JP2014512700A - 基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置が開示される。
【解決手段】本発明にかかる基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置は、支持板に着脱可能に結合された支持ピンに基板が当接支持される。しかし、支持ピンは、基板の加熱または冷却にわずかな影響しか与えないため、基板を加熱または冷却させるのに必要な時間が相対的に短い。したがって、基板処理の生産性が向上する効果がある。そして、基板が支持板から離隔しているため、基板を支持板から離隔させるための別の装置を必要としない。したがって、コストが節減される効果がある。
【選択図】図1
【解決手段】本発明にかかる基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置は、支持板に着脱可能に結合された支持ピンに基板が当接支持される。しかし、支持ピンは、基板の加熱または冷却にわずかな影響しか与えないため、基板を加熱または冷却させるのに必要な時間が相対的に短い。したがって、基板処理の生産性が向上する効果がある。そして、基板が支持板から離隔しているため、基板を支持板から離隔させるための別の装置を必要としない。したがって、コストが節減される効果がある。
【選択図】図1
Description
本発明は、支持板に複数の支持ピンを設けてなる基板を支持するための基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置に関する。
基板処理装置は、平板ディスプレイの製造時に用いられ、蒸着(Vapor Deposition)装置と、アニーリング(Annealing)装置とに大別される。
蒸着装置は、平板ディスプレイの核心構成をなす透明伝導層、絶縁層、金属層またはシリコン層を形成する装置であって、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)またはPECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)などのような化学蒸着装置と、スパッタリング(Sputtering)などのような物理蒸着装置とがある。
そして、アニーリング装置は、基板に膜を蒸着した後、蒸着された膜の特性を向上させる装置であって、蒸着された膜を結晶化または相変化させる熱処理装置である。
一般的に、熱処理装置は、1枚の基板を熱処理する枚葉式(Single Substrate Type)と、複数の基板を熱処理するバッチ式(Batch Type)とがある。枚葉式熱処理装置は、構成が簡単である利点があるが、生産性が低下する欠点があり、大量生産にはバッチ式熱処理装置が多く用いられる。
バッチ式熱処理装置は、熱処理空間を提供するチャンバを含み、該チャンバには、チャンバ内に装入された複数の基板を支持するための板形状の支持板が必須的に用いられる。
しかし、従来の基板処理装置では、支持板の上面に基板の下面が直接接触して支持される。すると、支持板の潜熱によって基板の加熱及び冷却に多くの時間がかかり、生産性が低下するという欠点があった。
そして、支持板に接触した基板を支持板から離隔させるための別の装置が必要となり、コストが上昇するという欠点があった。
本発明は、上記の従来技術の問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、支持板に複数の支持ピンを設けて基板を支持することによって、生産性を向上させると共に、コストを節減することができる基板支持用ホルダ及びこれを用いた基板処理装置を提供することである。
上記の目的を達成するための、本発明にかかる基板支持用ホルダは、支持板と、前記支持板に着脱可能に結合され、基板を支持する複数の支持ピンとを含む。
また、上記の目的を達成するための、本発明にかかる基板処理装置は、基板を投入しかつ処理するためのチャンバを提供する本体と、該チャンバの内部に配置された複数の支持具と、上下方向に離間されかつ各々が前記支持具に支持された複数の支持板及び、該支持板に着脱可能に結合された、前記基板を支持するための複数の支持ピンを有する基板支持用ホルダとを含む。
本発明にかかる基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置においては、支持板に着脱可能に結合された支持ピンに基板が当接支持される。しかし、支持ピンは、基板の加熱または冷却にわずかな影響しか与えないため、基板を加熱または冷却させるのに必要な時間が相対的に短い。したがって、基板処理の生産性が向上する効果がある。
そして、基板が支持板から離隔しているため、基板を支持板から離隔させるための別の装置を必要としない。したがって、コストが節減される効果がある。
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例として示した添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は互いに異なるが、相互に排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、本明細書に記載されている特定の形状、特定の構造及び特定の特性は、一実施形態に関連し、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味ではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等な全ての範囲と共に添付した請求項によってのみ限定される。図面に示された実施形態の長さ、面積、厚さ及び形態は、便宜上、誇張されて表現されることもある。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態にかかる基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置を詳細に説明する。
本実施形態を説明するにあたり、基板の処理とは、基板を加熱及び冷却する工程、基板に所定の膜を蒸着するための全ての工程、基板に蒸着された所定の膜をアニーリング、結晶化または相変化するための全ての熱処理工程などを含む概念であることが理解されなければならない。
図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略斜視図であり、図2は、図1に示した支持具及びホルダの斜視図である。
図のように、本実施形態にかかる基板処理装置は、略直方体形状に形成されて基板処理装置の外観をなす本体110を含み、本体110の内部には、基板50が投入されて処理される密閉空間であるチャンバ113が形成されている。本体110は、直方体形状のみならず、基板50の形状に応じて多様な形状に形成可能である。
本体110の前面には開口部が画定されかつドア115が設けられ、該ドア115によってチャンバ113が開閉される。ドア115を開けてチャンバ113を開放した状態で、ロボットアーム(図示せず)などで基板50を支持し、基板50をチャンバ113の内部に装入する。そして、ドア115を閉じてチャンバ113を閉鎖した状態で、基板50を処理する。基板50の材質は特に制限されず、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハまたはステンレス鋼などの材質で形成することができる。
本体110の上面を開放することもでき、このために、本体110の上面にはカバー117が設けられている。チャンバ113の内部に設けられた、基板50の処理に必要な部品の修理または入れ替え時に、カバー117を開けてチャンバ113を開放する。カバー117の材質は石英であることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
上記した基板50の処理に必要な部品には、支持具120、該支持具120に支持される、基板50を支持するためのホルダ130、基板50を加熱するためのヒータ(図示せず)、基板50を冷却させるための冷却管(図示せず)などがある。
支持具120は、チャンバ113を形成する本体110の底面に接触する下面を有する台座121と、該台座121の1つの側端部から垂直方向に延出して形成された支持台123と、該支持台123の1つの側面から水平方向に延出して形成され、互いに間隔をあけて上下に積層された形態に形成された複数の支持リブ125とを有する。
支持具120は、2つ1組(1対)で配置され、2つ1組の支持具120は各々、支持リブ125が互いに対向するように配置されている。
図2に示された支持具120は、4組の支持具120が配置されたことを示し、互いに隣接する支持具120を互いに結んだ仮想線がなす形状は略長方形となる。すなわち、互いに隣接する支持具120を結んだ仮想線がなす形状は、略基板50の形状に対応する。
支持具120の各支持リブ125には、基板50を支持するためのホルダ130が搭載支持される。ホルダ130は、チャンバ113の内部に置かれるため、基板50の処理時に高温に耐えられると同時に構造の変化がほとんどない石英などからなることが好ましい。各支持リブ125に支持されるホルダ130は、上下に配置されて互いに平行をなすことは当然である。
図1の説明されていない符号140は、基板処理装置を支持する支持フレームである。
本発明の一実施形態にかかるホルダ130について、図1ないし図4を参照して説明する。図3は、図2に示されたホルダの斜視図であり、図4は、図3の「A−A」線断面図である。
図示のように、ホルダ130は、四角形に形成され、支持リブ125に長辺側の下面部分が支持される支持板131と、支持板131の上面に設けられた、基板50を支持するための複数の支持ピン135とを含む。
支持ピン135の上端部において基板50が支持されるが、支持ピン135の上端部は、丸みをおびた形状にされ、基板50と点接触することが好ましい。そうすることによって、基板50の下面も、上面と同様にほぼ露出した状態となるため、基板50が均一に処理される。
支持ピン135は、支持板131に対して着脱可能に結合される。このために、支持板131には結合孔132が形成され、該結合孔132に支持ピン135が挿脱可能に結合される。支持ピン135を支持板131に対して着脱できれば、基板50の処理時に基板50の自重によって基板50が傾く部分に支持ピン135を集中的に配置することができる。したがって、基板50の変形を完全に防止することができる。
支持ピン135は、本体部135aと、結合用突起部135bと、支持用突起部135cとを有する。
本体部135aは、結合孔132の直径より大きく形成され、下面が支持板131の上面に接触する。結合用突起部135bは、本体部135aの下面から下側に突出形成され、本体部135aの直径より小さい直径に形成され、結合孔132に挿脱される。支持用突起部135cは、本体部135aの上面から上側に突出形成され、上端部において基板50が当接支持される。前述のように、支持用突起部135cの上端部は、丸みをおびた形状にされ、基板50の下面と点接触することが好ましい。
本体部135aの下部側外周面にはリング形状の支持枠135dが突出形成される。支持枠135dの下面は支持板131の上面に接触して、本体部135aを支持板131において強固に立設支持する。
支持用突起部135cに基板50が当接している時、基板50が支持用突起部135cによって損傷するのを防止するために、支持用突起部135cを含む支持ピン135の硬度は、基板50の硬度より小さいことが好ましい。すなわち、基板50がガラス(Glass)で形成される場合、支持ピン135は窒化ホウ素(BN:Boron Nitride)で形成されることが好ましい。
図4に示された結合用突起部135bの断面形状及び結合孔132の形状は、互いに対応して円形に形成されていることを示す。結合用突起部135bの断面形状及び結合孔132の形状が円形であれば、結合用突起部135bは結合孔132を基準として回転することができる。
図5は、本発明の他の実施形態にかかるホルダの斜視図であり、ここでは図3との相違点についてのみ説明する。
図示のように、支持ピン235の結合用突起部235bの断面形状及び支持板231に形成された結合孔232aは、互いに対応して楕円形に形成されてもよく、支持ピン236の結合用突起部236bの断面形状及び結合孔232bは、互いに対応して多角形に形成されてもよい。
結合用突起部235b、236bの断面形状及び結合孔232a、232bの形状が楕円形または多角形であれば、支持ピン235、236は、結合孔232a、232bを基準として回転することが防止される。
支持ピン237の結合用突起部237bの断面形状及び結合孔232の形状が円形である場合、支持ピン237の本体部237aは曲げ加工されて形成され得る。
詳細に説明すれば、本体部237aの中間部分は曲げ加工237aaされ、本体部237aの上側部分及び下側部分の中心をそれぞれ通って長手方向に延在する仮想直線L1、L2は、互いに平行をなすように形成される。すると、支持ピン237は結合孔232を中心として回転するため、支持ピン237を結合孔232に対して挿脱する必要なく、支持ピン237を回転させて基板50が傾く部分を簡便に支持することができる。
支持ピン237の本体部237aの曲げ部分237aaは、必要に応じて、複数回曲げて形成することが可能である。
本実施形態にかかる基板支持用ホルダ及び該ホルダを用いた基板処理装置は、支持板131、231に着脱可能に結合された支持ピン135、235、236、237に、基板50が当接支持される。しかし、支持ピン135、235、236、237は、基板50の加熱または冷却にわずかな影響しか与えないため、基板50を加熱または冷却させるのに必要な時間が相対的に短い。したがって、基板処理の生産性が向上する。
そして、基板50が支持板131、231から離隔しているため、基板50を支持板131、231から離隔させるための別の装置を必要としない。したがって、コストが節減される。
以上、本発明の実施形態に対する図面は詳細な輪郭線を省略し、本発明の技術思想に属する部分が分かりやすいように概略的に示したものである。また、上記の実施形態は、本発明の技術思想を限定する基準とはなり得ず、本発明の請求の範囲に含まれた技術事項を理解するための参照的な事項に過ぎない。
Claims (12)
- 基板支持用ホルダであって、
支持板と、
前記支持板に着脱可能に結合された、基板を支持するための複数の支持ピンとを含むことを特徴とする基板支持用ホルダ。 - 前記支持板において、前記支持ピンを挿脱可能に結合するための結合孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板支持用ホルダ。
- 前記支持ピンが、
前記支持板に接触する一端面を有する本体部と、
前記本体部の前記一端面から突出形成された、前記結合孔に挿脱するための結合用突起部と、
前記本体部の他端面から突出形成された、前記基板を当接支持するための支持用突起部と、
前記本体部の外周面に形成され、前記支持板に接触し、かつ前記本体部を前記基板において立設支持するための支持枠とを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板支持用ホルダ。 - 前記結合用突起部の長手方向に垂直な断面形状が、円形、楕円形または多角形の中から選択されたいずれか1つの形状であり、
前記結合孔の形状が、前記結合用突起部の前記断面形状に対応するように構成したことを特徴とする請求項3に記載の基板支持用ホルダ。 - 前記結合用突起部の前記断面形状及び前記結合孔の形状が、互いに対応する円形に形成され、かつ前記結合用突起部が前記結合孔を基準として回転可能に設けられており、
前記本体部の中間部分が曲げ加工されており、
前記本体部の一方の端部部分及び他方の端部部分においてそれぞれ中心を通って長手方向に延在する仮想直線が、互いに平行であるように構成したことを特徴とする請求項3に記載の基板支持用ホルダ。 - 前記支持ピンの硬度が、前記基板の硬度より小さいことを特徴とする請求項1に記載の基板支持用ホルダ。
- 基板処理装置であって、
基板を投入しかつ処理するためのチャンバを提供する本体と、
前記チャンバの内部に配置された複数の支持具と、
上下方向に離間されかつ各々が前記支持具に支持された複数の支持板及び、該支持板に着脱可能に結合された、前記基板を支持するための複数の支持ピンを有する基板支持用ホルダとを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記支持板において、前記支持ピンを挿脱可能に結合するための結合孔が形成されていることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記支持ピンが、
前記支持板に接触する一端面を有する本体部と、
前記本体部の前記一端面から突出形成され、かつ前記本体部の直径より小さい直径に形成された、前記結合孔に挿脱するための結合用突起部と、
前記本体部の他端面から突出形成された、前記基板を当接支持するための支持用突起部と、
前記本体部の外周面に形成され、前記支持板に接触し、かつ前記本体部を前記基板において立設支持するための支持枠とを有することを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記結合用突起部の長手方向に垂直な断面形状が、円形、楕円形または多角形の中から選択されたいずれか1つの形状であり、
前記結合孔の形状が、前記結合用突起部の前記断面形状に対応するように構成したことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記結合用突起部の前記断面形状と前記結合孔の形状が、互いに対応する円形に形成され、かつ前記結合用突起部が前記結合孔を基準として回転可能に設けられており、
前記本体部の中間部分が曲げ加工されており、
前記本体部の一方の端部部分及び他方の端部部分においてそれぞれ中心を通って長手方向に延在する仮想直線が、互いに平行であるように構成したことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記支持ピンの硬度が、前記基板の硬度より小さいことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
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