JP2014505649A5 - - Google Patents
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本願発明は以下の態様を含む。
(態様1)
多結晶シリコンを製造するための実質的に閉ループの方法であって、
トリクロロシランを不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと、
不均化システムから生成するシランまたはジクロロシランを流動床反応器に導入して、多結晶シリコン、ならびに水素および未反応のシランまたはジクロロシランを含む排ガスを生成することと、
不均化システムから生成するある量の四塩化ケイ素と、前記排ガスからのある量の水素とを水素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび塩化水素を生成することと、
水素化反応器から生成するある量の塩化水素と、シリコンとを塩素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む塩素化ガスを生成することと、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランを前記不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと
を含む、方法。
(態様2)
トリクロロシランが不均化システムに導入されて、四塩化ケイ素およびシランを生成し、
不均化システムから生成するシランが流動床反応器に導入されて、多結晶シリコンと、水素および未反応のシランを含む排ガスとを生成し、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランが前記不均化システムに導入されて、四塩化ケイ素およびシランを生成する、態様1に記載の方法。
(態様3)
前記不均化システムが、第1の蒸留塔、第2の蒸留塔、第3の蒸留塔、第1の不均化反応器および第2の不均化反応器を含み、前記方法が、
前記塩素化反応器から生成するトリクロロシランおよび四塩化ケイ素と、ならびに前記第1の不均化反応器から生成するジクロロシランとを前記第1の蒸留塔に導入して、塔底留分中に四塩化ケイ素を分離し、塔頂留分中にジクロロシランおよびトリクロロシランを分離することと、
前記第1の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記第2の蒸留塔に導入して、塔底留分中にトリクロロシランを分離し、塔頂留分中にジクロロシランを分離することと、
前記第2の蒸留塔から生成する塔底留分を前記第1の不均化反応器に導入して、ジクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む第1の不均化反応器生成物ガスを生成することであって、該第1の不均化反応器生成物ガスは前記第1の蒸留塔に導入されることと、
前記第2の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記第2の不均化反応器に導入して、シランおよびトリクロロシランを含む第2の不均化反応器生成物ガスを生成することと、
前記第2の不均化反応器生成物ガスを前記第3の蒸留塔に導入して、塔頂留分中にシランを分離し、塔底留分中にトリクロロシランを分離することと、
前記第3の蒸留塔から生成する塔底留分を前記第2の蒸留塔に導入することと、
前記第3の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記流動床反応器に導入して、多結晶シリコンを生成することと
を含む、態様2に記載の方法。
(態様4)
前記第1の蒸留塔から生成する塔底留分が前記水素化反応器に導入されて、トリクロロシランおよび塩化水素を生成する、態様3に記載の方法。
(態様5)
四塩化ケイ素と水素とが前記水素化反応器に導入されて、トリクロロシラン、塩化水素、未反応の水素および未反応の四塩化ケイ素を含む水素化ガスを生成し、該水素化ガスは分離システムに導入されて、トリクロロシランおよび未反応の四塩化ケイ素を水素および未反応の塩化水素から分離し、該トリクロロシランおよび未反応の四塩化ケイ素が前記不均化システムに導入される、態様1〜4のいずれか1つに記載の方法。
(態様6)
前記分離システムが、
トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を水素および塩化水素から分離するためのクロロシラン分離器と、
塩化水素から水素を分離するための水素分離器であって、分離される塩化水素は前記塩素化反応器に導入され、分離される水素は、前記水素化反応器および前記流動床反応器の少なくとも一方に導入される、水素分離器と
を含む、態様5に記載の方法。
(態様7)
前記クロロシラン分離器が気液分離器である、態様6に記載の方法。
(態様8)
前記水素分離器が気液分離器またはバブラーである、態様6に記載の方法。
(態様9)
前記塩素化ガスがトリクロロシラン、四塩化ケイ素、水素および未反応の塩化水素を含み、該塩素化ガスは前記分離システムに導入される、態様5〜8のいずれか1つに記載の方法。
(態様10)
前記塩素化ガスがストリップ塔に導入されて、前記不均化システムに導入される前に軽質留分不純物を除去する、態様1〜9のいずれか1つに記載の方法。
(態様11)
補充として加えられる塩化水素と、前記実質的に閉ループの方法において循環する塩化水素の量との比が、約1未満:10、約1未満:20、約1未満:50、約1未満:100、約1:250〜約1:10または約1:100〜約1:20である、態様1〜10のいずれか1つに記載の方法。
(態様12)
補充として加えられる水素ガスと、前記実質的に閉ループの方法において循環する水素の量との比が、約1未満:10、約1未満:20、約1未満:50、約1未満:100、約1:250〜約1:10または約1:100〜約1:20である、態様1〜11のいずれか1つに記載の方法。
(態様13)
補充として加えられる塩素と、生成する多結晶シリコン生成物とのモル比が、約2未満:1、約1未満:1、約1未満:1.2、約1未満:1.5、約1未満:2、約1未満:2.5、約2:1〜1:5または約1:1〜約1:5である、態様1〜12のいずれか1つに記載の方法。
(態様14)
補充として加えられる水素と、生成する多結晶シリコン生成物とのモル比が、約1未満:1、約1未満:2、約1未満:3、約1未満:5、約1未満:10、約1:1〜1:20または約1:2〜約1:10である、態様1〜13のいずれか1つに記載の方法。
(態様15)
多結晶シリコンを製造するためのシステムであって、前記システムは、水素および塩素含有化合物に関して実質的に閉ループであり、該システムは、
塩化水素がシリコンと接触してトリクロロシランおよび四塩化ケイ素を生成する塩素化反応器と、
トリクロロシランがシランまたはジクロロシランに転化される不均化システムと、
シランまたはジクロロシランが分解して、多結晶シリコンを生成する流動床反応器と、
四塩化ケイ素と水素とが導入されて、トリクロロシランを生成する水素化反応器と
を含む、システム。
(態様16)
トリクロロシランがシランに転化される不均化システムと、
シランが分解して、多結晶シリコンを生成する流動床反応器と
を含む、態様15に記載のシステム。
(態様17)
トリクロロシランを前記水素化反応器から前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
シランを前記不均化システムから前記流動床反応器に搬送するための搬送装置と、
トリクロロシランを前記塩素化反応器から前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
四塩化ケイ素を前記不均化システムから前記水素化反応器に搬送するための搬送装置と
を含む、態様16に記載のシステム。
(態様18)
水素、塩化水素、四塩化ケイ素およびトリクロロシランが導入されて、水素と、塩化水素と、クロロシラン類とが分離される分離システムを含む、態様15〜17のいずれか1つに記載のシステム。
(態様19)
トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を前記分離システムから前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
塩化水素を前記分離システムから前記塩素化反応器に搬送するための搬送装置と、
水素を前記分離システムから前記水素化反応器に搬送するための搬送装置と、
水素化ガスを前記水素化反応器から前記分離システムに搬送するための搬送装置と、
塩素化ガスを前記塩素化反応器から前記分離システムに搬送するための搬送装置と
を含む、態様18に記載のシステム。
(態様20)
前記不均化システムが、
塔底留分中に四塩化ケイ素を分離し、塔頂留分中にジクロロシランおよびトリクロロシランを分離するための第1の蒸留塔と、
塔底留分中にトリクロロシランを分離し、塔頂留分中にジクロロシランを分離するための第2の蒸留塔と、
ジクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む第1の不均化反応器生成物ガスを生成するための第1の不均化反応器と、
シランおよびトリクロロシランを含む第2の不均化反応器生成物ガスを生成するための第2の不均化反応器と、
塔頂留分中にシランを分離し、塔底留分中にトリクロロシランを分離するための第3の蒸留塔と
を含む、態様16〜19のいずれか1つに記載のシステム。
(態様21)
前記分離システムが、
水素および塩化水素からトリクロロシランおよび四塩化ケイ素を分離するためのクロロシラン分離器と、
塩化水素から水素を分離するための水素分離器と
