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;에서, 상기 대상 기판은 표면에 유기층이 위치하는 대상 기판일 수 있다. 이때 유기층은 일반적인 전자 재료에서 사용되는 활성층, 버퍼층일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;에서, 상기 도장은 소수성 도장일 수 있다.
상기그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계; 이후, 상기 금속 지지층에 패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;는, 반응성 이온 에칭(RIE, reactive ion etching)을 이용할 수 있다.
상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;이 후, 상기 패턴이 형성된 금속 지지층 상에 추가적인 금속 지지층을 더 증착시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 패턴이 형성된 금속 지지층 상에 추가적인 금속 지지층을 더 증착시키는 단계;에서, 추가적인 금속 지지층은 30 내지 300 nm 두께일 수 있다. 보다 구체적으로, 50 내지 300nm일 수 있다.
상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;는, 열 증착 방법을 이용하며, 증착 속도는 0.1 내지 5 Å/sec이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 0.1 내지 1 Å/sec 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 0.1 내지 0.8 Å/sec 이하일 수 있다.
상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;에서, 상기 금속 지지층은 1 내지 200 nm 두께일 수 있다. 보다 구체적으로 30 내지 100nm 일 수 있다. 또는 50 내지 80 nm 일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 희생층은 금속 포일일 수 있다.
상기 희생층을 식각시키는 단계;는, 과산화황산암모늄 (ammonium persulfate), 염화철 (iron chloride), 질산철 (iron nitrate), 또는 이들의 조합의 용액을 이용할 수 있다.
상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;에서, 상기 용액의 표면 장력은 22 mN/m 내지 50 mN/m 범위 일 수 있다. 상기 표면 장력의 기준은 ~23℃ (상온)이다.
상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;에서, 상기 용액은 물과 알코올계 용매의 혼합 용매일 수 있다.
상기 물에 대한 알코올계 용매의 부피 비율은 1 내지 9일 수 있다.
상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;에서, 상기 도장은 폴리우레탄계, 불화 엘라스토머계, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리우레탄아크릴레이트 (Poly(urethaneacrylate)), 또는 퍼플루오로폴리에테르 (Perfluoropolyether) 일 수 있다.
상기 금속 지지층은 금(Au) 지지층일 수 있다.
상기 희생층은 구리 포일, 또는 니켈 포일일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 그래핀을 상온/건식 공정을 이용하여 임의의 기판, 특히 유기용매, 습식공정에 취약한 박막 위에 전사할 수 있다.
또한, 패턴된 그래핀을 역시 상온/건식 공정을 통해 임의의 박막 위에 형성할 수 있다.
아울러 고품질의 그래핀층을 친수성 기판뿐만 아니라 소수성 기판에도 형성할 수 있다.
이를 통해 그래핀 패턴을 전자소자의 임의의 위치에 형성시킬 수 있어 그래핀의 응용이 다양해질 수 있다.
이를 이용하여 그래핀을 다양한 전자소자의 투명전극으로 사용할 수 있게 됨은 물론이다.
상기 그래핀을 나노 패턴하여 임의의 위치에 형성하는 기술을 이용하여 그래핀의 소자 내의 위치적 한계가 없어지게 되므로 이를 이용하여 그래핀을 이용한 연구 및 상업화가 더욱 활발해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 그래핀의 전사 방법에 대한 개략적인 모식도이다.
도 2는 금속 지지층의 패터닝에 의한 그래핀의 패터닝 과정을 설명한 모식도이다.
도 3은 보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예를 설명한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDMS 도장을 이용한 스키밍 단계에 따른 그래핀의 광학 사진이다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 PDMS 도장을 이용한 스키밍 단계에 따른 그래핀의 광학 사진이다.
도 6은 금/그래핀과 PDMS 도장 사이의 액체를 제거하고 금을 식각시킨 뒤의 광학 현미경 사진이다.
도 7은 PDMS위의 그래핀을 SiO2(285 nm)/Si wafer 위로 전사한 뒤의 광학 현미경 사진이다.
도 8은 PDMS 위의 그래핀을 SiO2(285 nm) / Si wafer 위로 전사한 뒤의 Raman spectrum 분석 결과이다.
도 9는 패턴이 형성된 PDMS 위의 그래핀을 SiO2(285 nm) / Si wafer 위로 전사한 뒤의 광학 현미경 사진이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 이용해 그래핀을 PEDOT : PSS가 코팅된 유리 기판 위로 전사한 광학현미경 사진이다.
도 11은 상기 PEDOT : PSS가 코팅된 유리 기판 위로 전사된 그래핀의 라만 데이터이다.
도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 이용해 그래핀을 PVP (Poly( 4-vinylphenol))이 코팅된 유리 기판 위로 전사한 광학현미경 사진이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 이용해 그래핀 패턴을 ZnPc(유기 단분자)가 30 nm 증착 된 유리 기판 위로 전사한 광학현미경 사진이다.
도 14은 상기 ZnPc(유기 단분자)가 30 nm 증착 된 유리 기판 위로 전사된 그래핀의 라만 데이터이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 그래핀의 전사 방법에 대한 개략적인 모식도이다. 다만, 본 발명이 도 1에 제한되는 것은 아니다.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 구현예에 따른 그래핀의 전사 방법은, 그래핀을 상온/건식 공정을 이용하여 임의의 기판, 특히 유기용매, 습식공정에 취약한 박막 위에 전사할 수 있다.
이를 위해 도장을 이용할 수 있으며, 보다 구체적으로 소수성 도장을 이용할 수 있다. 구체적인 예를 들어, 상기 도장은 엘라스토머인 폴리다이메틸실록세인(PDMS)을 도장으로 사용할 수 있다.
또한 그래핀의 지지층으로 금속 지지층을 이용할 수 있다. 구체적인 예를 들어 상기 금속 지지층은 금일 수 있다.
구체적인 예를 들어, 금속 지지층을 그래핀에 위치시킨 후에, 그래핀의 성장 기판인 희생층(예를 들어, 구리 포일)을 일반적인 방법으로 제거하고, 용액에 그래핀/금속 지지층을 띄워 상기 도장으로 건진 후 금속 지지층을 제거하면, 상기 도장 위에 그래핀이 전사된다.
다음으로 도장 공정을 통해 그래핀을 임의의 기판 위에 전사시킬 수 있다.
이때 선택적으로 그래핀을 패턴화시킬 수 있다. 상기 그래핀을 패턴할 때에는 금속 지지층을 그래핀 위에 패턴하여 증착할 수 있다. 증착된 금속 지지층을 식각 마스크로 이용하여 산소 반응성 이온 에칭(RIE) 처리를 통해 금이 덮이지 않은 그래핀을 제거할 수 있다.
이 때, 구체적인 예를 들어, 그래핀의 지지층으로 금을 예시한 이유는 그래핀/지지층 박막을 도장 위에 위치시킨 후 지지층을 제거하는 공정을 진행할 때, 상기 도장과 같은 재질의 고분자 지지층인 경우(예를 들어, PMMA 지지층인 경우) 도장과 지지층이 모두 제거되어 그래핀의 변형이 생길 수 있기 때문이다.
보다 구체적으로, 금속 중 금이 유리한 이유는 금을 식각하는 용액이 엘라스토머 도장을 변형시키지 않기 때문이다.
추가적으로, 상기 패터닝 공정에 금의 패터닝이 유리한 것도 이유 중 하나일 수 있다.
도 2는 금속 지지층의 패터닝에 의한 그래핀의 패터닝 과정을 설명한 모식도이다.
구체적인 예를 들어, 패턴이 형성된 금속 지지층을 그래핀 위에 증착하고 산소 반응성 이온 에칭 (RIE) 처리를 통해 그래핀을 식각하면 금속 지지층 패턴과 같은 형태의 그래핀 패턴을 얻을 수 있다.
이후 선택적으로, 금속 지지층의 지지 역할의 강화를 위해 또 한 층의 금속 지지층을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 금속 지지층의 패턴이 금속 지지층의 형태를 유지하기 어려운 경우라면, 별도의 패턴이 없는 금속 지지층을 추가적으로 구비하는 것이 바람직하다.
상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;에서, 상기 용액은 물과 알코올계 용매의 혼합 용매일 수 있다.
이는 상기 도장이 소수성인 표면 성질을 가지고 있기 때문이다. 액체에 떠 있는 그래핀을 기판으로 떠낼 때 기판에 액체가 고르게 퍼져 액체를 따라 그래핀이 고르게 퍼지게 되는 형태를 만드는 기술이 본 발명의 주요 기술적 특징 중에 하나이다.
즉, 용액의 표면장력을 조절하여 그래핀과 지지층으로 이루어진 박막이 안정적으로 떠 있으면서 소수성 도장에 잘 퍼지는 것이 바람직하다.
구체적인 예를 들어, 물의 표면장력은 72 mN/m, 에탄올의 표면장력은 21 mN/m 로 두 용액을 혼합하여 표면장력을 조절할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
도 3은 보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예를 설명한 순서도이다. 이에 따라 각 단계를 구체적으로 설명하도록 한다.
그래핀의 성장
CVD(chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 구리포일 위에 그래핀을 성장시킨다. 이때, 구리포일의 두께는 25㎛였다. 구체적인 성장 조건은 다음과 같다.
1,000 ℃의 튜브 내의 CH 4 ( methane gas ) : 35 sccm , H 2 ( hydrogen gas ) : 5 sccm의 환경에서 구리 포일을 30분간 열처리
금속 지지층 증착
상기 그래핀 위에 금 박막을 50 내지 100nm 열증착하였다. 구체적으로, 100 nm 두께로 증착하였다. 이때 증착 속도는 1 Å/sec 였다.
그래핀의 패턴화
선택적으로, 일 실시예에서는 그래핀을 패턴화하였다.
마스크를 이용하여 그래핀 위에 금을 20 내지 50nm 증착해 금 패턴을 형성한다. 이때 금을 100nm 두께 이하로 나노패턴할 수도 있다.
금이 덮이지 않은 부분의 그래핀을 산소 RIE(reactive ion etching)을 이용해 제거한다. 이를 통해 증착한 금의 패턴과 같은 형태의 그래핀 패턴을 형성할 수 있다.
패턴된 금/그래핀 박막의 추가적인 지지층으로 금을 30 내지 300nm 증착할 수 있다. 구체적으로, 100 nm로 증착하였다.
도장을 이용한 스킴
구리포일 위에 패턴을 하지 않은 그래핀 또는 패턴된 그래핀을 구리 식각용액에 띄워 구리포일을 제거한다. 이때 구리 식각용액은 0.1M의 암모늄 퍼설페이트(ammonium persulfate) 용액을 사용한다.
구리 식각이 완료되면 그래핀/금 박막을 증류수에 띄워 식각 용액을 헹구어낸다.
다음으로 액체에 떠 있는 그래핀/금 박막을 소수성의 PDMS로 건지기 위해 액체의 표면장력을 조절한다. 표면장력 조절은 물과 에탄올(물:에탄올, 부피비율)을 0.1:0.9, 0.2:0.8, 0.3:0.7, 0.4:0.6, 0.5:0.5의 비율로 섞어 적절한 표면장력을 갖도록 한다. 구체적으로 사용한 혼합 비율은 0.3:0.7 이고, 이 때 용액의 표면장력은 23℃, 상온 에서 23 mN/m 였다.
PDMS에 위의 물과 에탄올 혼합용액이 잘 퍼지면 그래핀/금 박막을 PDMS로 건져서 위치시킨 후 액체를 건조시킨다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDMS 도장을 이용한 스키밍 단계에 따른 그래핀의 광학 사진이다. 도 4로부터 금 지지층이 덮인 그래핀을 물-알코올 혼합 용액(부피 비 0.3:0.7)에 띄운 후 PDMS 도장으로 건졌을 때 용액이 금/그래핀 박막과 PDMS 도장 사이에 고르게 퍼져있음을 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 PDMS 도장을 이용한 스키밍 단계에 따른 그래핀의 광학 사진이다. 도 5로부터 금 지지층이 덮인 그래핀을 물에 띄운 후 PDMS 도장으로 건졌을 때 물이 금/그래핀과 PDMS 도장 사이에 고르게 퍼져있지 않음을 알 수 있다.
금속 지지층 제거
요오드계 수용액을 이용하여 PDMS위의 그래핀/금 박막에서 금을 제거한다.
도 6은 금/그래핀과 PDMS 도장 사이의 액체를 제거하고 금을 식각시킨 뒤의 광학 현미경 사진이다. 금 지지층이 모두 제거된 것을 확인할 수 있다.
PDMS 도장 위에 단일층의 그래핀 또는 그래핀 패턴이 형성되었음을 확인하고 도장공정을 이용해 그래핀을 임의의 기판위에 전사한다.
도 7은 PDMS위의 그래핀을 SiO2(285 nm)/Si wafer 위로 전사한 뒤의 광학 현미경 사진이다. 목적한 그래핀이 균일하게 전사된 것을 확인할 수 있다.
도 8은 PDMS 위의 그래핀을 SiO2(285 nm) / Si wafer 위로 전사한 뒤의 Raman spectrum 분석 결과이다. 그래핀의 대표적인 특성 peak 인 G, 2D peak이 잘 나타난 것을 확인할 수 있다.
도 9는 패턴이 형성된 PDMS 위의 그래핀을 SiO2(285 nm) / Si wafer 위로 전사한 뒤의 광학 현미경 사진이다. 패턴이 형성된 그래핀도 균일하게 전사되는 것을 확인할 수 있었다. 도 9에서, 진한 보라색이 그래핀 패턴이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 이용해 그래핀을 PEDOT : PSS가 코팅된 유리 기판 위로 전사한 광학현미경 사진이다. 효과적으로 그래핀이 전사된 것을 확인할 수 있다.
도 11은 상기 PEDOT : PSS가 코팅된 유리 기판 위로 전사된 그래핀의 라만 데이터이다. 그래핀의 특성 peak인 2D peak이 확연히 눈에 뛴다.
도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 이용해 그래핀을 PVP (Poly( 4-vinylphenol))이 코팅된 유리 기판 위로 전사한 광학현미경 사진이다. 효과적으로 그래핀이 전사된 것을 확인할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 이용해 그래핀 패턴을 ZnPc(유기 단분자)가 30 nm 증착 된 유리 기판 위로 전사한 광학현미경 사진이다. 효과적으로 그래핀이 전사된 것을 확인할 수 있다.
도 14은 상기 ZnPc(유기 단분자)가 30 nm 증착 된 유리 기판 위로 전사된 그래핀의 라만 데이터이다. 그래핀의 특성 peak인 2D peak이 확연히 눈에 뛴다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (18)

  1. 희생층 상에 위치하는 그래핀을 준비하는 단계;
    상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;
    상기 희생층을 식각시키는 단계;
    상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;
    상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;
    상기 금속 지지층을 제거하는 단계; 및
    상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;
    를 포함하는 그래핀의 전사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상기 도장 표면에 위치하는 그래핀을 대상 기판으로 전사시키는 단계;에서,
    상기 대상 기판은 표면에 유기층이 위치하는 대상 기판인 것인 그래핀의 전사 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;에서,
    상기 도장은 소수성 도장인 것인 그래핀의 전사 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계; 이후,
    상기 금속 지지층에 패턴을 형성시키는 단계; 및
    상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;
    를 더 포함하는 것인 그래핀의 전사 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;는, 반응성 이온 에칭(RIE, reactive ion etching)을 이용하는 것인 그래핀의 전사 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 금속 지지층 패턴을 이용해 상기 그래핀에 동일한 패턴을 형성시키는 단계;이 후,
    상기 패턴이 형성된 금속 지지층 상에 추가적인 금속 지지층을 더 증착시키는 단계;를 더 포함하는 것인 그래핀의 전사 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 패턴이 형성된 금속 지지층 상에 추가적인 금속 지지층을 더 증착시키는 단계;에서, 추가적인 금속 지지층은 30 내지 300 nm 두께인 것인 그래핀의 전사 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;는, 열 증착 방법을 이용하며, 증착 속도는 0.1 내지 5 Å/sec 인 것인 그래핀의 전사 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 그래핀 상에 금속 지지층을 증착시키는 단계;에서,
    상기 금속 지지층은 1 내지 200 nm 두께인 것인 그래핀의 전사 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 희생층은 금속 포일인 것인 그래핀의 전사 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 희생층을 식각시키는 단계;는,
    과산화황산암모늄 (ammonium persulfate), 염화철 (iron chloride), 질산철 (iron nitrate), 또는 이들의 조합의 용액을 이용하는 것인 그래핀의 전사 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;에서,
    상기 용액의 표면 장력은 22 mN/m 내지 50 mN/m 범위인 것인 그래핀의 전사 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 희생층이 식각된 금속 지지층 표면에 위치하는 그래핀을 용액에 부유시키는 단계;에서,
    상기 용액은 물과 알코올계 용매의 혼합 용매인 것인 그래핀의 전사 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 물에 대한 알코올계 용매의 부피 비율은 1 내지 9인 것인 그래핀의 전사 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 용액에 부유된 그래핀을 도장을 이용하여 스킴(skim)하는 단계;에서,
    상기 도장은 폴리우레탄계, 불화 엘라스토머계, 또는 이들의 조합인 것인 그래핀의 전사 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 도장은 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리우레탄아크릴레이트 (Poly(urethaneacrylate)), 또는 퍼플루오로폴리에테르 (Perfluoropolyether) 인 것인 그래핀의 전사 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 금속 지지층은 금(Au) 지지층인 것인 그래핀의 전사 방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 희생층은 구리 포일, 또는 니켈 포일인 것인 그래핀의 전사 방법.

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