JP2014515732A - テレフタル酸及びテレフタル酸エステルを製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートが生成する水素化に有効な条件下で、ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレートと酸素含有溶媒とを含んだ混合物を水素(H2)ガス及び水素化に有効な量の二元機能担持金属触媒に接触させる工程、ここで、該二元機能担持金属触媒は、独立に還元及び脱水素化を促進することができる金属を含み、該金属は固体支持体上に付着したものである;
(b)ジアルキルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレートが生成する脱水反応に有効な条件下で、該ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートを脱水反応に有効な量の脱水触媒に接触させる工程;
(c)ジアルキルテレフタレートが生成する脱水素化に有効な条件下で、該ジアルキルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレートを、脱水素化に有効な量の二元機能担持金属触媒に接触させる工程;
ここで、工程(a)〜(c)は同じ反応容器内で行われ、工程(a)の酸素含有溶媒は、搬送されて工程(b)及び(c)においても使用される。必要に応じて、工程(b)、(c)又はその両方において追加の酸素含有溶媒を反応容器内へ加えることができる。
1H-NMR(400MHz, CDCl3)については、δ4.34(s,1H),3.77−3.65(m,3H),3.09(s,1H),2.99−2.87(m,1H),2.00(dd,J=8.1,3.0Hz,2H)。
13C-NMR(101MHz, CDCl3)については、δ176.38,77.29,76.98,76.66,65.02,51.88,40.08,28.70。
前記化学選択的方法又は前記簡潔な方法を含む化学選択的工程(a)において生成する式(II)の主なジアステレオマーも、以下に示す式(II-1) の構造を有するものとしてX線結晶解析法によって特徴づけられる。
簡潔な方法の工程(a)の生成物のGC分析条件は、オーブンプロファイルが200 ℃(6分)〜30℃/分〜270℃(3分)であり、入口温度200℃、Heキャリアガス(5.37psig、1.6mL/分)、スプリット比 50/1、検出温度300℃である。この分析条件を用いると、4つのジメチル-2,5-ジヒドロキシシクロヘキサン-1,4-ジカルボキシレート異性体が7.07分、7.35分、7.50分及び8.43分で溶出し、前記二環式ラクトン副生物(不純物)が7.40分で溶出する。簡潔な方法の工程(b)及び(c)の生成物のGC分析条件は、オーブンプロファイルが100℃ (0分)〜17℃/分〜270℃(5分)、入口温度200℃、Heキャリアガス (5.37psig、1.6 mL/分)、スプリット比50/1、検出温度300℃である。この分析条件を用いると、ジメチルテレフタレートが6.55分で溶出し、ジメチルシクロヘキセン-1,4-ジカルボキシレートが6.61分で溶出し、ジメチルシクロヘキサ-1,3-ジエン-1,4-ジカルボキシレートが6.76分で溶出し、そしてジメチルシクロヘキサ-2,5-ジエン-1,4-ジカルボキシレートが7.10分で溶出する。
カラム:30メートル(m)×0.250ミリメートル(mm)(0.25ミクロン(μm)フィルム、Rxi-5SilMS)、
温度:カラム60℃(2分)〜10℃/分〜320℃(10分保持)、注入装置は280℃、GC Re-導入部は280℃、ソースは180℃/120℃(EI/CI)、
流量:1.2mL/分(Heガス)の一定流量、
スプリットは、100:1、
検出器:MCP 2350ボルト(V)、TOFMSモード、CENT、解像度は9000(at m/z 614)、電子エネルギーは70電子ボルト (eV)/100eV (EI/CI)、トラップ電流は150マイクロアンペア(μA)(EI)、エミッション電流は1500μA(CI)、スキャンは35原子質量単位(amu)〜800amu(EI)又は60amu〜900amu(CI)、スキャン速度は0.5秒/スキャン、
ロックマス: 201.9609 C6F5Cl(+)、
ソース圧力:2.5E−5Torrのアンモニア。
データ収集:適切な大きさの単結晶をオイルに浸し、細いガラスファイバー上に固定(マウント)する。なお、前記オイルとしては、Exxon Chemicals, Inc.から入手できるPARATONE(R) N (Chevron Intellectual Property LLC)が用いられる。前記結晶は、グラファイト単色光結晶(graphite monochromatic crystal)、MoKα線源(λ=0.71073Å)及びCCD(電荷結合素子)エリア検出器を装備したBruker SMARTTM Platform回折計に移す。データ収集(−100℃)が継続する間、前記結晶を冷却窒素流に浸す。
関連する関数:
R1 = Σ(||Fo| - |Fc||) / Σ|Fo|
wR2 = [Σ[w(Fo2 - Fc2)2] / Σ[w・Fo2・2]]1/2
Rint. = Σ|Fo2 - Fo2(mean)|2/ Σ[Fo2]
S = [Σ[w(Fo2 - Fc2)2] / (n-p)]1/2
ここで、nは反射の数であり、pは高精度化されたパラメータの合計数である。
w = 1/[σ2(Fo2)+(0.0370*p)2+0.31*p], p = [max(Fo2,0)+ 2* Fc2]/3
150mLのメタノール中に、50.0g(0.219mol)のTCI アメリカ社から入手したジメチルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレート(ジコハク酸ジメチルエステルとしても知られており、プロトン核磁気共鳴法(1H−NMR、400メガヘルツ(MHz))によりCDCl3中にビス−エノール互変異性体の形態で同定される)を含むスラリーと、350mgの5wt%Ru/C触媒(Strem社)とを、攪拌機、開閉自在のサイドアームセプタムポート及びニードルバルブを備えた300mL容量のステンレス製の反応容器(Parr社製)に加えた。前記反応容器を密閉し、H2ガスにより500psigまで加圧した後、脱気(vent)し、そして、この密閉/加圧/脱気を3回繰り返して、前記反応容器を、H2ガスにより加圧された、かつ、密閉された状態にした。前記反応容器内の内容物を120℃まで加熱し、該加熱された反応容器を、800回転毎分(rpm)で撹拌しながら、追加のH2ガスによって1000psig〜1100psigに加圧した。圧力が約800psigまで低下するのを確認した後、追加のH2ガスを再充填して前記反応容器を1000psig〜1100psigにし、そしてこの圧力低下/再充填を5時間以上の期間繰り返した。前記反応容器を、追加のH2ガスを補充せずに1000psig、120℃で一晩中作動させた。120℃、1000psigで16時間が経過した後、前記反応容器を脱気し、前記反応容器を冷却して、25℃まで温度を下げた。冷却した前記反応容器の内容物に、30mLのメタノール中に1.5gのNaOHを溶かした溶液を、前記サイドアームセプタムポートを介して添加し、前記反応容器を窒素ガス(45psig)により5回パージした。そして、前記反応容器の内容物を2時間、195℃に加熱した。反応容器内の圧力が1000psigまで上昇するのを確認した後、前記ニードルバルブを通じて慎重に脱気することにより、反応容器内の前記圧力を維持した。その後、前記反応容器を25℃まで冷却し、更に該冷却された反応容器を脱気した。
前記反応容器から灰白色のスラリーを含む内容物を取り出し、該内容物を約400mLのメタノールで洗浄した。余剰の灰白色固体が溶けない状態となることを確認した後、それを、中程度の多孔性の焼結ガラスを備えた漏斗を用いて濾過した。メタノール洗浄の量は合計約700mLとなった。そして、ロータリーエバポレーターによってメタノールを除去すると、38gの粗製品が得られた。該粗製品は、薄黄色の半固体状物質(89%)であり、1H-NMR(400MHz、CDCl3)によれば、前記物質は、本質的に、ジメチルテレフタレート:ジメチルジヒドロキシテレフタレート異性体:ジメチルテトラヒドロテレフタレートのモル比が1:2:1である物質(及び<1mol%の安息香酸メチル)からなるものであった。この物質に、700mLのメタノールを撹拌しながら加え、それによって得られた溶液を冷凍室(−20℃)内に置くと、2群のジメチルテレフタレート(合計10.0g、収率24%)(1H-NMR(400MHz、CDCl3):δ8.09(s,4H),3.94 (s,6H)、13C-NMR (101MHz, CDCl3):δ 166.23,133.90,129.50,52.36によれば、少量のジメチルジヒドロテレフタレートを含む)の白色結晶(Mp=140℃〜142℃)が得られた。
15g(0.066mol)のジメチルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレート(ジメチル-2,5-ジヒドロキシ-シクロヘキサ-2,5-ジエンジカルボキシレートともいわれる)と、0.177gの5wt%Ru/C触媒(Aldrich Chemical Company)と、100gのメタノールとを300mL容量のステンレス製反応容器(Parr社)に入れ、該反応容器を密閉した。窒素ガス(40psig)により前記反応容器を5回パージした後、前記反応容器をH2ガスにより650psigに加圧した。そして、前記反応容器内の内容物の温度を120℃まで上昇させた。追加のH2ガスにより反応容器内の圧力を900psigに調整し、さらに、追加のH2ガスにより圧力を890psig〜900psigに維持した。合計300分の反応時間が経過した後、反応容器内の内容物を冷却し、前記触媒を除去するために濾過した。生成物のGC分析及びGC−MS分析により、ジメチルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレート(ジメチル-2,5-ジヒドロキシ-シクロヘキサン-ジカルボキシレートともいう)が4つのジアステレオマーとして生成していること及び前記二環式ラクトン副生物の含有量が1mol%未満であることが判明した。主なジアステレオマーは式(II-1)の化合物であり、X線結晶解析法により測定された下記の構造(1)を有するものであった。
15.1g(0.066mol)のジメチルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレートと、0.200gの5wt%Ru/C触媒(Aldrich Chemical)と、90gのメタノールとを300mL容量のステンレス製反応容器(Parr社)に入れた。窒素ガス(45psig)により前記反応容器を5回パージした後、前記反応容器をH2ガスにより700psigに加圧した。そして、前記反応容器の内容物の温度を120℃に加熱した。追加のH2ガスにより反応容器内の圧力を900psigに調整し、さらに、追加のH2ガスにより反応容器圧力を890psig〜900psigに維持した。合計180分の反応時間が経過した後、反応容器内の内容物を室温まで冷却し、前記反応容器を脱気した。(所望により、別の非発明の作業として、前出の手順を繰り返した後、反応容器の内容物を、酢酸ナトリウムなどの脱水触媒なしで、720分間、200℃まで加熱し、GC分析の結果が、ジメチルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレート(すなわち、ジメチルシクロヘキサ-1,4-ジエンジカルボキシレート)、ジメチルテレフタレート又はジメチルシクロヘキセン-1,4-副生物が形成されないことを示すようにする。) そして、前記反応容器に0.98gの酢酸ナトリウムを添加した。窒素ガス(45psig)により前記反応容器を5回パージした後、内容物を200℃まで加熱した。1200分の実行時間の経過後、前記反応容器内の内容物の一定分量をGC(area%)により分析すると、前記内容物が、ジメチルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレート(すなわち、ジメチルシクロヘキサ-1,4-ジエンジカルボキシレートジアステレオマー(a)(7.3%)及びジメチルシクロヘキサ-1,4-ジエンジカルボキシレートジアステレオマー(b)(12.8%))、ジメチルテレフタレート(29.9%)及びジメチルシクロヘキセン-1,4-ジカルボキシレート(30.5%)を含むことがわかった。さらに800分間、200℃で反応を続けた後に、前記内容物の一定分量をGC(area%)により再分析すると、前記内容物が、ジメチルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレート(すなわち、ジメチルシクロヘキサ-1,4-ジエンジカルボキシレートジアステレオマー(a)(3.9%)及びジメチルシクロヘキサ-1,4-ジエンジカルボキシレートジアステレオマー(b)(9.4%))、ジメチルテレフタレート(34.2%)及びジメチルシクロヘキセン-1,4-ジカルボキシレート(34.8%)を含むことがわかった。
14.98g(0.065mol)のジメチルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレートと、1.09gのNi−3288(Engelhard社、製品コード0474128、約50wt%のニッケル/シリカアルミナを含有)と、85gのメタノールとを300mL容量のステンレス製反応容器(Parr社)に入れた。窒素ガス(45psig)により前記反応容器を5回パージした後、前記反応容器をH2ガスにより700psigに加圧した。そして、密閉された反応容器内の内容物を120℃に加熱した。追加のH2ガスにより反応容器内の圧力を900psigに調整し、さらに、追加のH2ガスにより圧力を890psig〜900psigに維持した。合計600分の反応時間(昇温時間含む)が経過した後、反応容器内の内容物を室温まで冷却し、該反応容器を脱気した。そして、2.0gの水及び3.0gのメタノールに0.445gの酢酸ナトリウムを溶かした溶液を添加し、前記反応容器を再密閉し、さらに、内容物を、1200分の実行時間(昇温時間含む)で200℃に加熱した。冷却した後、反応容器を脱気し、触媒を除去するために濾過した。それから、ロータリーエバポレーターによってメタノールを除去すると、11.8gのオフホワイトの固体が得られた。該固体は、GC分析によれば、14.3area%のジメチルテレフタレートを含むものであった。
Claims (8)
- ジアルキルテレフタレートを調製するための簡潔な方法であって、以下の工程(a)〜(c)を含むワンポット部分を含み、該工程(a)〜(c)は同じ反応容器内で行われ、工程(a)の酸素含有溶媒は、搬送されて工程(b)及び(c)においても使用される、前記方法。
(a)ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートが生成する水素化に有効な条件下で、ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレートと酸素含有溶媒とを含んだ混合物を水素ガス及び水素化に有効な量の二元機能担持金属触媒に接触させる工程であって、該二元機能担持金属触媒は、還元及び脱水素化を促進することができる金属を含み、該金属は固体支持体上に付着したものである工程;
(b)ジアルキルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレートが生成する脱水反応に有効な条件下で、該ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートを脱水反応に有効な量の脱水触媒に接触させる工程;
(c)ジアルキルテレフタレートが生成する脱水素化に有効な条件下で、該ジアルキルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレートを、脱水素化に有効な量の二元機能担持金属触媒に接触させる工程。 - 前記ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートは、二環式ラクトン副生物の含有率が5wt%未満である、請求項1に記載の方法。
- 実質的に二環式ラクトンを含まないジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートを調製するための化学選択的方法であって、該化学選択的方法は、二環式ラクトン副生物が5wt%未満である、実質的に二環式ラクトンを含まないジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートが生成する水素化に有効な条件下で、ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレートと酸素含有溶媒とを含んだ混合物を水素ガス及び水素化に有効な量の二元機能担持金属触媒に接触させることを含み、前記二元機能担持金属触媒は還元及び脱水素化を促進することができる金属を含み、該金属は固体支持体上に付着したものであり、前記化学選択的方法は請求項1に記載の簡潔な方法の工程(a)を含む、前記化学選択的方法。
- 前記二元機能担持金属触媒の金属が、Ir、Ni、Ru、Rh、Pd、Pt又はそれらの組み合わせである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 実質的に二環式ラクトンを含まないジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートを調製するための化学選択的方法であって、該化学選択的方法は、二環式ラクトン副生物が5wt%未満である、実質的に二環式ラクトンを含まないジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートが生成する水素化に有効な条件下で、ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレートと酸素含有溶媒とを含んだ混合物を水素ガス及び水素化に有効な量の担持金属触媒に接触させることを含み、前記担持金属触媒は還元及び脱水素化を促進することができる金属を含み、該金属は固体支持体上に付着したものである、前記化学選択的方法。
- 前記実質的に二環式ラクトンを含まないジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートは、二環式ラクトン副生物の含有率が5wt%未満である、請求項3又は5に記載の方法。
- 前記実質的に二環式ラクトンを含まないジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレートは、ASTM D6866−10の試験方法により分析した際に、約1pptまでの検出可能な量の炭素14(14C)を含む、請求項6に記載の方法。
- ASTM D6866−10の試験方法により分析した際に、約1pptまでの検出可能な量の炭素14(14C)を含む、ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオン-1,4-ジカルボキシレート、ジアルキルシクロヘキサン-2,5-ジオール-1,4-ジカルボキシレート又はジアルキルジヒドロベンゼン-1,4-ジカルボキシレート。
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