CN110914714B - 制造和使用x射线检测器的方法 - Google Patents

制造和使用x射线检测器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110914714B
CN110914714B CN201780093158.XA CN201780093158A CN110914714B CN 110914714 B CN110914714 B CN 110914714B CN 201780093158 A CN201780093158 A CN 201780093158A CN 110914714 B CN110914714 B CN 110914714B
Authority
CN
China
Prior art keywords
absorption
absorber
cells
array
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780093158.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110914714A (zh
Inventor
曹培炎
刘雨润
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd
Publication of CN110914714A publication Critical patent/CN110914714A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110914714B publication Critical patent/CN110914714B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G01T1/164—Scintigraphy
    • G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
    • G01T1/1645—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using electron optical imaging means, e.g. image intensifier tubes, coordinate photomultiplier tubes, image converter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers

Abstract

本文公开了制造和使用适于X射线检测的吸收单元阵列的方法以及包括这种吸收单元阵列的检测器。制造吸收单元阵列(410)的方法可包括在基板(400)上形成吸收单元阵列(410A)，并且在从基板(400)分离吸收单元阵列(410)之后形成保护环(431A，431B)，其包围吸收单元阵列(410)的多于一个吸收单元(420)；或者可包括在从基板(400)分离出一部分之后在基板(400)的该部分上形成多个吸收单元(420)，以及包围多于一个吸收单元(420)的保护环(431B)。使用吸收单元阵列(410)的方法可包括通过施加电压将吸收单元阵列(410)的一些吸收单元(420)用作保护环(431B)。适于X射线检测的检测器(100)包括吸收层(110)和电子层(120)，其中吸收层(110)包括吸收单元阵列(410)。

Description

制造和使用X射线检测器的方法
【技术领域】
本公开文涉及用于制造和使用具有吸收单元阵列的X射线检测器的方法。
【背景技术】
X射线检测器可以是用于测量X射线的通量、空间分布、光谱或其它特性的器件。
X射线检测器可用于许多应用。一个重要的应用是成像。X射线成像是射线照相技术，能用于揭示非均匀组成的、不透明的物体(例如人体)的内部结构。
早期用于成像的X射线检测器包括摄影板和摄影胶片。摄影板可以是具有光敏乳剂涂层的玻璃板。虽然摄影板被照相胶片代替，但由于它们质量好、稳定性佳，因此仍然可以在特殊情况下使用。摄影胶片可以是具有光敏乳剂涂层的塑料膜(例如，带或片)。
在20世纪80年代，出现了光激励荧光板(PSP板)。PSP板可包含在它的晶格中具有色心的荧光材料。在将PSP板暴露于X射线时，X射线激发的电子被困在色心中，直到它们受到在板表面上扫描的激光光束激励。在激光扫描板时，被捕获的激发电子发出光，该光被光电倍增管收集。被收集的光转换成数字图像。与摄影板以及照相胶片相反，PSP板可被重复使用。
另一种X射线检测器是X射线图像增强器。X射线图像增强器的部件通常在真空中密封。与摄影板、摄影胶片和PSP板相反，X射线图像增强器可以产生实时图像，即，不需要曝光后处理来产生图像。X射线首先撞击输入荧光体(例如，碘化铯)，并被转换为可见光。然后，可见光撞击光电阴极(例如含有铯和锑化合物的薄金属层)，并引起电子发射。发射电子的数量与入射X射线的强度成比例。发射电子通过电子光学件投射到输出荧光体上，并使所述输出荧光体产生可见光图像。
闪烁体的操作与X射线图像增强器有些类似之处在于，闪烁体(例如，碘化钠)吸收X射线，并发射可见光，然后该可见光可以被适用于该可见光的图像传感器检测到。在闪烁体中，可见光在各个方向上传播并散射，从而降低了空间分辨率。使闪烁体厚度减少有助于提高空间分辨率，但也减少了对X射线的吸收。因此，闪烁体必须在吸收效率与分辨率之间达成妥协。
半导体X射线检测器通过将X射线直接转换成电信号而在很大程度上克服了该问题。半导体X射线检测器可包括半导体层，其在感兴趣波长吸收X射线。当在半导体层中吸收X射线光子时，产生出多个载流子(例如，电子和空穴)，在电场下，这些载流子被扫向半导体层上的电触点。现有半导体X射线检测器(例如，Medipix)中需要的繁琐热管理会使得难以生产或不可能生产具有大面积和大量像素的检测器。
【发明内容】
本文公开了一种适用于检测X射线的吸收单元阵列的制作方法，所述方法包括：在基板上形成吸收单元阵列，其中所述吸收单元阵列包括被配置成吸收X射线的多个吸收单元，其中在所述吸收单元阵列与所述基板分离之前，所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元内不包括保护环，并且所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元不被包围在保护环中；将所述吸收单元阵列与所述基板分离。
根据实施例，所述吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
根据实施例，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电触点。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电阻器。
根据实施例，所述方法还包括：在所述吸收单元阵列与所述基板分离后，在所述吸收单元阵列上形成掺杂侧壁，其中，所述掺杂侧壁包围多于一个吸收单元。
根据实施例，形成掺杂侧壁包括对吸收单元阵列的侧壁进行掺杂和退火。
本文公开了一种适于检测X射线的吸收单元阵列的制作方法，所述方法包括：从基板分离基板的一部分；在分离出所述一部分后，在所述基板的该部分上形成吸收单元阵列，其中所述吸收单元阵列包括多个吸收单元和掺杂侧壁，其中，所述吸收单元配置成吸收X射线，其中所述掺杂侧壁包围多于一个吸收单元。
根据实施例，所述吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电触点。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电阻器。
根据实施例，形成吸收单元阵列包括通过掺杂所述基板的一部分的侧壁来形成所述掺杂侧壁。
根据实施例，在形成吸收单元之前形成掺杂侧壁。
根据实施例，在形成吸收单元之后形成掺杂侧壁。
本文公开了一种适于检测X射线的吸收单元阵列的使用方法，所述方法包括：获得吸收单元阵列，其包括沿所述吸收单元阵列的周边的第一多个吸收单元和位于所述吸收单元阵列的内部的第二多个吸收单元；通过向所述第一多个吸收单元施加电压对所述第二多个吸收单元进行电屏蔽。
根据实施例，第一多个吸收单元与第二多个吸收单元相同。
根据实施例，吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电触点。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。
根据实施例，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电阻器。
本文公开了一种检测器，其包括：包括吸收单元阵列的X射线吸收层，其中所述吸收单元阵列包括多个吸收单元，其中所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电触点，其中，所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元内不包括保护环，其中所述多个吸收单元的至少一些吸收单元被配置成吸收X射线并在其电触点上从被吸收的X射线产生电信号；第一电压比较器，其被配置成将电触点的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，其被配置成将电压与第二阈值进行比较；控制器；多个计数器，每个计数器与一仓相关联，并且被配置成记录由所述多个吸收单元的至少一个吸收单元吸收的、其中X射线光子能量落入所述仓中的X射线光子的数目；其中所述控制器被配置成从所述第一电压比较器确定电压的绝对值大于等于所述第一阈值的绝对值的时刻起开始时间延迟；其中，所述控制器配置成确定X射线光子能量是否落入所述仓中；其中，所述控制器被配置为使与所述仓相关联的计数器所记录的数增加一。
根据实施例，所述检测器还包括电连接到电触点的电容器模块，其中，所述电容器模块配置成从所述电触点收集载流子。
根据实施例，所述控制器被配置成在所述时间延迟的开始或期满时激活所述第二电压比较器。
根据实施例，所述控制器配置成将所述电触点连接到电接地。
根据实施例，在所述时间延迟终止时，电压的变化率基本上是零。
根据实施例，检测器的吸收单元阵列包括包括保护环，其包围多于一个吸收单元。
【附图说明】
图1A示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列。
图1B示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列的详细横截面视图。
图1C示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列的备选详细横截面视图。
图2A示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列的详细横截面视图。
图2B示意性地示出了根据实施例的图2B吸收单元阵列的备选详细横截面视图。
图2C和图2D示意性地示出了形成图2A或图2B的吸收单元阵列的过程。
图3A-图3C示意性地示出了根据实施例的基于图2A或图2B的吸收单元阵列来形成吸收单元阵列。
图4A示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列的详细横截面视图。
图4B示意性地示出了根据实施例的图4A吸收单元阵列的备选详细横截面视图。
图4C-图4E示意性地示出了根据实施例的形成图4A或图4B吸收单元阵列的过程。
图5示意性地示出了根据实施例的使用吸收单元阵列的方法。
图6示意性地示出了根据实施例的检测器。
图7A示意性地示出了根据实施例的检测器的横截面图。
图7B示意性地示出了根据实施例的检测器的详细横截面视图。
图7C示意性地示出了根据实施例的检测器的备选详细横截面视图。
图8A和图8B各自示出了根据实施例的检测器的电子系统部件图。
图9示意性地示出了根据实施例的由入射到与电触点相关联的像素上的X射线光子所产生的载流子引起的电触点电流的时间变化(上曲线)，以及电触点电压的相应时间变化(下曲线)。
【具体实施方式】
图1A示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列410。吸收单元阵列410具有吸收单元420的阵列，每个吸收单元420可以包括半导体和电触点。每个吸收单元420可配置成吸收入射的X射线并产生电信号。所述电信号可以是电触点上的电压信号。吸收单元阵列410可包括保护环，以防止由于局部集中电场以及电接触处的表面电势差引起的过早击穿，或者用于为吸收单元420提供电隔离。吸收单元阵列410可以包括半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或它们的组合。半导体材料可对感兴趣的X射线能量具有高的质量衰减系数。在实施例中，吸收单元阵列410不包括闪烁体。吸收单元阵列410可以是矩形阵列、蜂窝阵列、六边形阵列或任何其它合适的阵列。阵列410上的吸收单元420可排列成一个或多个网格。例如，吸收单元420可以布置成两个网格，在两个网格之间存有间隙。
图1B示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列410的详细横截面视图。吸收单元阵列410包括多个吸收单元420。吸收单元阵列410可包括保护环431B。该保护环431B可以包围多个吸收单元420中的多于一个的吸收单元。每个吸收单元420可以包括二极管(例如，p-i-n或p-n)，其由第一掺杂区111、第二掺杂区113的离散区114形成。每个吸收单元420可包括电触点119A和119B。第二掺杂区113和第一掺杂区111可以通过可选的本征区112隔开。离散区114相互之间由第一掺杂区111或本征区112隔开。电触点119B可包括数个离散部分，每个离散部分与离散区114电接触。第一掺杂区111和第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，区111为p型且区113为n型，或者区111为n型且区113为p型)。在图1B的示例中，每个吸收单元420包括二极管，该二极管由第二掺杂区113的离散区114、第一掺杂区111以及可选的本征区112形成。即，在图1B的示例中，吸收单元420以第一掺杂区111作为共享电极。第一掺杂区111也可具有离散部分。在图1B的示例中，每个吸收单元420可包括保护环431A。保护环431A可围绕吸收单元420的离散区114放置。保护环431A和431B可由掺杂区形成，或者通过浅沟槽隔离(shallow trench isolation)形成。
当X射线光子击中包括二极管的吸收单元阵列410时，X射线光子可以通过多个机制吸收，并产生一个或多个载流子。一个X射线光子可以产生10至100000个载流子。载流子可在电场下漂移到多个吸收单元中的一个吸收单元的电极。该电场可以是外部电场。在一实施例中，载流子可以这样沿各方向漂移，以至于由单个X射线光子产生的载流子基本上不被两个不同的吸收单元420共享(在这里，“基本上不被共享”意味着这些载流子中小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的载流子流至与其余载流子不同的吸收单元420的离散区114)。由入射在一个吸收单元420上的X射线光子产生的载流子基本上不与另一个吸收单元420相共享。入射到吸收单元420上的X射线光子产生的载流子基本上全部(大于98％、大于99.5％、大于99.9％或大于99.99％)流到该吸收单元的离散区114。即，这些载流子流中，小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的载流子流到该吸收单元之外。保护环431B可以防止由电触点119B和离散区114的边缘处的局部集中电场引起的过早击穿，或防止电触点119B和离散区114处的表面电位差。
图1C示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列410的备选详细横截面视图。吸收单元阵列410可以包括多个吸收单元420。每个吸收单元420可以包括电触点119A、电触点119B的离散部分以及电阻器，该电阻器由诸如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合的半导体材料的区域形成。吸收单元阵列410不包括二极管。半导体对于感兴趣的X射线能量可具有高的质量衰减系数。
当X射线光子撞击包括电阻器但不包括二极管的吸收单元阵列410时，它可通过多种机制被吸收并产生一个或多个载流子。一个X射线光子可以产生10至100000个载流子。载流子可在电场下漂移到电触点119A和119B。该电场可以是外部电场。在实施例中，载流子可以这样沿各方向漂移，以至于由单个X射线光子产生的载流子基本上不被两个不同的吸收单元420共享(在这里，“基本上不被共享”意味着这些载流子中小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的载流子流至与其余载流子不同的吸收单元420的电触点119B的离散部分)。入射在一个吸收单元420的X射线光子所产生的载流子基本上不与另一个吸收单元420共享。入射在一吸收单元420上的X射线光子所产生的载流子基本上全部(大于98％、大于99.5％、大于99.9％或大于99.99％)流至该吸收单元的电触点119B的离散部分。即，这些载流子中小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的载流子流到该吸收单元420的电触点119B的离散部分之外。
图2A示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列410A的详细横截面视图，其中吸收单元阵列410A中的吸收单元420包括二极管。图2B示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列410A的备选详细横截面视图，其中吸收单元阵列410A包括电阻器但不包括二极管。至少一个吸收单元420中不包括保护环。多于一个的吸收单元420不被保护环包围。这些示例中的吸收单元阵列410A可以不包括任何保护环。
图2C和图2D示意性地示出了根据实施例的形成吸收单元阵列410A的过程。
图2C示意性地示出了在基板400上形成吸收单元阵列410A。吸收单元阵列410A可以用半导体光刻工艺形成，包括形成氧化膜、应用光刻胶、曝光、显影、刻蚀、掺杂、布线等步骤的组合。基板400可以包括一个或多个吸收单元阵列410A。在图2C的示例中，多个吸收单元阵列410A形成在基板400上。在图2C的示例中，吸收单元阵列410A的区域在曝光过程中逐一曝光，以图案化相同的电路图案。
图2D示意性地示出了从基板400分离出吸收单元阵列410A。可以采用划片工艺将吸收单元阵列410A与基板分离，该工艺包括划片和断线、机械锯切或激光切割。在图2D的示例中，通过沿着吸收单元阵列410之间的管芯界道(die street)或者间隙进行切块，将吸收单元阵列410与基板400分离。
图3A-图3C示意性地示出了根据实施例的从基板分离阵列410A之后，从吸收单元阵列410A形成吸收单元阵列410B。
图3A以吸收单元阵列410A和410B的透视图方式示意性地示出了根据实施例的形成过程。在从基板400分离阵列410A之后，吸收单元阵列410B通过在吸收单元阵列410A上形成掺杂的侧壁423(有时称为"活动边缘(active edge)")而形成。可以通过对吸收单元阵列410A的侧壁进行掺杂和退火来形成掺杂侧壁423。掺杂侧壁423可以用与吸收单元阵列410A的离散区114相同类型的掺杂剂掺杂，但掺杂浓度不同(例如掺杂侧壁423为p型，离散区114为P+型)。所述退火可以是激光退火。