を含む、態様18〜20のいずれか1つに記載のシステム。
(態様22)
前記クロロシラン分離器が気液分離器である、態様21に記載のシステム。
(態様23)
前記水素分離器が気液分離器である、態様21または22に記載のシステム。
(態様24)
前記水素分離器がバブラーである、態様21または22に記載のシステム。
(態様25)
四塩化ケイ素およびトリクロロシランを前記不均化システムに導入する前に軽質留分不純物を除去するためのストリップ塔を含む、態様15〜24のいずれか1つに記載のシステム。
本願発明は以下の態様を含む。
(態様1)
多結晶シリコンを製造するための実質的に閉ループの方法であって、
トリクロロシランを不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと、
不均化システムから生成するシランまたはジクロロシランを流動床反応器に導入して、多結晶シリコン、ならびに水素および未反応のシランまたはジクロロシランを含む排ガスを生成することと、
不均化システムから生成するある量の四塩化ケイ素と、前記排ガスからのある量の水素とを水素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび塩化水素を生成することと、
水素化反応器から生成するある量の塩化水素と、シリコンとを塩素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む塩素化ガスを生成することと、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランを前記不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと
を含む、方法。
(態様2)
トリクロロシランが不均化システムに導入されて、四塩化ケイ素およびシランを生成し、
不均化システムから生成するシランが流動床反応器に導入されて、多結晶シリコンと、水素および未反応のシランを含む排ガスとを生成し、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランが前記不均化システムに導入されて、四塩化ケイ素およびシランを生成する、態様1に記載の方法。
(態様3)
前記不均化システムが、第1の蒸留塔、第2の蒸留塔、第3の蒸留塔、第1の不均化反応器および第2の不均化反応器を含み、前記方法が、
前記塩素化反応器から生成するトリクロロシランおよび四塩化ケイ素と、ならびに前記第1の不均化反応器から生成するジクロロシランとを前記第1の蒸留塔に導入して、塔底留分中に四塩化ケイ素を分離し、塔頂留分中にジクロロシランおよびトリクロロシランを分離することと、
前記第1の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記第2の蒸留塔に導入して、塔底留分中にトリクロロシランを分離し、塔頂留分中にジクロロシランを分離することと、
前記第2の蒸留塔から生成する塔底留分を前記第1の不均化反応器に導入して、ジクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む第1の不均化反応器生成物ガスを生成することであって、該第1の不均化反応器生成物ガスは前記第1の蒸留塔に導入されることと、
前記第2の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記第2の不均化反応器に導入して、シランおよびトリクロロシランを含む第2の不均化反応器生成物ガスを生成することと、
前記第2の不均化反応器生成物ガスを前記第3の蒸留塔に導入して、塔頂留分中にシランを分離し、塔底留分中にトリクロロシランを分離することと、
前記第3の蒸留塔から生成する塔底留分を前記第2の蒸留塔に導入することと、
前記第3の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記流動床反応器に導入して、多結晶シリコンを生成することと
を含む、態様2に記載の方法。
(態様4)
前記第1の蒸留塔から生成する塔底留分が前記水素化反応器に導入されて、トリクロロシランおよび塩化水素を生成する、態様3に記載の方法。
(態様5)
四塩化ケイ素と水素とが前記水素化反応器に導入されて、トリクロロシラン、塩化水素、未反応の水素および未反応の四塩化ケイ素を含む水素化ガスを生成し、該水素化ガスは分離システムに導入されて、トリクロロシランおよび未反応の四塩化ケイ素を水素および未反応の塩化水素から分離し、該トリクロロシランおよび未反応の四塩化ケイ素が前記不均化システムに導入される、態様1〜4のいずれか1つに記載の方法。
(態様6)
前記分離システムが、
トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を水素および塩化水素から分離するためのクロロシラン分離器と、
塩化水素から水素を分離するための水素分離器であって、分離される塩化水素は前記塩素化反応器に導入され、分離される水素は、前記水素化反応器および前記流動床反応器の少なくとも一方に導入される、水素分離器と
を含む、態様5に記載の方法。
(態様7)
前記クロロシラン分離器が気液分離器である、態様6に記載の方法。
(態様8)
前記水素分離器が気液分離器またはバブラーである、態様6に記載の方法。
(態様9)
前記塩素化ガスがトリクロロシラン、四塩化ケイ素、水素および未反応の塩化水素を含み、該塩素化ガスは前記分離システムに導入される、態様5〜8のいずれか1つに記載の方法。
(態様10)
前記塩素化ガスがストリップ塔に導入されて、前記不均化システムに導入される前に軽質留分不純物を除去する、態様1〜9のいずれか1つに記載の方法。
(態様11)
補充として加えられる塩化水素と、前記実質的に閉ループの方法において循環する塩化水素の量との比が、約1未満:10、約1未満:20、約1未満:50、約1未満:100、約1:250〜約1:10または約1:100〜約1:20である、態様1〜10のいずれか1つに記載の方法。
(態様12)
補充として加えられる水素ガスと、前記実質的に閉ループの方法において循環する水素の量との比が、約1未満:10、約1未満:20、約1未満:50、約1未満:100、約1:250〜約1:10または約1:100〜約1:20である、態様1〜11のいずれか1つに記載の方法。
(態様13)
補充として加えられる塩素と、生成する多結晶シリコン生成物とのモル比が、約2未満:1、約1未満:1、約1未満:1.2、約1未満:1.5、約1未満:2、約1未満:2.5、約2:1〜1:5または約1:1〜約1:5である、態様1〜12のいずれか1つに記載の方法。
(態様14)
補充として加えられる水素と、生成する多結晶シリコン生成物とのモル比が、約1未満:1、約1未満:2、約1未満:3、約1未満:5、約1未満:10、約1:1〜1:20または約1:2〜約1:10である、態様1〜13のいずれか1つに記載の方法。
(態様15)
多結晶シリコンを製造するためのシステムであって、前記システムは、水素および塩素含有化合物に関して実質的に閉ループであり、該システムは、
塩化水素がシリコンと接触してトリクロロシランおよび四塩化ケイ素を生成する塩素化反応器と、
トリクロロシランがシランまたはジクロロシランに転化される不均化システムと、
シランまたはジクロロシランが分解して、多結晶シリコンを生成する流動床反応器と、
四塩化ケイ素と水素とが導入されて、トリクロロシランを生成する水素化反応器と
を含む、システム。
(態様16)
トリクロロシランがシランに転化される不均化システムと、
シランが分解して、多結晶シリコンを生成する流動床反応器と
を含む、態様15に記載のシステム。
(態様17)
トリクロロシランを前記水素化反応器から前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
シランを前記不均化システムから前記流動床反応器に搬送するための搬送装置と、
トリクロロシランを前記塩素化反応器から前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
四塩化ケイ素を前記不均化システムから前記水素化反応器に搬送するための搬送装置と
を含む、態様16に記載のシステム。
(態様18)
水素、塩化水素、四塩化ケイ素およびトリクロロシランが導入されて、水素と、塩化水素と、クロロシラン類とが分離される分離システムを含む、態様15〜17のいずれか1つに記載のシステム。
(態様19)
トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を前記分離システムから前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
塩化水素を前記分離システムから前記塩素化反応器に搬送するための搬送装置と、
水素を前記分離システムから前記水素化反応器に搬送するための搬送装置と、
水素化ガスを前記水素化反応器から前記分離システムに搬送するための搬送装置と、
塩素化ガスを前記塩素化反応器から前記分離システムに搬送するための搬送装置と
を含む、態様18に記載のシステム。
(態様20)
前記不均化システムが、
塔底留分中に四塩化ケイ素を分離し、塔頂留分中にジクロロシランおよびトリクロロシランを分離するための第1の蒸留塔と、
塔底留分中にトリクロロシランを分離し、塔頂留分中にジクロロシランを分離するための第2の蒸留塔と、
ジクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む第1の不均化反応器生成物ガスを生成するための第1の不均化反応器と、
シランおよびトリクロロシランを含む第2の不均化反応器生成物ガスを生成するための第2の不均化反応器と、
