JP2014526430A - グラフェン欠陥の修正 - Google Patents

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Abstract

技術は、グラフェンを含む層の欠陥を少なくとも部分的に修正するのに有効な方法およびシステムについて、一般的に記載される。いくつかの例では、本方法は、層が少なくともいくらかのグラフェンおよび少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含む基板上の層を受け取ることを、含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を明らかにすることができる。本方法は、露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、基板を反応させることを含むこともできる。本方法は、グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させることを、さらに含むことができる。本方法は、層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、グラフェン酸化物層を還元することを、さらに含むことができる。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、以下の出願に関連する。発明の名称を「ＧＲＡＰＨＥＮＥ ＤＥＦＥＣＴ ＡＬＴＥＲＡＴＩＯＮ（グラフェン欠陥の修正）」とし、発明者をＳｅｔｈ Ｍｉｌｌｅｒとし、（年、月、日）に出願され、現在同時係属中であるＰＣＴ特許出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／ｘｘｘｘｘ（代理人整理番号１５７４−００４０）、および、発明の名称を「ＧＲＡＰＨＥＮＥ ＤＥＦＥＣＴ ＤＥＴＥＣＴＩＯＮ（グラフェン欠陥の検出）」とし、発明者をＳｅｔｈ Ｍｉｌｌｅｒとし、（年、月、日）に出願され、現在同時係属中であるＰＣＴ／ＵＳ２０１１／ｘｘｘｘｘ（代理人整理番号１５７４−００４１）。
本明細書において示される場合を除き、この項に記載された材料は、本出願の請求項に対する先行技術ではなく、またこの項に含まれることによって先行技術であると認められるものではない。
グラフェンは、一般に、結合した炭素原子の１原子分の厚さの層を含むことができる材料である。グラフェンは、銅などの別の材料の最上部で炭素原子を成長させることにより、生成することができる。銅を石英管に挿入し、加熱し、そしてアニールすることができる。それから、ＣＨ４およびＨ２の混合気体をその管内に流入することができ、そして、グラフェンを生成するために、流れるＨ２によって銅を冷却することができる。
いくつかの実施例では、基板上の、グラフェンを含む層の欠陥領域を少なくとも部分的に修正するための方法を一般的に記述する。いくつかの方法は、その層が少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含み得る場合に、基板上のその層を受け取ることを含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を露わにすることができる。本方法は、露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するのに有効な充分な反応条件の下で、基板を反応させることを含むこともできる。本方法は、グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させることをさらに含むことができる。本方法は、その層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、グラフェン酸化物層を還元することをさらに含むことができる。
いくつかの実施例では、基板上のグラフェンを含む層の欠陥領域を少なくとも部分的に修正するのに有効なシステムを、一般的に記述する。様々な実施例では、システムはチャンバおよびチャンバと連通して構成される容器を含むことができる。チャンバは、基板上の層を受け取るのに有効に構成することができる。ここで、その層は少なくともいくらかのグラフェンを含むことができて、少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を露わにするのに有効であり得る。チャンバおよび容器は、露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、基板を反応させるのに有効に構成することができる。チャンバおよび容器は、グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させるのに有効に構成することができる。チャンバおよび容器は、グラフェン酸化物層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、その層を還元するのに有効にさらに構成することができる。
いくつかの実施例では、処理された層を一般的に記述する。その層は、基板上に少なくともいくらかのグラフェンを含むことができる。その層は、少なくとも１つの欠陥領域をグラフェン内に含むことができる。欠陥領域は、基板の陽イオン領域を露わにするのに有効であり得る。その層は、陽イオン領域に付着した、還元されたグラフェン酸化物層を、さらに含むことができる。
上述した「発明の概要」は、例示しただけであって、いかなる形であれ、限定することを意図するものではない。上述した例示的態様、実施形態、および特徴に加えて、さらなる態様、実施形態、および特徴が、図面および以下の「発明を実施するための形態」を参照することで明らかになろう。
本開示の上述した特徴および他の特徴は、添付した図面と共に、以下の説明および添付した特許請求の範囲から、より完全に明らかになろう。これらの図面が、本開示に基づくいくつかの実施形態のみを表し、したがって、特許請求の範囲を限定するものとみなされるべきではないことを理解して、添付の図面を用いることにより、本開示はさらに特定され詳細に記述される。
グラフェン欠陥の修正を実現するために用いることができるシステムの一例を示す図である。 グラフェン欠陥の修正を実現するための処理の一例のフローチャートである。 グラフェン欠陥の修正を実現するために用いることができるコンピュータプログラム製品を示す図である。 グラフェン欠陥の修正を実現するように構成されたコンピューティングデバイスの一例を示すブロック図である。
各図に示す構成は全て、少なくとも本明細書において記載されたいくつかの実施形態に従って構成される。
以下の「発明を実施するための形態」において、添付の図面を参照するが、それは本明細書の一部を形成するものである。図面において、特に文脈により示されない限り、典型的に類似の符号は類似の構成要素を表すものとする。「発明を実施するための形態」、図面、および「特許請求の範囲」に記載される例示的な実施形態は、限定することを意味しない。本明細書に示された発明の主題の趣旨または範囲を逸脱することなく、他の実施形態を用いることができ、また、他の変更を行うことができる。本明細書に一般的に記載され、図に示される本開示の態様が、多種多様な異なる構成で配列され、置換され、組み合わされ、分離され、そして設計され得ることが容易に理解されよう。そして、その全ては本明細書において明示的に考察される。
本開示は、なかでも、グラフェン欠陥の修正に関連するシステム、方法、材料および装置に対して、一般的に描かれる。
簡潔に述べると、技術は、グラフェンを含む層の欠陥を少なくとも部分的に修正するのに有効な方法およびシステムについて、一般的に記載される。いくつかの例では、本方法は、層が少なくともいくらかのグラフェンおよび少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含む基板上の層を受け取ることを、含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を明らかにすることができる。本方法は、露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、基板を反応させることを含むこともできる。本方法は、グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させることを、さらに含むことができる。本方法は、層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、グラフェン酸化物層を還元することを、さらに含むことができる。
また、明示または黙示を問わず本明細書に開示され、および／または請求項に記載され、構造的に、組成的に、および／または機能的に関係する化合物、材料または物質の１つのグループに属する、いかなる化合物、材料または物質も、そのグループおよびその全ての組み合わせの個々の代表例を含むものと理解されよう。
図１は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づいて、グラフェン欠陥の修正を実現するために利用することができるシステムの一例を示す。一例であるグラフェン欠陥修正システム１００は、１つまたは複数のチャンバ１１２、１１３、１１５、１つまたは複数の容器１１８、１２８、１６２、１つまたは複数のヒーター１７４、１７５、１７７、１つまたは複数のバルブ１４８、１５８、１６８、１８２、１８９、１９８、および／または１つまたは複数のポンプ１７０、１７１、１７２を含むことができる。欠陥修正システム１００の少なくともいくつかの要素は、通信リンク１８６によりプロセッサ１８４と通信するように構成することができる。いくつかの例では、プロセッサ１８４は、格納される命令１８０を含み得るメモリ１８８と通信するように構成することができる。プロセッサ１８４は、例えば命令１８０によって、後述する動作／操作／機能の少なくともいくつかを制御するように構成することができる。
