JP2014527298A5 - - Google Patents
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Claims (14)
- ｐＨ値が３．０〜５．５の範囲であり、且つ
（Ａ）シリカ粒子と、
（Ｂ）少なくとも一種の酸化剤と、
（Ｃ）水性媒体と、を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物の存在下で、元素状ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ（ただし、０．１≦ｘ＜１）製の材料を化学機械研磨することを含む半導体装置の製造方法。 - 上記ＣＭＰ組成物に含まれる他の添加物の総量が、そのＣＭＰ組成物の総質量に対して１質量％以下であり、上記の他の添加物が、粒子（Ａ）、酸化剤（Ｂ）または水性媒体（Ｃ）以外の添加物であり、ｐＨ値の調整のみの目的でそのＣＭＰ組成物に加えられる添加物ではない請求項１に記載の方法。
- 上記ＣＭＰ組成物中に含まれる他の添加物の総量が、そのＣＭＰ組成物の総質量に対して０．１質量％以下であり、上記の他の添加物が、粒子（Ａ）、酸化剤（Ｂ）または水性媒体（Ｃ）以外の添加物であり、ｐＨ値の調整のみの目的でそのＣＭＰ組成物に加えられる添加物ではない請求項１に記載の方法。
- 元素状ゲルマニウムを化学機械研磨することを含む半導体装置の製造のための請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
- 上記の元素状ゲルマニウムが、二酸化ケイ素、ケイ素、または他の半導体産業で用いられる絶縁性および半導性材料の間の溝で充填または成長させられたものである請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
- 上記元素状ゲルマニウムが、層及び／又は過剰成長層の形状を持ち、そのゲルマニウム含量がその層及び／又は過剰成長層の総質量に対して９８％より大きい請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
- 酸化剤（Ｂ）が過酸化水素である請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- 粒子（Ａ）の量が、そのＣＭＰ組成物の総質量に対して０．０１〜５質量％の範囲である請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
- 酸化剤（Ｂ）の量が、そのＣＭＰ組成物の総質量に対して０．４〜５質量％の範囲である請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
- 上記ＣＭＰ組成物のｐＨ値が３．７〜４．３の範囲である請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
- 上記ＣＭＰ組成物は、ｐＨ値が３．０〜５．５であり、
（Ａ）そのＣＭＰ組成物の総質量に対して０．０１〜５質量％の量のコロイダルシリカ粒子と、
（Ｂ）そのＣＭＰ組成物の総質量に対して０．４〜５質量％の量の過酸化水素と、
（Ｃ）水を含み、このＣＭＰ組成物に含まれる他の添加物の総量がそのＣＭＰ組成物の総質量に対して１質量％以下であり、上記の他の添加物が、粒子（Ａ）、酸化剤（Ｂ）または水性媒体（Ｃ）以外の添加物であり、ｐＨ値の調整のみの目的でそのＣＭＰ組成物に加えられる添加物ではない請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。 - ゲルマニウムの二酸化ケイ素に対する材料除去率選択性が４．５：１より大きい請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
- ｐＨ値が３．５〜４．５の範囲であり、
（Ａ）シリカ粒子と、
（Ｂ）少なくとも一種の酸化剤と、
（Ｃ）水性媒体を含むＣＭＰ組成物の、元素状ゲルマニウム層及び／又は過剰成長層を含む基板の化学機械研磨への利用。 - 粒子（Ａ）がコロイダルシリカ粒子であり、酸化剤（Ｂ）が過酸化水素であり、このＣＭＰ組成物に含まれる他の添加物の総量がそのＣＭＰ組成物の総質量に対して１質量％以下であり、上記の他の添加物が、粒子（Ａ）、酸化剤（Ｂ）または水性媒体（Ｃ）以外の添加物であり、ｐＨ値の調整のみの目的でそのＣＭＰ組成物に加えられる添加物ではない請求項１３に記載の利用。
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