图3B以吸收单元阵列410A和410B的详细横截面视图方式示意性地示出了根据实施例的形成过程，其中吸收单元阵列410A和410B包括二极管。在图3B的示例中，掺杂的侧壁423包围住多于一个的吸收单元420(例如，当掺杂的侧壁423围绕吸收单元阵列410B的周边放置时，吸收单元阵列410B的所有吸收单元420)。
图3C以吸收单元阵列410A和410B的备选详细横截面视图的方式示意性地示出了根据实施例的形成过程，其中吸收单元阵列410B包括电阻器但不包括二极管。
图4A示出了根据实施例的吸收单元阵列410C的详细横截面视图，其中吸收单元阵列410C为一种类型的包括二极管的吸收单元阵列410。图4B示意性地示出了根据实施例的吸收单元阵列410C的备选详细横截面视图，其中吸收单元阵列410C包括电阻器但不包括二极管。吸收单元阵列410C包括多个吸收单元420和掺杂侧壁423。掺杂侧壁423包围住多于一个的吸收单元420。吸收单元阵列410C可以包括多于一个的保护环。
图4C-图4E示意性地示出了根据实施例的形成吸收单元阵列410C的过程。
图4C示意性地示出了从基板500分离出基板510的一部分。从基板500分离出基板510的一部分可以是划片工艺，其包括划片和断线、机械锯切或激光切割。基板510的一部分可以包括半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。半导体材料对于感兴趣的X射线能量可具有高的质量衰减系数。基板510的一部分可以包括掺杂区。
图4D示意性地示出了根据实施例的在基板510的一部分上(在从基板500分离出该部分之后)形成吸收单元阵列410C，其中吸收单元阵列410C包括二极管。图4E以基板510的一部分和吸收单元阵列410C的备选详细横截面图的方式示意性示出了根据实施例的吸收单元阵列410C的形成过程。其中，吸收单元阵列410C包括电阻器，但不包括二极管。吸收单元420可由半导体光刻工艺形成，包括诸如形成氧化膜、应用光刻胶、曝光、显影、刻蚀、掺杂、布线的步骤组合。掺杂侧壁423可以在形成吸收单元420的之前、之后或期间形成，可以通过掺杂基板510的一部分的侧壁并且进行退火来形成掺杂侧壁423。退火可以是激光退火。
图5示意性地示出了使用吸收单元阵列410的方法。沿着吸收单元阵列410的周边的第一多个吸收单元420(例如，那些经阴影处理的吸收单元420)施加电压，使得第一多个吸收单元420为吸收单元阵列410之内的第二多个吸收单元提供电屏蔽或者用作保护环。第二多个吸收单元可配置成吸收X射线并产生电信号。
图6示意性地示出了根据实施例的检测器100。在实施例中，检测器100可具有诸如本文描述的任何吸收单元阵列的像素150的阵列。阵列可以是矩形阵列、五边形阵列、蜂窝状阵列、六边形阵列或任何其他适合的阵列。每个像素150配置成检测其上入射的X射线光子，并测量X射线光子的能量。例如，每个像素150配置成对在一段时间内入射于其上的、能量落在多个仓中的X射线光子数目进行计数。所有像素150可配置成在相同的时段内对入射于其上的、能量在多个仓内的X射线光子数目进行计数。每个像素150可具有它自己的模数转换器(ADC)，该模数转换器配置成将代表入射X射线光子能量的模拟信号数字化为数字信号。每个像素150可配置成测量它的暗电流，例如在每个X射线光子入射在该像素上之前或与之并行地测量。每个像素150可配置成从入射到该像素上的X射线光子能量减去暗电流的贡献。像素150可配置成并行地操作。例如，在一个像素150测量入射X射线光子时，另一个像素150可等待X射线光子到达。像素150可不必独立可寻址。
检测器100可具有至少100、2500、10000个或更多个的像素150。检测器100可配置成将所有像素150计数的具有相同能量范围的仓的X射线光子的数目相加。例如，检测器100可以将像素150存储在能量从70KeV到71KeV的仓中的数目相加，将像素150存储在能量从71KeV到72KeV的仓中的数目相加，等等。检测器100可将针对仓的相加数目编纂为检测器100上入射的X射线光子能谱。
图7A示意性地示出了根据实施例的检测器100的横截面图。检测器100可包括X射线吸收层110和电子层120(例如，ASIC)，用于处理或分析入射X射线在X射线吸收层110中产生的电信号。在实施例中，检测器100不包括闪烁体。X射线吸收层110可包括半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。半导体对于感兴趣的X射线能量可具有高的质量衰减系数。
如图7B中的检测器100的详细横截面图所示，根据实施例，X射线吸收层110可以包括一个或多个具有二极管的吸收单元阵列410。图7C示意性地示出了根据实施例的检测器100的备选详细横截面视图，其中X射线吸收层110包括电阻器但不包括二极管。吸收单元阵列410可以包括保护环(例如，431B)。吸收单元阵列410的至少一些吸收单元420配置成吸收X射线并产生电信号。例如，沿着第一多个吸收单元阵列410的周边的第一吸收单元420可以用作保护环，或者通过施加电压(例如，第一多个吸收单元420的二极管与第二多个吸收单元420的二极管相比处于更高的反向偏压)为吸收单元阵列410之内的第二多个吸收单元420提供电屏蔽。第二多个吸收单元420可配置成吸收X射线并产生电信号。第二多个吸收单元420中的每个吸收单元可以与一像素150相关联。
电子层120可以包括电子系统121，其适于处理或解释X射线吸收层110上入射的X射线光子产生的信号。电子系统121可包括：模拟电路，例如滤波网络、放大器、积分器和比较器；或者数字电路，例如微处理器和存储器。电子系统121可包括像素共享的部件或专用于单个像素的部件。例如，电子系统121可包括专用于每个像素的放大器和在所有像素之间共享的微处理器。电子系统121可通过通孔131电连接到像素。通孔之间的空间可用填充材料130填充，该填充材料可使电子层120到X射线吸收层110的连接的机械稳定性增加。在不使用通孔的情况下使电子系统121连接到像素的其他接合技术是可能的。
图8A和图8B各自示出根据实施例的电子系统121的部件图。电子系统121可包括第一电压比较器301、第二电压比较器302、多个计数器320(包括计数器320A、320B、320C、320D…)、开关305、ADC 306和控制器310。
第一电压比较器301配置成将电触点119B的离散部分的电压与第一阈值比较。第一电压比较器301可配置成直接监测电压，或通过将一段时间内流过二极管或电触点的电流整合来计算电压。第一电压比较器301可由控制器310可控地启动或停用。第一电压比较器301可以是连续比较器。即，第一电压比较器301可配置成被连续启动，并且连续监测电压。配置为连续比较器的第一电压比较器301使系统121错过由入射X射线光子产生的信号的机会减少。配置为连续比较器的第一电压比较器301在入射X射线强度相对高时尤其适合。第一电压比较器301可以是钟控比较器，其具有较低功耗的益处。配置为钟控比较器的第一电压比较器301可导致系统121错过由一些入射X射线光子产生的信号。在入射X射线强度低时，错过入射X射线光子的机会因为两个连续光子之间的间隔相对长而较低。因此，配置为钟控比较器的第一电压比较器301在入射X射线强度相对低时尤其适合。第一阈值可以是一个入射X射线光子可在电触点119B上产生的最大电压的1-5％、5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。最大电压可取决于入射X射线光子的能量(即，入射X射线的波长)，X射线吸收层110的材料和其它因素。例如，第一阈值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
第二电压比较器302配置成将电压与第二阈值比较。第二电压比较器302可配置成直接监测电压，或通过使一段时间内流过二极管或电触点的电流整合来计算电压。第二电压比较器302可以是连续比较器。第二电压比较器302可由控制器310可控地启动或停用。在停用第二电压比较器302时，第二电压比较器302的功耗可以是启动第二电压比较器302时的功耗的不到1％、不到5％、不到10％或不到20％。第二阈值的绝对值大于第一阈值的绝对值。如本文使用的，术语实数x的“绝对值”或“模数”|x|是x的非负值而不考虑它的符号。即，第二阈值可以是第一阈值的200％-300％。例如，第二阈值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。第二电压比较器302和第一电压比较器310可以是相同部件。即，系统121可具有一个电压比较器，其可以在不同时间将电压与两个不同阈值比较。
第一电压比较器301或第二电压比较器302可包括一个或多个运算放大器或任何其他适合的电路。第一电压比较器301或第二电压比较器302可具有高速度，以允许系统121在高入射X射线通量下操作。然而，具有高的速度通常以功耗为代价。
计数器320可以是软件部件(例如，计算机存储器中存储的数目)或硬件部件(例如，4017IC和7490IC)。每个计数器320与对于一定能量范围的仓关联。例如，计数器320A可与70-71KeV的仓关联，计数器320B可与71-72KeV的仓关联，计数器320C可与72-73KeV的仓关联，计数器320D可与73-74KeV的仓关联。在入射X射线光子的能量由ADC 306确定为在计数器320与之关联的仓中时，计数器320中记录的数增加一。
控制器310可以是例如微控制器和微处理器等硬件部件。控制器310配置成从第一电压比较器301确定电压的绝对值大于等于第一阈值的绝对值(例如，电压的绝对值从第一阈值的绝对值以下增加到等于或超过第一阈值的绝对值)的时刻起启动时间延迟。在这里，因为电压可以是负的或正的而使用了绝对值，这取决于是使用二极管的阴极还是阳极的电压或者使用哪个电触点。控制器310可配置成在第一电压比较器301确定电压的绝对值大于等于第一阈值的绝对值的时间之前，保持停用第二电压比较器302、计数器320以及第一电压比较器301的操作不需要的任何其他电路。时间延迟可在电压变稳定(即，电压的变化率大致为零)之后终止。短语“变化率大致为零”意指时间变化小于0.1％/ns。短语“变化率大致为非零”意指电压的时间变化是至少0.1％/ns。
控制器310可配置成在时间延迟期间(包括开始和终止)启动第二电压比较器。在实施例中，控制器310配置成在时间延迟开始时启动第二电压比较器。术语“启动”意指促使部件进入操作状态(例如，通过发送例如电压脉冲或逻辑电平等信号、通过提供电力等)。术语“停用”意指促使部件进入非操作状态(例如，通过发送例如电压脉冲或逻辑电平等信号、通过切断电力等)。操作状态可具有比非操作状态更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。控制器310本身可被停用，直到第一电压比较器301的输出在电压的绝对值大于等于第一阈值的绝对值时才启动控制器310。
如果在时间延迟期间，第二电压比较器302确定电压的绝对值大于等于第二阈值的绝对值并且X射线光子的能量落在与计数器320关联的仓中，控制器310可配置成促使计数器320中的一个记录的数增加一。
控制器310可配置成在时间延迟终止时促使ADC 306将电压数字化，并基于电压确定X射线光子的能量落在哪个仓中。
控制器310可配置成使电触点119B连接到电接地，以便使电压复位并且使电触点119B上累积的任何载流子放电。在实施例中，电触点119B在时间延迟终止后连接到电接地。在实施例中，电触点119B在有限复位时期连接到电接地。控制器310可通过控制开关305使电触点119B连接到电接地。开关可以是晶体管，例如场效应晶体管(FET)。
在一实施例中，系统121没有模拟滤波器网络(例如，RC网络)。在一实施例中，系统121没有模拟电路。
ADC 306可将它测量的电压作为模拟或数字信号馈送给控制器310。ADC可以是逐次逼近型寄存器(SAR)ADC(也叫作逐次逼近ADC)。SAR ADC在最终汇聚于模拟信号的数字输出之前经由通过所有可能量化等级的二进制搜索来使模拟信号数字化。SAR ADC可具有四个主要子电路：采样和保持电路，用于获取输入电压(Vin)；内部数模转换器(DAC)，其配置成对模拟电压比较器供应等于逐次逼近型寄存器(SAR)的数字代码输出的模拟电压，该模拟电压比较器将Vin与内部DAC的输出比较并且向SAR输出比较结果，SAR配置成向内部DAC供应Vin的逼近数字代码。SAR可被初始化使得最高有效位(MSB)等于数字1。该代码被馈送到内部DAC内，其然后将该数字代码的模拟等效物(Vref/2)供应到比较器内用于与Vin比较。如果该类比电压超出Vin，比较器促使SAR将该位复位；否则，位留下1。然后SAR的下一个位设置为1并且进行相同测试，从而继续该二进制搜索直到SAR中的每个位已被测试。所得的代码是Vin的数字逼近并且最后在数字化结束时由SAR输出。
系统121可包括电容器模块309，其电连接到电触点119B，其中电容器模块配置成从电触点119B收集载流子。电容器模块可以包括放大器的反馈路径中的电容器。如此配置的放大器叫作电容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通过防止放大器饱和而具有高的动态范围，并且通过限制信号路径中的带宽来提高信噪比。来自电极的载流子在一段时间(“整合期”)(例如，如在图9中示出的，在ts至t0之间)内在电容器上累积。在整合期终止后，由ADC 306对电容器电压采样，然后由复位开关将其复位。电容器模块309能包括直接连接到电触点119B的电容器。
图9示意示出了由与电触点119B关联的像素150上入射的X射线光子所产生的载流子引起的流过电触点119B的电流的时间变化(上曲线)，以及电触点119B的电压的对应时间变化(下曲线)。电压可以是电流关于时间的整合。在时间t0，X射线光子撞击二极管或电阻器，载流子开始在像素150中产生，电流开始流过电触点119B，并且电触点119B的电压的绝对值开始增加。在时间t1，第一电压比较器301确定电压的绝对值大于等于第一阈值V1的绝对值，控制器310启动时间延迟TD1，并且控制器310可在TD1开始时停用第一电压比较器301。如果控制器310在t1之前被停用，在t1启动控制器310。在TD1期间，控制器310启动第二电压比较器302。如这里使用的术语在时间延迟“期间”意指开始和终止(即，结束)及其之间的任何时间。例如，控制器310可在TD1终止时启动第二电压比较器302。如果在TD1期间，第二电压比较器302确定在时间t2电压的绝对值大于等于第二阈值的绝对值，控制器310等待电压稳定来稳定。电压在时间te稳定，这时X射线光子产生的所有载流子漂移出X射线吸收层110。在时间ts，时间延迟TD1终止。在时间te或时间te之后，控制器310促使ADC 306使电压数字化，并确定X射线光子的能量落在哪个仓中。然后，控制器310促使与仓相对应的计数器320所记录的数目增加一。在图9的示例中，时间ts在时间te之后；即TD1在X射线光子产生的所有载流子漂移出X射线吸收层110之后终止。如果不易测量时间te，可以根据经验选择TD1以允许有足够时间收集X射线光子产生的基本上所有载流子但并未太长而冒着具有另一个入射X射线光子的风险。即，可以根据经验选择TD1使得时间ts根据经验在时间te后。时间ts不是必须在时间te后，因为一旦达到V2控制器310可忽视TD1并且等待时间te。电压与暗电流对电压的贡献之间的差异的变化率从而在ts大致为零。控制器310可配置成在TD1终止时或在t2或中间的任何时间停用第二电压比较器302。
在时间te电压与X射线光子产生的载流子的数量成比例，其与X射线光子的能量有关。控制器310可配置成基于ADC 306的输出确定X射线光子的能量所落入的仓。
在TD1终止或被ADC 306数字化后，以较后者为准，控制器310在复位期RST使电触点119B连接到电接地以允许电触点119B上累积的载流子流到地面并且使电压复位。在RST之后，系统121准备检测另一个入射X射线光子。系统121在图9的示例中可以处理的入射X射线光子的比率隐式地受限于1/(TD1+RST)。如果第一电压比较器301被停用，控制器310可以在RST终止之前的任何时间启动它。如果控制器310被停用，可在RST终止之前启动它。
因为检测器100具有可并行操作的许多像素150，检测器可以处理显著更高比率的入射X射线光子。这是因为，特定像素150上的入射率是整个阵列像素上的入射率的1/N，其中N是像素数目。
尽管本文公开各种方面和实施例，其他方面和实施例对于本领域内技术人员将变得明显。本文公开的各种方面和实施例是为了说明目的而不意在为限制性的，其真正范围和精神由下列权利要求示明。

