JP2014512699A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 単結晶太陽電池装置であって、
   単結晶ドナー層と、
   キャリア基板と
   を備え、
   はんだ接合層が、前記ドナー層を前記キャリア基板に接合している
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
2. 請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記はんだ接合層は、クロム及びチタンのうちの一方の複数の層の間に挟まれた錫及びインジウムのうちの一方の層を含む
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
3. 請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記はんだ接合層は、クロム及びチタンのうちの一方の複数の層の間に挟まれた低融点金属層を含むか、あるいは、１０〜５０ナノメートルの厚さを有する複数の接着層の間に挟まれた０．５〜５ミクロンの厚さを有する低融点金属層を含むこと
   を特徴とする単結晶太陽電池装置。
4. 請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記単結晶ドナー層は、さらに、
   Ｎ＋エピタキシャル成長されて転写されたシリコンの太陽電池ベース接触領域と、
   Ｎ型エピタキシャル成長されて転写されたシリコンの太陽電池ベース領域と、
   Ｐ＋エピタキシャル成長されて転写されたシリコンの太陽電池エミッタ領域と
   を備えることを特徴とする単結晶太陽電池装置。
5. 請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記単結晶ドナー層は、さらに、太陽電池ベース接触領域を備え、
   前記はんだ接合層は、下部電気的接触を提供する埋め込み導電層を提供する
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
6. 請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記単結晶ドナー層は、さらに、ベース太陽電池領域を備え、
   前記はんだ接合層は、前記ベース太陽電池領域における光吸収のための光反射をもたらす
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
7. 請求項１に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記はんだ接合層は、前記ドナー層を前記キャリア基板に接合する金属間層である
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
8. 請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記金属間層は、Ｎｉ及びＳｎを含む化合物、又はＴｉ及びＳｎを含む化合物、又はＣｕ及びＩｎを含む化合物を含む
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
9. 請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
   前記単結晶ドナー層は、ゲルマニウム又はガリウムヒ素である
   ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
10. 請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
    前記単結晶ドナー層は、化合物半導体である
    ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
11. 請求項７に記載の単結晶太陽電池装置であって、
    前記金属間層は、Ｔｉ及びＳｎを含む化合物を含み、
    前記単結晶ドナー層は、シリコンであり、
    前記キャリア基板は、合金鋼である
    ことを特徴とする単結晶太陽電池装置。
12. 単結晶太陽電池の構築方法であって、
    前記方法は、
    単結晶シリコンドナー基板を提供する工程と、
    前記シリコンドナー基板上に多孔質層を形成する工程と、
    前記シリコンドナー基板の前記多孔質層上にエピタキシャル成長によって太陽電池を構築する工程と、
    前記構築された太陽電池及びキャリア基板のうちの少なくとも一方の上にはんだ接合層を堆積させる工程と、
    前記はんだ接合層を介して前記キャリア基板に前記ドナー基板を接合する工程と、
    前記多孔質層にて前記ドナー基板を切断する工程と
    を備える、単結晶太陽電池の構築方法。
13. 請求項１２に記載の、単結晶太陽電池の構築方法であって、
    前記はんだ接合層は、過渡液相接合を生成する
    ことを特徴とする単結晶太陽電池の構築方法。
14. 請求項１２に記載の、単結晶太陽電池の構築方法であって、
    前記はんだ接合層は、ＮｉとＳｎとを含む金属間領域を有する過渡液相接合を生成する
    ことを特徴とする単結晶太陽電池の構築方法。
15. 請求項１２に記載の、太陽電池の構築方法であって、
    前記多孔質層を形成する工程は、さらに、前記太陽電池の第１の部分を構築するためのテンプレートとして機能する第１の低多孔性層と、前記シリコンドナー基板から前記キャリア基板及び前記太陽電池の前記第１の部分を分離する工程が発生する高多孔性層とを製造することを備える
    ことを特徴とする太陽電池の構築方法。