グラフェン生成処理中に、亀裂、ボイド、裂け目または他の欠陥もしくは欠陥領域が、グラフェン１０６内に生じることがある。このような欠陥は、グラフェン生成処理の際、および／またはグラフェンを基板へ移送する際の不純物の結果として生じ得る。これらの欠陥は、いくつかの応用において、グラフェンの動作を劣化させるおそれがある。例えば、電子が欠陥の周囲を動くことができるので、欠陥が存在することにより、グラフェンの導電率が低下するおそれがある。これによって、抵抗が増加し、局所磁場が生じる可能性がある。また、インダクタンスが増加する可能性もある。グラフェンが伝導トレース（例えばディスプレイまたは高周波回路などにおいて）として使われる例では、オープンな、機能しない回路になるおそれがある。気体透過性が、影響を受ける可能性がある。ボイドが応力集中部分になり得るから、機械的強度が影響を受ける可能性がある。グラフェンの化学反応性は、欠陥が存在することで、増加する可能性がある。一例では、符号１３６に示すように、基板１０４上のグラフェン１０６を含む層１０２は、基板１０４の露出領域１０９、１１１を露わにする欠陥１０８および／または１１０を含むことができる。一例では、基板１０４は、電気的絶縁物を含むことができる。一例では、基板１０４は、例えば、プラスチック、シリコン、ＳｉＯ２、ガラス、金、銀、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などで形成することができる。以下でさらに詳しく説明するように、層１０２および基板１０４を、基板１０４の露出領域内に陽イオン領域を生成するために有効な材料にさらすことができる。それから、グラフェン酸化物を陽イオン領域に作用させることができ、そして、グラフェン酸化物を、層１０２の欠陥領域を修正するために、少なくとも部分的に還元することができる。
符号１３８に示すように、層１０２および基板１０４を、例えば手または機械によって、チャンバ１１２内に置くことができる。チャンバ１１２はポート１１４、１１６を含むことができ、そして、チャンバ１１２はポンプ１７０、ヒーター１７４および／または容器１１８と連通してもよい。容器１１８は、ポンプ１７０と共に、例えばプロセッサ１８４の制御により、基板１０４、グラフェン１０６および／または露出領域１０９、１１１に、気体１２０または液体１２１を作用させるのに有効に構成することができる。気体１２０または液体１２１は、欠陥領域１０８、１１０の存在により露わになる露出領域１０９、１１１内に陽イオン領域１７６、１７８を生成するのに有効な材料を含むことができる。例えば、気体１２０または液体１２１は、アミン終端した材料、またはアミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＰＴＳ）もしくはポリエチレンイミン（ＰＥＩ）などのアミン終端したシロキサンを含むことができる。一例では、ＡＰＴＳは、基板１０２上で露出領域１０９、１１１内にアミン官能基を生成する基板１０４のシラノールと、結合することができて、これによって、陽イオン領域１７６、１７８を生成する。
一例では、ヒーター１７４が約１分から約２分の時間間隔で、約１気圧で、層１０２および基板１０４を摂氏約２５度から摂氏約４０度までの温度範囲まで加熱しながら、気体１２０または液体１２１を、層１０２および基板１０４に作用させることができる。一例では、基板１０４がプラスチックを含み、放電電極１４４は、チャンバ１１２に関連して動作可能であって、露出領域１０９、１１１で基板１０４を酸化させる基板１０４上のコロナ放電を生じさせるのに有効に構成することができる。例えば、グラフェンが生成された位置からグラフェンが用いられ得る位置までグラフェンを移送する前に、コロナ放電を実行することができる。この例では、カルボキシル酸官能基を生成することができる。液体１２１は、陽イオン領域１７６、１７８を生成するために、カルボキシル酸官能基に結合し得るＰＥＩなどの陽イオンであるポリマーを含むことができる。
符号１４０に示すように、グラフェン１０６、欠陥領域１０８、１１０および陽イオン領域１７６、１７８を有する基板１０４は、例えば手または機械により、チャンバ１１３内に置くことができる。容器１２８は、チャンバ１１３と連通してもよい。容器１２８は、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、陽イオン領域１７６、１７８を有する基板１０４に液体１６０を作用するのに有効に構成することができる。例えば、基板１０４を液体１６０に浸漬してもよい。液体１６０は、グラフェン酸化物（ＧＯ）として、例えば水およびＧＯを含む溶液を含むことができる。液体またはグラフェン酸化物溶液１６０は、グラフェン酸化物層１９０およびグラフェン酸化物層１９２を生成する陰イオン性分散系の陽イオン領域１７６、１７８に、グラフェン酸化物の剥片が付着することができるように、陰イオン性であってもよい。例えば、陰イオン性グラフェン酸化物剥片は、陽イオン性ＡＰＴＳおよび／またはＰＥＩに付着することができる。
一例では、ヒーター１７５が、約１分から約２分の時間間隔で、基板１０４を摂氏約１５度から摂氏約２５度までの温度範囲まで加熱しながら、液体１６０を基板１０４に作用させることができる。ポンプ１７１は、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、チャンバ１１２内の圧力を発生させる、またはその圧力をチャンバ１１３内の約０．５気圧から約２気圧に制御するのに有効に構成することができる。陽イオン領域１７６、１７８に付着しないグラフェン酸化物は、チャンバ１１３内の層１０２全体にわたって、例えば水を含む流動液体１６０などによって洗い落とすことができる。
符号１４２に示すように、グラフェン酸化物層１９０、１９２を有する層１０２は、例えば手または機械により、チャンバ１１５に置くことができる。容器１６２は、チャンバ１１５と連通してもよく、液体１６４および／または気体１６１を含むことができる。チャンバ１１５は、修正された欠陥または還元されたグラフェン酸化物領域１９４、１９６を生成するために、液体１６４および／または気体１６１をグラフェン酸化物層１９０、１９２に作用させることによって、グラフェン酸化物層１９０、１９２のグラフェン酸化物を還元するのに有効であり得る。例えば、容器１６２は、ヒドラジン溶液を含む液体１６４または気体１６１を含むことができる。一例では、液体１６４は、重量で約０．５％から５％のヒドラジンを含むことができる。一例では、容器１６２は、水素化ホウ素ナトリウムおよび水を含む液体１６４または気体１６１を含むことができる。修正された欠陥または還元されたグラフェン酸化物領域１９４、１９６を生成するために、グラフェン酸化物層１９０、１９２のグラフェン酸化物を少なくとも部分的に還元するように、チャンバ１１５内の圧力、反応時間および温度を、調整することができる。一例では、ヒーター１７７は、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、約２時間から約４時間までの時間間隔で、層１０２および基板１０４を摂氏約５０度から摂氏約３００度の温度範囲まで加熱するのに有効に構成することができる。この例では、ポンプ１７２は、チャンバ１１５内で約３気圧から約５気圧の圧力を発生させ、または制御するのに有効に構成することができる。
他の可能性のある利点の中で、本開示に基づいて構成されるシステムは、グラフェンを含む層の欠陥領域を少なくとも部分的に修正するために用いることができる。グラフェンが、グラフェンが成長した位置から移送された後であっても、欠陥を修正することができる。グラフェンは、例えばディスプレイ、マイクロエレクトロニクス回路、電子相互接続および／または光応用などにおいて生じ得る、リソグラフィのためにグラフェンを用いる技術などの、ボイドまたは亀裂に影響されやすいことがあるアプリケーションにおいて用いることができる。
図２は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づいて構成されるグラフェン欠陥修正を実現するための、一例である処理２００のフローチャートを表す。図２の処理は、例えば、上述したシステム１００を用いて実行することができ、プロセッサ１８４は、命令により、図４についてさらに記載されるインターフェースを通して、様々な処理動作を制御し、容易にするように適応することができる。処理の一例は、１つまたは複数のブロックＳ２、Ｓ４、Ｓ６および／またはＳ８で示すように、１つまたは複数の動作、操作または機能を含むことができる。別々のブロックとして示されているが、様々なブロックは付加的なブロックに分割することができるか、より少数のブロックに結合することができるか、または、削除することができる。それは、要求する実装によって決まる。
処理２００はブロックＳ２から開始することができ、「少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含む基板上の層を受け取り、欠陥領域が基板の露出領域を露わにする」。ブロックＳ２では、チャンバは、基板上の層を受け取るのに有効に構成することができる。その層は、少なくともいくつか欠陥領域をグラフェン内に含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を露わにすることができる。
