JP2014511598A - 改善されたカウンタ構造を備えている単一光子計数検出器システム - Google Patents

改善されたカウンタ構造を備えている単一光子計数検出器システム Download PDF

Info

Publication number
JP2014511598A
JP2014511598A JP2013553817A JP2013553817A JP2014511598A JP 2014511598 A JP2014511598 A JP 2014511598A JP 2013553817 A JP2013553817 A JP 2013553817A JP 2013553817 A JP2013553817 A JP 2013553817A JP 2014511598 A JP2014511598 A JP 2014511598A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
readout
detector system
threshold
counter
digital counter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013553817A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5875606B2 (ja
JP2014511598A5 (ja
Inventor
シュミット ベアント
ベルガマスキ アンナ
モッツァニカ アルド
ディナポリ ロベルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Scherrer Paul Institut
Original Assignee
Scherrer Paul Institut
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Scherrer Paul Institut filed Critical Scherrer Paul Institut
Publication of JP2014511598A publication Critical patent/JP2014511598A/ja
Publication of JP2014511598A5 publication Critical patent/JP2014511598A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5875606B2 publication Critical patent/JP5875606B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/24Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247Detector read-out circuitry
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • H04N25/773Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters comprising photon counting circuits, e.g. single photon detection [SPD] or single photon avalanche diodes [SPAD]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/30Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32Transforming X-rays

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本発明は単一光子計数検出器システムに関する。感光性材料の層、アレイを成す光検出器ダイオード、アレイを成す読み出しユニットセル及び多重化手段が設けられる。各光検出器ダイオードはバイアス電位に接続されているバイアス電位インタフェース及びダイオード出力インタフェースを有している。各読み出しユニットセルは、ダイオード出力インタフェースと接続されている入力インタフェースと、高利得電圧増幅手段と、少なくとも二つの並列な系統から成るディジタルカウンタとを備えている。各系統は個別に選択可能な閾値を有している比較器と、ディジタルカウンタの各系統に対して、ディジタルカウンタのカウントインターバルを個別に決定する個別にゲート可能なセクションとを含んでいる。多重化手段は、1つのピクセルに対し、又は、並行して複数のピクセルに対し、読み出しセルユニットにアクセスし、データをデータ処理ユニットに転送する。