Claims (15)

1.一种用于制造检测器的方法，包括：
将基板的一部分从所述基板分离；
在分离所述基板的一部分之后，在所述基板的一部分上形成吸收单元阵列，所述吸收单元阵列包括掺杂侧壁和多个吸收单元，其中所述多个吸收单元配置成吸收X射线，其中所述掺杂侧壁包围所述多个吸收单元中的多于一个吸收单元，并且其中所述多个吸收单元中的第一多个吸收单元为所述吸收单元中的第二多个吸收单元提供电屏蔽。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或者其组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电触点。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电阻器。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述吸收单元阵列包括：通过对所述基板的一部分的侧壁进行掺杂来形成所述掺杂侧壁。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述多个吸收单元之前形成所述掺杂侧壁。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述多个吸收单元之后形成所述掺杂侧壁。
9.一种用于制造检测器的方法，包括：
在基板上形成吸收单元阵列，所述吸收单元阵列包括配置成吸收X射线的多个吸收单元，其中，在将所述吸收单元阵列从所述基板分离之前，所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元内不包括用于为所述至少一个吸收单元提供电隔离的保护环，并且所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元不被包围在保护环中，沿着所述吸收单元阵列的周边的第一多个吸收单元用作保护环，为所述吸收单元阵列之内的第二多个吸收单元提供电屏蔽；
将所述吸收单元阵列从所述基板分离。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电触点。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电阻器。
14.根据权利要求9所述的方法，还包括：
在将所述吸收单元阵列从所述基板分离之后，在所述吸收单元阵列上形成掺杂侧壁，所述掺杂侧壁包围所述多个吸收单元中的多于一个吸收单元。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述掺杂侧壁包括对所述吸收单元阵列的侧壁进行掺杂和退火。
CN201780093158.XA 2017-07-26 2017-07-26 制造和使用x射线检测器的方法 Active CN110914714B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2017/094441 WO2019019041A1 (en) 2017-07-26 2017-07-26 METHODS OF MAKING AND USING X-RAY DETECTORS

