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  1. 非凸断面を有する特徴部を有するインプリントリソグラフィテンプレートを形成する方法であって、
    基板上に第1の材料層を形成する段階と、
    凸幾何学断面を有する特徴部のパターン形成表面を有するインプリントリソグラフィテンプレートを用いて、前記第1の材料層の上に形成可能材料の第1のパターン付き層を形成する段階と、
    前記第1のパターン付き層及び前記第1の材料層の一部を除去して、該第1の材料層に凸幾何学断面を有する陥没部を形成する段階と、
    凸幾何学断面を有する特徴部のパターン形成表面を有するインプリントリソグラフィテンプレートを用いて、前記第1の層の上に形成可能材料の第2のパターン付き層を形成する段階であって、該テンプレート特徴部が、該第1の層に形成された相応する前記陥没部に対して変位される段階と、
    前記第2のパターン付き層及び前記第1の材料層の一部を除去して、該第1の材料層に非凸幾何学断面を有する陥没部を形成する段階と、
    前記基板をエッチングして、該基板に非凸幾何学断面を有する陥没部を形成する段階と、
    前記第2のパターン付き層の残りの部分を除去する段階と、
    前記第1の材料層の残りの部分を除去する段階と、
    を含む方法。
  2. 前記相応する陥没部に対する前記特徴部の前記変位は、回転変位である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記相応する陥没部に対する前記特徴部の前記変位は、側方変位である、請求項1に記載の方法。
  4. 非凸断面を有する特徴部を有するインプリントリソグラフィテンプレートを形成する方法であって、
    基板上に第1の材料層を形成する段階と、
    第1の凸幾何学断面を有する特徴部のパターン形成表面を有するインプリントリソグラフィテンプレートを用いて、前記第1の材料層の上に形成可能材料の第1のパターン付き層を形成する段階と、
    前記第1のパターン付き層及び前記第1の材料層の一部を除去して、該第1の材料層に第1の凸幾何学断面を有する陥没部を形成する段階と、
    第2の凸幾何学断面を有する特徴部のパターン形成表面を有するインプリントリソグラフィテンプレートを用いて、前記第1の層の上に形成可能材料の第2のパターン付き層を形成する段階であって、該テンプレート特徴部が、該第1の層内に形成された、第1の凸幾何学断面を有する相応する前記陥没部と整列される段階と、
    前記第2のパターン付き層及び前記第1の材料層の一部を除去して、該第1の材料層に非凸幾何学断面を有する陥没部を形成する段階と、
    前記基板をエッチングして、該基板に非凸幾何学断面を有する陥没部を形成する段階と、
    前記第2のパターン付き層の残りの部分を除去する段階と、
    前記第1の材料層の残りの部分を除去する段階と、
    を含む方法。
  5. 前記幾何学断面は、多角形である、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
  6. 前記インプリントテンプレートの前記特徴部は、隆起部である、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
  7. 前記インプリントテンプレートの前記特徴部は、陥没部である、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
  8. 前記第1の材料層及び前記形成可能材料は、異なるエッチング特性を有する、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
  9. 前記第1の材料層は、金属を含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
  10. 前記第1の材料層は、クロムを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
  11. 非凸断面の幾何学断面と、25nmよりも小さい曲率半径を有する少なくとも1つの隅部とを有する特徴部を有するパターン形成表面を備えるインプリントリソグラフィテンプレート。
  12. 前記幾何学断面は、多角形である、請求項11に記載のテンプレート。
  13. 請求項11又は12に記載のテンプレートであって、前記インプリントテンプレートの前記特徴部は、隆起部であることを特徴とするテンプレート。
  14. 請求項11又は12に記載のテンプレートであって、前記インプリントテンプレートの前記特徴部は、陥没部であることを特徴とするテンプレート。
  15. 請求項11から14のいずれかに記載のインプリントリソグラフィテンプレートを用いて、非凸断面の幾何学断面を有するナノ構造を形成する方法。
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