Description

本発明は、改善されたカウンタ構造を備えている単一光子計数検出器システムに関する。
本願の主題は、物質科学におけるシンクロトロンでのx線用途又はラボ用機器(ラボ用回折計)を用いるx線用途、結晶学、非破壊検査及び医療用途のための、読み出しチップ及び検出器システムの一部である。検出すべき光子のエネルギは大雑把に見て約0.1〜150keVの範囲にある。
検出器は、x線感応層(シリコンセンサ)及び複数の読み出しチップを備えているハイブリッド検出器である。2次元検出器(ピクセル検出器)の場合、センサにおける各ピクセルは読み出しチップにおける対応するピクセルに(バンプボンディング又はフリップチップボンディングによって)直接的に接続されている。従って、ピクセルサイズは読み出しチップにおけるピクセルサイズによって制限されており、それどころか、読み出しチップにおけるピクセル毎の電子コンポーネントの数は、ピクセルサイズと読み出しチップにおける電子素子の能力との間の適切なトレードオフを見出すように制限されている。マイクロストリップ検出器の場合、センサは通常の場合、読み出しチップにワイヤボンディングされており、また空間は通常の場合、ストリップに直行する方向において制限されている。その種のピクセル検出器及びストリップ検出器は特許文献1に開示されており、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
読み出しチップはn個(1次元又は2次元)の独立して動作するチャネルを含んでいる。各チャネルは電荷感応型プリアンプ、利得段及びカウンタを有している。また各チャネルは他のチャネルに依存せずに単一光子をカウントすることができる。一つのイメージは二つのフェーズ、つまり、(1)取得モード(カウンタが入射する光子をカウントする)、及び、(2)読み出しモード(カウントが停止され、チャネル毎のカウント数が読み出される)を必要とする。取得と読み出しが重畳していても良い。
WO 2004/064 168 A1
現在のところの最も大きな問題は以下の通りである:
i)高い入射光子レート(500KHz〜3MHz)に関して、アナログ信号のパイルアップが始まり、カウントが失われる。従って、測定レートは補正されなければならない(レート補正)。今日導入されているような、3MHzを上回る単一光子計数システムは基本的にはもはや使用できない。これは特にタンパク質結晶学にとっては問題となる。トランジスタの実効パラメータのピクセル毎のばらつきに起因して、整形時間(shaping time)もピクセル毎にばらつくことになる。レート補正測定は非常に困難であるので、全てのピクセルの平均整形時間が形成される。従って、整形時間補正は、入射光子レートに依存して線形計数領域を僅かに拡張できるに過ぎない。
ii)ポンプ・プローブ測定に関して、サンプルが励起され(ポンプ)、続いて、選択可能時間の経過後に、短い期間にわたりカウントが開始される(プローブ)。これは、統計値の収集が要求される度に反復され、またそのときにしか読み出しは行なわれない。通常の場合、条件が一定でないか、又は、サンプルの質が低下するので(例えば、粉末回折における引っ張り試験又は疲労測定)、(少なくとも)二つの測定(通常の場合はポンプと非ポンプ)がほぼ同時に行なわれなければならない。これは現在のところ、ポンプ信号の高い反復レートにおいては不可能である。何故ならば、各プローブインターバルの間に読み出しを行い、且つ、ポンプインターバル及び非ポンプインターバルのオフライン加算を必要とする、ピクセル毎の単一カウンタにおいてしかカウントを累算できないからである。ポンプ・プローブ測定に関しては統計値が一般的に非常に制限されているので、ポンプ反復レートを最大にする必要があるが、それにより各インターバル(ポンプインターバル及び非ポンプインターバルの両インターバル)の間の読み出しが阻止される。システムを高速に変更しても、各プローブインターバルの間の検出器による読み出しが常に実現されるものでもない。
従って本発明の課題は、特にポンプ・プローブ測定において、高いサンプリングレートを提供し、且つ、カウントインターバルの高速な変更の問題に対処する、単一光子計数検出器システムを提供することである。
本発明によればこの課題は、以下の特徴を備えている、単一光子計数検出器システムによって解決される:
a)感光性材料の層;
b)前述の感光性材料の層に配置されている、N×Mアレイから成る複数の光検出器ダイオード;前述の各光検出器ダイオードは、バイアス電位インタフェース及びダイオード出力インタフェースを有しており、各光検出器ダイオードの前述のバイアス電位インタフェースはバイアス電位に接続されている;
c)高利得で低雑音の、N×Mアレイから成る複数の読み出しユニットセル;ここで、一つの読み出しセルユニットは1つの光検出器ダイオードのためのものである;
d)各読み出しユニットセルは以下のものを備えている:
d1)前述のダイオード出力インタフェースと接続されている入力インタフェース、積分コンデンサを有している高利得電圧増幅手段、
d2)少なくとも二つの並列な系統から成るディジタルカウンタ、
d3)各系統は、個別に選択可能な閾値を有している比較器と、ディジタルカウンタの各系統に対して、カウントインターバルを決定する個別にゲート可能なセクションとを含んでいる;
e)ディジタルカウンタからデータ処理ユニットへの読み出しのために、1つのピクセルに対し、又は、並行して複数のピクセルに対し、読み出しセルユニットにアクセス可能であり、且つ、データをチップ外のデータ処理ユニット、特に、読み出しユニットセルの積分部を形成しない外部の読み出し電子素子に転送する、多重化手段。
この検出器システムは、今日の単一光子計数システムのポンプ・プローブ測定についての制限を克服する。二つより多くの別個にゲート可能なディジタルカウンタを設けることによって、システムの緩和中、異なる時間(各カウンタに対して一つの固定的で選択可能な時間)に測定(プローブ)を行なうことが可能になる。この最後のオプションは、粉末回折におけるポンプ・プローブ測定のような、連続的なビームを用いる測定にとってとりわけ興味深いものである。
