JPH09115865A - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents

研磨装置及び研磨方法

Info

Publication number
JPH09115865A
JPH09115865A JP8199863A JP19986396A JPH09115865A JP H09115865 A JPH09115865 A JP H09115865A JP 8199863 A JP8199863 A JP 8199863A JP 19986396 A JP19986396 A JP 19986396A JP H09115865 A JPH09115865 A JP H09115865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processed
polishing
plasma
wafer
plasma flow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8199863A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3877082B2 (ja
Inventor
Kazunari Imahashi
一成 今橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP19986396A priority Critical patent/JP3877082B2/ja
Publication of JPH09115865A publication Critical patent/JPH09115865A/ja
Priority to US09/495,863 priority patent/US6284668B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3877082B2 publication Critical patent/JP3877082B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライな雰囲気で研磨処理を行う研磨装置を
提供する。 【解決手段】 本研磨装置１００は、ウェハＷなどの被
処理体を回転自在に保持する回転載置台１０４と、その
回転載置台１０４等を揺動可能な揺動機構１０８と、所
定の処理ガスをプラズマ化するとともに被処理体の回転
面にプラズマ流を照射するプラズマ発生手段１２０とを
備えている。例えば高周波誘導結合プラズマを発生する
手段１２０から照射されたプラズマ流は、ウェハの回転
力により吸引され、回転面に略平行な層流を形成し、ウ
ェハの被研磨面全体にわたり均一な研磨を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置及び研磨
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体製造プロセスにおいて
は、プロセスの高度化、複雑化に伴う被処理体、例え
ば、半導体ウェハ（以下、単にウェハと称する。）の凹
凸面を平滑化するために、化学研磨剤やパッドなどを使
用してウェハ表面を機械的に研磨する、いわゆるＣＭＰ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓ
ｈｉｎｇ）法が広く用いられている。
【０００３】図１１及び図１２には、従来のＣＭＰ装置
の一例が示されている。このＣＭＰ装置は、表面に研磨
用パッド２が設置された回転テーブル４に対して、ウェ
ハ保持機構６に保持されたウェハ８を所定の圧力で圧接
し、ノズル１０より、例えばシリカを主成分とするスラ
リー状の化学研磨液を研磨用パッド２の表面に供給しな
がら、回転テーブル４を回転させるとともにウェハ保持
機構６をモータ１２（図１２）により回転させ、化学研
磨液／研磨用パッドとウェハ表面（被研磨面）との機械
的摩擦力によりウェハ表面を研磨するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＣＭＰ
装置は、化学研磨液を使用してウェットな雰囲気で処理
を行う研磨装置なので、研磨液の飛散防止機構や廃液の
回収機構が必要となる上、研磨処理後にウェハを洗浄す
る後処理が必要であるという問題を有している。
【０００５】また、従来のＣＭＰ装置では、研磨処理時
にウェハの被研磨面に対して研磨用パッドが圧接される
ので、ウェハ表面における研磨の進行状態を直接観察す
ることができない。従って、処理の終点検出を行うこと
が困難であり、加えて圧接圧力、回転テーブルやウェハ
保持機構の回転数、研磨液の供給量、研磨時間などの制
御パラメータも多く、最適な研磨を行うには多大な経験
とノウハウを必要としている。
【０００６】本発明は、ウェハの研磨装置にかかる如上
の問題点に鑑み成されたものであり、本発明の目的は、
研磨液を使用しないドライな雰囲気で、しかも実質的に
大気圧雰囲気での処理が可能な新規なドライ式の研磨装
置及び研磨方法を提供することであり、それにより、従
来のウェット式の研磨装置が抱える問題点をドラスティ
ックに解決しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体の表面を研磨する
研磨装置であって、被処理体を回転自在に保持する回転
載置台と、所定の処理ガスをプラズマ化するとともに前
記被処理体の回転面にプラズマ流を照射するプラズマ発
生手段とを備えたことを特徴としている。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の研
磨装置において、処理ガスを、実質的に大気圧雰囲気で
プラズマ化することを特徴としている。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の研磨装置において、プラズマ発生手段よりプラズ
マ流を被処理体の外径よりも内側に照射することを特徴
とするしている。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１〜３のい
ずれか記載の研磨装置において、前記被処理体を保持す
る前記回転載置台が、前記被処理体の被処理面の回転に
よって生じる遠心力により、前記プラズマ流を前記被処
理体の外周方向に導き、略層流状態で前記被処理面上を
拡散させながら前記被処理面を研磨することが可能な速
度で高速回転されることを特徴としている。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項１〜４のい
ずれか記載の研磨装置において、前記被処理面への前記
プラズマ流の照射を、前記回転載置台の回転数が１００
０ｒｐｍ以上の状態になると行われることを特徴として
いる。
【００１２】請求項６記載の発明は、請求項１〜５のい
ずれか記載の研磨装置において、前記被処理体面への前
記プラズマ流の照射を、前記被処理体面と前記照射口と
の距離が５０ｍｍ以下で行われることを特徴としてい
る。
【００１３】請求項７記載の発明は、請求項１〜６のい
ずれか記載の研磨装置において、回転載置台の回転中心
を移動可能に構成したことを特徴としている。
【００１４】請求項８記載の発明は、請求項１〜７のい
ずれか記載の研磨装置において、回転載置台の駆動系
と、処理ガスの供給系が、中央演算処理装置から伝達さ
れる信号により制御されることを特徴としている。
【００１５】さらに請求項９記載の発明は、被処理体の
表面を研磨する研磨方法であって、被処理体を回転させ
ながら、その回転面に所定の処理ガスのプラズマ流を照
射することを特徴としている。
【００１６】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
研磨方法において、プラズマ流を実質的に大気圧雰囲気
で形成することを特徴としている。
【００１７】請求項１１記載の発明は、請求項９または
１０記載の研磨方法において、プラズマ流を被処理体の
外径よりも内側に照射することを特徴としている。
【００１８】請求項１２記載の発明は、請求項９〜１１
のいずれか記載の研磨方法において、前記被処理体を研
磨することが可能な速度で高速回転させて、その回転に
よって生じる遠心力により、前記プラズマ流を前記被処
理体の外周方向に導き、略層流状態で前記被処理面上を
拡散させながら前記被処理面を研磨することを特徴とし
ている。
【００１９】請求項１３記載の発明は、請求項９〜１２
のいずれか記載の研磨方法において、前記被処理面への
前記プラズマ流の照射を、前記被処理体の回転数が１０
００ｒｐｍ以上の状態になると行われることを特徴とし
ている。
【００２０】請求項１４記載の発明は、請求項９〜１３
のいずれか記載の研磨方法において、前記被処理体面へ
の前記プラズマ流の照射を、前記被処理体面と前記プラ
ズマ流を照射するプラズマ発生手段の照射口との距離が
５０ｍｍ以下で行われることを特徴としている。
【００２１】請求項１５記載の発明は、請求項９〜１４
のいずれか記載の研磨方法において、中央演算処理装置
から伝達される信号により、回転載置台の駆動系と、処
理ガスの供給系を制御することを特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら本
発明をプラズマ研磨装置に適用した実施の一形態につい
て詳細に説明する。
【００２３】本実施の形態にかかるプラズマ研磨装置１
００は、図１及び図２に示すように、回転軸１０２上に
軸止された回転載置台１０４を備えている。この回転載
置台１０４は、モータのような回転駆動機構１０６から
回転軸１０２を介して回転を伝達することにより、高速
で回転することができる。研磨処理時において、後述す
るように、プラズマ発生室１２２内で発生したプラズマ
流が開放端１２２ａから回転載置台１０４上に載置され
たウェハＷの被研磨面に照射され、回転により生じた遠
心力に吸引されて、ウェハＷの被研磨面に略平行な層流
となって、外周方向に流れていき、そのプロセスでウェ
ハＷの表面を研磨し、平滑化していく構成であるため、
ウェハＷに対する単位面積当たりの研磨効率を考慮し、
ウェハＷの回転速度、すなわち回転載置台の回転速度は
１０００〜７０００ｒｐｍの範囲内で設定されることが
望ましく、さらに４０００〜６０００ｒｐｍの範囲内で
設定されることが望ましい。
【００２４】また、回転駆動機構１０６は、レール１０
８ａ（図２）及び不図示の駆動機構から成る揺動機構１
０８上に載置されており、研磨処理時に左右に揺動させ
ることにより、回転載置台１０４の回転中心を移動させ
ることができる。これにより、ウェハＷの被研磨面に対
してプラズマ流を均一に照射することが可能となり、そ
の揺動速度は、後述の開放端１２２ａがウェハＷの半径
方向に２〜４秒間の範囲で１往復するように設定するこ
とが望ましい。なお、ウェハＷの周縁部ほど、開口端１
２２ａの面積に対する被研磨面の揺動されるべき面積比
が大きくなるため、回転駆動機構１０６の揺動速度は一
定とせず、ウェハＷの略中心から周縁部に移動させる際
には、その揺動速度を遅くしていくことが望ましい。そ
して、あらかじめウェハＷの被研磨面の凹凸がわかって
いる場合には、その凸部分の多い場所で回転駆動機構１
０６の揺動速度を遅くすることができる。
【００２５】回転載置台１０４の載置面にはウェハＷを
保持する保持機構、例えば真空チャック１１０が設けら
れており、ウェハＷを回転載置台１０４上に固定して、
例えば５０００ｒｐｍの高速で回転させることができ
る。なお回転軸１０２及び回転載置台１０４は不図示の
昇降機構、例えばエアシリンダなどにより昇降自在に構
成されている。従って、ウェハ搬送／搬出時には、その
下方位置にまで下降して、不図示の搬送装置との間でウ
ェハＷの受け渡しを行うことができる。また、研磨処理
時には、天板１１２との間隔が最適となる位置にまで、
ウェハＷを上昇させることができる。
【００２６】回転駆動機構１０６、揺動機構１０８及び
不図示の昇降機構は、中央演算処理装置ＣＰＵ１０９等
に接続されており、その中央演算処理装置ＣＰＵ１０９
にインプットされている任意のプログラムによって、そ
れらの回転速度、移動速度などを正確に制御することが
可能なように構成されている。
【００２７】回転載置台１０４の載置面（または、ウェ
ハＷの被研磨面）の上方には、その載置面（または、被
研磨面）と略平行な面を成すように天板１１２が設置さ
れている。この天板１１２の略中央、すなわち、静止位
置にある（すなわち、揺動機構１０８がニュートラル位
置にある）回転載置台１０４の回転中心のほぼ延長線上
には、プラズマ発生装置１２０が設置されている。ま
た、天板１１２には光学センサ１１３が設けられてお
り、ウェハＷの被研磨面を実時間で観察し、所定の平滑
度が得られた時点で、光学センサ１１３から終点信号が
中央演算処理装置ＣＰＵ１０９に送られ、研磨処理が終
了するように構成されている。なお回転載置台１０４
（または、ウェハＷ）とプラズマ発生装置１２０との位
置関係については、後述するように、プラズマ発生装置
１２０からウェハＷの被研磨面に照射されるプラズマ流
が、ウェハＷの回転面（被研磨面）に生じる遠心力に吸
引されて、層流となって外周方向に均一に流れるように
配置すればよく、本実施の形態のように、プラズマ発生
装置１２０の鉛直方向中心線と回転載置台１０４の回転
中心線とが一致している必要はない。さらに、回転載置
台１０４上に載置されるウェハＷとプラズマ発生装置１
２０の開放端１２２ａとの距離は、例えば８インチのウ
ェハＷを用いて研磨処理を行う場合、上記最適なウェハ
Ｗの回転数及び後述の開放端１２２ａの直径の範囲を考
慮すると、５０ｍｍ以下が好ましく、さらに５〜３０ｍ
ｍの範囲内にあることが好ましい。
【００２８】さて、本実施の形態において使用されるプ
ラズマ発生装置１２０は、プラズマトーチとも称される
もので、石英やシリコンカーバイドなどの誘電性材料か
ら成るプラズマ発生室１２２と、そのプラズマ発生室１
２２の外側に数ターンにわたり巻回された高周波アンテ
ナ１２４とから主に構成されている。プラズマ発生室１
２２は、一方端（ウェハＷ側）が開放し他方端が閉止し
た中空シリンダ形状をしている。その開放端１２２ａは
天板１１２を貫通して、ウェハＷの被研磨面に面してい
る。そして、研磨処理時において、後述するように、プ
ラズマ発生室１２２内で発生したプラズマ流が開放端１
２２ａから回転載置台１０４上に載置されたウェハＷの
被研磨面に照射され、回転により生じた遠心力に吸引さ
れて、ウェハＷの被研磨面に略平行な層流となって、外
周方向に流れていき、そのプロセスでウェハＷの表面を
研磨し、平滑化していく構成であるため、開放端１２２
ａの直径は、ウェハＷの外径の十分の一以下とし、開放
端１２２ａの面積としては、ウェハＷの面積の百分の一
以下とすることで、プラズマ流をウェハＷの被研磨面全
域に拡散させることが可能となる。すなわち、プラズマ
の発生効率や使用効率、さらに研磨効率などを考慮する
と、プラズマ発生室１２２の内径及び開放端１２２ａの
直径は、例えば８インチのウェハＷを用いて研磨処理を
行う場合、５〜３０ｍｍの範囲内にあることが好まし
く、さらに１０〜２０ｍｍの範囲内にあることが好まし
い。なお、プラズマ発生室１２２と天板１１２とは封止
部材１１４により気密に接続されている。またプラズマ
発生室１２２の閉止端１２２ｂには第１及び第２の処理
ガス供給系統１２６、１２８が、適当なガスケットを介
して気密に接続されている。
【００２９】プラズマ発生室１２２の閉止端１２２ｂの
頂部に接続される第１の処理ガス供給系１２６は、ガス
源１２６ａからマスフローコントローラ（ＭＦＣ）とも
称される流量制御器１２６ｂを介して、不活性ガス、例
えばアルゴンなどのプラズマ励起用ガスを導入するもの
である。また、プラズマ発生室１２２の閉止端１２２ｂ
の周辺部に接続される第２の処理ガス供給系１２８は、
ガス源１２８ａから流量制御器（ＭＦＣ）１２８ｂを介
して、エッチャントガスを導入するものである。エッチ
ャントガスの流量は、全ガスの流量の１〜２％の範囲で
プラズマ発生室１２２内に導入されるとよい。さらに、
エッチャントガスは、研磨面の材質に応じて選択するこ
とができる。例えば、シリコン酸化膜の平滑化を行う場
合には、フッ素系ガスをエッチャントガスとして使用す
ることができる。また、タングステンやアルミニウムな
どの金属膜の平滑化を行う場合には、塩素系ガスをエッ
チャントガスとして使用することができる。なお、図示
の例では、不活性ガスとエッチャントガスを別経路にて
プラズマ発生室１２２に導入しているが、これらのガス
を導入経路内にて混合した後、混合ガスをプラズマ発生
室１２２に導入することもできる。また、エッチャント
ガスが不要な場合には、不活性ガスのみをプラズマ化
し、例えばアルゴンプラズマのみによって研磨処理を行
うこともできる。なお、流量調節器１２６ｂ及び１２８
ｂは、中央演算処理装置ＣＰＵ１０９等に接続されてお
り、その中央演算処理装置ＣＰＵ１０９にインプットさ
れている任意のプログラムによって、処理ガスの流量を
所望の状態に正確に制御することが可能なように構成さ
れている。
【００３０】さて、上記の如きプラズマ発生室１２２の
外周には、高周波アンテナ１２４が数ターンにわたり巻
回されている。この高周波アンテナには、適当なマッチ
ング回路（不図示）を介して、高周波電源１３０が接続
されており、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波を高周
波アンテナ１２４に印加することができる。高周波アン
テナ１２４は、図１の例では、約３ターンのコイル状の
銅線を使用しているが、本発明はかかる実施の形態に限
定されない。プラズマ発生装置１２０によりプラズマを
生成するには、印加された高周波によりプラズマ発生室
１２２内に交番磁場を形成できればよく、高周波アンテ
ナ１２４のターン数および形状については、設計の範囲
内で任意に設定できる。特に高周波アンテナ１２４の形
状については、板状のものを使用することもできる。ま
た、高周波アンテナ１２４は高周波の印加により過熱す
るので、例えば、図３に示すように、高周波アンテナ１
２４として中空コイルを使用し、その中空部１２４ａに
冷却水を通水する構成を採用することもできる。
【００３１】次に、図３を参照しながら、上記プラズマ
発生装置１２０によるプラズマ生成の機構について簡単
に説明する。このプラズマ発生装置１２０は、高周波誘
導結合を利用してプラズマを生成するものであり、プラ
ズマ発生室１２２内に不活性ガスやエッチャントガスな
どの処理ガス１３２を流しながら、高周波アンテナ（誘
導コイル）１２４を通して例えば、１３．５６ＭＨｚの
高周波をかけると、図中点線１３４で示すような交番磁
場を生じ、その磁束のまわりに電場が発生して電子が加
速される。このとき加速された電子が処理ガス１３２の
原子と衝突してイオン化し、プラズマ放電が生じる。こ
のようにして生成したプラズマ流１３８は、プラズマ発
生室１２２の開放端１２２ａより、図１及び図２に示す
ように、回転載置台１０４上に載置されたウェハＷの被
研磨面に照射され、回転により生じた遠心力に吸引され
て、ウェハＷの被研磨面に略平行な層流となって、外周
方向に流れていき、そのプロセスでウェハＷの表面を研
磨し、平滑化していく。
【００３２】なお、プラズマ流１３８が照射されるプラ
ズマ発生室１２２の開放端１２２ａとウェハＷの回転面
との位置関係は、プラズマ流１３８がウェハＷの外径よ
りも内側に照射されるように調整される。例えば、ウェ
ハＷの外径の十分の一程度の領域に向かってプラズマ流
１３８を照射することができれば、ウェハＷの回転によ
り生じた遠心力によりプラズマ流はその回転面に沿って
十分に拡散し、ウェハＷの被研磨面全体にわたり均一な
研磨処理を行うことができる。また、図３に示すような
高周波誘導結合型のプラズマ発生装置１２０により生成
されたプラズマの密度むらを補償するために、揺動機構
１０８により回転載置台１０２の回転中心を左右に揺動
させ、ウェハＷの表面を流れるプラズマ流を平均化し、
研磨処理の均一化を図ることも可能である。
【００３３】また、図１〜図４の例では、プラズマ発生
装置１２０のプラズマ流１３８の照射口は開放端１２２
ａとして構成されているが、図７及び図８に示すよう
に、プラズマ発生室１２２の開放端１２２ａにパンチン
グメタル１６０ａやメッシュ１７０ａを取り付けて、プ
ラズマ発生室１２２の開放端１２２ａから照射されるプ
ラズマ流１３８のプラズマ密度の均一化を図ることもで
きる。但し、ここで使われるパンチングメタルやメッシ
ュなどは充分な被膜処理が施されたものでなければなら
ない。
【００３４】以上のように、本実施の形態にかかる高周
波誘導結合を利用したプラズマ発生装置１２０によれ
ば、実質的に大気圧雰囲気の常圧プラズマを生成するこ
とが可能である。かかる常圧プラズマは、低圧雰囲気で
生成される低圧プラズマよりもイオンや電子の平均自由
行程が短いので、被研磨面の凹部に入りにくく、被研磨
面の凸部に衝突しやすいという特性を有している。本実
施の形態によれば、このような特性を有する常圧プラズ
マが、ウェハＷの被研磨面に略平行な層流となって流れ
るので、効率的にしかも高い精度でウェハＷ表面の平滑
化処理を行える。しかも、本実施の形態では、大気圧雰
囲気でしかもドライな環境で研磨処理を行うことができ
るので、ウェット式の従来の研磨処理に比較して、ある
程度開放的な空間で処理を行うことができ、装置の簡素
化を図ることができる。さらに、本実施の形態では、被
研磨面が研磨パッドなどで覆われず開放しているので、
例えば光学センサによりウェハＷの表面からの反射光を
実時間で観察することが可能であり、最適な終点検出を
行うことができ、研磨処理の精度をより高めることがで
きる。
【００３５】以上説明したように、本実施の形態による
プラズマ研磨装置１００は、従来のウェット式ＣＭＰ装
置に比較して、ある程度開放的な空間で処理を行うこと
ができるが、実際運用にあたっては、図４に示すよう
な、処理チャンバ１５０内に収容されて、１つのユニッ
トとして構成することができる。処理チャンバ１５０
は、図示のように、例えば略６方体形状をしており、そ
の上部天板１５０ａの略中央にプラズマ発生装置１２０
が取り付けられている。また処理チャンバ１５０の一方
の側壁には、開閉自在の開口部１５０ｂが形成されてお
り、不図示の搬送手段により、ウェハＷの搬入搬出を行
うことができる。さらに処理チャンバ１５０の他方の側
壁には、排気口１５０ｃが設けられており、排気ファン
１５０ｄなどにより、処理チャンバ１５０内の排気を行
うことができる。本実施の形態では、既に説明したよう
に常圧プラズマを使用して研磨処理を行うので、真空ポ
ンプなどにより減圧排気を行う必要はなく、排気ファン
１５０ｄ程度の排気手段を使用することが可能であり、
装置構成を簡略化できる。さらに、上記処理チャンバ１
５０を規格化されたユニットと構成することにより、複
数の処理装置を組み合わせて構成されるマルチチャンバ
方式の処理システムを構築したり、連続プロセスシーケ
ンスの１ユニットとすることが可能である。なお、上記
実施の形態において、処理チャンバ１５０の形状を略６
方体として説明したが、本発明はかかる構成に限定され
ず、いかなる形状であっても適用することが可能であ
り、例えば略円形の形状であってもよい。
【００３６】次に、上記のように構成された本実施の形
態にかかるプラズマ研磨装置により図５（ａ）に示すよ
うなシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜が形成されたウ
ェハの表面を研磨する場合の動作について説明する。こ
のウェハは、図５（ａ）に示すように、シリコン層２０
２の上に配線部をなす金属層２０４、例えばアルミニウ
ム層が形成され、その表面全体に絶縁膜２０８が形成さ
れている。
【００３７】まず、中央演算処理装置１０９の制御信号
によって、回転載置台１０４を下方のウェハ受け入れ位
置にまで下降させ、図５（ａ）に示すように、表面が凹
凸面２０８である未処理のウェハＷを搬送装置により、
回転載置台１０４上に載置する。そして、真空チャック
１１０によりウェハＷを真空吸着するとともに、回転載
置台１０４を研磨処理位置にまで上昇させる。さらに、
回転載置台１０４、すなわちウェハＷを、例えば５００
０ｒｐｍの高速で回転させる。次いで、プラズマ発生室
１２２内に処理ガス、例えばアルゴンガスとＣＦ４ガス
を導入しながら、高周波電源１３０より、例えば１３．
５６ＭＨｚの高周波を高周波アンテナ１２４に印加し、
プラズマ発生室１２２内にプラズマを生成する。プラズ
マ発生室１２２内のプラズマは、室内が若干陽圧である
ことと、ウェハＷの回転による吸引力により、開口部１
２２ａよりプラズマ流１３８としてウェハＷの表面に向
かって照射される。その後、プラズマ流は、ウェハＷの
回転により外周方向に層流となって流れ、図５（ｂ）に
示すように、ウェハＷの凹凸面２０８を平滑面２１０に
研磨していく。
【００３８】ウェハＷの被研磨面は、光学センサ１１３
により実時間で観察されており、所定の平滑度が得られ
た時点で、光学センサは終点信号を装置の中央演算処理
装置ＣＰＵ１０９に送り、研磨処理が終了する。研磨処
理終了後、中央演算処理装置ＣＰＵ１０９の制御信号に
より、回転載置台１０４の回転が停止されるとともに、
プラズマも停止される。その後、回転載置台１０４はウ
ェハ搬出位置にまで下降し、不図示の搬送手段により研
磨済みのウェハＷを搬出して一連の処理が終了する。
【００３９】以上の実施の形態においては、シリコン酸
化膜を平滑化する工程を説明したが、本発明は、シリコ
ン酸化膜以外の、例えばシリコンナイトライド膜を研磨
する場合にも適用することができる。さらに、本発明
は、図６（ａ）に示すように、コンタクトホール２２０
が形成された絶縁膜２２２、例えばシリコン酸化膜の表
面全体に、例えばチタンナイトライド膜よりなる薄いバ
リヤ層２２４を介して金属膜２２６、例えばタングステ
ン膜が形成されたウェハＷを、図６（ｂ）に示すよう
に、絶縁膜２２２が露出するまで金属膜２２６及びバリ
ヤ層２２４をエッチバックするような処理に対しても適
用することができる。
【００４０】以上の説明から明らかなように、本発明
は、ウェハＷの回転によりプラズマ流を被研磨面に略平
行な層流として流すことにより、ウェハＷの被研磨面全
体にわたり均一に研磨しようとするものである。しかし
ながら、ウェハＷの外周域に発生する乱流が処理に悪影
響を与える場合には、図９及び図１０に示すような構成
を採用して、層流の均一な流れを保持することができ
る。例えば、図９に示す実施例では、ウェハＷの外径よ
りも大径の回転載置台１０４’を用い、さらにウェハＷ
を囲むように、ウェハＷの回転面の外周域を擬似的に延
長させるような整流機構２４０を設置して、ウェハＷの
外周域における乱流を防止することができる。あるい
は、図１０に示すように、隔壁に２５０により回転載置
台１０４の周囲を囲み、隔壁２５０の側壁部に多数の吸
気口２５０ａを設けることで、ウェハＷの外周域おいて
層流を乱すことなく、吸気口２５０ａから吸気する構成
とすることができる。
【００４１】以上、本発明の好適な実施の形態について
図面に即して説明したが、本発明はかかる例に限定され
ない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載した技術
的思想の範疇において、様々な変更及び修正に想到する
ことが可能であり、それらについても、本発明の技術的
範囲に属するものと了解される。
【００４２】例えば、上記実施の形態では、半導体ウェ
ハを研磨する場合を例に挙げて説明したが、本発明はか
かる例に限定されず、ＬＣＤ基板などの被処理体の表面
を研磨する場合にも適用することができる。また、上記
実施の形態では、大気圧雰囲気で生成された常圧プラズ
マにより研磨処理を行う例を示したが、研磨装置を気密
チャンバ内に収容し、気密チャンバ内を減圧雰囲気に保
持して、減圧プラズマにより研磨処理を行うことも可能
であることは言うまでもない。さらにまた、上記実施の
形態では、プラズマ発生装置１２０として高周波誘導結
合型のプラズマトーチを採用したが、本発明はかかる例
に限定されず、各種プラズマ発生装置、例えばマイクロ
波プラズマ発生装置、ＥＣＲプラズマ発生装置などによ
り生成したプラズマを研磨処理に利用することが可能で
ある。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ発生装置から被処理体の回転面に照射されたプ
ラズマ流を、回転により回転面に略平行な層流として流
すことが可能であり、そのプラズマ流により被研磨面を
研磨することにより、ドライな雰囲気で研磨処理を行う
ことができる。このように、本発明によれば、従来の研
磨装置のように、ウェットな雰囲気で処理を行う必要が
ないので、研磨液の飛散防止機構や廃液回収機構を省略
し、装置構成を簡略化することができる。さらに、被処
理体をウェットな雰囲気に曝すことなく研磨処理を行え
るので、被処理体の後処理を省略することが可能とな
り、プロセスの工程数を減らすことができる。さらにま
た、本発明によれば、被処理体の研磨面に対して研磨パ
ッドなどを押圧する必要がないので、研磨面を光学セン
サなどでリアルタイムで観察することが可能となり、よ
り正確な終点検出を行え、研磨精度の向上を図ることが
できる。また、マルチチャンバ方式の処理システムによ
る連続プロセス装置におけるプロセスの一環として、研
磨工程を組み込むことが可能となる。
【００４４】特に、大気圧雰囲気で生成した常圧プラズ
マを利用して研磨処理を行った場合には、プラズマ流を
より効率的に研磨面の凸部に衝突させることが可能とな
り、より高速でかつ平滑度の高い処理を行うことができ
る。そして、常圧プラズマを利用することにより、処理
チャンバの機密性を下げ、また排気機構も簡略化するこ
ともできるので装置のイニシャルコストを軽減すること
ができる。さらに大気圧雰囲気で処理を行うことにより
真空チャックの吸着力も高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態にかかるプラズマ処理装
置の概略的構成を示す略断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の概略を示す見取
図である。
【図３】本発明に適用可能なプラズマ発生装置によるプ
ラズマ発生メカニズムを示す説明図である。
【図４】本発明の実施の一形態にかかるプラズマ処理装
置を収納可能な処理チャンバの一例を示す見取図であ
る。
【図５】本発明を適用可能なウェハ表面の積層構造を示
す説明図であり、図５（ａ）研磨処理前の様子、図５
（ｂ）は研磨処理後の様子をそれぞれ示している。
【図６】本発明を適用可能な別のウェハ表面の積層構造
を示す説明図であり、図６（ａ）研磨処理前の様子、図
６（ｂ）は研磨処理後の様子をそれぞれ示している。
【図７】本発明を適用可能なプラズマ発生装置のプラズ
マ照射口の別の実施の形態を示す説明図である。
【図８】本発明を適用可能なプラズマ発生装置のプラズ
マ照射口のさらに別の実施の形態を示す説明図である。
【図９】本発明を適用可能なプラズマ研磨装置の別の実
施の形態を示す説明図である。
【図１０】本発明を適用可能なプラズマ研磨装置のさら
に別の実施の形態を示す説明図である。
【図１１】従来のＣＭＰ方式の研磨装置の一例を示す見
取図である。
【図１２】従来のＣＭＰ方式の研磨装置の一例を示す側
面図である。
【符号の説明】
Ｗ ウェハ １００ プラズマ研磨装置 １０２ 回転軸 １０４ 回転載置台 １０６ 回転駆動機構 １０８ 揺動機構 １０９ 中央演算処理装置 １１２ 天板 １１３ 光学センサ １２０ プラズマ発生装置 １２２ プラズマ発生室 １２２ａ プラズマ照射口 １２４ 高周波アンテナ １２６ 第１の処理ガス供給経路 １２８ 第２の処理ガス供給経路 １３０ 高周波電源

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体の表面を研磨する研磨装置であ
    って、 前記被処理体を回転自在に保持する回転載置台と、 所定の処理ガスをプラズマ化するとともに前記被処理体
    の回転面にプラズマ流を照射するプラズマ発生手段と、 を備えたことを特徴とする、研磨装置。
  2. 【請求項２】 前記処理ガスは、実質的に大気圧雰囲気
    でプラズマ化されることを特徴とする、請求項１に記載
    の研磨装置。
  3. 【請求項３】 前記プラズマ流は、前記被処理体の外径
    よりも内側に照射されることを特徴とする、請求項１ま
    たは２に記載の研磨装置。
  4. 【請求項４】 前記被処理体を保持する前記回転載置台
    は、前記被処理体の被処理面の回転によって生じる遠心
    力により、前記プラズマ流を前記被処理体の外周方向に
    導き、略層流状態で前記被処理面上を拡散させながら前
    記被処理面を研磨することが可能な速度で高速回転され
    ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の
    研磨装置。
  5. 【請求項５】 前記被処理面への前記プラズマ流の照射
    は、前記回転載置台の回転数が１０００ｒｐｍ以上の状
    態になると行われることを特徴とする、請求項１〜４の
    いずれかに記載の研磨装置。
  6. 【請求項６】 前記被処理体面への前記プラズマ流の照
    射は、前記被処理体面と前記照射口との距離が５０ｍｍ
    以下で行われることを特徴とする、請求項１〜５のいず
    れかに記載の研磨装置。
  7. 【請求項７】 前記回転載置台の回転中心は移動可能で
    あることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載
    の研磨装置。
  8. 【請求項８】 回転載置台の駆動系と、処理ガスの供給
    系は、中央演算処理装置から伝達される信号により制御
    されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記
    載の研磨装置。
  9. 【請求項９】 被処理体の表面を研磨する研磨方法であ
    って、 前記被処理体を回転させながら、その回転面に所定の処
    理ガスのプラズマ流を照射することを特徴とする、研磨
    方法。
  10. 【請求項１０】 前記プラズマ流は、実質的に大気圧雰
    囲気であることを特徴とする、請求項９に記載の研磨方
    法。
  11. 【請求項１１】 前記プラズマ流は、前記被処理体の外
    径よりも内側に照射されることを特徴とする、請求項９
    または１０に記載の研磨方法。
  12. 【請求項１２】 前記被処理体を研磨することが可能な
    速度で高速回転させて、その回転によって生じる遠心力
    により、前記プラズマ流を前記被処理体の外周方向に導
    き、略層流状態で前記被処理面上を拡散させながら前記
    被処理面を研磨することを特徴とする、請求項９〜１１
    のいずれかに記載の研磨方法。
  13. 【請求項１３】 前記被処理面への前記プラズマ流の照
    射は、前記被処理体の回転数が１０００ｒｐｍ以上の状
    態になると行われることを特徴とする、請求項９〜１２
    のいずれかに記載の研磨方法。
  14. 【請求項１４】 前記被処理体面への前記プラズマ流の
    照射は、前記被処理体面と前記プラズマ流を照射するプ
    ラズマ発生手段の照射口との距離が５０ｍｍ以下で行わ
    れることを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記
    載の研磨方法。
  15. 【請求項１５】 中央演算処理装置から伝達される信号
    により、回転載置台の駆動系と、処理ガスの供給系を制
    御することを特徴とする、請求項９〜１４のいずれかに
    記載の研磨方法。
JP19986396A 1995-08-10 1996-07-10 研磨装置及び研磨方法 Expired - Fee Related JP3877082B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19986396A JP3877082B2 (ja) 1995-08-10 1996-07-10 研磨装置及び研磨方法
US09/495,863 US6284668B1 (en) 1995-08-10 2000-02-02 Plasma polishing method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22579795 1995-08-10
JP7-225797 1995-08-10
JP19986396A JP3877082B2 (ja) 1995-08-10 1996-07-10 研磨装置及び研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09115865A true JPH09115865A (ja) 1997-05-02
JP3877082B2 JP3877082B2 (ja) 2007-02-07

Family

ID=26511800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19986396A Expired - Fee Related JP3877082B2 (ja) 1995-08-10 1996-07-10 研磨装置及び研磨方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6284668B1 (ja)
JP (1) JP3877082B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7371992B2 (en) 2003-03-07 2008-05-13 Rapt Industries, Inc. Method for non-contact cleaning of a surface
JP2008181747A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 大気圧プラズマ発生方法及び装置
JP2008282824A (ja) * 2001-11-07 2008-11-20 Rapt Industries Inc 材料堆積のための反応原子プラズマ処理の装置及び方法
JP2014500574A (ja) * 2010-10-20 2014-01-09 ラム リサーチ コーポレーション プラズマの点火及び維持の方法と装置
US11508405B1 (en) * 2021-06-21 2022-11-22 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording media with plasma-polished pre-seed layer or substrate

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423640B1 (en) * 2000-08-09 2002-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Headless CMP process for oxide planarization
JP2002103207A (ja) * 2000-09-27 2002-04-09 Hitachi Ltd 乾式化学機械研磨方法
US7510664B2 (en) * 2001-01-30 2009-03-31 Rapt Industries, Inc. Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces
US7591957B2 (en) * 2001-01-30 2009-09-22 Rapt Industries, Inc. Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification
US6546938B2 (en) * 2001-03-12 2003-04-15 The Regents Of The University Of California Combined plasma/liquid cleaning of substrates
US6794272B2 (en) 2001-10-26 2004-09-21 Ifire Technologies, Inc. Wafer thinning using magnetic mirror plasma
US20030230323A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for improving scrubber cleaning
JP3973587B2 (ja) * 2003-03-24 2007-09-12 俊夫 後藤 表面処理方法および表面処理装置
FR2864795B1 (fr) * 2004-01-06 2008-04-18 Air Liquide Procede de traitement des gaz par des decharges hautes frequence
US8821683B2 (en) * 2005-04-28 2014-09-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and method, and program and storage medium
TWI333519B (en) * 2006-09-13 2010-11-21 Ind Tech Res Inst Processing method of polymer product
TW200814170A (en) * 2006-09-13 2008-03-16 Ind Tech Res Inst Method of adjusting surface characteristic of a substrate
CN102503177B (zh) * 2011-10-21 2014-04-30 苏州大学 一种用于超光滑表面的等离子体加工装置
CN104440414B (zh) * 2014-12-07 2016-11-09 陆颖 一种恒压差间歇式旋转挤压磨料流抛光装置
DE102015119325A1 (de) * 2015-11-10 2017-05-11 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur Glättung von Oberflächen eines Werkstücks
JP6650858B2 (ja) * 2016-10-03 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生装置、プラズマ処理装置及びプラズマ発生装置の制御方法
US20200381262A1 (en) * 2017-03-24 2020-12-03 Axus Technology, Llc Atmospheric plasma in wafer processing system optimization
CN108972163A (zh) * 2018-09-07 2018-12-11 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 加工方法及非球面光学元件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4863501A (en) * 1985-09-26 1989-09-05 Polaroid Corporation, Patent Department Method of employing plasma for finishing start rods
US5345690A (en) * 1990-02-23 1994-09-13 Renishaw Metrology Limited Contact probes
US5376224A (en) * 1992-02-27 1994-12-27 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for non-contact plasma polishing and smoothing of uniformly thinned substrates
JP3362432B2 (ja) * 1992-10-31 2003-01-07 ソニー株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5403619A (en) * 1993-01-19 1995-04-04 International Business Machines Corporation Solid state ionic polishing of diamond
JPH0758036A (ja) * 1993-08-16 1995-03-03 Ebara Corp 薄膜形成装置
US5628829A (en) * 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US6013191A (en) * 1997-10-27 2000-01-11 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method of polishing CVD diamond films by oxygen plasma

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008282824A (ja) * 2001-11-07 2008-11-20 Rapt Industries Inc 材料堆積のための反応原子プラズマ処理の装置及び方法
US7371992B2 (en) 2003-03-07 2008-05-13 Rapt Industries, Inc. Method for non-contact cleaning of a surface
JP2008181747A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 大気圧プラズマ発生方法及び装置
JP2014500574A (ja) * 2010-10-20 2014-01-09 ラム リサーチ コーポレーション プラズマの点火及び維持の方法と装置
JP2017054824A (ja) * 2010-10-20 2017-03-16 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ プラズマの点火及び維持の方法と装置
US11508405B1 (en) * 2021-06-21 2022-11-22 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording media with plasma-polished pre-seed layer or substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US6284668B1 (en) 2001-09-04
JP3877082B2 (ja) 2007-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09115865A (ja) 研磨装置及び研磨方法
KR100264445B1 (ko) 플라즈마처리장치
US8932963B2 (en) Film deposition method
KR100783840B1 (ko) 산화막 형성 방법 및 전자 디바이스 재료
JP2007242668A (ja) 処理装置
JP6488164B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2001244240A (ja) 半導体ウエハの製造方法
WO2002023609A1 (fr) Procede de gravure de silicium a vitesse elevee
JP3958106B2 (ja) 基板エッチング方法および基板エッチング装置
JP2006339363A (ja) 表面活性化方法および表面活性化装置
US20120184107A1 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP3368159B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102454525B1 (ko) 저-산소 분위기에서 vuv 광에 대한 제어된 노출에 의한 표면 전하 및 임베딩된 기판 전하의 감소
TW508285B (en) Dry chemical-mechanical polishing method
JP6292470B2 (ja) ノズル式のプラズマエッチング装置
JP4488780B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000058521A (ja) プラズマ研磨装置
JP3193575B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
WO2013002012A1 (ja) 表面改質装置、接合システム及び表面改質方法
JP3807957B2 (ja) プラズマ処理方法
JP3258839B2 (ja) プラズマ処理方法
JP3238137B2 (ja) プラズマ処理室のクリーニング方法
CN114864365A (zh) 基板制程设备
KR20090086059A (ko) 플라즈마 산화 처리 방법, 기억 매체 및 플라즈마 처리 장치
JP7476286B2 (ja) プロセスガス供給ユニットおよびそれを含む基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060511

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061017

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061026

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees