JP2014525944A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014525944A5
JP2014525944A5 JP2014513768A JP2014513768A JP2014525944A5 JP 2014525944 A5 JP2014525944 A5 JP 2014525944A5 JP 2014513768 A JP2014513768 A JP 2014513768A JP 2014513768 A JP2014513768 A JP 2014513768A JP 2014525944 A5 JP2014525944 A5 JP 2014525944A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nanoparticles
ink
nanometers
diameter
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014513768A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014525944A (ja
JP6526411B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/151,232 external-priority patent/US9072185B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2014525944A publication Critical patent/JP2014525944A/ja
Publication of JP2014525944A5 publication Critical patent/JP2014525944A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6526411B2 publication Critical patent/JP6526411B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

約２５ナノメートル、そしてそれより小さいナノ粒子２２を融合するのに必要とされる粒子間圧力（粒子間力をナノ粒子の公称断面積で割った値）は、ナノ粒子２２の大きさ、及び混合物の中に含まれる界面活性剤に応じて、およそ６００−１３，８００キロパスカル（ｋＰａ）（概略で平方インチ当たり９０から２０００ポンド（ｐｓｉ））の範囲である。より大きな粒子は、高圧もしくは熱と連動する圧力が必要となり、融合の困難性が増大しやすい。
当業者に周知の、もしくは後程知られるようになる、本開示に記載された様々な態様の要素と構造上及び機能上均等物は、参照によって、本明細書に明確に組み入れられており、特許請求の範囲により包含するよう意図されている。さらに、本明細書に開示されたものは、このような開示が特許請求の範囲で明らかに引用されているか否かにかかわらず、公に供することを意図したものではない。いかなる特許請求の範囲の要素も、その要素が明確に用語「の手段」を用いて記載されている場合、もしくは、方法の発明の場合において、用語「の方法」を用いて要素が記載されてる場合を除き、米国特許法（35 U.S.C）第１１２条第６段落に従って解釈されるものではない。 さらにまた、明細書もしくは特許請求の範囲において「含む（include）」「有する（have）」などの用語が用いられている限りは、これらの語は、用語「を含んで構成される（comprise）」と同様に、すべてを含むよう意図されている。請求項において移行語として用いられるときに、「を含んで構成する（comprise）」は、そのように解釈されるのと同様である。
出願当初の特許請求の範囲は、以下の内容であった。
［請求項１］
導電素子形成に適合されたインクであって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより短い直径を有する複数のナノ粒子と、
キャリアと、
を含んで構成され、
前記ナノ粒子のそれぞれは、隣接するナノ粒子と分離するよう構成された界面活性剤の少なくとも部分的なコーティングを含んで構成されることを特徴とするインク。
［請求項２］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより短い直径を有する請求項１に記載のインク。
［請求項３］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項２に記載のインク。
［請求項４］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３に記載のインク。
［請求項５］
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速０．５ナノメートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
［請求項６］
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速１．０ナノメートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられたときに互いに融合する請求項５に記載のインク。
［請求項７］
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が、６００ｋＰｓより小さい、ナノ粒子の公称断面積によって分割された粒子間力として考えられる粒子間圧力で他の一のナノ粒子に対して押圧されたときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
［請求項８］
前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が５０００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項７に記載のインク。
［請求項９］
前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が１４０００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項８に記載のインク。
［請求項１０］
２００℃より低い最高暴露温度を有する基板と、
前記基板に連結された第１金属形成層と、
を含んで構成され、
前記第１金属形成層は、少なくとも部分的に融合した、銅を含んで構成され、融合される前には５０ナノメートルより小さい直径を有するナノ粒子を含んで構成されることを特徴とする回路アッセンブリ。
［請求項１１］
前記ナノ粒子は、融合される前には２０ナノメートルより小さい直径を有する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１２］
前記ナノ粒子は、融合される前には１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項１１に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１３］