今日の単一光子計数検出器システムにおいて、高い入射光子レートにおけるアナログ信号のパイルアップの問題は未解決の問題である。本発明の有利な実施の形態においては、光子エネルギを下回るレベル、例えば光子エネルギの約半分のレベルの一方の閾値と、ビームエネルギを上回るレベル、例えば光子エネルギの約1.5倍のレベルの少なくとも一つの他方の閾値とを有するように少なくとも二つの閾値が設定されている場合には、個別に選択可能な閾値によって、パイルアップの問題が緩和されるか、完全に解消される。下側レベル、例えば半分のビームエネルギのレベルのカウンタは今日のシステムにおいて使用されているような標準的なカウンタである。上側レベル、例えば1.5倍のビームエネルギのカウンタは以下のような場合のパルスのみをカウントする。即ち、第1の光子のパルスの間に第2の光子のパルスが到来する程の近接した時間に二つの光子が到来しており、且つ、その間にトータルアナログ信号が比較器閾値(半分のビームエネルギ)を下回っておらず、且つ、1.5倍の光子エネルギを上回るパルス高が生じている場合のパルスのみをカウントする。二つのカウンタに関するカウント数を加算することによって、カウントレート能力は約2倍向上し、これは著しい改善を表す。
更に上記において既に言及したように、ポンプ・プローブ測定の運用は、今日の単一光子計数検出器システムを用いる場合には深刻な問題となっている。このために、ゲート可能セクションがポンプ・プローブ測定に適合させるために制御可能である場合には、本発明による検出器システムを適合させることができ、ここで、所定数の読み出しセルユニットに関して、ポンプフェーズの間のヒットが一方のディジタルカウンタにおいてカウントされ、プローブフェーズの間のヒットが他方のディジタルカウンタにおいてカウントされる。所定数の読み出しユニットセルについて言及すると、大多数の用途においては、全ての読み出しユニットセルがアドレッシングされるが、相応に制御されるゲート可能セクションを有している読み出しセルユニットのサブグループ、例えば関心のある領域内のサブグループだけを必要とする実施例も想定可能である。
本発明の別の有利な実施の形態は、所定数の読み出しユニットセルに関して、ウィンドウディスクリミネータを形成するために少なくとも二つの閾値が設定され、それにより一方の閾値はウィンドウの下限に設定され、他方の閾値はウィンドウの上限に設定される。パイルアップが発生しない光子強度に関しては、その種のデュアルディジタルカウンタによって、下側閾値のカウント数から上側閾値のカウント数を減算することによって、エネルギウィンドウ内にあるエネルギを有している光子数をカウントすることができる。この使用モードは主として、より広範なエネルギスペクトルを有しているx線管(即ちラボ用回折計)を用いる測定のための、ポンプ・プローブ実験外の関心である。そこではより高いエネルギはバックグラウンドに寄与するだけで、それはウィンドウ内にある光子だけを使用することによって遮断することができる。シンクトロンにおいては、幾つかの用途、例えば、光子の特定のエネルギ範囲を有しているラウエ回折に関して、特定のエネルギウィンドウにおいてのみ光子をカウントすることが有利となり得る。
本発明の別の有利な実施形態は、比較器の出力を用いてゲートされる固定周波数信号でもって、有利には、例えば10〜200MHzの固定周波数で流れるカウントイネーブル信号でもってゲートセクションがゲート可能とする場合に達成でき、それにより、高利得電圧増幅手段の出力端におけるアナログ信号が、各比較器に対して設定された閾値を超過する場合にのみ、固定周波数信号のパルスがカウントされる。これはいわゆるTOT(time over-threshold)モードであり、このTOTモードでは、アナログ信号がアクイジション時間中に比較器閾値を超過している期間がカウンタによって測定される。二つの光子がパイルアップしている信号(上記を参照されたい)に関して、信号が比較器閾値を超過している期間は比較的長く、またTOT測定モードによりこの状況が正確に求められる。続いて、測定された期間を光子の数に変換することができる。第1のカウンタに由来する単一光子計数モードにおけるカウントレートが設けられることによって、TOTモードから低カウントレートに関する単一光子計数モードへの移行を即座に決定することができる。即ち、単一光子カウンタを用いるTOTカウンタの較正が行なわれる。これによって、シンクロトロンにおける単一光子計数システムのカウントレート能力をパイルアップがもはや問題にならないレベルにまで拡張することができる。
本発明の更に有利な実施の形態は、従属請求項の記載より明らかになる。
以下では、本発明の有利な実施の形態を添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
光検出器ダイオードの設計の概略図を示す。 図1には一つだけ示されている光検出器ダイオードから成るアレイを含んでいる検出器モジュールの一部の概略図を示す。 二つのゲート可能ディジタルカウンタを備えている、読み出しセルの設計の概略図を示す。 四つのゲート可能ディジタルカウンタを備えている、読み出しセルの設計の概略図を示す。
図1には、ドープされた半導体p+,n-,n++干渉セクション4を備えている、光検出器ダイオード2の構造が概略的に示されている。最も一般的に使用されている材料はシリコン結晶であるが、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ化物又はテルル化カドミウムも使用される。
100eVから数KeVの範囲のエネルギを有している入射光子6はドープされた半導体p+,n-,n++干渉セクション4に入射する前に一つの考えられるカバー層(例えばアルミニウム)8を通過し、x線吸収後に、自身のエネルギ及び電子正孔対の生成に必要とされるエネルギに応じた複数の電子正孔対10をその都度生じさせる。図面においては、この電子正孔対の数は三つの電子正孔対10によって例示的に示されており、それらの電子正孔対10はバイアス電位源12によって形成された電界によって隔てられる。
図2には、n個の行及びm個の列から成るアレイに整列されている複数の光検出器ダイオード2を有している、2次元ピクセル検出器14が概略的に示されている。光検出器ダイオード2は長さl、約25〜200μmの幅w及び約200μm〜2mmの高さを有している。それらの光検出器ダイオード2の平面の下には、各光検出器ダイオード2において発生した、電子正孔対10に由来する電荷を収集するために、対応する個数の読み出しユニットセルROを有している読み出しチップ16が配置されている。光検出器ダイオード2のダイオード出力インタフェースと読み出しユニットセルROの入力インタフェースINとの間の電気的な接続は、例えばインジウムバンプ24を用いたバンプボンディングによって達成されている。
