JP2014510396A5 - - Google Patents
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims 95
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 7
- 229960001716 benzalkonium Drugs 0.000 claims 6
- CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N benzyl-dodecyl-dimethylazanium Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 3
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010380 TiNi Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910034342 TiN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (46)
- 第1の端部および第2の端部をそれぞれ有しており、全てが実質的に互いに並行である、ナノワイヤー、
上記ナノワイヤーの間に配置され、表面を有する1つ以上の充填材、
各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の充填材の上記表面上にコンフォーマルに設置され、各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する接触層、および
上記接触層と電気的にカップリングされたシャントを備える、熱電素子。 - 上記1つ以上の充填材によって、上記ナノワイヤーは互いに相対的な位置に固定されることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。
- 上記ナノワイヤーの各々は、上記第1の端部に関連付けられる第1のセグメント、および上記第2の端部に関連付けられる第2のセグメントをさらに備え、
上記第2のセグメントは実質的に、上記1つ以上の充填材によって周囲を囲まれ、
上記第1のセグメントは上記1つ以上の充填材から突出し、
上記接触層は、少なくとも上記第1のセグメントのそれぞれを介して上記ナノワイヤーを電気的に接続することを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。 - 上記1つ以上の充填材の各々は、フォトレジスト、スピンオンガラス、スピンオンドーパント、エアロゲル、キセロゲル、窒化物、および酸化物からなる一群から選択される少なくとも1つの材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記第1の端部および上記第2の端部の間の距離は、少なくとも300μmであることを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記距離は、少なくとも525μmであることを特徴とする、請求項5に記載の熱電素子。
- 上記ナノワイヤーは、0.01mm2未満のサイズのアレイ部分を有することを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記ナノワイヤーは、100mm2のサイズのアレイ部分を有することを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記接触層は、半導体、半金属、および金属からなる一群から選択される少なくとも1つ以上の材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記半導体は、Si、Ge、C、B、P、N、Ga、As、およびInからなる一群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項9に記載の熱電素子。
- 上記半金属は、B、Ge、Si、およびSnからなる一群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項9に記載の熱電素子。
- 上記金属は、Ti、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、P、B、Cr、Li、W、Mg、TiW、TiNi、Mo、TiSi、MoSi、およびWSiからなる一群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項9に記載の熱電素子。
- 上記接触層は、1nm〜100,000nmの範囲の厚さを伴うことを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記シャントは、Ti、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ni、P、B、Cr、Li、W、Mg、TiW、TiNi、TiN、Mo、TiSi、MoSi、NiSi、WSi、グラファイト、スチール、ニッケルと鉄の合金、および、コバルトと、クロムと、ニッケルと、鉄と、モリブデンと、マンガンとの合金からなる一群から選択される少なくとも1つ以上の材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記シャントは、1nm〜100,000nmの範囲の厚さを伴うことを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記接触層を上記シャントと接続する結合層をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記結合層は、半田、ろう付け材、および銀系の金属接着剤からなる一群から選択される1つ以上の結合材を含むことを特徴とする、請求項16に記載の熱電素子。
- 上記シャント上に形成される絶縁層をさらに備える請求項1に記載の熱電素子。
- 上記絶縁層は、SiO2、Si3N4、SiN、およびAl2O3からなる一群から選択される1つ以上の材料を含むことを特徴とする、請求項18に記載の熱電素子。
- 上記シャントは、上記ナノワイヤーを1つ以上の素子と電気的に接続するように構成されることを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。