前記ナノ粒子は、融合される前には１−７ナノメートルの範囲にある直径を有する請求項１２に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１４］
前記ナノ粒子は、融合される前には３−５ナノメートルの範囲にある直径を有する請求項１３に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１５］
前記基板は、フレキシブルである請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１６］
前記基板は、７０℃より低い最高暴露温度を有する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１７］
前記第一金属形成層の少なくとも一部の上方にある非導電性物質の第一層と、
前記第一非導電層の上方にある第２金属形成層と、
を更に含んで構成され、
前記第二金属形成層は、少なくとも部分的に融合したナノ粒子を含んで構成される請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１８］
更に、前記第１非導電層を貫通し、前記第１及び第２金属形成層に電気的に接続された少なくとも一つのビアを含んで構成され、
前記ビアは、銅を含んで構成された、融合したナノ粒子を含んで構成される請求項１７に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１９］
前記第１金属形成層は、前記一組の抵抗、キャパシタ、インダクタ、ダイオードから選択された受動素子の少なくとも一部を形成する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２０］
前記第１金属形成層は、トランジスタの少なくとも一部を形成する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２１］
前記第１金属形成層は、バッテリーの少なくとも一部を形成する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２２］
更に、個別的な電気的構成要素を含んで構成される請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２３］
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより小さい直径を有するナノ粒子を含んで構成された混合物の複数の滴を、基板に対して、前記ナノ粒子が前記基板と衝突した際に互いに少なくとも部分的に融合し前記基板上に複数のドットを形成するのに十分な速度で、放出するよう構成された噴射器を含んで構成され、
前記ドットのそれぞれは、少なくとも部分的に融合したナノ粒子の層を含んで構成され、重なり合ったドットが互いに融合されていることを特徴とする回路プリント装置。
［請求項２４］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項２３に記載の回路プリント装置。
［請求項２５］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートル範囲の直径を有する請求項２４に記載の回路プリント装置。
［請求項２６］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項２５に記載の回路プリント装置。
［請求項２７］
前記放出された滴の前記速度は、秒速０．５ナノメートルより速い請求項２３に記載の回路プリント装置。
［請求項２８］
前記放出された滴の前記速度は、秒速１．０ナノメートルより速い請求項２７に記載の回路プリント装置。
［請求項２９］
更に、２００℃より高い温度まで前記基板の暴露なしに金属の導体パターンを作るよう構成される請求項２３に記載の回路プリント装置。
［請求項３０］
更に、７０℃より高い温度まで前記基板の暴露なしに金属の導体パターンを作るよう構成される請求項２９に記載の回路プリント装置。
［請求項３１］
基板上に導電素子を作成する方法であって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより短い直径を有するナノ粒子を含んで構成された混合物の複数の滴を、基板に対して、前記ナノ粒子が前記基板と衝突した際に互いに少なくとも部分的に融合し前記基板上に複数のドットを形成するのに十分な速度で、噴射する段階を含んで構成され、
前記ドットのそれぞれは、融合したナノ粒子の層を含んで構成され、重なり合ったドットが互いに融合されることを特徴とする導電素子作成方法。
［請求項３２］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３３］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３２に記載の導電素子作成方法。
［請求項３４］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３３に記載の導電素子作成方法。
［請求項３５］
前記基板の温度は、前記ナノ粒子が互いに融合している間、周囲温度の２０℃以下を維持する請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３６］
前記基板の温度は、前記ナノ粒子が互いに融合している間、２００℃より低い温度を維持する請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３７］
前記基板の前記温度は、前記ナノ粒子が互いに融合している間、７０℃より低い温度を維持する請求項３６に記載の導電素子作成方法。
［請求項３８］
前記基板は、フレキシブルである請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３９］
更に、保護物質のコーティングを前記融合したナノ粒子の上に塗布する段階を含んで構成される請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項４０］
前記滴は、秒速０．５メートルより速い速度で噴射される請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項４１］
前記滴は、秒速１．０メートルより速い速度で噴射される請求項４０に記載の導電素子作成方法。
［請求項４２］
基板上に導電素子を作成する方法であって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより小さい直径を有するナノ粒子を含んで構成される混合物の層を基板の表面の少なくとも一部の上に塗布する段階と、
前記混合物層の少なくとも一部の中で、前記ナノ粒子を互いに少なくとも部分的に融合させる段階と、
を含んで構成されることを特徴とする導電素子作成方法。
［請求項４３］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項４４］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項４３に記載の導電素子作成方法。
［請求項４５］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項４４に記載の導電素子作成方法。
［請求項４６］
前記融合させる段階は、前記混合物層の一部の上に光放射を向けることを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項４７］
前記光放射は、前記ナノ粒子の吸収帯の範囲に少なくとも部分的に存在する周波数帯を有する請求項４６に記載の導電素子作成方法。
［請求項４８］
前記融合させる段階は、前記混合物層に対して圧力を加える請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項４９］
前記圧力は、前記混合物層を型で押し付けることにより加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５０］
前記圧力は、前記混合物層の上にダイナミックナノインスクライビングすることによって加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５１］
前記圧力は、前記混合物層の少なくとも一部をローラーでバニシングすることによって加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５２］
バニシングは、前記混合物層と接触している前記ローラーの表面が前記基板に対して０より速い速度を有するように回転することを含んで構成される請求項５１に記載の導電素子作成方法。
［請求項５３］
前記圧力は、ボールで前記混合物層の少なくとも一部をバニシングすることによって加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５４］
前記塗布する段階は、前記基板を貫通している円柱形の通路の内表面に前記混合物層を塗布することを含んで構成され、
前記融合させる段階は、前記ボールを、前記通路内を通過させることを含んで構成される請求項５３に記載の導電素子作成方法。
［請求項５５］
前記円柱形の通路は、内径とともに内表面を有し、
前記ボールは、前記円柱形の通路の内径と同じかそれより大きい直径を有する請求項５４に記載の導電素子作成方法。
［請求項５６］
前記融合させる段階は、前記混合物層と接触する前記ボールの表面が前記円柱形の通路の前記内表面に対して０より大きい速度を有するように前記ボールを回転させることを含んで構成される請求項５４に記載の導電素子作成方法。
［請求項５７］
前記塗布する段階は、前記基板上に、ある量の混合物を供給することと、
前記基板の全面にわたって引かれるツールで前記混合物を広げることと、
を含んで構成され、
前記圧力を加えることは、前記ツールが前記基板に全面にわたって引かれたときに、前記基板に対して前記ツールを押し付けることによって達成される請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５８］
更に、前記混合物層の非融合部分を除去する段階を含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項５９］
前記塗布する段階は、前記混合物の層をパターンで塗布する請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項６０］
前記混合物のパターン層を塗布する段階は、ノズルから前記混合物を前記基板の前記表面上に押し出す段階を含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６１］
前記融合させる段階は、前記混合物のパターン層を光子エネルギー源で照らす段階を含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６２］
前記融合させる段階は、前記基板に対して前記混合物のパターン層を押し付けることを含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６３］
前記融合させる段階は、前記混合物のパターン層を、周囲の温度より高く、２００℃より低く熱することを含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６４］
前記融合させる段階は、前記混合物のパターン層を、周囲の温度より高く、７０℃より低く熱することを含んで構成される請求項６３に記載の導電素子作成方法。
［請求項６５］
前記混合物のパターン層を塗布する段階は、転写要素に前記混合物を塗布し、その後、前記転写要素から前記混合物を前記基板に転写することを含んで構成される請求項６４に記載の導電素子作成方法。
［請求項６６］
前記ナノ粒子を互いに融合させる段階は、転写された、前記混合物のパターン層を、前記基板に対して押圧することを含んで構成される請求項６５に記載の導電素子作成方法。
［請求項６７］
前記基板の前記温度は、導電素子が前記基板上に形成されている間、２００℃より低い温度に維持される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項６８］
導電素子が前記基板上に形成されている間、７０℃、導電素子が前記基板上に形成されている間、請求項６７に記載の導電素子作成方法。
［請求項６９］
前記基板の前記温度は、前記導電素子が前記基板上に形成されている間、周囲温度の２０℃以内に維持されている請求項６８に記載の導電素子作成方法。
［請求項７０］
前記塗布する段階は、前記基板を前記混合物でスピンコーティングすることを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項７１］
前記塗布する段階は、前記基板上に前記混合物を噴射することを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項７２］
前記塗布する段階は、前記基板の全面にわたって、スキージを引くことを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項７３］
回路プリント装置であって、
隣合うナノ粒子を分離するよう構成された界面活性剤の少なくとも一部のコーティングをそれぞれが含んで構成されたナノ粒子であって、銅を含んで構成されて、５０ナノメートルより短い直径を有するナノ粒子、を含んで構成された第一混合物の複数の滴を基板上に放出するように構成された第一噴射器と、
前記基板に前もって塗付された前記ナノ粒子の少なくとも一部から前記界面活性剤の少なくとも一部を変位させるように構成された分散剤を含んで構成された第二混合物の複数の滴を放出するように構成され、前記第二混合物の複数の滴を放出して、前記塗付されたナノ粒子と衝突させて、前記塗付されたナノ粒子の少なくとも一部を少なくとも部分的に互いに融合させる、第二噴射器と、
を含んで構成される回路プリント装置。
［請求項７４］
前記ナノ粒子は、２０ナノメートルより短い直径を有する請求項７３に記載の回路プリント装置。
［請求項７５］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより短い直径を有する請求項７４に記載の回路プリント装置。
［請求項７６］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項７５に記載の回路プリント装置。
［請求項７７］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項７６に記載の回路プリント装置。