図3には、ディジタルカウンタ34,36の二つの系統30,32を含んでいる読み出しユニットセルROの設計が概略図に示されている。x線によって光検出器ダイオード2において発生した電荷は、低雑音電荷感応増幅器amp1によって増幅される。電荷は積分コンデンサCintにおいて積分される。Rgprに印加される電圧によってその値が変化する帰還抵抗はコンデンサCintを放電し、従って、コンデンサC1の入力端へのパルスを形成する。続いて、増幅器amp2がC1/C2の比によって与えられる利得でもって信号を更に増幅する。信号Rgpr及びRgshは帰還抵抗の値を変化させ、従って、放電時間(整形)並びに増幅器amp1及びamp2の利得に影響を及ぼす。増幅器amp2から出力されるアナログパルスは続いて、比較器comp1及びcomp2に並行して供給される。チップ上の全ての読み出しセルにおける比較器comp1及びcomp2は一般的に、それぞれ同一の比較器閾値電圧threshold1及びthreshold2を有している。セル毎の個々の閾値の精密なチューニング(調整)を、セル毎にプログラミング可能なディジタル電圧変換器DAC1及びDAC2によって行なうことができる。このディジタル電圧変換器DAC1及びDAC2によって、チップ上のトランジスタパラメータにおけるばらつきによって生じる実効閾値の揺らぎを均一にすることができる。比較器comp1及びcomp2はそれぞれディジタルカウンタ34,36の各系統30,32に属している。ポンプ・プローブ測定に関して、二つのカウンタ34,36はチャネル毎にゲート可能セクション42,44によって独立してゲート可能である。一方のカウンタ34はポンプ・プローブ測定のポンプ状態を測定し、他方のカウンタ36はポンプ・プローブ測定の非ポンプ状態を測定する。これにより、今日の単一光子計数システムのポンプ・プローブ測定についての制限が克服される。
読み出しチップに多数のカウンタセルが設けられており、且つ、読み出しピンの数が限定されていることに起因して、カウンタ値は通常の場合シーケンシャルに読み出され、多重化手段MMが選択されたカウンタのデータをデータ処理手段に転送し、このデータ処理手段はその選択されたカウンタのデータを更に直列化することができる。読み出しチップは並行して動作する複数の多重化データ処理手段を有することができ、それにより読み出し速度が上昇する。
二つより多くの別個のゲート可能カウンタ34,36,46を設けることによって(図4を参照されたい)、システムの緩和中の異なる時間(各カウンタに対して一つの固定的で選択可能な時間)に測定(プローブ)を行なうことができる。図4に示されているこの最後のオプションは、粉末回折におけるポンプ・プローブ測定のような、連続的なビームを用いる測定にとってとりわけ興味深いものである。
また、二つ以上のカウンタ34,36,46を設けることによって、一方のカウンタ34に対しては半分のビームエネルギ(標準値)の第1の閾値38を使用し、且つ、他方のカウンタ36に対しては1.5倍のビームエネルギの第2の閾値40を使用することによって、アナログ信号のパイルアップを測定することもできる。半分のビームエネルギのカウンタ34は今日のシステムにおいて使用されているような標準的なカウンタである。1.5倍のビームエネルギの第2のカウンタ36は以下のような場合のパルスのみをカウントする。即ち、第1の光子のパルスの間に第2の光子のパルスが到来する程の近い時間に二つの光子が到来しており、且つ、その間にトータルアナログ信号が比較器閾値38(半分のビームエネルギ)を下回っておらず、且つ、1.5倍の光子エネルギを上回るパルス高が生じている場合のパルスのみをカウントする。二つのカウンタに関するカウント数を加算することによって、カウントレート能力は約2倍向上し、これは著しい改善を表す。
更には、二つ(又はそれ以上の数の)カウンタを設けることによって、第1のカウンタ34を(単一光子をカウントする)標準動作モードにおいて動作させ、且つ、第2のカウンタ36をTOTモードにおいて動作させることができる。TOTモードにおいて、第2のカウンタ36は、アナログ信号がアクイジション時間中に閾値40を超過している期間を測定する。それらの測定は、比較器comp2の出力を用いて、固定周波数信号(これは例えば10〜200MHzの固定周波数で流れるカウントイネーブル信号で良い)をゲーティングすることによって容易に実施することができる。即ち、アナログ信号が閾値40を超過したときにのみ固定周波数信号のパルスがカウントされる。二つの光子がパイルアップされている信号に関して(上記を参照されたい)、信号が閾値を超過している期間は比較的長く、またTOT測定によりその期間が測定される。続いて、測定された期間を光子の数に変換することができる。第1のカウンタ34に由来する単一光子計数モードにおけるカウントレートが設けられていることによって、TOTモードから低カウントレートに関する光子の数(即ち単一光子計数モード)への移行を即座に決定することができる。即ち、単一光子カウンタ(第1のカウンタ34)を用いるTOTカウンタ(第2のカウンタ36)の較正が行なわれる。これによって、シンクロトロンにおける単一光子計数システムのカウントレート能力をパイルアップがもはや問題にならないレベルにまで拡張することができる。
パイルアップが生じない強度に関しては、下側閾値のカウント数から上側閾値のカウント数を減算することによって、デュアルカウンタシステムをウィンドウディスクリミネータとして使用できるようにもなる。
一方のカウンタが読み出しを行ない、他方のカウンタがデータを収集するようにしてマルチカウンタシステムを設計することもできる。これによって、図4に示されているように、データを絶えず収集することができるので、システムのむだ時間の無い動作が実現される。
全ての単一光子計数システムに関して考えられる一つのオプションはプリアンプの能動的なリセットである。プリアンプは、アナログ信号が閾値を超過するとリセットされる(即ち、アナログパルスが遮断される)。これによりアナログ信号のパルス幅が短縮され、従ってカウントレート能力がやはり高められる。