- 上記接触層は、
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部とカップリングされる1つ以上の第1の接触材、および
上記1つ以上の第1の接触材を介して上記ナノワイヤーの各々を電気的に接続する1つ以上の第2の接触材を含むことを特徴とする、請求項1に記載の熱電素子。 - 上記1つ以上の第1の接触材を上記1つ以上の第2の接触材と接続する結合層をさらに備えることを特徴とする、請求項21に記載の熱電素子。
- 上記結合層は、半田、ろう付け材、および銀系の金属接着剤からなる一群から選択される1つ以上の結合材を含むことを特徴とする、請求項22に記載の熱電素子。
- 上記1つ以上の第1の接触材および上記1つ以上の第2の接触材は、同一であることを特徴とする、請求項21に記載の熱電素子。
- 上記1つ以上の第1の接触材および上記1つ以上の第2の接触材は、異なる接触材であることを特徴とする、請求項21に記載の熱電素子。
- 第1の端部およびその反対側の第2の端部をそれぞれ有しており、全てが実質的に互いに並行である、ナノワイヤー、
上記ナノワイヤーの間に配置され、第1の表面および第2の表面を有する1つ以上の充填材、
各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の充填材の上記第1の表面上にコンフォーマルに設置される第1の接触層であって、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第1の接触層と、上記第1の接触層に電気的にカップリングされる第1のシャントとを備える第1の電極構造、および
各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の充填材の上記第2の表面上にコンフォーマルに設置される第2の接触層であって、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第2の端部を介して上記ナノワイヤーを電気的に接続する第2の接触層と、上記第2の接触層に電気的にカップリングされる第2のシャントとを備える第2の電極構造を備える、熱電素子。 - 上記第1の接触層を上記第1のシャントと接続する1つ以上の第1の結合材と、
上記第2の接触層を上記第2のシャントと接続する1つ以上の第2の結合材とをさらに備えることを特徴とする、請求項26に記載の熱電素子。 - 上記第1の接触層は、
上記各ナノワイヤーの少なくとも上記第1の端部と電気的にカップリングされる1つ以上の第1の接触材、および
少なくとも上記1つ以上の接触材を介して上記ナノワイヤーの各々を電気的に接続する1つ以上の第2の接触材を含むことを特徴とする、請求項26に記載の熱電素子。 - 上記第1のシャントは、上記各ナノワイヤーにおける上記第1の端部を、1つ以上の素子と電気的に接続するように構成されることを特徴とする、請求項26に記載の熱電素子。
- 上記第2のシャントは、上記各ナノワイヤーにおける上記第2の端部を、1つ以上の素子と電気的に接続するように構成されることを特徴とする、請求項26に記載の熱電素子。
- 第1の端部およびその反対側の第2の端部をそれぞれ有する第1のナノワイヤー、
上記第1のナノワイヤーの間に配置され、第1の表面を有する1つ以上の第1の充填材、
各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の第1の充填材の上記第1の表面上にコンフォーマルに設置される第1の接触層であって、上記各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該第1のナノワイヤーを電気的に接続する第1の接触層と、上記第1の接触層に電気的にカップリングされる第1のシャントとを備える第1の電極構造、
第3の端部およびその反対側の第4の端部をそれぞれ有し、上記第1のナノワイヤーと異なる第2のナノワイヤー、
上記第2のナノワイヤーの間に配置され、第2の表面を有する1つ以上の第2の充填材、および
各第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部および上記1つ以上の第2の充填材の上記第2の表面上にコンフォーマルに設置される第2の接触層であって、上記各第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部を介して該第2のナノワイヤーを電気的に接続する第2の接触層と、上記第2の接触層に電気的にカップリングされる第2のシャントとを備える第2の電極構造を備える熱電素子であって、
上記第1のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
上記第2のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
上記第2の端部は上記第4の端部と電気的にカップリングされる、熱電素子。 - 第1の側およびその反対側の第2の側を有する1つ以上の結合材をさらに備え、
上記第1の側は上記第2の側と電気的にカップリングされ、
上記第2の側は上記第4の端部と電気的にカップリングされることを特徴とする、請求項31に記載の熱電素子。 - 上記1つ以上の結合材は、半田、ろう付け材、および銀系の金属接着剤からなる一群から選択されることを特徴とする、請求項32に記載の熱電素子。
- 上記第1の接触層を上記第1のシャントと接続する1つ以上の第1の結合材と、
上記第2の接触層を上記第2のシャントと接続する1つ以上の第2の結合材とをさらに備えることを特徴とする、請求項31に記載の熱電素子。 - 第1の端部およびその反対側の第2の端部をそれぞれ有し、基板の第1の側と関連付けられる第1のナノワイヤー、
上記第1のナノワイヤーの間に配置され、第1の表面を有する1つ以上の第1の充填材、
各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の第1の充填材の上記第1の表面上にコンフォーマルに設置される第1の接触層であって、上記各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該第1のナノワイヤーを電気的に接続する第1の接触層と、上記第1の接触層に電気的にカップリングされる第1のシャントとを備える第1の電極構造、
第3の端部およびその反対側の第4の端部をそれぞれ有し、上記基板の上記第1の側の反対側の第2の側に関連付けられる、上記第1のナノワイヤーと異なる第2のナノワイヤー、
上記第2のナノワイヤーの間に配置され、第2の表面を有する1つ以上の第2の充填材、および
各第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部および上記1つ以上の第2の充填材の上記第2の表面上にコンフォーマルに設置される第2の接触層であって、上記各第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部を介して該第2のナノワイヤーを電気的に接続する第2の接触層と、上記第2の接触層に電気的に接続する第2のシャントとを備える第2の電極構造を備える熱電素子であって、
上記第1のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
上記第2のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である、熱電素子。 - 上記第1の接触層を上記第1のシャントと接続する1つ以上の第1の結合材と、
上記第2の接触層を上記第2のシャントと接続する1つ以上の第2の結合材とをさらに備えることを特徴とする、請求項35に記載の熱電素子。 - 第1の端部および第2の端部をそれぞれ有しており、全てが実質的に互いに並行であるナノワイヤーを形成する工程、
上記ナノワイヤーの間に配置され、表面を有する1つ以上の充填材を形成する工程、
各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の充填材の上記表面上にコンフォーマルに設置され、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する接触層を堆積させる工程、および
上記接触層に電気的にカップリングされるシャントを形成する工程を備える、熱電素子の製造方法。 - 1つ以上の結合材を用いて上記接触層を上記シャントに結合させる工程をさらに備える請求項37に記載の熱電素子の製造方法。
- 上記シャント上に絶縁層を形成する工程をさらに備える請求項37に記載の熱電素子の製造方法。
- 上記接触層を堆積させる工程は、
上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部の上に、1つ以上の第1の接触材を堆積させる工程、および
少なくとも上記1つ以上の第1の接触材を介して上記ナノワイヤーのそれぞれを電気的に接続する1つ以上の第2の接触材を堆積させる工程を備えることを特徴とする、請求項37に記載の熱電素子の製造方法。 - 上記接触層を形成する工程は、1つ以上の結合材を用いて上記1つ以上の第1の接触材を上記1つ以上の第2の接触材と結合させる工程をさらに備える、請求項40に記載の熱電素子の製造方法。
- 第1の端部およびその反対側の第2の端部をそれぞれ有しており、全てが実質的に互いに並行であるナノワイヤーを形成する工程、
上記ナノワイヤーの間に配置され、第1の表面および第2の表面を有する1つ以上の充填材を形成する工程、
第1の電極構造を形成する工程であって、各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の充填材の上記第1の表面上にコンフォーマルに設置され、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第1の接触層を堆積させる工程と、上記第1の接触層に電気的にカップリングされる第1のシャントを形成する工程とを備える工程、および
第2の電極構造を形成する工程であって、各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第2の端部および上記1つ以上の充填材の上記第2の表面上にコンフォーマルに設置され、上記各ナノワイヤーにおける少なくとも上記第2の端部を介して該ナノワイヤーを電気的に接続する第2の接触層を堆積させる工程と、上記第2の接触層に電気的にカップリングされる第2のシャントを形成する工程とを備える工程を備える、熱電素子の製造方法。 - 第1の端部およびその反対側の第2の端部をそれぞれ有する第1のナノワイヤーを形成する工程、
上記第1のナノワイヤーの間に配置され、第1の表面を有する1つ以上の第1の充填材を形成する工程、
第1の電極構造を形成する工程であって、各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の第1の充填材の上記第1の表面上にコンフォーマルに設置され、上記第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該第1のナノワイヤーを電気的に接続する第1の接触層と、上記第1の接触層に電気的に接続される第1のシャントとを堆積させる工程とを備える工程、および
第3の端部およびその反対側の第4の端部をそれぞれ有する第2のナノワイヤーを形成する工程、
上記第2のナノワイヤーの間に配置され、第2の表面を有する1つ以上の第2の充填材を形成する工程、
第2の電極構造を形成する工程であって、各第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部および上記1つ以上の第2の充填材の上記第2の表面上にコンフォーマルに設置され、上記第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部を介して該第2のナノワイヤーを電気的に接続する第2の接触層を堆積させる工程と、上記第2の接触層に電気的に接続される第2のシャントを形成する工程とを備える工程、および
上記第2の端部を上記第4の端部と電気的に接続する工程を備える、熱電素子の製造方法であって、
上記第1のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
上記第2のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である、熱電素子の製造方法。 - 上記第2の端部を上記第4の端部と電気的に接続する上記工程は、第1の側およびその反対側の第2の側を有する1つ以上の結合材を用いて上記第2の端部を上記第4の端部と結合させる工程を備え、
上記第1の側は上記第2の端部と電気的に接続され、
上記第2の側は上記第4の端部と電気的に接続されることを特徴とする、請求項43に記載の熱電素子の製造方法。 - 第5の端部およびその反対側の第6の端部をそれぞれ有する第3のナノワイヤーを形成する工程をさらに備え、
上記第2の端部を上記第4の端部と電気的に接続する上記工程は、
1つ以上の第1の結合材を用いて上記第2の端部を上記第5の端部と結合させる工程、および
1つ以上の第2の結合材を用いて上記第4の端部を上記第6の端部と結合させる工程を備え、
上記第3のナノワイヤーの全ては、実質的に互いに並行であることを特徴とする、請求項43に記載の熱電素子の製造方法。 - 第1の端部およびその反対側の第2の端部をそれぞれ有し、基板の第1の側に関連付けられる第1のナノワイヤーを形成する工程、
上記第1のナノワイヤーの間に配置され、第1の表面を有する1つ以上の第1の充填材を形成する工程、
第1の電極構造を形成する工程であって、各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部および上記1つ以上の第1の充填材の上記第1の表面上にコンフォーマルに設置され、上記各第1のナノワイヤーにおける少なくとも上記第1の端部を介して該第1のナノワイヤーを電気的に接続する第1の接触層を堆積させる工程と、上記第1の接触層に電気的に接続される第1のシャントを形成する工程とを備える工程、
第3の端部およびその反対側の第4の端部をそれぞれ有し、上記基板の上記第1の側の反対側の第2の側に関連付けられる、上記第1のナノワイヤーと異なる第2のナノワイヤーを形成する工程、
上記第2のナノワイヤーの間に配置され、第2の表面を有する1つ以上の第2の充填材を形成する工程、および
第2の電極構造を形成する工程であって、各第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部および上記1つ以上の第2の充填材の上記第2の表面上にコンフォーマルに設置され、上記第2のナノワイヤーにおける少なくとも上記第3の端部を介して該第2のナノワイヤーを電気的に接続する第2の接触層を堆積させる工程と、上記第2の接触層に電気的に接続される第2のシャントを形成する工程とを備える工程、を備える熱電素子の製造方法であって、
上記第1のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行であり、
上記第2のナノワイヤーの全ては実質的に互いに並行である、熱電素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161438709P | 2011-02-02 | 2011-02-02 | |
US61/438,709 | 2011-02-02 | ||
US13/331,768 | 2011-12-20 | ||
US13/331,768 US20120152295A1 (en) | 2010-12-21 | 2011-12-20 | Arrays of filled nanostructures with protruding segments and methods thereof |
PCT/US2012/023425 WO2012161757A1 (en) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | Electrode structures for arrays of nanostructures and methods thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014510396A JP2014510396A (ja) | 2014-04-24 |
JP2014510396A5 true JP2014510396A5 (ja) | 2015-03-26 |
Family
ID=47217566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013552585A Pending JP2014510396A (ja) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | ナノ構造アレイ用の電極構造およびその方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2671255A4 (ja) |
JP (1) | JP2014510396A (ja) |
KR (1) | KR20140012073A (ja) |
CN (1) | CN103460387A (ja) |
BR (1) | BR112013019766A2 (ja) |
CA (1) | CA2825888A1 (ja) |
WO (1) | WO2012161757A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2013212087A1 (en) | 2012-01-25 | 2014-08-07 | Alphabet Energy, Inc. | Modular thermoelectric units for heat recovery systems and methods thereof |
US9257627B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
US9065017B2 (en) | 2013-09-01 | 2015-06-23 | Alphabet Energy, Inc. | Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same |
CN103579484A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-12 | 姚芸 | 一种温差发电器用金属导体电极 |
TWI570972B (zh) * | 2016-01-20 | 2017-02-11 | 財團法人工業技術研究院 | 熱電轉換裝置以及熱電轉換器 |
JP6830587B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2021-02-17 | 学校法人東京理科大学 | 導電膜付き柱状インゴット基板及びその製造方法、シリサイド系熱電変換素子及びその製造方法、熱電変換モジュール、並びにシリサイド系熱電変換素子の電極層形成用組成物 |
WO2019003581A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび電子部品モジュール |
WO2019003582A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよび電子部品モジュール |
KR102265762B1 (ko) * | 2019-11-27 | 2021-06-15 | 한국세라믹기술원 | 적외선 차단 투명전극 점착제 및 이를 이용한 스마트 윈도우 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3600486B2 (ja) * | 1999-08-24 | 2004-12-15 | セイコーインスツル株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
EP2273552A3 (en) * | 2001-03-30 | 2013-04-10 | The Regents of the University of California | Methods of fabricating nanstructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
US8154093B2 (en) * | 2002-01-16 | 2012-04-10 | Nanomix, Inc. | Nano-electronic sensors for chemical and biological analytes, including capacitance and bio-membrane devices |
JP2004031696A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
US20050060884A1 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication of nanoscale thermoelectric devices |
US6969679B2 (en) * | 2003-11-25 | 2005-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication of nanoscale thermoelectric devices |
US8039726B2 (en) * | 2005-05-26 | 2011-10-18 | General Electric Company | Thermal transfer and power generation devices and methods of making the same |
WO2008060282A1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | General Electric Company | Thermal transfer and power generation devices and methods of making the same |
US8049203B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-11-01 | Qunano Ab | Nanoelectronic structure and method of producing such |
US20080178920A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-31 | Schlumberger Technology Corporation | Devices for cooling and power |
US7905013B2 (en) * | 2007-06-04 | 2011-03-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for forming an iridium oxide (IrOx) nanowire neural sensor array |
JP4925964B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2012-05-09 | 株式会社デンソー | 積層型熱電変換素子及びその製造方法 |
FR2923601B1 (fr) * | 2007-11-12 | 2010-01-01 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement electromagnetique a connexion par nanofil et procede de realisation |
TWI401830B (zh) * | 2008-12-31 | 2013-07-11 | Ind Tech Res Inst | 低熱回流之熱電奈米線陣列及其製造方法 |
-
2012
- 2012-02-01 WO PCT/US2012/023425 patent/WO2012161757A1/en active Application Filing
- 2012-02-01 BR BR112013019766A patent/BR112013019766A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-02-01 EP EP12790253.4A patent/EP2671255A4/en not_active Withdrawn
- 2012-02-01 KR KR1020137022698A patent/KR20140012073A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-02-01 CN CN2012800167545A patent/CN103460387A/zh active Pending
- 2012-02-01 JP JP2013552585A patent/JP2014510396A/ja active Pending
- 2012-02-01 CA CA2825888A patent/CA2825888A1/en not_active Abandoned
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