［請求項７８］
更に、２００℃より高い温度まで前記基板の暴露をせずに、金属の導電パターンを作成するよう構成される請求項７３に記載の回路プリント装置。
［請求項７９］
更に、７０℃より高い温度まで前記基板の暴露をせずに、金属の導電パターンを作成するよう構成される請求項７８に記載の回路プリント装置。

Claims (8)

  1. 導電素子形成に適合されたインクであって、
    銅を含んで構成され、２０ナノメートルより短い直径を有する複数のナノ粒子と、
    キャリアと、
    を含んで構成され、
    前記ナノ粒子のそれぞれは、隣接するナノ粒子と分離するよう構成された界面活性剤の少なくとも部分的なコーティングを含んで構成され、
    粒子間力をナノ粒子の公称断面積で割った値を粒子間圧力とすると、前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が１４０００ｋＰａより小さい粒子間圧力で他の一のナノ粒子に対して押圧されたときに互いに融合するよう構成されることを特徴とするインク。
  2. 前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより短い直径を有する請求項１に記載のインク。
  3. 前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項２に記載のインク。
  4. 前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３に記載のインク。
  5. 前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速０．５メートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
  6. 前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速１．０メートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられたときに互いに融合する請求項５に記載のインク。
  7. 前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が６００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
  8. 前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が５０００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
JP2014513768A 2011-06-01 2012-06-01 低温で印刷可能、フレキシブル、もしくは共形な、電子装置及びアンテナに対する銅ナノ粒子塗付プロセス Active JP6526411B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/151,232 US9072185B2 (en) 2009-07-30 2011-06-01 Copper nanoparticle application processes for low temperature printable, flexible/conformal electronics and antennas
US13/151,232 2011-06-01
PCT/US2012/040579 WO2012167175A1 (en) 2011-06-01 2012-06-01 Copper nanoparticle application processes for low-temperature printable, flexible/ conformal electronics and antennas

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014525944A JP2014525944A (ja) 2014-10-02
JP2014525944A5 true JP2014525944A5 (ja) 2016-08-12
JP6526411B2 JP6526411B2 (ja) 2019-06-05

Family

ID=47259925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014513768A Active JP6526411B2 (ja) 2011-06-01 2012-06-01 低温で印刷可能、フレキシブル、もしくは共形な、電子装置及びアンテナに対する銅ナノ粒子塗付プロセス

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9072185B2 (ja)
EP (1) EP2714268A4 (ja)
JP (1) JP6526411B2 (ja)
SG (1) SG195231A1 (ja)
WO (1) WO2012167175A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9011570B2 (en) 2009-07-30 2015-04-21 Lockheed Martin Corporation Articles containing copper nanoparticles and methods for production and use thereof
US9072185B2 (en) * 2009-07-30 2015-06-30 Lockheed Martin Corporation Copper nanoparticle application processes for low temperature printable, flexible/conformal electronics and antennas
JP5606421B2 (ja) * 2011-10-27 2014-10-15 株式会社日立製作所 銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料及びその製造方法及び電子部材の接合方法
US9999137B2 (en) 2014-11-04 2018-06-12 Intrinsiq Materials, Inc. Method for forming vias on printed circuit boards
US10357943B2 (en) * 2015-01-14 2019-07-23 Lockheed Martin Corporation Articles having an exposed surface coating formed from copper nanoparticles
EP3251129B1 (en) 2015-01-30 2020-12-23 Nanyang Technological University Conductive paste, method for forming an interconnection
US20170252804A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-07 Lockheed Martin Corporation Additive manufacturing processes utilizing metal nanoparticles
US10595417B2 (en) * 2016-07-18 2020-03-17 Verily Life Sciences Llc Method of manufacturing flexible electronic circuits having conformal material coatings
WO2020247062A1 (en) * 2019-06-07 2020-12-10 OSI Electronics, Inc. Systems and methods of manufacturing circuit boards
WO2021019435A1 (en) * 2019-07-29 2021-02-04 Xtpl S.A. Methods of dispensing a metallic nanoparticle composition from a nozzle onto a substrate

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL287353A (ja) 1962-01-02 1900-01-01
US3637508A (en) 1970-03-06 1972-01-25 William B Willsey Process and composition for dissolving copper oxide
US4931323A (en) 1987-12-10 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Thick film copper conductor patterning by laser
US5147841A (en) 1990-11-23 1992-09-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for the preparation of metal colloids in inverse micelles and product preferred by the method
US5159171A (en) 1991-09-03 1992-10-27 Motorola, Inc. Method and apparatus for solder laser printing
US5527998A (en) * 1993-10-22 1996-06-18 Sheldahl, Inc. Flexible multilayer printed circuit boards and methods of manufacture
US5958590A (en) 1995-03-31 1999-09-28 International Business Machines Corporation Dendritic powder materials for high conductivity paste applications
US6902255B1 (en) 1998-10-16 2005-06-07 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet printers
US6348295B1 (en) 1999-03-26 2002-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging
US6177729B1 (en) * 1999-04-03 2001-01-23 International Business Machines Corporation Rolling ball connector
AU5248600A (en) 1999-06-15 2001-01-02 Kimoto, Masaaki Ultrafine composite metal powder and method for producing the same
US6143356A (en) 1999-08-06 2000-11-07 Parelec, Inc. Diffusion barrier and adhesive for PARMOD™ application to rigid printed wiring boards
TW591095B (en) 2000-10-25 2004-06-11 Harima Chemical Inc Electro-conductive metal paste and method for production thereof
JP2002154199A (ja) * 2000-11-20 2002-05-28 Konica Corp インクジェット画像形成方法及びインクジェット画像記録装置
US6884833B2 (en) * 2001-06-29 2005-04-26 3M Innovative Properties Company Devices, compositions, and methods incorporating adhesives whose performance is enhanced by organophilic clay constituents
US6645444B2 (en) 2001-06-29 2003-11-11 Nanospin Solutions Metal nanocrystals and synthesis thereof
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
US20030146019A1 (en) 2001-11-22 2003-08-07 Hiroyuki Hirai Board and ink used for forming conductive pattern, and method using thereof
JP4897187B2 (ja) 2002-03-05 2012-03-14 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． スズメッキ方法
JP2003295479A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Ricoh Co Ltd 電子写真装置用円筒体の製造装置、製造方法、および電子写真用円筒体
TWI284581B (en) 2002-09-18 2007-08-01 Ebara Corp Bonding material and bonding method
JP4120357B2 (ja) * 2002-11-05 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 トナーの製造方法、トナー、定着装置および画像形成装置
US6862924B2 (en) * 2003-05-02 2005-03-08 Board Of Trustees Operating Michigan State University Augmenting reality system for real-time nanomanipulation using atomic force microscopy