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110914714A CN110914714A (zh) 2020-03-24
CN110914714B true CN110914714B (zh) 2024-02-27

Family

ID=65041076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780093158.XA Active CN110914714B (zh) 2017-07-26 2017-07-26 制造和使用x射线检测器的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11156726B2 (zh)
EP (1) EP3658964A4 (zh)
CN (1) CN110914714B (zh)
TW (1) TWI804502B (zh)
WO (1) WO2019019041A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019144322A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making radiation detector
WO2023281856A1 (ja) * 2021-07-06 2023-01-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置およびｘ線撮像装置ならびに電子機器

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548123A (en) * 1994-12-06 1996-08-20 Regents Of The University Of California High resolution, multiple-energy linear sweep detector for x-ray imaging
US6380528B1 (en) * 1998-03-20 2002-04-30 Simage Oy Imaging device for imaging radiation
CN1579328A (zh) * 2003-08-01 2005-02-16 Ge医药系统环球科技公司 用于直接光－电子转换探测器阵列的保护环
US7223982B1 (en) * 2006-02-22 2007-05-29 Redlen Technologies Segmented radiation detector with side shielding cathode
CN104414676A (zh) * 2013-09-09 2015-03-18 西门子公司 X射线探测器和方法
JP2015190853A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 日立金属株式会社 シンチレータアレイの製造方法
WO2016161543A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making semiconductor x-ray detector
DE102015213911A1 (de) * 2015-07-23 2017-01-26 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zum Erzeugen eines Röntgenbildes und Datenverarbeitungseinrichtung zur Ausführen des Verfahrens
TW201713966A (en) * 2015-10-14 2017-04-16 Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd X-ray detectors capable of limiting diffusion of charge carriers
WO2017063156A1 (en) * 2015-10-14 2017-04-20 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-ray detectors of high spatial resolution

