JP2014528643A - 非プレーナ型トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 62
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAUIDPFKEVQLLR-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zr+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[Zr+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] FAUIDPFKEVQLLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PDKGWPFVRLGFBG-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) silicon(4+) Chemical compound [O-2].[Hf+4].[Si+4].[O-2].[O-2].[O-2] PDKGWPFVRLGFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N hafnium;methane Chemical compound C.[Hf] WHJFNYXPKGDKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 tetramethyl hydroxide Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
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- H01L29/66787—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel
- H01L29/66795—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6656—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using multiple spacer layers, e.g. multiple sidewall spacers
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Abstract
Description
[項目1]
基板の上に非プレーナ型トランジスタフィンを形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタフィンの上に非プレーナ型トランジスタゲートを形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタゲート及び上記非プレーナ型トランジスタフィンの上に誘電体材料層をコンフォーマルに堆積させることと、
上記非プレーナ型トランジスタゲートの側壁に隣接する上記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを実質的に同時に形成するとともに、上記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接する上記誘電体材料層を実質的に同時に除去することと、
を含む、方法。
[項目2]
上記非プレーナ型トランジスタゲートの側壁に隣接する上記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを実質的に同時に形成するとともに、上記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接する上記誘電体材料層を実質的に同時に除去することは、
上記非プレーナ型トランジスタゲートの上部に近接する上記誘電体材料層の一部の上にキャップ構造を形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接する上記誘電体材料層の一部を指向性エッチングすることと、
を含む、項目1に記載の方法。
[項目3]
上記誘電体材料層の一部の上にキャップ構造を形成することは、
上記誘電体材料層の上に犠牲層を形成することと、
上記犠牲層を凹状にして、上記誘電体材料層の一部を露出させることと、
上記誘電体材料層の露出された上記一部のエッチング特性を変質させることと、
上記犠牲層を除去することと、
上記誘電体材料層の上記変質した部分を除去することと、
を含む、項目2に記載の方法。
[項目4]
上記誘電体材料層の露出された上記一部のエッチング特性を変質させることは、上記誘電体材料層の露出された上記一部にイオンをドープすることを含む、項目3に記載の方法。
[項目5]
上記誘電体材料層の上記イオンがドープされた部分をアニールすることを更に含む、項目4に記載の方法。
[項目6]
上記非プレーナ型トランジスタゲートに隣接してソース/ドレイン構造を形成することを更に含む、項目1に記載の方法。
[項目7]
ソース/ドレイン構造を形成することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンの一部にドーパントを注入することを含む、項目6に記載の方法。
[項目8]
上記非プレーナ型トランジスタフィンの一部にドーパントを注入することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンの上記一部にP型ドーパントを注入することを含む、項目7に記載の方法。
[項目9]
上記非プレーナ型トランジスタフィンの一部にドーパントを注入することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンの上記一部にN型ドーパントを注入することを含む、項目7に記載の方法。
[項目10]
ソース/ドレイン構造を形成することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を除去し、上記一部をソース/ドレイン構造と置き換えることを含む、項目6に記載の方法。
[項目11]
上記ソース/ドレイン構造を置き換えることは、シリコン含有ソース/ドレイン構造をエピタキシャル形成することを含む、項目10に記載の方法。
[項目12]
基板の上に非プレーナ型トランジスタフィンを形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタフィンの上に非プレーナ型トランジスタゲートを形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタゲート及び上記非プレーナ型トランジスタフィンの上に誘電体材料層を堆積させることと、
上記非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する上記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する上記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを形成することと、
上記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーの間から上記非プレーナ型トランジスタフィンの少なくとも一部を除去することと、
上記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを除去することなく上記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを除去することと、
を含む方法。
[項目13]
非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを形成することと非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを形成することとは、実質的に同時に行われる、項目12に記載の方法。
[項目14]
上記非プレーナ型トランジスタフィンの少なくとも一部を除去することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンの少なくとも一部をエッチングすることを含む、項目12に記載の方法。
[項目15]
上記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを除去することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーの内面及び外面を非指向性エッチングすることを含む、項目12に記載の方法。
[項目16]
上記非プレーナ型トランジスタフィンの上記除去された部分の代りにソース/ドレイン構造を形成することを更に含む、項目12に記載の方法。
[項目17]
上記ソース/ドレイン構造を形成することは、上記非プレーナ型トランジスタフィンの上記除去された部分の代りにシリコン含有ソース/ドレイン構造をエピタキシャル形成することを含む、項目16に記載の方法。
[項目18]
少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタフィンと、
上記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタフィンの上に形成された少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートであって、上記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートに隣接するスペーサーを備える、少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートと、
上記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する少なくとも1つのソース/ドレイン構造であって、上記少なくとも1つのソース/ドレイン構造に隣接するスペーサーがない、少なくとも1つのソース/ドレイン構造と、
を具備する非プレーナ型トランジスタ。
[項目19]
上記少なくとも1つのソース/ドレイン構造は、ドーパントが注入された上記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタフィンの一部を含む、項目18に記載の非プレーナ型トランジスタ。
[項目20]
上記ドーパントが注入された上記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタの上記一部は、P型ドーパントが注入された上記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を含む、項目19に記載の非プレーナ型トランジスタ。
[項目21]
上記ドーパントが注入された上記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタの上記一部は、N型ドーパントが注入された上記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を含む、項目19に記載の非プレーナ型トランジスタ。
[項目22]
上記ソース/ドレイン構造は、エピタキシャル形成されたシリコン含有ソース/ドレイン構造を含む、項目18に記載の非プレーナ型トランジスタ。
Claims (22)
- 基板の上に非プレーナ型トランジスタフィンを形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタフィンの上に非プレーナ型トランジスタゲートを形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタゲート及び前記非プレーナ型トランジスタフィンの上に誘電体材料層をコンフォーマルに堆積させることと、
前記非プレーナ型トランジスタゲートの側壁に隣接する前記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを実質的に同時に形成するとともに、前記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接する前記誘電体材料層を実質的に同時に除去することと、
を含む、方法。 - 前記非プレーナ型トランジスタゲートの側壁に隣接する前記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを実質的に同時に形成するとともに、前記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接する前記誘電体材料層を実質的に同時に除去することは、
前記非プレーナ型トランジスタゲートの上部に近接する前記誘電体材料層の一部の上にキャップ構造を形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタフィンに隣接する前記誘電体材料層の一部を指向性エッチングすることと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記誘電体材料層の一部の上にキャップ構造を形成することは、
前記誘電体材料層の上に犠牲層を形成することと、
前記犠牲層を凹状にして、前記誘電体材料層の一部を露出させることと、
前記誘電体材料層の露出された前記一部のエッチング特性を変質させることと、
前記犠牲層を除去することと、
前記誘電体材料層の前記変質した部分を除去することと、
を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記誘電体材料層の露出された前記一部のエッチング特性を変質させることは、前記誘電体材料層の露出された前記一部にイオンをドープすることを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記誘電体材料層の前記イオンがドープされた部分をアニールすることを更に含む、請求項4に記載の方法。
- 前記非プレーナ型トランジスタゲートに隣接してソース/ドレイン構造を形成することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- ソース/ドレイン構造を形成することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部にドーパントを注入することを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部にドーパントを注入することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンの前記一部にP型ドーパントを注入することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部にドーパントを注入することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンの前記一部にN型ドーパントを注入することを含む、請求項7に記載の方法。
- ソース/ドレイン構造を形成することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を除去し、前記一部をソース/ドレイン構造と置き換えることを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記ソース/ドレイン構造を置き換えることは、シリコン含有ソース/ドレイン構造をエピタキシャル形成することを含む、請求項10に記載の方法。
- 基板の上に非プレーナ型トランジスタフィンを形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタフィンの上に非プレーナ型トランジスタゲートを形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタゲート及び前記非プレーナ型トランジスタフィンの上に誘電体材料層を堆積させることと、
前記非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する前記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する前記誘電体材料層の一部から非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを形成することと、
前記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーの間から前記非プレーナ型トランジスタフィンの少なくとも一部を除去することと、
前記非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを除去することなく前記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを除去することと、
を含む方法。 - 非プレーナ型トランジスタゲートスペーサーを形成することと非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを形成することとは、実質的に同時に行われる、請求項12に記載の方法。
- 前記非プレーナ型トランジスタフィンの少なくとも一部を除去することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンの少なくとも一部をエッチングすることを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーを除去することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンスペーサーの内面及び外面を非指向性エッチングすることを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記非プレーナ型トランジスタフィンの前記除去された部分の代りにソース/ドレイン構造を形成することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記ソース/ドレイン構造を形成することは、前記非プレーナ型トランジスタフィンの前記除去された部分の代りにシリコン含有ソース/ドレイン構造をエピタキシャル形成することを含む、請求項16に記載の方法。
- 少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタフィンと、
前記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタフィンの上に形成された少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートであって、前記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートに隣接するスペーサーを備える、少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートと、
前記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタゲートに隣接する少なくとも1つのソース/ドレイン構造であって、前記少なくとも1つのソース/ドレイン構造に隣接するスペーサーがない、少なくとも1つのソース/ドレイン構造と、
を具備する非プレーナ型トランジスタ。 - 前記少なくとも1つのソース/ドレイン構造は、ドーパントが注入された前記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタフィンの一部を含む、請求項18に記載の非プレーナ型トランジスタ。
- 前記ドーパントが注入された前記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタの前記一部は、P型ドーパントが注入された前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を含む、請求項19に記載の非プレーナ型トランジスタ。
- 前記ドーパントが注入された前記少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタの前記一部は、N型ドーパントが注入された前記非プレーナ型トランジスタフィンの一部を含む、請求項19に記載の非プレーナ型トランジスタ。
- 前記ソース/ドレイン構造は、エピタキシャル形成されたシリコン含有ソース/ドレイン構造を含む、請求項18に記載の非プレーナ型トランジスタ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2011/054329 WO2013048455A1 (en) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | Non-planar transistors and methods of fabrication thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014528643A true JP2014528643A (ja) | 2014-10-27 |
JP5911583B2 JP5911583B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=47996187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014533271A Active JP5911583B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 非プレーナ型トランジスタの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9419106B2 (ja) |
EP (1) | EP2761647B1 (ja) |
JP (1) | JP5911583B2 (ja) |
KR (2) | KR101612646B1 (ja) |
CN (2) | CN103858215B (ja) |
SG (1) | SG2014007199A (ja) |
TW (2) | TWI517395B (ja) |
WO (1) | WO2013048455A1 (ja) |
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- 2011-09-30 WO PCT/US2011/054329 patent/WO2013048455A1/en active Application Filing
- 2011-09-30 CN CN201180073727.7A patent/CN103858215B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-30 SG SG2014007199A patent/SG2014007199A/en unknown
- 2011-09-30 CN CN201610947914.8A patent/CN107123676A/zh active Pending
- 2011-09-30 KR KR1020147007903A patent/KR101612646B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-30 KR KR1020157019117A patent/KR20150089092A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-09-30 EP EP11872969.8A patent/EP2761647B1/en active Active
- 2011-09-30 JP JP2014533271A patent/JP5911583B2/ja active Active
- 2011-09-30 US US13/993,332 patent/US9419106B2/en active Active
-
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- 2012-09-17 TW TW101133989A patent/TWI517395B/zh active
- 2012-09-17 TW TW104134541A patent/TWI574419B/zh active
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- 2016-07-11 US US15/206,794 patent/US10032915B2/en active Active
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EP2761647B1 (en) | 2020-09-23 |
SG2014007199A (en) | 2014-04-28 |
EP2761647A4 (en) | 2015-08-12 |
TW201620138A (zh) | 2016-06-01 |
TWI517395B (zh) | 2016-01-11 |
KR101612646B1 (ko) | 2016-04-14 |
EP2761647A1 (en) | 2014-08-06 |
TWI574419B (zh) | 2017-03-11 |
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CN103858215A (zh) | 2014-06-11 |
CN107123676A (zh) | 2017-09-01 |
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TW201330267A (zh) | 2013-07-16 |
US20160351716A1 (en) | 2016-12-01 |
CN103858215B (zh) | 2016-12-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150422 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151016 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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