Claims (7)

  1. 単一光子計数検出器システム(14)において、
    該単一光子計数検出器システム(14)は、
    −感光性材料の層(4)と、
    −前記感光性材料の層(4)に配置されている、N×Mアレイから成る複数の光検出器ダイオード(2)と、
    −高利得で低雑音の、N×Mアレイから成る複数の読み出しユニットセル(RO)と、
    −多重化手段とを備えており、
    前記各光検出器ダイオード(2)は、バイアス電位インタフェース(12)及びダイオード出力インタフェースを有しており、各光検出器ダイオード(2)の前記バイアス電位インタフェース(12)はバイアス電位(Vbias)に接続されており、
    一つの前記読み出しユニットセル(RO)は1つの光検出器ダイオード(2)のためのものであり、
    各読み出しユニットセル(RO)は、
    1)前記ダイオード出力インタフェースと接続されている入力インタフェース(IN)と、積分コンデンサ(Cint)を有している高利得電圧増幅手段(amp)と、
    2)少なくとも二つの並列な系統から成るディジタルカウンタとを備えており、
    3)前記各系統は、個別に選択可能な閾値(threshold1,threshold2)を有している比較器と、前記ディジタルカウンタの各系統に対して、前記ディジタルカウンタのカウントインターバルを個別に決定する個別にゲート可能なセクション(gate1,gate2)とを含んでおり、
    前記多重化手段は、前記ディジタルカウンタからデータ処理ユニットへの読み出しのために、1つのピクセルに対し、又は、並行して複数のピクセルに対し、前記読み出しセルユニットにアクセス可能であり、且つ、データをチップ外の前記データ処理ユニット、特に、前記読み出しユニットセルの積分部を形成しない外部の読み出し電子素子に転送する、
    ことを特徴とする、検出器システム。
  2. 少なくとも二つの閾値が設定されており、一方の閾値は光子エネルギの約半分のレベルであり、且つ、少なくとも一つの他方の閾値は前記光子エネルギの約1.5倍のレベルである、請求項1に記載の検出器システム。
  3. 前記ゲート可能セクションは、ポンプ・プローブ測定に適合させるために制御可能であり、
    所定数の読み出しセルユニット(全ての読み出しセルも含まれる)に関して、プローブフェーズ(ポンプ)の間のヒットが一方のディジタルカウンタにおいてカウントされ、且つ、別のプローブフェーズ(非ポンプ、即ちサンプルのポンプが行なわれない)の間のヒットが他方のディジタルカウンタにおいてカウントされる、請求項1又は2に記載の検出器システム。
  4. 所定数の読み出しユニットセル(全ての読み出しセルも含まれる)に関して、ウィンドウディスクリミネータを形成するために少なくとも二つの閾値が設定され、それにより一方の閾値はウィンドウの下限に設定され、他方の閾値はウィンドウの上限に設定される、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の検出器システム。
  5. 前記比較器の出力を用いてゲートされる固定周波数信号で、有利には、例えば10〜200MHzの固定周波数で流れるカウントイネーブル信号で前記ゲートセクションがゲート可能であり、それにより、前記高利得電圧増幅手段(amp)の出力端におけるアナログ信号が、前記各比較器(comp1,comp2,comp4)に対して設定されている閾値を超過する場合にのみ、前記固定周波数信号のパルスをカウントする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の検出器システム。
  6. 前記多重化手段及び前記データ処理手段は一方の系統のカウンタを読み出すことを可能にし、その一方で、他方の系統のカウンタは後続のデータの取得に使用される、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の検出器システム。
  7. 前記比較器の入力端における信号が前記比較器の閾値を超過する場合に、セルの比較器によって、各セルに関して電荷積分増幅器amp1が個別にリセットされる、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の検出器システム。
JP2013553817A 2011-02-16 2011-12-29 改善されたカウンタ構造を備えている単一光子計数検出器システム Active JP5875606B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20110154622 EP2490441A1 (en) 2011-02-16 2011-02-16 Single photon counting detector system having improved counter architecture
EP11154622.2 2011-02-16
PCT/EP2011/074237 WO2012110162A1 (en) 2011-02-16 2011-12-29 Single photon counting detector system having improved counter architecture

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014511598A true JP2014511598A (ja) 2014-05-15
JP2014511598A5 JP2014511598A5 (ja) 2014-10-16
JP5875606B2 JP5875606B2 (ja) 2016-03-02

Family

ID=44148913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013553817A Active JP5875606B2 (ja) 2011-02-16 2011-12-29 改善されたカウンタ構造を備えている単一光子計数検出器システム

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9121955B2 (ja)
EP (2) EP2490441A1 (ja)
JP (1) JP5875606B2 (ja)
CN (1) CN103430533B (ja)
AU (1) AU2011359088B2 (ja)
WO (1) WO2012110162A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019158728A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 富士電機株式会社 放射線測定装置
JP2021162521A (ja) * 2020-04-02 2021-10-11 株式会社東芝 放射線計測装置
JP2023513153A (ja) * 2020-02-05 2023-03-30 プリズマティック、センサーズ、アクチボラグ 光子計数x線検出器のための閾値超合計時間(ttot)処理

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2290403A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-02 Paul Scherrer Institut X-ray detector with integrating readout chip for single photon resolution
EP2490441A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-22 Paul Scherrer Institut Single photon counting detector system having improved counter architecture
US9310495B2 (en) * 2011-05-04 2016-04-12 Oy Ajat Ltd. Photon/energy identifying X-ray and gamma ray imaging device (“PID”) with a two dimensional array of pixels and system therefrom
EP2629118A3 (en) * 2012-02-15 2017-09-06 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement High-sensitivity x-ray detector
US20130301799A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Samsung Electronics Co., Ltd. X-ray imaging apparatus and control method therefor
CZ306489B6 (cs) 2014-11-03 2017-02-08 Crytur, Spol.S R.O. Zařízení pro koincidenční zobrazování sekundárními elektrony
WO2016123231A1 (en) * 2015-01-27 2016-08-04 Oregon State University Low-cost and low-power radiation spectrometer
DE102015205301A1 (de) * 2015-03-24 2016-09-29 Siemens Healthcare Gmbh Betreiben eines zählenden digitalen Röntgenbilddetektors
WO2016161542A1 (en) 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co.,Ltd. Semiconductor x-ray detector
ES2795831T3 (es) * 2015-04-07 2020-11-24 Shenzhen Xpectvision Tech Co Ltd Detector de rayos X semiconductor
EP3281041B1 (en) 2015-04-07 2020-06-10 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making semiconductor x-ray detector
US10539691B2 (en) 2015-06-10 2020-01-21 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Detector for X-ray fluorescence
EP3320374B1 (en) 2015-07-09 2020-05-20 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making semiconductor x-ray detector
CN104990632A (zh) * 2015-07-14 2015-10-21 华中科技大学 一种门控差分单光子探测系统
US10098595B2 (en) * 2015-08-06 2018-10-16 Texas Instruments Incorporated Low power photon counting system
EP3341756A4 (en) 2015-08-27 2019-05-22 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-RAY IMAGING WITH A DETECTOR LIKELY TO RESOLVE PHOTONIC ENERGY
WO2017041221A1 (en) * 2015-09-08 2017-03-16 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods for making an x-ray detector
US10117626B2 (en) * 2015-09-29 2018-11-06 General Electric Company Apparatus and method for pile-up correction in photon-counting detector
EP3151545A1 (en) * 2015-10-01 2017-04-05 Paul Scherrer Institut Method for extending the dynamic range of a pixel detector system using automatic gain switching
CN109690351B (zh) * 2016-09-23 2022-12-09 深圳帧观德芯科技有限公司 半导体x射线检测器的封装
WO2018133088A1 (en) * 2017-01-23 2018-07-26 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. A radiation detector
EP3658963A4 (en) * 2017-07-26 2021-03-03 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-RAY DETECTOR
CN110914714B (zh) 2017-07-26 2024-02-27 深圳帧观德芯科技有限公司 制造和使用x射线检测器的方法
US10151845B1 (en) 2017-08-02 2018-12-11 Texas Instruments Incorporated Configurable analog-to-digital converter and processing for photon counting
CN107677380B (zh) * 2017-10-30 2024-07-19 湖北锐光科技有限公司 一种彩色数字硅光电倍增器件
CN111279222B (zh) * 2017-10-30 2023-07-28 深圳源光科技有限公司 具有高时间分辨率的lidar检测器
US10024979B1 (en) 2017-11-01 2018-07-17 Texas Instruments Incorporated Photon counting with coincidence detection
US20190154852A1 (en) * 2017-11-16 2019-05-23 NueVue Solutions, Inc. Analog Direct Digital X-Ray Photon Counting Detector For Resolving Photon Energy In Spectral X-Ray CT
CN109151349B (zh) * 2018-09-10 2020-06-05 中国科学院高能物理研究所 全信息读出的像素单元电路及全信息读出方法
US10890674B2 (en) 2019-01-15 2021-01-12 Texas Instruments Incorporated Dynamic noise shaping in a photon counting system
DE102019112893A1 (de) * 2019-05-16 2020-11-19 Universität Paderborn Verfahren zum Auslesen eines optischen Detektors
EP3805806A1 (en) * 2019-10-07 2021-04-14 Paul Scherrer Institut Dual mode detector
EP3855725A1 (en) 2020-01-21 2021-07-28 Paul Scherrer Institut Single photon counting detectors in strip or pixel design having digital inter-pixel communication and logic

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6275371A (ja) * 1985-09-30 1987-04-07 Toshiba Corp Mcp荷電粒子計数装置
JPH0373882A (ja) * 1989-08-15 1991-03-28 Shimadzu Corp 放射線測定装置
JP2002168958A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Toshiba Corp 放射線検出器及び医用画像診断装置
JP2010507797A (ja) * 2006-10-25 2010-03-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ X放射線を検出する装置、撮像装置及び方法
JP2010536021A (ja) * 2007-08-09 2010-11-25 ヨーロピアン・オーガニゼーション・フォア・ニュークリア・リサーチ 放射線監視デバイス

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475225A (en) * 1989-03-17 1995-12-12 Advanced Scientific Concepts Inc. Autoradiographic digital imager
US5665959A (en) * 1995-01-13 1997-09-09 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Adminstration Solid-state image sensor with focal-plane digital photon-counting pixel array
US6362484B1 (en) * 1995-07-14 2002-03-26 Imec Vzw Imager or particle or radiation detector and method of manufacturing the same
GB2318411B (en) * 1996-10-15 1999-03-10 Simage Oy Imaging device for imaging radiation
US6362482B1 (en) * 1997-09-16 2002-03-26 Advanced Scientific Concepts, Inc. High data rate smart sensor technology
GB2332585B (en) * 1997-12-18 2000-09-27 Simage Oy Device for imaging radiation
US6552745B1 (en) * 1998-04-08 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. CMOS active pixel with memory for imaging sensors
FI20000333A0 (fi) * 2000-02-16 2000-02-16 Jussi Nurmi Homogeeninen menetelmä polynukleotidin havaitsemiseksi
US7868665B2 (en) * 2002-03-05 2011-01-11 Nova R&D, Inc. Integrated circuit and sensor for imaging
US7319423B2 (en) * 2002-07-31 2008-01-15 Quantum Semiconductor Llc Multi-mode ADC and its application to CMOS image sensors
ES2327835T3 (es) * 2003-01-10 2009-11-04 Paul Scherrer Institut Dispositivo de imagenes de recuento de fotones.
CN1228646C (zh) * 2003-07-18 2005-11-23 华东师范大学 高计数率的单光子检测器
US7634061B1 (en) * 2004-03-26 2009-12-15 Nova R & D, Inc. High resolution imaging system
CN1306281C (zh) * 2004-05-27 2007-03-21 华东师范大学 一种平衡抑制的单光子探测电路模块
EP1788629A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-23 Paul Scherrer Institut A readout chip for single photon counting
US7829860B2 (en) * 2006-10-31 2010-11-09 Dxray, Inc. Photon counting imaging detector system
US8237128B2 (en) * 2006-12-13 2012-08-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus, imaging device and method for counting X-ray photons
FR2912588B1 (fr) * 2007-02-13 2009-04-10 Commissariat Energie Atomique Detecteur de rayonnement x ou gamma
US7863578B2 (en) * 2007-03-06 2011-01-04 Richard Brenner Detector for radiation therapy
WO2008110182A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-18 Cern - European Organization For Nuclear Research Method, apparatus and computer program for measuring the dose, dose rate or composition of radiation
EP2156219B1 (en) * 2007-06-19 2012-11-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Digital pulse processing for multi-spectral photon counting readout circuits
US7696483B2 (en) * 2007-08-10 2010-04-13 General Electric Company High DQE photon counting detector using statistical recovery of pile-up events
EP2045816A1 (en) * 2007-10-01 2009-04-08 Paul Scherrer Institut Fast readout method and swiched capacitor array circuitry for waveform digitizing
US20100316184A1 (en) * 2008-10-17 2010-12-16 Jan Iwanczyk Silicon photomultiplier detector for computed tomography
CA2650066A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-16 Karim S. Karim Photon counting and integrating pixel readout architecture with dynamic switching operation
US8384038B2 (en) * 2009-06-24 2013-02-26 General Electric Company Readout electronics for photon counting and energy discriminating detectors
KR101616056B1 (ko) * 2009-08-19 2016-04-28 삼성전자주식회사 광자 계수 장치 및 방법
EP2290403A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-02 Paul Scherrer Institut X-ray detector with integrating readout chip for single photon resolution
US8766161B2 (en) * 2009-12-02 2014-07-01 Nucript LLC System for controling and calibrating single photon detection devices
US9000385B2 (en) * 2009-12-30 2015-04-07 General Electric Company Method and apparatus for acquiring radiation data
EP2348704A1 (en) * 2010-01-26 2011-07-27 Paul Scherrer Institut A single photon counting readout chip with neglibible dead time
US8338773B2 (en) * 2010-09-06 2012-12-25 King Abdulaziz City for Science and Technology. High-speed analog photon counter and method
US8716643B2 (en) * 2010-09-06 2014-05-06 King Abdulaziz City Science And Technology Single photon counting image sensor and method
US8859944B2 (en) * 2010-09-07 2014-10-14 King Abdulaziz City Science And Technology Coordinated in-pixel light detection method and apparatus
EP2490441A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-22 Paul Scherrer Institut Single photon counting detector system having improved counter architecture
KR101871361B1 (ko) * 2011-11-01 2018-08-03 삼성전자주식회사 고해상도 및 고대조도 영상을 동시에 생성하기 위한 광자 계수 검출 장치 및 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6275371A (ja) * 1985-09-30 1987-04-07 Toshiba Corp Mcp荷電粒子計数装置
JPH0373882A (ja) * 1989-08-15 1991-03-28 Shimadzu Corp 放射線測定装置
JP2002168958A (ja) * 2000-11-29 2002-06-14 Toshiba Corp 放射線検出器及び医用画像診断装置
JP2010507797A (ja) * 2006-10-25 2010-03-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ X放射線を検出する装置、撮像装置及び方法
JP2010536021A (ja) * 2007-08-09 2010-11-25 ヨーロピアン・オーガニゼーション・フォア・ニュークリア・リサーチ 放射線監視デバイス