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245191A (en) * 1992-04-14 1993-09-14 The Board Of Regents Of The University Of Arizona Semiconductor sensor for gamma-ray tomographic imaging system
US5677539A (en) * 1995-10-13 1997-10-14 Digirad Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection
JP2002217444A (ja) * 2001-01-22 2002-08-02 Canon Inc 放射線検出装置
US6707046B2 (en) * 2002-01-03 2004-03-16 General Electric Company Optimized scintillator and pixilated photodiode detector array for multi-slice CT x-ray detector using backside illumination
AU2003274488A1 (en) * 2002-11-19 2004-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray examination apparatus
JP4220808B2 (ja) * 2003-03-10 2009-02-04 浜松ホトニクス株式会社 ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器
US20050167606A1 (en) * 2003-08-20 2005-08-04 Harrison Fiona A. Cadmium-zinc-telluride detectors
JP2010503985A (ja) * 2006-09-14 2010-02-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シンチレーターに基づき空乏化した電子ドリフト領域を持つｘ線検出集積回路素子
CN101600974B (zh) * 2007-02-01 2013-03-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于光子计数探测器的事件共享恢复
WO2008106467A1 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 California Institute Of Technology Depth sensing in cdznte pixel detectors
US9202961B2 (en) * 2009-02-02 2015-12-01 Redlen Technologies Imaging devices with solid-state radiation detector with improved sensitivity
CN101862200B (zh) * 2010-05-12 2012-07-04 中国科学院上海应用物理研究所 一种快速x射线荧光ct方法
EP2490441A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-22 Paul Scherrer Institut Single photon counting detector system having improved counter architecture
JP6189237B2 (ja) * 2014-03-20 2017-08-30 株式会社東芝 光検出器、及び光検出器の製造方法
US10056425B2 (en) * 2015-07-09 2018-08-21 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making semiconductor X-ray detector

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5548123A (en) * 1994-12-06 1996-08-20 Regents Of The University Of California High resolution, multiple-energy linear sweep detector for x-ray imaging
US6380528B1 (en) * 1998-03-20 2002-04-30 Simage Oy Imaging device for imaging radiation
CN1579328A (zh) * 2003-08-01 2005-02-16 Ge医药系统环球科技公司 用于直接光－电子转换探测器阵列的保护环
US7223982B1 (en) * 2006-02-22 2007-05-29 Redlen Technologies Segmented radiation detector with side shielding cathode
CN104414676A (zh) * 2013-09-09 2015-03-18 西门子公司 X射线探测器和方法
JP2015190853A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 日立金属株式会社 シンチレータアレイの製造方法
WO2016161543A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Methods of making semiconductor x-ray detector
TW201636640A (zh) * 2015-04-07 2016-10-16 Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd 製作半導體ｘ射線檢測器的方法
DE102015213911A1 (de) * 2015-07-23 2017-01-26 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zum Erzeugen eines Röntgenbildes und Datenverarbeitungseinrichtung zur Ausführen des Verfahrens
TW201713966A (en) * 2015-10-14 2017-04-16 Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd X-ray detectors capable of limiting diffusion of charge carriers
WO2017063156A1 (en) * 2015-10-14 2017-04-20 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. X-ray detectors of high spatial resolution

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Marten Jan Bosma.On the cutting edge of semiconductor sensors: towards intelligent X-ray detectors.《PhD: NIKHEF, Amsterdam》.2012,正文第2章、第4章. *
Sherwood I. Parker 等.3DX:An X-Ray Pixel Array Detector With Active Edges.《EEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE》.2006,第53卷(第3期),正文第Ⅳ节. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110914714A (zh) 2020-03-24
EP3658964A4 (en) 2021-01-13
US20200150287A1 (en) 2020-05-14
TWI804502B (zh) 2023-06-11
TW201910811A (zh) 2019-03-16
WO2019019041A1 (en) 2019-01-31
US11156726B2 (en) 2021-10-26
EP3658964A1 (en) 2020-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11154271B2 (en) Methods for determining misalignment of X-ray detectors
CN113543712B (zh) 一种带有辐射检测器和准直器的图像传感器
US20230343809A1 (en) X-ray detectors based on an epitaxial layer and methods of making
US11156726B2 (en) Methods of making and using an x-ray detector
US20230280485A1 (en) Imaging method
CN110892291B (zh) X射线检测器
US11826192B2 (en) Radiation detection apparatus
TWI805067B (zh) 成像裝置
US11617555B2 (en) Apparatus for blood sugar level detection
TWI834847B (zh) 圖像感測器、其使用方法及輻射電腦斷層掃描系統
US20230397897A1 (en) Image sensor
CN117119963A (zh) 使用半导体辐射检测器的成像方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 B507, blocks a and B, Nanshan medical device Industrial Park, No. 1019, Nanhai Avenue, Yanshan community, merchants street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong

Applicant after: SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518071 Room 201, building 52, jiyuecheng Zhongchuang Industrial Park, Tanglang industrial zone B, No. 13, Xinyi 5th Road, Tanglang community, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant