JP2015213183A - 非プレーナ型トランジスタのフィン製造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非プレーナ型トランジスタ1001、1002内のフィンのドープにおいて、誘電体材料層等のコンフォーマルブロック材料層を用いて注入を行い、非プレーナ型トランジスタのフィンの全体にわたって略均一なドープを行う。
【選択図】図1
Description
(項目1)
非プレーナ型トランジスタにおいて、複数のトランジスタのフィン上にコンフォーマルブロック材料層を形成することと、
上記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することと、
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことと、
上記コンフォーマルブロック材料層を除去することと、
を含む方法。
(項目2)
コンフォーマルブロック層を形成することは、コンフォーマル誘電体ブロック材料層を形成することを含む、項目1に記載の方法。
(項目3)
コンフォーマル誘電体ブロック層を形成することは、コンフォーマル誘電体ブロック材料層を形成することを含む、項目2に記載の方法。
(項目4)
上記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することは、
上記コンフォーマルブロック材料層のうちの少なくとも1つの部分上にフォトレジスト材料をパターニングすることと、
上記フォトレジスト材料に覆われていない領域において上記コンフォーマルブロック材料層をエッチングすることと、
上記フォトレジスト材料を除去することと、
を含む、項目1に記載の方法。
(項目5)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことを含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンの対向する側壁に斜めイオン注入を行うことを含む、項目5に記載の方法。
(項目7)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにP型イオン注入を行うことを含む、項目1に記載の方法。
(項目8)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにN型イオン注入を行うことを含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
複数のトランジスタのフィンを有する非プレーナ型トランジスタを形成することと、
上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つがコンフォーマルブロック材料層で覆われ上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つが上記コンフォーマルブロック材料層で覆われていないように、上記複数のトランジスタのフィン上に上記コンフォーマルブロック材料層を形成することと、
上記コンフォーマルブロック材料層で覆われていない上記少なくとも1つのトランジスタのフィンにイオン注入を行うことと、
を含む方法。
(項目10)
上記コンフォーマルブロック材料層を形成することは、
複数のトランジスタのフィン上に上記コンフォーマルブロック材料層を堆積することと、
上記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することと
を含む、項目9に記載の方法。
(項目11)
上記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することは、
上記コンフォーマルブロック材料層のうちの少なくとも1つの部分上にフォトレジスト材料をパターニングすることと、
上記フォトレジスト材料に覆われていない領域において上記コンフォーマルブロック材料層をエッチングすることと
を含む、項目10に記載の方法。
(項目12)
上記コンフォーマルブロック材料層を除去することを更に含む、項目9に記載の方法。
(項目13)
上記コンフォーマルブロック材料層を形成することは、コンフォーマル誘電体ブロック材料層を形成することを含む、項目9に記載の方法。
(項目14)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことを含む、項目9に記載の方法。
(項目15)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンの対向する複数の側壁に斜めイオン注入を行うことを含む、項目14に記載の方法。
(項目16)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにP型イオン注入を行うことを含む、項目9に記載の方法。
(項目17)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにN型イオン注入を行うことを含む、項目9に記載の方法。
(項目18)
複数のトランジスタのフィンを有する少なくとも1つの非プレーナ型トランジスタ
を備える超小型電子素子であって、
上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つは、上記トランジスタのフィンの高さに沿って略均一にイオンドープされ、
上記ドープは、
上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つがコンフォーマルブロック材料層で覆われ上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つが上記コンフォーマルブロック材料層で覆われていないように、上記複数のトランジスタのフィン上にコンフォーマルブロック材料層を形成することと、
上記コンフォーマルブロック材料層で覆われていない上記少なくとも1つのトランジスタのフィンにイオン注入を行うことと、
を含むプロセスによって行われる、超小型電子素子。
(項目19)
上記コンフォーマルブロック材料層を形成することは、
複数のトランジスタのフィン上に上記コンフォーマルブロック材料層を堆積することと、
上記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することと、
を含む、項目18に記載の超小型電子素子。
(項目20)
上記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、上記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することは、
上記コンフォーマルブロック材料層の少なくとも1つの部分上にフォトレジスト材料をパターニングすることと、
上記フォトレジスト材料に覆われていない領域において上記コンフォーマルブロック材料層をエッチングすることと、
を含む、項目19に記載の超小型電子素子。
(項目21)
上記コンフォーマルブロック材料層を除去することを更に含む、項目18に記載の超小型電子素子。
(項目22)
上記コンフォーマルブロック材料層を形成することは、コンフォーマル誘電体ブロック材料層を形成することを含む、項目18に記載の超小型電子素子。
(項目23)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことを含む、項目18に記載の超小型電子素子。
(項目24)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンの対向する複数の側壁に斜めイオン注入を行うことを含む、項目23に記載の超小型電子素子。
(項目25)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにP型イオン注入を行うことを含む、項目18に記載の超小型電子素子。
(項目26)
上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、上記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにN型イオン注入を行うことを含む、項目18に記載の超小型電子素子。
Claims (14)
- 非プレーナ型トランジスタにおいて、複数のトランジスタのフィン上にコンフォーマルブロック材料層を形成することと、
前記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、前記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することと、
前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことと、
前記コンフォーマルブロック材料層を除去することと、
を含み、
前記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、前記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することは、
前記コンフォーマルブロック材料層のうちの少なくとも1つの部分上にフォトレジスト材料をパターニングすることと、
前記フォトレジスト材料に覆われていない領域において前記コンフォーマルブロック材料層をエッチングすることと、
前記フォトレジスト材料を除去することと、
を含み、
前記複数のトランジスタのフィンのうちの露出された前記少なくとも1つに対して、前記トランジスタのフィンの高さ方向に沿って均一に、かつ、前記トランジスタのフィンの上面に前記イオン注入がされる
非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。 - コンフォーマルブロック材料層を形成することは、コンフォーマル誘電体ブロック材料層を形成することを含む、請求項1に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- 前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことを含む、請求項1または2に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- 前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことは、前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンの対向する複数の側壁に斜めイオン注入を行うことを含む、請求項3に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- 前記コンフォーマルブロック材料層は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、シアン化ケイ素、及び酸シアン化シリコンのいずれか一つを含む
請求項1から4のいずれか一項に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。 - 前記コンフォーマルブロック材料層は、2nmから20nmの厚みを有する
請求項1から5のいずれか一項に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。 - 複数のトランジスタのフィンを有する非プレーナ型トランジスタを形成することと、
前記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つがコンフォーマルブロック材料層で覆われ前記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つが前記コンフォーマルブロック材料層で覆われていないように、前記複数のトランジスタのフィン上に前記コンフォーマルブロック材料層を形成することと、
前記コンフォーマルブロック材料層で覆われていない前記少なくとも1つのトランジスタのフィンにイオン注入を行うことと、
を含み、
前記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、前記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することは、
前記コンフォーマルブロック材料層のうちの少なくとも1つの部分上にフォトレジスト材料をパターニングすることと、
前記フォトレジスト材料に覆われていない領域において前記コンフォーマルブロック材料層をエッチングすることと
を含み、
前記複数のトランジスタのフィンのうちの露出された前記少なくとも1つに対して、前記トランジスタのフィンの高さ方向に沿って均一に、かつ、前記トランジスタのフィンの上面に前記イオン注入がされる
非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。 - 前記コンフォーマルブロック材料層を形成することは、
複数のトランジスタのフィン上に前記コンフォーマルブロック材料層を堆積することと、
前記コンフォーマルブロック材料層の一部を除去して、前記複数のトランジスタのフィンのうちの少なくとも1つを露出することと
を含む、請求項7に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。 - 前記コンフォーマルブロック材料層を除去することを更に含む、請求項7または8に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- コンフォーマルブロック材料層を形成することは、コンフォーマル誘電体ブロック材料層を形成することを含む、請求項7から9の何れか一項に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- 前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンにイオン注入を行うことは、前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことを含む、請求項7から10の何れか一項に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- 前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンに斜めイオン注入を行うことは、前記少なくとも1つの露出したトランジスタのフィンの対向する複数の側壁に斜めイオン注入を行うことを含む、請求項11に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
- 前記コンフォーマルブロック材料層は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、シアン化ケイ素、及び酸シアン化シリコンのいずれか一つを含む
請求項7から12のいずれか一項に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。 - 前記コンフォーマルブロック材料層は、2nmから20nmの厚みを有する
請求項7から13のいずれか一項に記載の非プレーナ型トランジスタのフィンの製造方法。
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