塔頂留分中にシランを分離し、塔底留分中にトリクロロシランを分離するための第3の蒸留塔と
を含む、態様16〜19のいずれか1つに記載のシステム。
(態様21)
前記分離システムが、
水素および塩化水素からトリクロロシランおよび四塩化ケイ素を分離するためのクロロシラン分離器と、
塩化水素から水素を分離するための水素分離器と
を含む、態様18〜20のいずれか1つに記載のシステム。
(態様22)
前記クロロシラン分離器が気液分離器である、態様21に記載のシステム。
(態様23)
前記水素分離器が気液分離器である、態様21または22に記載のシステム。
(態様24)
前記水素分離器がバブラーである、態様21または22に記載のシステム。
(態様25)
四塩化ケイ素およびトリクロロシランを前記不均化システムに導入する前に軽質留分不純物を除去するためのストリップ塔を含む、態様15〜24のいずれか1つに記載のシステム。
Claims (15)
- 多結晶シリコンを製造するための実質的に閉ループの方法であって、
トリクロロシランを不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと、
不均化システムから生成するシランまたはジクロロシランを流動床反応器に導入して、多結晶シリコン、ならびに水素および未反応のシランまたはジクロロシランを含む排ガスを生成することと、
不均化システムから生成するある量の四塩化ケイ素と、前記排ガスからのある量の水素とを水素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび塩化水素を生成することと、
水素化反応器から生成するある量の塩化水素と、シリコンとを塩素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む塩素化ガスを生成することと、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランを前記不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと
を含む、方法。 - トリクロロシランが不均化システムに導入されて、四塩化ケイ素およびシランを生成し、
不均化システムから生成するシランが流動床反応器に導入されて、多結晶シリコンと、水素および未反応のシランを含む排ガスとを生成し、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランを前記不均化システムに導入して、四塩化ケイ素およびシランを生成する、請求項1に記載の方法。 - 前記不均化システムが、第1の蒸留塔、第2の蒸留塔、第3の蒸留塔、第1の不均化反応器および第2の不均化反応器を含み、前記方法が、
前記塩素化反応器から生成するトリクロロシランおよび四塩化ケイ素と、ならびに前記第1の不均化反応器から生成するジクロロシランとを前記第1の蒸留塔に導入して、塔底留分中に四塩化ケイ素を分離し、塔頂留分中にジクロロシランおよびトリクロロシランを分離することと、
前記第1の蒸留塔から生成する塔底留分を前記水素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび塩化水素を生成することと、
前記第1の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記第2の蒸留塔に導入して、塔底留分中にトリクロロシランを分離し、塔頂留分中にジクロロシランを分離することと、
前記第2の蒸留塔から生成する塔底留分を前記第1の不均化反応器に導入して、ジクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む第1の不均化反応器生成物ガスを生成することであって、該第1の不均化反応器生成物ガスは前記第1の蒸留塔に導入されることと、
前記第2の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記第2の不均化反応器に導入して、シランおよびトリクロロシランを含む第2の不均化反応器生成物ガスを生成することと、
前記第2の不均化反応器生成物ガスを前記第3の蒸留塔に導入して、塔頂留分中にシランを分離し、塔底留分中にトリクロロシランを分離することと、
前記第3の蒸留塔から生成する塔底留分を前記第2の蒸留塔に導入することと、
前記第3の蒸留塔から生成する塔頂留分を前記流動床反応器に導入して、多結晶シリコンを生成することと
を含む、請求項2に記載の方法。 - 四塩化ケイ素と水素とが前記水素化反応器に導入されて、トリクロロシラン、塩化水素、未反応の水素および未反応の四塩化ケイ素を含む水素化ガスを生成し、該水素化ガスは分離システムに導入されて、トリクロロシランおよび未反応の四塩化ケイ素を水素および未反応の塩化水素から分離し、該トリクロロシランおよび未反応の四塩化ケイ素が前記不均化システムに導入される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記分離システムが、
トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を水素および塩化水素から分離するためのクロロシラン分離器と、
塩化水素から水素を分離するための水素分離器であって、分離される塩化水素は前記塩素化反応器に導入され、分離される水素は、前記水素化反応器および前記流動床反応器の少なくとも一方に導入される、水素分離器と
を含む、請求項4に記載の方法。 - 前記塩素化ガスがトリクロロシラン、四塩化ケイ素、水素および未反応の塩化水素を含み、該塩素化ガスは前記分離システムに導入される、請求項4または5に記載の方法。
- 補充として加えられる塩化水素と、前記実質的に閉ループの方法において循環する塩化水素の量との比が、約1未満:10である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 補充として加えられる水素ガスと、前記実質的に閉ループの方法において循環する水素の量との比が、約1未満:10である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 補充として加えられる塩素と、生成する多結晶シリコン生成物とのモル比が、約2未満:1である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 補充として加えられる水素と、生成する多結晶シリコン生成物とのモル比が、約1未満:1である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 多結晶シリコンを製造するためのシステムであって、前記システムは、水素および塩素含有化合物に関して実質的に閉ループであり、該システムは、
塩化水素がシリコンと接触してトリクロロシランおよび四塩化ケイ素を生成する塩素化反応器と、
トリクロロシランがシランまたはジクロロシランに転化される不均化システムと、
シランまたはジクロロシランが分解して、多結晶シリコンを生成する流動床反応器と、
四塩化ケイ素と水素とが導入されて、トリクロロシランを生成する水素化反応器と
を含む、システム。 - トリクロロシランがシランに転化される不均化システムと、
シランが分解して、多結晶シリコンを生成する流動床反応器と、
トリクロロシランを前記水素化反応器から前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
シランを前記不均化システムから前記流動床反応器に搬送するための搬送装置と、
トリクロロシランを前記塩素化反応器から前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
四塩化ケイ素を前記不均化システムから前記水素化反応器に搬送するための搬送装置とを含む、請求項11に記載のシステム。 - 水素、塩化水素、四塩化ケイ素およびトリクロロシランが導入されて、水素と、塩化水素と、クロロシラン類とが分離される分離システムと、
トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を前記分離システムから前記不均化システムに搬送するための搬送装置と、
塩化水素を前記分離システムから前記塩素化反応器に搬送するための搬送装置と、
水素を前記分離システムから前記水素化反応器に搬送するための搬送装置と、
水素化ガスを前記水素化反応器から前記分離システムに搬送するための搬送装置と、
塩素化ガスを前記塩素化反応器から前記分離システムに搬送するための搬送装置と
を含む、請求項11または12に記載のシステム。 - 前記不均化システムが、
塔底留分中に四塩化ケイ素を分離し、塔頂留分中にジクロロシランおよびトリクロロシランを分離するための第1の蒸留塔と、
塔底留分中にトリクロロシランを分離し、塔頂留分中にジクロロシランを分離するための第2の蒸留塔と、
ジクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む第1の不均化反応器生成物ガスを生成するための第1の不均化反応器と、
シランおよびトリクロロシランを含む第2の不均化反応器生成物ガスを生成するための第2の不均化反応器と、
塔頂留分中にシランを分離し、塔底留分中にトリクロロシランを分離するための第3の蒸留塔と
を含む、請求項12または13に記載のシステム。 - 前記分離システムが、
水素および塩化水素からトリクロロシランおよび四塩化ケイ素を分離するためのクロロシラン分離器と、
塩化水素から水素を分離するための水素分離器と
を含む、請求項13または14に記載のシステム。
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