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019158728A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 富士電機株式会社 放射線測定装置
JP7095328B2 (ja) 2018-03-15 2022-07-05 富士電機株式会社 放射線測定装置
JP2023513153A (ja) * 2020-02-05 2023-03-30 プリズマティック、センサーズ、アクチボラグ 光子計数x線検出器のための閾値超合計時間(ttot)処理
JP2021162521A (ja) * 2020-04-02 2021-10-11 株式会社東芝 放射線計測装置
JP7391752B2 (ja) 2020-04-02 2023-12-05 株式会社東芝 放射線計測装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103430533B (zh) 2017-03-08
US9121955B2 (en) 2015-09-01
EP2676434A1 (en) 2013-12-25
WO2012110162A1 (en) 2012-08-23
EP2490441A1 (en) 2012-08-22
JP5875606B2 (ja) 2016-03-02
AU2011359088B2 (en) 2015-12-03
US20140166861A1 (en) 2014-06-19
EP2676434B1 (en) 2018-07-18
CN103430533A (zh) 2013-12-04
AU2011359088A1 (en) 2013-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5875606B2 (ja) 改善されたカウンタ構造を備えている単一光子計数検出器システム
JP5901523B2 (ja) 単一光子分解能のための積算形読み出しチップを有するx線検出器
US10852183B2 (en) Optical pulse detection device, optical pulse detection method, radiation counter device, and biological testing device
JP5623954B2 (ja) 放射線撮像のための撮像素子
EP2850458B1 (en) A digital x-ray sensor
EP3158363B1 (en) X-ray detector operable in a mixed photon-counting/analog output mode
Barber et al. Energy dispersive CdTe and CdZnTe detectors for spectral clinical CT and NDT applications
US20160241795A1 (en) Image-capturing device, radiation detection apparatus, and control method for image-capturing device
US7851764B2 (en) Method of high-energy particle imaging by computing a difference between sampled pixel voltages
US6586743B1 (en) X-ray detector having sensors and evaluation units
Hafizh et al. Tera: Throughput-enhanced readout asic for high-rate energy-dispersive x-ray detection
Bieberle et al. Design of a high-resolution gamma-ray detector module for tomography applications
Dierickx et al. Indirect X-ray photon-counting image sensor with 27T pixel and 15e− rms accurate threshold
Prekas et al. Direct and indirect detectors for X-ray photon counting systems
US20180288338A1 (en) Method for extending the dynamic range of a pixel detector system using automatic gain switching
Siu et al. Application Specific Integrated Circuits (ASICs) for Spectral Photon Counting
Tumer et al. New two-dimensional solid state pixel detectors with dedicated front-end integrated circuits for x-ray and gamma-ray imaging
Franchi et al. Photon counting X-ray imaging with CdTe pixel detectors based on XPAD2 circuit
Iniewski et al. Semiconductor Detector Readout ASICs for Baggage Scanning Applications
Williams et al. Dual threshold X-ray photon counting pixel array detector
Iniewski et al. Integrated Circuits for XRD Imaging
Dierickx et al. Indirect X-ray photon counting image sensor with 27T pixels and 15 electronsRMS accurate threshold
Barber et al. Energy dispersive photon counting detectors for breast imaging
Tlustos et al. Charge sharing in pixel detectors for spectroscopic imaging
Barber et al. Optimizing Si detectors and ASIC readouts for high resolution energy resolved x-ray imaging

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140828

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140828

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150522

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150824

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5875606

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250