US20050016714A1 (en) 2003-07-09 2005-01-27 Chung Deborah D.L. Thermal paste for improving thermal contacts
US7682970B2 (en) * 2003-07-16 2010-03-23 The Regents Of The University Of California Maskless nanofabrication of electronic components
JP2005081501A (ja) 2003-09-09 2005-03-31 Ulvac Japan Ltd 金属ナノ粒子及びその製造方法、金属ナノ粒子分散液及びその製造方法、並びに金属細線及び金属膜及びその形成方法
US20050058771A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 International Business Machines Corporation Rolling contact screening method and apparatus
US20050129843A1 (en) 2003-12-11 2005-06-16 Xerox Corporation Nanoparticle deposition process
US7306823B2 (en) 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
CN101432889A (zh) * 2004-06-18 2009-05-13 超点公司 纳米结构化材料和包括纳米结构化材料的光电装置
EP1610170A1 (en) 2004-06-25 2005-12-28 Sony Deutschland GmbH A method of applying a particle film to create a surface having light-diffusive and/or reduced glare properties
US7419887B1 (en) 2004-07-26 2008-09-02 Quick Nathaniel R Laser assisted nano deposition
EP1630600A3 (en) * 2004-07-29 2006-03-22 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Hot melt composition and method involving forming a masking pattern
US7524351B2 (en) 2004-09-30 2009-04-28 Intel Corporation Nano-sized metals and alloys, and methods of assembling packages containing same
WO2006063134A2 (en) 2004-12-07 2006-06-15 Nanodynamics, Inc. Low-melting pre-alloy compositions
US7235745B2 (en) 2005-01-10 2007-06-26 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Resistor material with metal component for use in circuitized substrates, circuitized substrate utilizing same, method of making said ciruitized substrate, and information handling system utilizing said ciruitized substrate
US20060189113A1 (en) 2005-01-14 2006-08-24 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
WO2006076603A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Printable electrical conductors
US20060196579A1 (en) 2005-03-07 2006-09-07 Skipor Andrew F High energy soldering composition and method of soldering
CN101208173B (zh) 2005-05-25 2010-05-19 千住金属工业株式会社 无铅焊膏及其制法
US7510950B2 (en) 2005-06-30 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20070131912A1 (en) 2005-07-08 2007-06-14 Simone Davide L Electrically conductive adhesives
US7442879B2 (en) 2005-07-11 2008-10-28 Endicott Interconect Technologies, Inc. Circuitized substrate with solder-coated microparticle paste connections, multilayered substrate assembly, electrical assembly and information handling system utilizing same and method of making said substrate
CN100417908C (zh) 2005-09-16 2008-09-10 富准精密工业(深圳)有限公司 热管、烧结成型该热管毛细结构的粉体及方法
JP4822783B2 (ja) 2005-09-22 2011-11-24 株式会社日本触媒 金属ナノ粒子の製法および当該製法により得られた粒子のコロイド
GB0522027D0 (en) 2005-10-28 2005-12-07 Nanoco Technologies Ltd Controlled preparation of nanoparticle materials
JP5355095B2 (ja) 2006-02-16 2013-11-27 ブリガム・ヤング・ユニバーシティ 超高純度の金属酸化物、混合金属酸化物、金属、および合金の均一なナノ粒子の製造
US20070202304A1 (en) 2006-02-27 2007-08-30 Cambridge University Technical Services Limited, Nanoparticle colloid, method for its production and its use in the growth of carbon nanotubes
KR20090019781A (ko) 2006-04-12 2009-02-25 나노마스 테크놀러지스, 인코포레이티드 나노입자, 제조 방법 및 용도
FR2900351B1 (fr) * 2006-04-26 2008-06-13 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'une couche nanoporeuse de nanoparticules et couche ainsi obtenue
US7736414B1 (en) 2006-05-17 2010-06-15 Lockheed Martin Corporation Rhenium nanoparticles
US20100075137A1 (en) 2006-05-17 2010-03-25 Lockheed Martin Corporation Carbon nanotube synthesis using refractory metal nanoparticles and manufacture of refractory metal nanoparticles
US7625637B2 (en) 2006-05-31 2009-12-01 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles from precursors having low reduction potentials
US20090285976A1 (en) 2006-06-14 2009-11-19 Basf Se Method for producing electrically conductive surfaces on a support
US20080003364A1 (en) 2006-06-28 2008-01-03 Ginley David S Metal Inks
JP2008019461A (ja) 2006-07-11 2008-01-31 Fujifilm Corp 金属ナノ粒子の製造方法、金属ナノ粒子及び金属ナノ粒子分散物
KR101146410B1 (ko) 2006-07-27 2012-05-17 주식회사 엘지화학 은, 구리, 및 주석을 포함하는 합금 나노입자 및 그제조방법
EP2052043B1 (en) 2006-08-07 2016-10-12 Inktec Co., Ltd. Process for preparation of silver nanoparticles, and the compositions of silver ink containing the same
KR100797484B1 (ko) 2006-08-29 2008-01-23 삼성전기주식회사 큐빅 형태의 구리 나노입자의 제조방법
CA2662006A1 (en) 2006-09-04 2008-03-13 Victoria Link Limited Methods of forming nanoparticles
KR100809982B1 (ko) 2006-09-21 2008-03-06 삼성전기주식회사 마이크로파를 이용한 구리 나노입자 제조방법
US7758916B2 (en) 2006-11-13 2010-07-20 Sulzer Metco (Us), Inc. Material and method of manufacture of a solder joint with high thermal conductivity and high electrical conductivity
KR100818195B1 (ko) 2006-12-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 금속 나노입자의 제조방법 및 이에 따라 제조된 금속나노입자
JP5151150B2 (ja) 2006-12-28 2013-02-27 株式会社日立製作所 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法
JP4361572B2 (ja) 2007-02-28 2009-11-11 株式会社新川 ボンディング装置及び方法
US20080278181A1 (en) 2007-03-07 2008-11-13 Research Foundation Of State University Of New York Oxidation-resistant, ligand-capped copper nanoparticles and methods for fabricating them
KR20080088712A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 삼성전자주식회사 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴의 형성방법
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8404160B2 (en) * 2007-05-18 2013-03-26 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
JP4891846B2 (ja) 2007-06-26 2012-03-07 ハリマ化成株式会社 超微細ハンダ組成物
KR20090032841A (ko) 2007-09-28 2009-04-01 삼성전기주식회사 로드 형태를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법
US20090148600A1 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Xerox Corporation Metal Nanoparticles Stabilized With a Carboxylic Acid-Organoamine Complex
US8226807B2 (en) 2007-12-11 2012-07-24 Enthone Inc. Composite coatings for whisker reduction
US20090181183A1 (en) 2008-01-14 2009-07-16 Xerox Corporation Stabilized Metal Nanoparticles and Methods for Depositing Conductive Features Using Stabilized Metal Nanoparticles
US20090214764A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Xerox Corporation Metal nanoparticles stabilized with a bident amine
FI20085229L (fi) 2008-03-18 2009-09-19 Keskuslaboratorio Uudet materiaalit ja menetelmät
TWI381994B (zh) 2008-03-21 2013-01-11 Tatung Co 多孔狀硫化銅奈微米空心球體及其製備方法
US20090274834A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Xerox Corporation Bimetallic nanoparticles for conductive ink applications
US20100000762A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
KR101007326B1 (ko) 2008-08-11 2011-01-13 삼성전기주식회사 주석-구리-은 합금나노입자, 이의 제조 방법 및 상기 합금나노입자를 이용한 잉크 또는 페이스트
US8105414B2 (en) 2008-09-15 2012-01-31 Lockheed Martin Corporation Lead solder-free electronics
US9095898B2 (en) 2008-09-15 2015-08-04 Lockheed Martin Corporation Stabilized metal nanoparticles and methods for production thereof
US8486305B2 (en) 2009-11-30 2013-07-16 Lockheed Martin Corporation Nanoparticle composition and methods of making the same
WO2010036114A2 (en) 2008-09-29 2010-04-01 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method and kit for manufacturing metal nanoparticles and metal-containing nanostructured composite materials
JP5439827B2 (ja) * 2009-01-28 2014-03-12 東ソー株式会社 銅微粒子分散体及びその製造方法
US20120168684A1 (en) * 2009-03-24 2012-07-05 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusaem, Ltd. Process for sintering nanoparticles at low temperatures
US8491698B2 (en) 2009-06-16 2013-07-23 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Metal-based nanoparticles and methods for making same
US20100330686A1 (en) 2009-06-29 2010-12-30 Seung Bum Park Nanosensor for sugar detection
US9072185B2 (en) 2009-07-30 2015-06-30 Lockheed Martin Corporation Copper nanoparticle application processes for low temperature printable, flexible/conformal electronics and antennas
US9011570B2 (en) 2009-07-30 2015-04-21 Lockheed Martin Corporation Articles containing copper nanoparticles and methods for production and use thereof
FI124372B (fi) * 2009-11-13 2014-07-31 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Kerrostettuihin partikkeleihin liittyvä menetelmä ja tuotteet
US8834747B2 (en) 2010-03-04 2014-09-16 Lockheed Martin Corporation Compositions containing tin nanoparticles and methods for use thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014525944A5 (ja)
JP6526411B2 (ja) 低温で印刷可能、フレキシブル、もしくは共形な、電子装置及びアンテナに対する銅ナノ粒子塗付プロセス
JP6452430B2 (ja) パターンの形成方法、パターンの製造装置、立体物の形成方法およびその製造装置
KR102029273B1 (ko) 표면 위에 전기 전도성 패턴을 형성시키는 방법 및 설비
US20090215209A1 (en) Methods of depositing material, methods of making a device, and systems and articles for use in depositing material
JP2017522448A5 (ja)
US11239422B2 (en) 3D printed active electronic materials and devices
JPWO2009072603A1 (ja) パターン描画方法および装置
US9554473B2 (en) Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same
US9718300B2 (en) Laser water transfer printing film and making method thereof
TWI636896B (zh) 用以在基材上形成圖案化結構之方法與系統
Šakalys et al. Fabrication of multi-material electronic components applying non-contact printing technologies: A review
JP2016172434A (ja) パターンの形成方法、パターンの製造装置、立体物の製造装置
CN102037794A (zh) 在不定长幅材上连续烧结的方法
Ahn et al. Air‐pressure‐assisted pen‐nib printing for 3D printed electronics
CN106550548B (zh) 一种柔性电路的激光打印成型方法
JP4966339B2 (ja) 基板の二重表面処理方法及びこの方法により表面処理された基板
Son et al. Fine metal line patterning on hydrophilic non-conductive substrates based on electrohydrodynamic printing and laser sintering
CN105881900B (zh) 一种新型3d打印耗材
KR101259352B1 (ko) 레이저를 이용한 선택적 금속패턴 형성방법
RU2617703C2 (ru) Способ и установка для переноса электропроводящего материала в текучей форме на подложку для печати
WO2017087475A1 (en) Process for binding conductive ink to glass
CN108337826B (zh) 一种多层pcb板制作工具及制作方法
JP2015207445A (ja) パターン形成方法
JP2009164507A5 (ja)