処理は、ブロックＳ２からブロックＳ４まで継続することができて、「露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、基板を反応させる」。ブロックＳ４では、チャンバは、バルブおよび気体もしくは液体を含む容器と共に、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するように、基板を反応させるのに有効に構成され得る。例えば、ＡＰＴＳもしくはＰＥＩなどのアミン終端した材料を含む気体または液体を、容器からバルブを通ってチャンバ内の層および基板に作用させることができる。
処理は、ブロックＳ４からブロックＳ６まで継続することができて、「グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させる」。ブロックＳ６では、チャンバは、バルブおよび気体もしくは液体を含む容器と共に、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、グラフェン酸化物層を生成するために少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させるのに有効に構成され得る。例えば、チャンバと流体連通する容器は、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、グラフェン酸化物を含む気体または液体を、層および基板に作用させるのに有効に構成され得る。グラフェン酸化物は、陽イオン領域に付着することができる。
処理は、ブロックＳ６からブロックＳ８まで継続することができて、「層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、グラフェン酸化物層を還元する」。ブロックＳ８では、チャンバは、バルブおよび気体もしくは液体を含む容器と共に、例えばプロセッサ１８４などのコントローラによる制御の下で、グラフェン酸化物層を還元するのに有効に構成され得る。例えば、チャンバと流体連通する容器は、例えばプロセッサなどのコントローラによる制御の下で、ヒドラジン溶液を含む液体または気体をグラフェン酸化物層に作用させるのに有効に構成され得る。例えば、チャンバと流体連通する容器は、例えばプロセッサなどのコントローラによる制御の下で、水素化ホウ素ナトリウムおよび水溶液を含む液体または気体をグラフェン酸化物層に作用させるのに有効に構成され得る。
図３は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づくグラフェン欠陥修正を実現するために、用いることができるコンピュータプログラム製品を示す。プログラム製品３００は、信号担持媒体３０２を含むことができる。信号担持媒体３０２は、１つまたは複数の命令３０４を含むことができ、例えばプロセッサによって実行される場合に、図１および図２について上述した機能性を提供することができる。このように、例えばシステム１００を参照すると、プロセッサ１８４は、媒体３０２によってシステム１００に伝えられる命令３０４に応答して、図３に示される１つまたは複数のブロックを受け持つことができる。
いくつかの実装では、信号担持媒体３０２は、これに限定されないが、例えばハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、メモリなどのコンピュータ可読媒体３０６を含むことができる。いくつかの実装では、信号担持媒体３０２は、これに限定されないが、記録可能媒体３０８、例えばメモリ、読取り／書込み（Ｒ／Ｗ）ＣＤ、Ｒ／Ｗ ＤＶＤなどを含むことができる。いくつかの実装では、信号担持媒体３０２は、これに限定されないが、例えばデジタルおよび／またはアナログ通信媒体（例えば、光ファイバーケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなど）などの通信媒体３１０を含むことができる。このように、例えば、プログラム製品３００は、ＲＦ信号担持媒体３０２によって、システム１００の１つまたは複数のモジュールに伝達されることができて、無線通信媒体３１０（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１１標準に準拠する無線通信媒体）によって、信号担持媒体３０２が伝達される。
図４は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づくグラフェン欠陥修正を実現するように構成されたコンピューティングデバイスの一例を示すブロック図である。非常に基本的な構成４０２では、コンピューティングデバイス４００は、１つまたは複数のプロセッサ４０４およびシステムメモリ４０６を典型的に含む。プロセッサ４０４とシステムメモリ４０６との間の通信のために、メモリバス４０８を用いることができる。
所望の構成に応じて、プロセッサ４０４は、これに限定されないが、マイクロプロセッサ（μＰ）、マイクロコントローラ（μＣ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）を含むいかなるタイプであってもよいし、あるいは、それらのいかなる組み合わせであってもよい。プロセッサ４０４は、例えばレベル１キャッシュ４１０およびレベル２キャッシュ４１２、プロセッサコア４１４、ならびにレジスタ４１６などの、１つまたは複数のレベルのキャッシュを含むことができる。例示するプロセッサコア４１４は、算術論理ユニット（ＡＬＵ）、浮動小数点演算ユニット（ＦＰＵ）、デジタル信号処理コア（ＤＳＰ Ｃｏｒｅ）、またはそれらのいかなる組み合わせも含むことができる。例示するメモリコントローラ４１８は、プロセッサ４０４と共に用いることもできるし、あるいは、いくつかの実装では、メモリコントローラ４１８は、プロセッサ４０４内部の一部分であってもよい。
所望の構成に応じて、システムメモリ４０６は、これに限定されないが、揮発性メモリ（例えばＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えばＲＯＭ、フラッシュメモリなど）を含むいかなるタイプであってもよく、あるいは、それらのいかなる組み合わせであってもよい。システムメモリ４０６は、オペレーティングシステム４２０、１つもしくは複数のアプリケーション４２２、およびプログラムデータ４２４を含むことができる。アプリケーション４２２は、本明細書に記載され、少なくとも図１〜図３のシステム１００に関して記載されたものを含む様々な機能／操作／動作を実行するように構成されたグラフェン欠陥修正アルゴリズム４２６を含むことができる。プログラムデータ４２４は、本明細書に記載されるように、グラフェン欠陥修正を実現するために有用であり得るグラフェン欠陥修正データ４２８を含むことができる。いくつかの実施形態では、アプリケーション４２２は、オペレーティングシステム４２０上のプログラムデータ４２４を用いて動作して、グラフェン欠陥処理を提供し得るように構成することができる。この記載された基本構成４０２は、図４において、内側の破線内のコンポーネントにより示す。
コンピューティングデバイス４００は、基本構成４０２と任意の必要なデバイスおよびインターフェースとの間の通信を容易にするための、付加的な特徴もしくは機能性、および、付加的なインターフェースを有してもよい。例えば、バス／インターフェースコントローラ４３０は、ストレージインターフェースバス４３４を介して、基本構成４０２と１つまたは複数のデータ記憶装置４３２との間の通信を容易にするために用いることができる。データ記憶装置４３２は、取外し式ストレージデバイス４３６、非取外し式ストレージデバイス４３８、またはそれらの組み合わせであってもよい。取外し式ストレージデバイスおよび非取外し式ストレージデバイスの例は、少し例を挙げれば、フレキシブルディスクドライブおよびハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気ディスク装置、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブまたはデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）ドライブなどの光学ディスクドライブ、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）ならびにテープドライブを含む。例示するコンピュータ記憶媒体は、揮発性および不揮発性の取外し式および非取外し式媒体を含むことができ、これらは、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータなどの情報を記憶するために、いかなる方法または技術で実現されたものであってもよい。
システムメモリ４０６、取外し式ストレージデバイス４３６および非取外し式ストレージデバイス４３８は、コンピュータ記憶媒体の例である。コンピュータ記憶媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリもしくは他のメモリ技術、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）もしくは他の光学ストレージ、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気ストレージデバイス、または所望の情報を格納するために用いることができて、コンピューティングデバイス４００によってアクセスされ得る他のいかなる媒体も含むが、これらに限定されるものではない。このようないかなるコンピュータ記憶媒体も、コンピューティングデバイス４００の一部であり得る。
コンピューティングデバイス４００は、バス／インターフェースコントローラ４３０を介して、様々なインターフェースデバイス（例えば、出力装置４４２、周辺インターフェース４４４および通信装置４４６）から基本構成４０２への通信を容易にするために、インターフェースバス４４０を含むこともできる。例示する出力装置４４２は、グラフィック処理ユニット４４８およびオーディオ処理ユニット４５０を含み、それらは、１つまたは複数のＡ／Ｖポート４５２を介して、ディスプレイまたはスピーカーなどの様々な外部デバイスへ通信するように構成することができる。例示する周辺インターフェース４４４は、シリアルインターフェースコントローラ４５４またはパラレルインターフェースコントローラ４５６を含み、それらは、１つまたは複数のＩ／Ｏポート４５８を介して、入力装置（例えば、キーボード、マウス、ペン、音声入力デバイス、タッチ入力デバイスなど）または他の周辺機器（例えば、プリンタ、スキャナなど）などの外部デバイスと通信するように構成することができる。例示する通信装置４４６は、ネットワークコントローラ４６０を含み、それは１つまたは複数の通信ポート４６４を介して、ネットワーク通信リンク上の１つまたは複数のその他のコンピューティングデバイス４６２との通信を容易にするように構成することができる。
ネットワーク通信リンクは、通信媒体の一例であり得る。通信媒体は、典型的には、例えば搬送波または他の移送機構などの変調されたデータ信号におけるコンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュールまたは他のデータによって実現することができて、いかなる情報配信媒体も含むことができる。「変調されたデータ信号」は、信号中の情報を符号化するように設定され、または変化された、１つまたは複数の特性を有する信号であってもよい。例えば、これに限らないが、通信媒体は、例えば有線ネットワークまたは直接有線接続などの有線媒体、ならびに、例えば音響、無線周波数（ＲＦ）、マイクロ波、赤外線（ＩＲ）などの無線媒体および他の無線媒体を含むことができる。本明細書で用いられるコンピュータ可読媒体という用語は、記憶媒体および通信媒体の両方を含むことができる。
コンピューティングデバイス４００は、小型の携帯型（または可動式）電子デバイス、例えばセル電話、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、パーソナルメディアプレーヤデバイス、無線ウェブウォッチデバイス、パーソナルヘッドセットデバイス、特定用途向けデバイス、または上記の機能のいずれかを含むハイブリッドデバイスなどとして実現することができる。コンピューティングデバイス４００は、ラップトップコンピュータおよび非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとして実現することもできる。
本開示は、本出願に記載した特定の実施形態に関して限定するものではなく、それらは様々な態様の実例として意図されたものである。当業者には明らかであるが、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく、多くの修正および変更が可能である。本明細書に列挙したものに加えて、本開示の範囲内の機能的に等価な方法および装置は、当業者には、上述した説明から明らかになろう。このような修正および変更は、添付した特許請求の範囲に入るように意図される。本開示は、特許請求の範囲に含まれる等価物の完全な範囲と共に、添付した特許請求の範囲の用語のみによって限定されるべきである。本開示は、特定の方法、試薬、化合物、組成物、または生体系に限定されないことを理解すべきであり、当然、それらは変形することができる。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態のみを記載するためのものであって、限定することを意図しないことも、また理解すべきである。
本明細書における実質的に全ての複数形および／または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および／または用途に適切なように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。
通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲（例えば、添付の特許請求の範囲の本体部）において使用される用語は、全体を通じて「オープンな（ｏｐｅｎ）」用語として意図されていることが、当業者には理解されよう（例えば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｂｕｔ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ ａｔ ｌｅａｓｔ）」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｅｓ ｂｕｔ ｉｓ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ ｌｅａｓｔ ｏｎｅ）」および「１つまたは複数の（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に１つのそのような記載を含む実施形態に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう（例えば、他の修飾語なしでの「２つの記載（ｔｗｏ ｒｅｃｉｔａｔｉｏｎｓ）」の単なる記載は、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方（ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、当該用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ ｏｆ ｔｈｅ ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」あるいは「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。
さらに、本開示の特徴または態様をマーカッシュグループにより記載する場合には、それによって、本開示はマーカッシュグループの任意の個々の要素または要素のサブグループによっても記載されることが、当業者には理解されるであろう。
当業者には理解されることであるが、例えば書かれた説明を提供することなどのいかなる目的および全ての目的に対して、本明細書に開示された全ての範囲は、全ての可能性がある部分範囲およびその部分範囲の組み合わせも含む。いかなるリストされた範囲も、同一の範囲を十分に記載し、少なくとも等価な１／２、１／３、１／４、１／５、１／１０などに分割できることを、容易に認めることができる。非限定的な例として、本明細書で議論された各範囲は、下位の１／３、中央の１／３および上位の１／３などに直ちに分割することができる。また、当業者には理解されることであるが、例えば「まで（ｕｐ ｔｏ）」、「少なくとも（ａｔ ｌｅａｓｔ）」、「より大きい（ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈａｎ）」、「より小さい（ｌｅｓｓ ｔｈａｎ）」などの全ての言語は、記述された数を含み、上記の部分範囲にその後分割することができる範囲を示す。最後に、当業者には理解されることであるが、範囲は各々個別の部材を含む。したがって、例えば、１〜３つのセルを有するグループは、１つ、２つ、または３つのセルを有するグループを示す。同様に、１〜５つのセルを有するグループは、１つ、２つ、３つ、４つ、または５つのセルを有するグループを示し、以下同様である。
様々な態様および実施形態が本明細書に開示されているが、他の態様および実施形態は当業者にとって明らかであろう。真の範囲および趣旨が以下の請求項によって示されるが、本明細書において開示された様々な態様および実施形態は、説明のためであって、限定することを意図しない。

Claims (22)

  1. 基板上の層内の欠陥領域を少なくとも部分的に修正する方法であって、前記層はグラフェンを含み、前記方法は、
    前記基板上の前記層を受け取ることであって、前記層は少なくともいくつかの欠陥領域を前記グラフェン内に含み、前記欠陥領域は前記基板の露出領域を露わにする、受け取ることと、
    前記露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で前記基板を反応させることと、
    グラフェン酸化物層を生成するために、前記少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させることと、
    前記層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、前記グラフェン酸化物層を還元することと
    を含む方法。
  2. 前記基板は、プラスチック、ＳｉＯ２、ガラス、金、銀、および／またはポリエチレンテレフタレートの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記基板は、シリコンを含み、前記方法は、アミノプロピルトリエトキシシランを前記基板に作用させることにより、前記基板を反応させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記基板を反応させることは、アミン終端した材料を前記基板に作用させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記基板を反応させることは、アミン終端したシロキサンを前記基板に作用させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記基板を反応させることは、ポリエチレンイミンを前記基板に作用させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  7. 前記基板を反応させることは、前記基板上にカルボキシル酸官能基を生成するために、前記基板上にコロナ放電を生成することと、ポリエチレンイミンを前記カルボキシル酸官能基に作用させることとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  8. 前記グラフェン酸化物層を前記基板に付着させることは、グラフェン酸化物および水の溶液を前記基板に作用させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  9. 前記グラフェン酸化物層を還元することは、ヒドラジンを含む溶液を前記グラフェン酸化物層に作用させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  10. 前記グラフェン酸化物を還元させることは、水素化ホウ素ナトリウムを含む溶液を前記グラフェン酸化物層に作用させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  11. 請求項１の前記方法を実装するのに有効なシステムであって、前記システムは、
    前記基板上の層を受け取るのに有効に構成されるチャンバであって、前記層は、少なくともいくらかのグラフェンと、前記グラフェン内に少なくともいくつかの欠陥領域とを含み、前記欠陥領域は、前記基板の露出領域を露わにするのに有効である、チャンバと、
    前記チャンバと連通して構成される容器とを含み、
    前記チャンバおよび前記容器は、
    前記露出領域の少なくとも１つの中に少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で前記基板を反応させ、
    グラフェン酸化物層を生成するために、前記少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させ、
    前記層内に少なくとも１つの修正された欠陥領域を生成するために、前記グラフェン酸化物層を還元する
    のに有効に構成される、システム。
  12. 前記基板は、プラスチック、ＳｉＯ２、ガラス、金、銀、および／またはポリエチレンテレフタレートの少なくとも１つを含む、請求項１１に記載のシステム。
  13. 前記基板は、シリコンを含み、前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも１つの中に前記少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にアミノプロピルトリエトキシシランを作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  14. 前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも１つの中に前記少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にアミン終端した材料を作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  15. 前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも１つの中に前記少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にアミン終端したシロキサンを作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  16. 前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも１つの中に前記少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にポリエチレンイミンを作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  17. 前記チャンバと関係して動作するように構成される電極をさらに含み、前記電極は、コロナ放電を生成するのに有効であり、前記コロナ放電は、前記基板上のカルボキシル酸官能基を生成するのに有効であり、
    前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも１つの中に前記少なくとも１つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記カルボキシル酸官能基にポリエチレンイミンを作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  18. 前記チャンバおよび前記容器は、前記少なくとも１つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させてグラフェン酸化物層を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にグラフェン酸化物および水の溶液を作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  19. 前記チャンバおよび前記容器は、前記グラフェン酸化物層を還元するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記グラフェン酸化物層にヒドラジンを含む溶液を作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  20. 前記チャンバおよび前記容器は、前記グラフェン酸化物層を還元するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記グラフェン酸化物層に水素化ホウ素ナトリウムを含む溶液を作用させるようにさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
  21. 請求項１の前記方法を用いて生成される処理された層であって、
    基板上の少なくともいくらかのグラフェンと、
    前記グラフェン内の少なくとも１つの欠陥領域であって、前記欠陥領域は前記基板の陽イオン領域を露わにするのに有効である、少なくとも１つの欠陥領域と、
    前記陽イオン領域に付着した還元されたグラフェン酸化物層と
    を含む層。
  22. 前記基板は、プラスチック、ＳｉＯ２、ガラス、金、銀および／またはポリエチレンテレフタレートの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載の層。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112154550A (zh) * 2019-03-05 2020-12-29 株式会社东芝 石墨烯含有膜、其制造方法、石墨烯含有膜层叠体和光电转换元件

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013039506A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Empire Technology Development Llc Graphene defect alteration
WO2013039507A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Empire Technology Development Llc Graphene defect detection
KR101629869B1 (ko) 2011-09-16 2016-06-13 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 그래핀 결함의 변경
US20140370246A1 (en) * 2012-01-20 2014-12-18 Brown University Substrate with Graphene-based Layer
KR101506892B1 (ko) 2013-10-18 2015-03-30 전남대학교산학협력단 그래핀 박막의 홀 충진 방법
KR101580252B1 (ko) 2014-04-03 2015-12-24 한국기계연구원 그래핀의 결함 치유 방법 및 결함이 치유된 그래핀
KR101720168B1 (ko) * 2015-06-30 2017-04-03 연세대학교 산학협력단 도전층의 결함 치유 방법, 금속-탄소 복합층 형성 방법, 이차원 나노소재, 투명전극 및 이의 제조 방법
US10096679B1 (en) 2017-05-11 2018-10-09 International Business Machines Corporation Approach to preventing atomic diffusion and preserving electrical conduction using two dimensional crystals and selective atomic layer deposition
CN110117378B (zh) * 2019-06-11 2021-08-03 桂林电子科技大学 氧化石墨烯与橡胶的层合体及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002211956A (ja) * 2000-10-23 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透光性基板とその製造方法及び建物と乗り物
JP2009046378A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Semes Co Ltd 炭素ナノチューブ合成方法、これを適用した炭素ナノチューブ合成装置及びシステム
WO2009128349A1 (ja) * 2008-04-16 2009-10-22 日本ゼオン株式会社 カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置及び製造方法
JP2010195671A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Kawaken Fine Chem Co Ltd 分散安定性の高いカーボンナノ粒子水性分散液、その製造方法及びカーボンナノ粒子分散膜材
US20110052813A1 (en) * 2008-01-03 2011-03-03 Peter Ho Functionalised graphene oxide
JP2011121828A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Emprie Technology Development LLC グラフェン構造体、グラフェン構造体の製造方法、及び電子デバイス
JP2011520741A (ja) * 2008-01-07 2011-07-21 ウィシス テクノロジー ファウンデーション，インコーポレイティド 物質溶媒と複合マトリクスを同定し、特徴付ける方法および装置、並びにその使用方法
JP2013510071A (ja) * 2009-11-09 2013-03-21 コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ 開いたバンドギャップと、ゼロバンドギャップを有する標準的なグラフェンに匹敵する移動度とを有するＳｉＣ上にエピタキシャル成長したグラフェン
JP2013542546A (ja) * 2010-03-08 2013-11-21 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ グラフェン／格子混成構造に基づいた透明電極

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB778383A (en) 1953-10-02 1957-07-03 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to the production of material for semi-conductors
US3177100A (en) 1963-09-09 1965-04-06 Rca Corp Depositing epitaxial layer of silicon from a vapor mixture of sih4 and h3
US3561920A (en) 1968-05-31 1971-02-09 Varian Associates Chemical vapor deposition of thick deposits of isotropic boron nitride
DE3751651T2 (de) 1986-10-14 1996-10-17 Minolta Camera Kk Elektrophotographisches lichtempfindliches Element, das einen Überzug enthält
US4923717A (en) 1989-03-17 1990-05-08 Regents Of The University Of Minnesota Process for the chemical vapor deposition of aluminum
US5429870A (en) 1992-12-17 1995-07-04 United Technologies Corporation Boron carbide coated refractory fibers
US5635408A (en) 1994-04-28 1997-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device
KR100269328B1 (ko) 1997-12-31 2000-10-16 윤종용 원자층 증착 공정을 이용하는 도전층 형성방법
CN1101335C (zh) 1999-06-16 2003-02-12 中国科学院金属研究所 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法
US6939434B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US6893907B2 (en) 2002-06-05 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation
US7294563B2 (en) 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
US7223676B2 (en) 2002-06-05 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer
US7303982B2 (en) 2000-08-11 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7320734B2 (en) 2000-08-11 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7137354B2 (en) 2000-08-11 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US7037813B2 (en) 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
KR100421036B1 (ko) 2001-03-13 2004-03-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법
US7045430B2 (en) 2002-05-02 2006-05-16 Micron Technology Inc. Atomic layer-deposited LaAlO3 films for gate dielectrics
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US6927140B2 (en) 2002-08-21 2005-08-09 Intel Corporation Method for fabricating a bipolar transistor base
US7199023B2 (en) 2002-08-28 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed
US6991959B2 (en) 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
EP2182088B1 (en) 2002-11-15 2013-07-17 President and Fellows of Harvard College Atomic layer deposition using metal amidinates
US20040144980A1 (en) 2003-01-27 2004-07-29 Ahn Kie Y. Atomic layer deposition of metal oxynitride layers as gate dielectrics and semiconductor device structures utilizing metal oxynitride layers
US7517768B2 (en) 2003-03-31 2009-04-14 Intel Corporation Method for fabricating a heterojunction bipolar transistor
US7135369B2 (en) 2003-03-31 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9
WO2005021430A1 (ja) 2003-08-27 2005-03-10 Nu Eco Engineering Co., Ltd. カーボンナノウォールの製造方法、カーボンナノウォールおよび製造装置
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
JP5023451B2 (ja) 2004-08-25 2012-09-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶育成方法
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7776394B2 (en) 2005-08-08 2010-08-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents
US7632351B2 (en) 2005-08-08 2009-12-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Atomic layer deposition processes for the formation of ruthenium films, and ruthenium precursors useful in such processes
US7410910B2 (en) 2005-08-31 2008-08-12 Micron Technology, Inc. Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films
US7709402B2 (en) 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
JP4847164B2 (ja) 2006-03-09 2011-12-28 保土谷化学工業株式会社 微細炭素繊維構造体
US20080057659A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
KR20090082891A (ko) 2006-10-18 2009-07-31 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 탄소 물질의 작용화 방법
CA2671963C (en) 2006-12-06 2016-08-02 University Of New Brunswick Hydrogenation of aluminum using a supercritical fluid medium
KR101622306B1 (ko) 2009-10-29 2016-05-19 삼성전자주식회사 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법
MX2010007559A (es) 2008-01-08 2011-05-25 Univ Rice William M Composiciones de grafeno y fluidos de perforacion derivados de las mismas.
CN102318450B (zh) 2008-02-05 2016-10-19 普林斯顿大学理事会 印刷电子设备
US8182917B2 (en) 2008-03-20 2012-05-22 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Reduced graphene oxide film
US8409450B2 (en) 2008-03-24 2013-04-02 The Regents Of The University Of California Graphene-based structure, method of suspending graphene membrane, and method of depositing material onto graphene membrane
US9447251B2 (en) 2008-07-01 2016-09-20 Vobeck Materials Corp. Articles having a compositional gradient and methods for their manufacture
GB0812320D0 (en) 2008-07-04 2008-08-13 Imp Innovations Ltd Activation
US20100218801A1 (en) 2008-07-08 2010-09-02 Chien-Min Sung Graphene and Hexagonal Boron Nitride Planes and Associated Methods
US9991391B2 (en) 2008-07-25 2018-06-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Pristine and functionalized graphene materials
TW201012749A (en) 2008-08-19 2010-04-01 Univ Rice William M Methods for preparation of graphene nanoribbons from carbon nanotubes and compositions, thin films and devices derived therefrom
US7858503B2 (en) 2009-02-06 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Ion implanted substrate having capping layer and method
KR101652788B1 (ko) 2009-02-17 2016-09-09 삼성전자주식회사 층간 화합물 함유 그라펜 시트 및 그의 제조방법
WO2010096646A2 (en) 2009-02-20 2010-08-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Graphene processing for device and sensor applications
AU2010257117A1 (en) 2009-02-27 2011-08-11 Applied Nanostructured Solutions Llc Low temperature CNT growth using gas-preheat method
KR101074027B1 (ko) 2009-03-03 2011-10-17 한국과학기술연구원 그래펜 복합 나노섬유 및 그 제조 방법
US9118078B2 (en) 2009-03-20 2015-08-25 Northwestern University Method of forming a film of graphite oxide single layers, and applications of same
US20110135884A1 (en) 2009-04-06 2011-06-09 Vorbeck Materials Corp. Bent Coated Articles
US20110088931A1 (en) 2009-04-06 2011-04-21 Vorbeck Materials Corp. Multilayer Coatings and Coated Articles
BRPI1010815A2 (pt) 2009-05-22 2016-04-05 Univ Rice William M óxido de grafeno altamente oxidado e métodos para produção do mesmo
US8546276B2 (en) 2009-07-14 2013-10-01 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Deposition of group IV metal-containing films at high temperature
US8226801B2 (en) 2009-07-27 2012-07-24 Nanotek Instruments, Inc. Mass production of pristine nano graphene materials
KR101119916B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-13 삼성전자주식회사 그래핀 전극과 유기물/무기물 복합소재를 사용한 전자 소자 및 그 제조 방법
CN102001642B (zh) 2009-09-02 2012-10-03 中国科学院金属研究所 一种化学裁剪石墨烯宏量可控制备石墨烯带的方法
KR101400686B1 (ko) 2009-09-24 2014-05-29 한국과학기술원 그래핀 기판 상에 나노물질이 적층되어 있는 3차원 나노구조체 및 그 제조방법
US8164089B2 (en) 2009-10-08 2012-04-24 Xerox Corporation Electronic device
KR20110042952A (ko) 2009-10-20 2011-04-27 삼성전자주식회사 레이저 광을 이용한 그라핀의 힐링방법 및 전자소자 제조방법
US8470400B2 (en) 2009-10-21 2013-06-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Graphene synthesis by chemical vapor deposition
KR101660413B1 (ko) 2009-11-02 2016-09-28 삼성전자주식회사 그라펜 및 유기공액분자의 적층 구조체 및 그의 제조방법
JP5471351B2 (ja) * 2009-11-20 2014-04-16 富士電機株式会社 グラフェン薄膜の製膜方法
KR101279606B1 (ko) 2009-12-11 2013-07-05 한국전자통신연구원 그래핀 박막의 증착방법
US8808810B2 (en) 2009-12-15 2014-08-19 Guardian Industries Corp. Large area deposition of graphene on substrates, and products including the same
US8883042B2 (en) 2009-12-16 2014-11-11 Georgia Tech Research Corporation Production of graphene sheets and features via laser processing of graphite oxide/ graphene oxide
US8426842B2 (en) 2010-02-02 2013-04-23 The Invention Science Fund I, Llc Doped graphene electronic materials
JP2011178617A (ja) 2010-03-02 2011-09-15 Panasonic Corp グラフェン膜の形成方法
CA2800874A1 (en) 2010-05-28 2011-12-01 Graphea, Inc. Carbocatalysts for chemical transformations
US10343916B2 (en) 2010-06-16 2019-07-09 The Research Foundation For The State University Of New York Graphene films and methods of making thereof
US20120021224A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Clean Energy Labs, Llc Graphene/graphene oxide platelet composite membranes and methods and devices thereof
US8632633B2 (en) 2010-08-25 2014-01-21 Raytheon Company In-situ growth of engineered defects in graphene by epitaxial reproduction
US8785261B2 (en) 2010-09-23 2014-07-22 Intel Corporation Microelectronic transistor having an epitaxial graphene channel layer
US20120171093A1 (en) 2010-11-03 2012-07-05 Massachusetts Institute Of Technology Compositions comprising functionalized carbon-based nanostructures and related methods
KR20130132808A (ko) 2010-11-24 2013-12-05 후지 덴키 가부시키가이샤 그라펜을 포함하는 도전성 박막 및 투명 도전막
US8370096B2 (en) 2010-11-30 2013-02-05 Intermolecular, Inc. Method and system of improved uniformity testing
US8920764B2 (en) 2011-02-11 2014-12-30 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Graphene composition, method of forming a graphene composition and sensor system comprising a graphene composition
JP2014512258A (ja) 2011-02-25 2014-05-22 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ 酸化グラフェンによる様々な物質の収着と分離
AU2012229052B2 (en) 2011-03-15 2015-05-21 Peerless Worldwide, Llc Facile synthesis of graphene, graphene derivatives and abrasive nanoparticles and their various uses, including as tribologically-beneficial lubricant additives
KR101629869B1 (ko) 2011-09-16 2016-06-13 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 그래핀 결함의 변경
CN102602925B (zh) * 2012-04-13 2016-01-13 常州第六元素材料科技股份有限公司 一种高压还原制备石墨烯的方法
US8889997B2 (en) 2012-05-01 2014-11-18 Tyco Electronics Corporation Methods for improving corrosion resistance and applications in electrical connectors

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002211956A (ja) * 2000-10-23 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透光性基板とその製造方法及び建物と乗り物
JP2009046378A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Semes Co Ltd 炭素ナノチューブ合成方法、これを適用した炭素ナノチューブ合成装置及びシステム
US20110052813A1 (en) * 2008-01-03 2011-03-03 Peter Ho Functionalised graphene oxide
JP2011520741A (ja) * 2008-01-07 2011-07-21 ウィシス テクノロジー ファウンデーション，インコーポレイティド 物質溶媒と複合マトリクスを同定し、特徴付ける方法および装置、並びにその使用方法
WO2009128349A1 (ja) * 2008-04-16 2009-10-22 日本ゼオン株式会社 カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置及び製造方法
JP2010195671A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Kawaken Fine Chem Co Ltd 分散安定性の高いカーボンナノ粒子水性分散液、その製造方法及びカーボンナノ粒子分散膜材
JP2013510071A (ja) * 2009-11-09 2013-03-21 コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ 開いたバンドギャップと、ゼロバンドギャップを有する標準的なグラフェンに匹敵する移動度とを有するＳｉＣ上にエピタキシャル成長したグラフェン
JP2011121828A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Emprie Technology Development LLC グラフェン構造体、グラフェン構造体の製造方法、及び電子デバイス
JP2013542546A (ja) * 2010-03-08 2013-11-21 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ グラフェン／格子混成構造に基づいた透明電極

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6015001656; Ｖ．　ＬＯＰＥＺ　ｅｔ　ａｌ．: 'Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　Ｒｅｐａｉｒ　ｏｆ　Ｇｒａｐｈｅｎｅ　Ｏｘｉｄｅ：　Ａ　Ｒｏｕｔｅ　ｔｏ　Ｈｉｇｈｌｙ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｇｒａｐｈｅｎｅ　Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ' Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ , ２００９，　２１，　４６８３-４６８６． *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112154550A (zh) * 2019-03-05 2020-12-29 株式会社东芝 石墨烯含有膜、其制造方法、石墨烯含有膜层叠体和光电转换元件
JPWO2020178974A1 (ja) * 2019-03-05 2021-03-11 株式会社東芝 グラフェン含有膜、その製造方法、グラフェン含有膜積層体および光電変換素子
US11387375B2 (en) 2019-03-05 2022-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Graphene-containing membrane, process for producing the same, graphene-containing membrane laminate and photoelectric conversion device
JP7119102B2 (ja) 2019-03-05 2022-08-16 株式会社東芝 グラフェン含有膜、その製造方法、グラフェン含有膜積層体および光電変換素子
US12021159B2 (en) 2019-03-05 2024-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Graphene-containing membrane, process for producing the same, graphene-containing membrane laminate and photoelectric conversion device

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