JP2014500574A - プラズマの点火及び維持の方法と装置 - Google Patents
プラズマの点火及び維持の方法と装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014500574A JP2014500574A JP2013534407A JP2013534407A JP2014500574A JP 2014500574 A JP2014500574 A JP 2014500574A JP 2013534407 A JP2013534407 A JP 2013534407A JP 2013534407 A JP2013534407 A JP 2013534407A JP 2014500574 A JP2014500574 A JP 2014500574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- peloc
- finger set
- plasma
- cylinder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 3
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K10/00—Welding or cutting by means of a plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/013—Arc cutting, gouging, scarfing or desurfacing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【選択図】図2
Description
Claims (19)
- プラズマを発生させるための装置であって、
内部で前記プラズマが生成される容器と、
前記プラズマを少なくとも維持するためにRFドライバ信号を受信するように構成され、コイル長を有するコイルと、
前記容器の長手方向軸に沿って配向され、前記容器の周りを部分的に取り囲む、第1の部分的取り囲み長手方向導電性(PELOC)フィンガセットであって、前記コイルの第1の端部に電気的に結合されている第1のPELOCフィンガセットと、
前記容器の前記長手方向軸に沿って配向され、前記容器の前記周りを部分的に取り囲む、第2の部分的取り囲み長手方向導電性(PELOC)フィンガセットであって、前記コイルの第2の端部に電気的に結合されている第2のPELOCフィンガセットと、
を備え、
前記第1のPELOCフィンガセット及び前記第2のPELOCフィンガセットは、前記第1のPELOCフィンガセットのフィンガの先端が前記第2のPELOCフィンガセットのフィンガの先端の方向を向くように配向され、前記コイル長未満のセット間距離で隔てられている、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記コイルは、前記容器の前記長手方向軸から前記第1のPELOCフィンガセットの半径よりも大きい半径の位置に配置されている、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記コイルの前記第1の端部及び前記コイルの前記第2の端の1つは、接地される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記第1のPELOCフィンガセットのフィンガは、前記コイルが前記RFドライバ信号によって通電されるときに発生する磁力線に対して平行に配置されている、装置。 - 請求項4に記載の装置であって、
前記第2のPELOCフィンガセットのフィンガは、前記磁力線に対して平行に配置されている、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記容器は、大気圧誘導結合プラズマトーチのプラズマ生成容器である、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記コイルは、チューブインチューブ構成及び並列巻回(side by side tubing)構成のいずれかによって実現される、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記コイルの第1の端部は接地され、前記第1の端部は、また、冷却流体を注入及び排出するための端部でもある、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記RFドライバ信号は、約10MHzから約100MHzまでの間の周波数を有する、装置。 - プラズマを発生させるための装置であって、
内部で前記プラズマが生成される円筒体と、
RFドライバ信号を受信するように構成され、コイル長を有し、前記円筒の中心長手方向軸から第1の半径方向距離に配置されるコイルと、
前記円筒の前記中心長手方向軸に沿って配向され、前記円筒の周囲を部分的に取り囲む、第1の部分的取り囲み長手方向導電性(PELOC)フィンガセットであって、前記コイルの第1の端部に電気的に結合され、前記円筒の前記中心長手方向軸から第2の半径方向距離に配置されている、第1のPELOCフィンガセットと、
前記円筒の前記中心長手方向軸に沿って配向され、前記円筒の前記周囲を部分的に取り囲む、第2の部分的取り囲み長手方向導電性(PELOC)フィンガセットであって、前記コイルの第2の端部に電気的に結合され、前記円筒の前記中心長手方向軸から第3の半径方向距離に配置されている、第2のPELOCフィンガセットと、
を備え、
前記第1のPELOCフィンガセット及び前記第2のPELOCフィンガセットは、前記第1のPELOCフィンガセットのフィンガの先端が前記第2のPELOCフィンガセットのフィンガの先端の方向を向くように配向され、前記コイル長未満のセット間距離で隔てられ、前記第1の半径方向距離は、前記第2の半径方向距離及び前記第3の半径方向距離のいずれよりも大きい、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
少なくとも前記第1のPELOCフィンガセットの一部分及び前記第2のPELOCフィンガセットの一部分が、前記円筒の外表面と前記コイルとの間に配置されている、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記コイルの前記第1の端部及び前記コイルの前記第2の端部の1つは、接地されている、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記第1のPELOCフィンガセットのフィンガは、前記コイルが前記RFドライバ信号によって通電されるときに発生する磁力線に対して平行に配置されている、装置。 - 請求項13に記載の装置であって、
前記第2のPELOCフィンガセットのフィンガは、前記磁力線に対して平行に配置されている、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記容器は、大気圧誘導結合プラズマトーチのプラズマ生成容器である、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記コイルは、チューブインチューブ構成及び並列巻回(side by side tubing)構成のいずれかによって実現される、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記コイルの第1の端部は接地され、前記第1の端部は、また、冷却流体を注入及び排出するための端部でもある、装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記RFドライバ信号は、約10MHzから約100MHzまでの間の周波数を有する、装置。 - プラズマによってプラズマ基板を処理するように構成されている大気圧誘導結合プラズマトーチであって、
前記プラズマを閉じ込めるための手段であって、プロセスガスを受け取るための少なくとも1つの入口と、前記プラズマを排出するための少なくとも1つの開口端とを有する手段と、
前記円筒に巻き付けられ、RFドライバ信号を受信するように構成され、コイル長を有するコイルと、
前記コイルに電気的に結合され、コイル電圧が降下する距離を効果的に短くして前記コイル長未満にするために前記円筒の周りを少なくとも部分的に取り巻くように配置される手段であって、前記コイル電圧は、前記コイルが前記ドライバRF信号によって通電されるときに生じること、
を備えるプラズマトーチ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/908,459 US9174296B2 (en) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | Plasma ignition and sustaining methods and apparatuses |
US12/908,459 | 2010-10-20 | ||
PCT/IB2011/054326 WO2012052864A2 (en) | 2010-10-20 | 2011-10-03 | Plasma ignition and sustaining methods and apparatuses |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016223877A Division JP2017054824A (ja) | 2010-10-20 | 2016-11-17 | プラズマの点火及び維持の方法と装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014500574A true JP2014500574A (ja) | 2014-01-09 |
JP6046628B2 JP6046628B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=45972073
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013534407A Active JP6046628B2 (ja) | 2010-10-20 | 2011-10-03 | プラズマ発生装置 |
JP2016223877A Pending JP2017054824A (ja) | 2010-10-20 | 2016-11-17 | プラズマの点火及び維持の方法と装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016223877A Pending JP2017054824A (ja) | 2010-10-20 | 2016-11-17 | プラズマの点火及び維持の方法と装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9174296B2 (ja) |
JP (2) | JP6046628B2 (ja) |
KR (2) | KR101866153B1 (ja) |
CN (2) | CN103153517B (ja) |
SG (1) | SG189219A1 (ja) |
TW (1) | TWI587750B (ja) |
WO (1) | WO2012052864A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015215942A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | 国立大学法人金沢大学 | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101688338B1 (ko) * | 2012-09-18 | 2016-12-20 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
US9653266B2 (en) * | 2014-03-27 | 2017-05-16 | Mks Instruments, Inc. | Microwave plasma applicator with improved power uniformity |
CN108471666B (zh) * | 2017-02-23 | 2021-06-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备 |
KR101932117B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2018-12-24 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 플라즈마 발생 유닛 |
CN111479376B (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-28 | 深圳先进技术研究院 | 基于预电离点火装置的大气压射频热等离子体发生器 |
CN111778553A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-16 | 哈尔滨工业大学 | 用于提升cvd单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
JPH09115865A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JPH09199295A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-07-31 | Applied Materials Inc | プラズマを発生する方法および装置 |
US20020023899A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Khater Marwan H. | Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4021182A1 (de) * | 1990-07-03 | 1992-01-16 | Plasma Technik Ag | Vorrichtung zur beschichtung der oberflaeche von gegenstaenden |
JPH0521194A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-01-29 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | インダクシヨンプラズマ溶射装置 |
JP3118300B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-12-18 | 電気興業株式会社 | 高周波誘導熱プラズマトーチ |
JP3215487B2 (ja) * | 1992-04-13 | 2001-10-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 誘導結合プラズマ質量分析装置 |
US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
JPH07254496A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 誘導プラズマの発生装置 |
US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
JPH0850996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Aneruba Kk | プラズマ処理装置 |
US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
KR100489918B1 (ko) * | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
US6579426B1 (en) * | 1997-05-16 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Use of variable impedance to control coil sputter distribution |
US5903106A (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-11 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Plasma generating apparatus having an electrostatic shield |
US6390019B1 (en) * | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
US6117772A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for blanket aluminum CVD on spherical integrated circuits |
US6264742B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-07-24 | Ball Semiconductor Inc. | Single crystal processing by in-situ seed injection |
US6218640B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-04-17 | Timedomain Cvd, Inc. | Atmospheric pressure inductive plasma apparatus |
US6132566A (en) * | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
WO2001005020A1 (en) * | 1999-07-13 | 2001-01-18 | Tokyo Electron Limited | Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma |
US6410880B1 (en) * | 2000-01-10 | 2002-06-25 | Archimedes Technology Group, Inc. | Induction plasma torch liquid waste injector |
AU2001247687A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Dry silylation plasma etch process |
WO2001093315A2 (en) * | 2000-05-25 | 2001-12-06 | Jewett Russell F | Methods and apparatus for plasma processing |
US6304036B1 (en) * | 2000-08-08 | 2001-10-16 | Archimedes Technology Group, Inc. | System and method for initiating plasma production |
US20020185226A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-12 | Lea Leslie Michael | Plasma processing apparatus |
US7591957B2 (en) * | 2001-01-30 | 2009-09-22 | Rapt Industries, Inc. | Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification |
US6915964B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-07-12 | Innovative Technology, Inc. | System and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation |
US8981250B2 (en) * | 2001-07-16 | 2015-03-17 | Foret Plasma Labs, Llc | Apparatus for treating a substance with wave energy from plasma and an electrical Arc |
US7622693B2 (en) * | 2001-07-16 | 2009-11-24 | Foret Plasma Labs, Llc | Plasma whirl reactor apparatus and methods of use |
US7513971B2 (en) * | 2002-03-18 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Flat style coil for improved precision etch uniformity |
KR101001743B1 (ko) | 2003-11-17 | 2010-12-15 | 삼성전자주식회사 | 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착장치 |
JP4892851B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-03-07 | 住友電気工業株式会社 | プラズマ発生装置及び光ファイバ用母材の製造方法並びにガラス体の加工方法 |
EP2007175A4 (en) * | 2006-03-07 | 2014-05-14 | Univ Ryukyus | PLASMA GENERATOR AND METHOD FOR PRODUCING PLASMA THEREFOR |
JP5031252B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
FR2902962B1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-08-22 | Draka Comteq France Sa | Torche plasma pour recharge de fibre optique. |
-
2010
- 2010-10-20 US US12/908,459 patent/US9174296B2/en active Active
-
2011
- 2011-10-03 KR KR1020177025250A patent/KR101866153B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-03 SG SG2013024393A patent/SG189219A1/en unknown
- 2011-10-03 JP JP2013534407A patent/JP6046628B2/ja active Active
- 2011-10-03 WO PCT/IB2011/054326 patent/WO2012052864A2/en active Application Filing
- 2011-10-03 CN CN201180050020.4A patent/CN103153517B/zh active Active
- 2011-10-03 CN CN201510937447.6A patent/CN105578700A/zh active Pending
- 2011-10-03 KR KR1020137010130A patent/KR101846599B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-17 TW TW100137590A patent/TWI587750B/zh active
-
2015
- 2015-11-03 US US14/931,672 patent/US10395901B2/en active Active
-
2016
- 2016-11-17 JP JP2016223877A patent/JP2017054824A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
JPH09115865A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
US6284668B1 (en) * | 1995-08-10 | 2001-09-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma polishing method |
JPH09199295A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-07-31 | Applied Materials Inc | プラズマを発生する方法および装置 |
US6264812B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
US20020023899A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Khater Marwan H. | Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015215942A (ja) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | 国立大学法人金沢大学 | プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG189219A1 (en) | 2013-05-31 |
KR20130123384A (ko) | 2013-11-12 |
US20160056023A1 (en) | 2016-02-25 |
CN103153517A (zh) | 2013-06-12 |
CN105578700A (zh) | 2016-05-11 |
TWI587750B (zh) | 2017-06-11 |
CN103153517B (zh) | 2016-01-13 |
JP6046628B2 (ja) | 2016-12-21 |
JP2017054824A (ja) | 2017-03-16 |
TW201230885A (en) | 2012-07-16 |
US10395901B2 (en) | 2019-08-27 |
WO2012052864A3 (en) | 2012-07-19 |
KR101866153B1 (ko) | 2018-06-08 |
WO2012052864A2 (en) | 2012-04-26 |
US20120097646A1 (en) | 2012-04-26 |
KR20170106499A (ko) | 2017-09-20 |
US9174296B2 (en) | 2015-11-03 |
KR101846599B1 (ko) | 2018-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017054824A (ja) | プラズマの点火及び維持の方法と装置 | |
AU2014240387B2 (en) | Microwave plasma spectrometer using dielectric resonator | |
CN111479376B (zh) | 基于预电离点火装置的大气压射频热等离子体发生器 | |
KR101170926B1 (ko) | 플라즈마 방전을 위한 점화 장치가 장착된 플라즈마 반응기 | |
JP6037292B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR20160013002A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR101688338B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
JP2021503686A (ja) | 製造プロセスにおける超局所化及びプラズマ均一性制御 | |
JP5758086B2 (ja) | 誘導結合型マイクロプラズマ源及びこれを利用した装置 | |
JP2006032303A (ja) | 高周波プラズマ処理装置および処理方法 | |
KR100871887B1 (ko) | 유도결합 플라즈마 처리장치 | |
JPH07307199A (ja) | 誘導プラズマの発生方法および装置 | |
JP2014500577A (ja) | プラズマを点火および維持するための方法および装置 | |
JP5191524B2 (ja) | プラズマ装置およびその製造方法 | |
KR101028215B1 (ko) | 플라즈마 발생 장치 | |
JP6261100B2 (ja) | 大気圧誘導結合プラズマ装置 | |
KR100882450B1 (ko) | 페라이트를 이용한 유도결합 플라즈마 처리장치용 안테나 | |
JPH05217693A (ja) | 高周波誘導熱プラズマトーチ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6046628 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |