JP2014241354A - 帯域選択偏光シールドと、帯域選択偏光シールドの製造方法、表示デバイスと、表示機器 - Google Patents

Abstract

【課題】金属の金属メッシュを用いた偏光シールドでは、広い周波数帯において、高い減衰率を有していたため、低周波帯の電磁ノイズを減衰させると共に、無線ＬＡＮ等の高周波帯の電磁信号も減衰させてしまうという課題を有していた。【解決手段】少なくとも偏光部１３０と、この偏光部１３０の両面に形成された透明基材１２０と、前記透明基材１２０の前記偏光部１３０が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤ１５０を含有する透明電極部１４０と、を備えた帯域選択偏光シールド１１０であって、シート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ２）における電磁減衰率Ｓ２は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい帯域選択偏光シールド１１０とする。【選択図】図１

Description

本発明は、帯域選択偏光シールドと、帯域選択偏光シールドの製造方法、表示装置と、表示機器に関するものである。

近年ではタブレット端末等が広く普及しつつある。こうしたタブレット端末は、樹脂や金属等からなる薄型の筐体と、この筐体の一面以上の略全面に取り付けられた、タッチパネル付の表示部分を有している。こうしたタッチパネル（ＴＴＰと呼ばれることもある）としては、抵抗式タッチパネルが使われていた。

こうした抵抗式タッチパネルは、静電気の影響を受け易いという課題を有しているため、抵抗式タッチパネルにおいて、静電気の影響を低減するために、金属ナノワイヤを用いた電磁シールドを用いることが提案されている（特許文献１）。これは抵抗式タッチパネルの位置検出原理が、絶縁状態で対面する複数の電極同士が物理的な電気的接触によって通電することを利用して位置検出を行うために、静電気の影響を受けやすいためである。このように抵抗式タッチパネルは、静電気の影響を受けやすいという課題を有していたが、表示部分（例えば液晶やＥＬ等の表示部分）から発生する電磁ノイズの影響を受けることはなかった。これは抵抗式タッチパネルが、電気的なＯＮ／ＯＦＦ現象を利用しているためである。しかしながら、こうした従来の抵抗式タッチパネルの場合、複数位置の同時検出（例えば、２点タッチ、あるいは５点タッチ等のマルチタッチ）を行うことが難しいという課題を有していた。

こうした抵抗式タッチパネルの課題を解決するため、マルチタッチに対応する静電式等の新型タッチパネルが開発されている。こうした静電式等の新型タッチパネルの位置検出原理は、例えば数百ＫＨｚの低い交流電圧をタッチパネルを構成するマトリックス状の透明導電膜に印加し、誘電体からなる人体（あるいは指先）が、タッチパネルに近づいてタッチすることで、人体（あるいは指先）を通じて流れる微弱な電流を検出するものである。このように静電式のタッチパネルは、数百ＫＨｚの周波数帯域において微弱な電流を検出する必要があり、外部ノイズの影響を受けやすいという課題を有している。こうした課題を解決するために、表示部分（例えば液晶やＥＬ等の表示部分）と、静電式タッチパネルとの間に、ＩＴＯ膜（ＩＴＯはＩｎ−Ｓｎ酸化物等の酸化物透明導電体）によるシールド用導電層を設けることが提案されている（特許文献２）。しかしＩＴＯは低抵抗化が難しく、透明樹脂フィルムの上に成膜した際にカールする、あるいはＩＴＯ膜が割れやすいという課題を有している。

一方、高い電磁波遮蔽効果を得るために、長軸が４５０ｎｍ〜１５００ｎｍ、短軸が１〜４５ｎｍと、繊維長が１．５μｍ以下の短い金属ナノワイヤを用いることで、表面抵抗を１．０Ω／□以下とした電磁波遮断フィルタが提案されている（特許文献３）。

更に、金属メッシュを用いた透明電磁シールドが従来より市販されている。図１７は、従来の透明電磁シールドの構造の一例を示す断面図である。従来の透明電磁シールド１は、ガラス基板やフィルムからなる透明基材部２と、透明基材部２の上に黒化部３を介して形成された薄膜金属メッシュ部４と、からなる（特許文献４）。

図１８（Ａ）（Ｂ）は共に、図１７で示した従来の電磁シールドのシールド特性の一例を示す特性図である。図１８（Ａ）において、Ｘ軸は周波数（単位はＭＨｚ）、Ｙ軸は電界減衰率（単位はｄＢ）である。図１８（Ｂ）において、Ｘ軸は周波数（単位はＭＨｚ）、Ｙ軸は磁界減衰率（単位はｄＢ）である。

図１８（Ａ）に示すように、従来の電磁シールドは、少なくとも１ＭＨｚから３００ＭＨｚの周波数域において、約５０ｄＢという優れた電界減衰率を保持することができるという優れた電界減衰率を有している。更に図１８（Ａ）では、従来の電磁シールドは、３００ＭＨｚから１０００ＭＨｚの周波数域において、電界減衰率が増加し、最大で約６０ｄＢという優れた電界減衰率を有していることが判る。

また図１８（Ｂ）に、従来の電磁シールドは、少なくとも０．１ＭＨｚから１００ＭＨｚの周波数域において、０ｄＢから３０ｄＢと、右上がりに徐々に磁界減衰率が増加し、１００ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数域において約３５ｄＢという優れた磁界減衰率を有している。

一方、近年のタブレット端末には、液晶やＥＬ等からなる表示画像の高品位化（ハイレゾリューション化、あるいはハイビジョン化、２Ｋ４Ｋ化、更には表示諧調の高ビット化）が求められている。その結果、液晶やＥＬ等から発生する電磁波が、タッチパネルを誤動作させてしまう、一種のノイズとなることが考えられる。

更にタッチパネル側は、表示画像の高機能化に伴い、高分解能化、１０箇所以上のマルチタッチ化、タッチ位置検出の高精度化、タッチ位置検出の短時間化、タッチ位置の高速変化への対応等の高機能化が求められている。

そして機器を薄型化するために、ノイズ発生源となる液晶やＥＬ等の表示部分と、タッチパネルとの近接密接が求められる場合、表示部分から発生する電磁ノイズによるタッチパネルが誤動作しやすくなるという課題が発生しやすくなる。そのため表示部分から発生する電磁ノイズが、タッチパネルに伝搬しないようにタッチパネルと表示部分との間に、電磁シールド性の高い透明な電磁シールドを設けることが求められている。

一方、近年のタブレット端末（ノートパソコン等も一種のタブレット端末である）には、外部との間の信号授受や電力授受のために無線ＬＡＮや、ＷｉＦｉ（登録商標）（ＷｉＦｉは、ワイファイアライアンスによって国際標準規格であるＩＥＥＥ８０２．１１規格を使用したデバイスを用いた相互接続）や、ＮＦＣ（ＮＦＣは、Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）として知られる無線通信の国際規格の一つ）、ワイヤレス給電（ワイヤレス給電は非接触電力伝達手段の一つ）が広く使われている。そしてタブレット端末（あるいはタブレット端末等に使われる表示機器等）においては、外部との信号授受や電力授受のために、１０００ＭＨｚ以上、２ＧＨｚ以下の無線通信が活用されている。またタブレット端末や表示機器において、外部との信号や電力の授受のために設けられたアンテナ部や、送受信部は機器の筐体の内部に内蔵されている。そのため、こうした表示機器において、外部との信号や電力の授受は、表示部分やタッチパネルを介して行う必要が生じる場合がある。

このため表示部分とタッチパネルとの間に電磁シールドを設けた場合、図１８（Ａ）（Ｂ）等に示すように、タッチパネルの誤動作原因となる数百ＭＨｚにおいて電磁シールドが期待される一方、１０００ＭＨｚ以上の高周波域における外部との信号授受や電力授受が影響を与える可能性があった。

特表２０１０−５０７１９９号 特開２００９−９８８３４号公報 特開２００４−１９６９２３号公報 特開平１１−１２６０２４号公報

このように従来の抵抗式タッチパネルの場合は、電磁ノイズの影響を殆ど受けなかったが、近年のマルチタッチが可能な静電型のタッチパネルでは、電磁ノイズの影響を受けやすくなってきた。

そして静電型等の電磁ノイズの影響を受けやすいタッチパネルにおいて、従来の電磁シールドを用いた場合、１０００ＭＨｚ以上の周波数域における高い減衰率が外部との信号授受や電力授受に影響を与えてしまうという課題が発生することが考えられる。

本発明は、こうした課題を解決するものであり、静電式等の電磁ノイズの影響を受けやすいタッチパネルと、電磁ノイズを発生させやすいＩＰＳ型等の液晶パネル等との間に、従来の偏光フィルムの代わりに、偏光性と、帯域選択性を有する電磁シールド性とを兼ね備えた帯域選択変更シールドとして設けることで、静電式等のタッチパネルにおいて課題となる低周波数帯域での電磁ノイズに対しては高い電磁減衰率を有しながらも、１０００ＭＨｚ以上のようなタッチパネルでは課題とならない高周波帯域では電磁減衰率が低いと言う電磁波に対する帯域選択性を有する帯域選択偏光シールドと、この帯域選択偏光シールドの製造方法、この帯域選択偏光シールドを用いた表示デバイスや、表示機器を提供することを目的とする。

本発明の一形態である帯域選択偏光シールドは、少なくとも偏光部と、この偏光部の両面に形成された透明基材と、透明基材の偏光部が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤを含有する透明導電膜と、を備えた帯域選択偏光シールドであって、シート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ１）における電磁減衰率Ｓ１は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい帯域選択偏光シールドであり、偏光フィルム（あるいは偏光板）に周波数依存性を有する電磁シールド効果を持たせることで、タッチパネルの誤動作の原因となる、液晶パネル等から漏洩する電磁ノイズの一部を選択的にカットする。更に１０ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における減衰率を小さくすることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と、表示機器内部との高周波通信特性を高めることができる。

本発明の一形態である帯域選択偏光シールドの他の一例は、少なくとも偏光部と、この偏光部の両面に形成された透明基材と、透明基材の偏光部が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤを含有する透明導電膜と、を備えた帯域選択偏光シールドであって、シート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、ＫＥＣ法で測定した最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）は、２０ｄＢ以上、７０ｄＢ以下の範囲内にあり、ＫＥＣ法で測定した前記最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）は、１ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の帯域内である帯域選択偏光シールドであり、偏光シールドの減衰率に周波数依存性を持たせることで、静電式のタッチパネルに対する液晶パネル等からの電磁ノイズを積極的にカットすると共に、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における偏光シールドの減衰率を小さくすることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と、表示機器内部との高周波通信特性を高めることができる。

本発明の一形態である帯域選択偏光シールドの他の一例は、少なくとも偏光部と、この偏光部の両面に形成された透明基材と、透明基材の偏光部が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤを含有する透明導電膜と、を備えた帯域選択偏光シールドであって、前記偏光部側から測定したヘイズ値は、前記投影電極側から測定したヘイズ値より小さく、少なくとも１ＭＨｚ以上１０００ＭＨｚ以下の周波数帯域において、２０ｄＢ以上７０ｄＢ以下の範囲内で周波数が高くなるほど減衰率が低下する帯域選択偏光シールドであり、偏光シールドの電磁減衰率に周波数依存性を持たせることで、静電式のタッチパネルに対するＩＰＳ等の液晶パネルから放出される電磁ノイズを積極的にカットすると共に、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における電磁減衰率を小さくすることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と、表示機器内部との高周波通信特性を高めることができる。

本発明の一形態である帯域選択偏光シールドの製造方法の一例は、少なくとも偏光部と、この偏光部の両側に形成された透明基材とを有する偏光フィルムを準備する準備工程と、前記偏光フィルムの一面以上に、表面の金属ナノワイヤを含有する透明導電膜を塗布形成する透明導電膜形成工程と、を有するシート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ１）における電磁減衰率Ｓ１は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さいことを特徴とする帯域選択偏光シールドの製造方法であり、この製造方法を用いることによって、電磁減衰率に周波数依存性を持たせてなる帯域選択偏光シールド記載を、安定して安価に生産することができる。

本発明の一形態である表示デバイスの一例は、ＩＰＳパネル部と、静電式タッチパネルと、帯域選択偏光シールドと、を有する表示デバイスであって、前記帯域選択偏光シールドのシート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ１）における電磁減衰率Ｓ１は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい表示デバイスであり、表示デバイスにおける電磁ノイズを積極的にカットすると共に、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における偏光シールドの減衰率を小さくすることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と、表示機器内部との高周波通信特性を高めるものである。

本発明の一形態である表示機器の一例は、少なくとも筐体と、筐体内部に内蔵されたアンテナ部もしくは送受信部のいずれか一つ以上と、前記筐体の一面以上に設けられたＩＰＳパネル部と、このＩＰＳパネル部の上に形成された帯域選択偏光シールドと、この帯域選択偏光シールドの上に形成された静電式タッチパネル部と、を有する表示機器であって、前記帯域選択偏光シールドのシート抵抗は、５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ１）における電磁減衰率Ｓ１は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい表示機器であり、偏光シールドの電磁減衰率に周波数依存性を持たせることで、静電式のタッチパネルに対するＩＰＳ等の液晶パネル等からの電磁ノイズを積極的にカットすると共に、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における偏光シールドの電磁減衰率を小さくすることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と、表示機器内部との高周波通信特性を高めるものである。

本発明によれば、ＩＰＳパネル用等に用いる偏光フィルムあるいは偏光板に、静電式タッチパネルで課題となる電磁ノイズを積極的に吸収すると共に、１００ＭＨｚ以上更には１ＧＨｚ以上の高周波域における電磁波は積極的に透過させることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と表示機器内部との高周波通信安定性を高めることができる。

本発明の帯域選択偏光シールドの構造の一例を示す断面図 液晶パネルから放射される電磁波を、帯域選択偏光シールドで減衰させる様子を説明するための断面図 帯域選択偏光シールドをＩＰＳパネルの表面に貼り付けることで、電磁ノイズがカットされる様子を示す断面図 帯域選択偏光シールドによって、ＩＰＳパネルから漏洩する電磁界がシールドされ、静電式タッチパネルに伝わらない様子を示す断面図 本発明の帯域選択偏光シールドのシールド特性の一例を示す特性図 機器に組み込まれた帯域選択偏光シールドの機能について説明する断面図 （Ａ）（Ｂ）は、共に金属ナノワイヤによる光の乱反射について説明する断面図 帯域選択偏光シールドの、透明基材側における外部光による、金属ナノワイヤ表面における散乱光について説明する断面図 発明者らが作製した帯域選択偏光シールドのシールド特性の一例を示す特性図 帯域選択偏光シールドを用いた、表示機器の一例を示す断面図 帯域選択偏光シールドの代わり、従来の薄膜金属メッシュ部を用いた表示機器における課題を説明する断面図 （Ａ）（Ｂ）は、共に、偏光シールドとして、ＩＴＯを用いた場合に発生する課題について説明する模式図 （Ａ）（Ｂ）は、共に帯域選択偏光シールドを用いた表示デバイスの一例を示す断面図 ＴＮ液晶を用いた場合について説明する断面図 帯域選択偏光シールドを設けていない場合において発生する課題について説明する断面図 帯域選択偏光シールドを設けていない場合において発生する課題について説明する断面図 従来の偏光シールドの構造の一例を示す断面図 （Ａ）（Ｂ）は共に、従来の電磁シールドのシールド特性の一例を示す特性図

（実施の形態１）
実施の形態１では、本発明の帯域選択偏光シールドの構造について、図１〜図４を用いて説明する。図１は、本発明の帯域選択偏光シールドの構造の一例を示す断面図である。図１において、１１０は帯域選択偏光シールド、１２０は透明基材であり、例えばＴＡＣ等の光学的樹脂材料であり、フィルム状態であっても良い。１３０は偏光部であり、ヨウ素等の偏光部材やＰＶＡ等の樹脂等からなるものであり、シート状あるいはフィルム状の部材が適宜サンドイッチされたものである。なお透明基材１２０や偏光部１３０はＩＰＳ液晶用に最適化されてなる積層品を用いても良い。１４０は透明電極部であり、透明電極部１４０は、金属ナノワイヤ１５０と、バインダ部１６０とを含む。１８０は保護フィルムであり、透明電極部１４０や、透明電極部１４０の表面に形成された接着層１７０、ハードコート部、耐擦傷層、低屈折率層、高屈折率層等（共に図示していない）を保護するために設けられたものであり、必要に応じて保護フィルム１８０を剥離することができる。

次に、図１で示した本発明の帯域選択偏光シールドの電磁シールド機能について、図２〜図４を用いて説明する。

図２〜図４は、本発明の帯域選択偏光シールドの電磁シールド機能について説明する断面図である。

図２は、液晶パネルから放射される電磁波を、帯域選択偏光シールドで減衰させる様子を説明するための断面図である。図２において、１９０はグランドであり、帯域選択偏光シールド１１０の透明電極部１４０をグランド１９０に落とすことで、液晶パネル等から放射される電磁ノイズの影響を抑制するものである。なおグランド１９０の接続部分は、機器のフレームグランド（図示していない）や、回路上でのシグナルグランド（図示していない）等、ノイズ除去に効果的なグランド部分に電気的に接続すれば良い。

図２において、２００ａ、２００ｂは矢印、２１０はＩＰＳパネル、またはＩＰＳパネルに類する液晶パネルである。ＩＰＳパネル２１０は、ガラスや透明フィルム等からなるＩＰＳ透明基材２２０と、このＩＰＳ透明基材の表面に形成されたＩＰＳ−ＩＴＯ２３０と、ＩＰＳ−ＩＴＯに印加された電圧によって駆動する液晶部材（図示していない）等からなる。ＩＰＳ方式とは、In Plane witchingの意味であり、従来のＴＮ方式（Twisted Nematic）やＶＡ方式（Vertical Alignment）に比べて、視野角が広いという優れた特徴を有している。従来のＴＮ方式やＶＡ方式は、ガラス等の透明基板の間に充填した液晶の厚み方向に電界を加える構成であったが、ＩＰＳ方式（なお一部のＩＰＳ方式は、更にｅ−ＩＰＳ、ＡＦＦＳ、ＳＦＴ、ＩＰＳ−ＰＲＯ、ＡＨ−ＩＰＳ、ＰＬＳ等として呼ばれることもある）は、基板の面方向に電界を加えて液晶分子を基板と平行な面内で回転させるため、図２に示すように、ＩＰＳパネル２１０において、ＩＴＯ等で形成された透明電極は、ＩＰＳパネルを構成する一方のＩＰＳ透明基材２２０の内側にのみＩＰＳ−ＩＴＯ２３０として存在し、もう一方のＩＰＳ透明基材２２０の内側には存在しない。

図２における矢印２００ａは、外部の駆動回路（図示していない）からＩＰＳ−ＩＴＯ２３０に印加された液晶駆動用信号（図示していない）によって発生した電磁界を模式的に示すものである。図２の矢印２００ａに示すように、ＩＰＳ液晶を駆動するための電界の一部は、ＩＰＳ−ＩＴＯ２３０が形成されていない側の、ＩＰＳ透明基材２２０を突き抜けて、ＩＰＳパネル２１０の外部に漏れてしまい電磁ノイズとなる。

図２の矢印２００ｂに示すように、帯域選択偏光シールド１１０を、ＩＰＳパネルに近づけることで、ＩＰＳパネル２１０から外部にもれた電磁ノイズ（例えば矢印２００ａ）をシールドすることができる。

図３は、帯域選択偏光シールドをＩＰＳパネルの表面に貼り付けることで、電磁ノイズがカットされる様子を示す断面図である。図３において、２４０は指先、２５０は容量成分であり、例えば指先２４０における容量成分である。２６０は静電式タッチパネルである。

静電式タッチパネル２６０は、少なくともガラスや透明フィルムからなるＴＴＰ透明基材２７０と、ＴＴＰ−ＩＴＯ２８０とを有している。そして静電式タッチパネル２６０は、静電式タッチパネル２６０の表面に設けられたＴＴＰ−ＩＴＯ２８０に加えられた微弱な電流が、指先２４０等による容量成分２５０等によって変化することで位置検出するため、電磁ノイズ等の影響を受けやすい。これはＩＰＳパネル２１０の一面にはＩＰＳ−ＩＴＯ２３０が形成されていないため、この面を介して液晶の駆動電圧から発生した電磁化の一部が漏洩磁界となって漏洩するためである。

一方、ＩＰＳパネルには高品位化（ハイビジョン化、２Ｋ化、４Ｋ化等）が臨まれているため、ＩＰＳパネルの駆動周波数を高周波化するほど、こうした漏洩電磁界が様々な周波数帯域でＩＰＳパネル２１０から外部に漏洩する。中でも静電式タッチパネル２６０の駆動周波数に関連する周波数帯域での漏洩磁界は、静電式タッチパネルの位置検出機能に大きな影響を与える。

図３における矢印２９０は、矢印２００ａで示した電磁界の一部が、帯域選択偏光シールド１１０に内蔵された透明電極部１４０で減衰される様子を示す。また必要に応じて透明電極部１４０をグランド１９０に接続することは有用である。

図３に示すように、静電式タッチパネル２６０の位置検出精度に影響を与えてしまう電磁界の一部を、金属ナノワイヤ１５０を含む透明電極部１４０によって矢印２９０に示すように効果的に減衰させることが有用である。

図４は、帯域選択偏光シールドによって、ＩＰＳパネルから漏洩する電磁界がシールドされ、静電式タッチパネルに伝わらない様子を示す断面図である。図４に示すように、ＩＰＳパネル２１０からの漏洩磁界を、帯域選択偏光シールド１１０によってシールドすることで、静電式タッチパネル２６０の指先２４０の容量成分２５０を高精度に検知することができ、タッチパネルの高精度化、高分解能化が可能となる。

なお帯域選択偏光シールド１１０において、透明電極部１４０の一端を必要に応じてグランド１９０やアース（図示していない）に電気的に接続することが有用である。この場合透明電極部１４０の接続先となるグランド１９０は、静電式タッチパネル２６０に対する漏洩電磁界をシールドするための電気的接続先であれば良く、使用する機器の構成に応じて適宜、最適な部分を選択すれば良い。

（実施の形態２）
実施の形態２では、本発明の帯域選択偏光シールドの特性について、図５を用いて説明する。図５は、本発明の帯域選択偏光シールドのシールド特性の一例を示す特性図である。図５において、Ｘ軸は周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ／ＭＨｚ）、Ｙ軸は減衰率（Ｓｈｉｅｌｄ ｐｒｏｐｅｒｔｙ／ｄＢ）である。３００は、本発明の帯域選択偏光シールドのシールド特性を示す曲線（発明品のシールド特性３００）である。３１０は、従来の偏光シールドのシールド特性を示す曲線であり、ＫＥＣ法を用いて測定した曲線（従来品のシールド特性３１０）であり、例えば前述の図１８（Ａ）等である。図５に示すように、従来品のシールド特性３１０は、１ＭＨｚ近くから１０００ＭＨｚ近くまで、約５０ｄＢで略一定の減衰率を保つという、周波数帯域に依存しないというシールド特性を有している。一方、図５に示すように、本発明の帯域選択偏光シールドは、１ＭＨｚから１０ＭＨｚの間に、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ、図１においては約５３ｄＢの減衰率）を有している。そして図５に示すように、帯域選択偏光シールドは、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ、図５においては約８ＭＨｚ）の１０倍高い周波数（Ｆ２、図５においては８０ＭＨｚ）における電磁減衰率Ｓ１は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい（図５においては、約１５ｄＢ小さい）という特性（発明品のシールド特性３００）を有している。

ここでＦ１（単位はＭＨｚ）の１０倍高い周波数をＦ２（単位はＭＨｚ）、すなわち「Ｆ１＊１０＝Ｆ２」とした場合、周波数Ｆ１における減衰率（Ｓ１）と、Ｆ２における減衰率（Ｓ２）との差、すなわちＳ１−Ｓ２の値を、１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下とすることが、発明品のシールド特性３００として有用である。

さらにＦ１（単位はＭＨｚ）の１００倍高い周波数をＦ３（単位はＭＨｚ）、すなわち「Ｆ２＊１０＝Ｆ３」とした場合、周波数Ｆ３における減衰率（Ｓ３）と、Ｆ２における減衰率（Ｓ２）との差、すなわちＳ２−Ｓ３の値を、１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下とすることが、発明品のシールド特性３００として有用である。

以上のように、発明品のシールド特性３００としては、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）に対して、１０倍、更には１００倍の高周波域において、減衰率を１０〜２５ｄＢ、更には２０〜５０ｄＢの範囲内で小さくすることで、静電式のタッチパネルに対する液晶パネル等からの電磁ノイズを積極的にカットする。加えて１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における偏光シールドの減衰率を小さくすることで、１００ＭＨｚ以上あるいは１ＧＨｚ以上の高周波域における外部と、表示機器内部との高周波通信特性を高めることができる。Ｆ１の１０倍での周波数での減衰率をＦ１に対して１０ｄＢ未満、あるいは１００倍での周波数での減衰率が２０ｄＢ未満の場合は、高周波域における通信特性に影響を与える場合がある。またはＦ１の１０倍での周波数での減衰率を２５ｄＢ以上、あるいはＦ１の１００倍での周波数での減衰率を５０ｄＢ以上とするためには、帯域選択偏光シールドに特殊加工を行う必要があり、コストアップしたり、光学的透過率に影響を与えたりする場合がある。

以上のように、Ｆ１＊１０＝Ｆ２、Ｆ１＊１００＝Ｆ３、あるいはＦ２＊１０＝Ｆ３とした場合、Ｓ１−Ｓ２＝１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下、Ｓ２−Ｓ３＝１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下、あるいはＳ１−Ｓ３＝２０ｄＢ以上５０ｄＢ以下とすることが望ましい。こうすることで高周波になるほど減衰率が低下する（あるいは、図１に示すように高周波域で減衰率が低下するという右下がりのグラフ）とすることができる。

なお図５の特性を有する帯域選択偏光シールドの構造については、後述する実施の形態４や３、図６〜図８等で説明する。

なお図５に示すように、帯域選択偏光シールドのＫＥＣ法で測定した最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）は、２０ｄＢ以上、７０ｄＢ以下の範囲内とする。最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）が２０ｄＢ未満の場合、シールド性に影響を与える場合がある。また７０ｄＢより高くした場合、偏光シールド側に特殊な加工を行う必要があり、コストアップしたり、透過率に影響を与えたりする場合がある。またＫＥＣ法で測定した前記最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）は、０．１ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ以下、更には１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下、２ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ以下とすることが望ましい。０．１ＭＨｚ未満、あるいは３０ＭＨｚより高い場合は、静電式のタッチパネルに対する電磁ノイズの減衰効果に影響を与える場合がある。

（実施の形態３）
実施の形態３では、本発明の帯域選択偏光シールドが、機器の性能を高める様子について、図６を用いて説明する。

図６は、機器に組み込まれた帯域選択偏光シールドの機能について説明する断面図である。図６において、帯域選択偏光シールド１１０は、実施の形態１で説明したものである。帯域選択偏光シールド１１０は、少なくとも、ガラスやＴＡＣ等の樹脂フィルム等よりなる透明基材１２０と、透明電極部１４０と、偏光部１３０とを有している。透明電極部１４０は、少なくとも金属ナノワイヤ１５０と、金属ナノワイヤ１５０を保持するバインダとなる透明樹脂（番号は付与していない）とから形成されている。偏光部１３０は、ヨウ素がＰＶＡ等からなる偏光材料である。また必要に応じて、偏光部１３０を、波長板（あるいは波長フィルム）や、位相差板（あるいは位相差フィルム）を加えてなるサンドイッチ構造とすることは有用である。２１０は液晶パネルであり、例えばＩＰＳであるが、ＩＰＳパネル２１０は、ＥＬ等の表示パネルであっても良い。１１０はタッチパネルであり、タッチパネルは、マルチタッチ性等に優れた透明なものであれば良く、静電式のタッチパネル等である。

図６における矢印２００ａは、ＩＰＳパネル２１０から放射される電磁ノイズの一例を示す。液晶やＥＬ等からなる表示部分を高品位化（ハイレゾリューション化、あるいはハイビジョン化、２Ｋ４Ｋ化、更には表示諧調の高ビット化）することで、数百ＫＨｚ〜数ＭＨｚにおいて、矢印２００ａに示すような電磁ノイズが発生する。矢印２００ａで示す電磁ノイズの一部は、矢印２００ｂに示すように帯域選択偏光シールド１１０によって大幅に減衰するが、これは図１に示すように帯域選択偏光シールド１１０が、静電式タッチパネルの誤動作原因となる数百ＫＨｚ〜数十ＭＨｚの周波数域において、高い減衰率を有するためである。その結果、静電式タッチパネル２６０に届く電磁ノイズは大幅に低減し、静電式タッチパネル２６０の誤動作を減らす。

図６における矢印２００ｃ〜矢印２００ｆは、共に帯域選択偏光シールド１１０を介して、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの電磁波が通過する様子を示す。機器の外部に設置されたアンテナ等（図示していない）から発射された電磁波は矢印２００ｂに示すように、帯域選択偏光シールド１１０を介して、機器の内部に設置されたアンテナ等（図示していない）に到達するが、この際、帯域選択偏光シールド１１０を通過しても、その減衰は少ないが、これは図１に示すように帯域選択偏光シールド１１０が、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数域において、減衰率が小さいためである。

矢印２００ｆは、機器の内部に設置されたアンテナ等（図示していない）から発射された電磁波が、帯域選択偏光シールド１１０を介して、機器の外部に設置されたアンテナ等（図示していない）に到達する様子を示す。矢印２００ｆに示すように、帯域選択偏光シールド１１０を通過しても、その減衰は少ないが、これは図１に示すように帯域選択偏光シールド１１０が、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数域において、減衰率が小さいためである。

（実施の形態４）
実施の形態４では、帯域選択偏光シールド１１０を構成する透明電極部１４０に含まれる金属ナノワイヤによる光の乱反射を低減する様子について、図７、図８を用いて説明する。

図７（Ａ）（Ｂ）は、共に金属ナノワイヤによる光の乱反射について説明する断面図である。

図７（Ａ）は、金属ナノワイヤの表面で、外部光が乱反射する様子を示す断面図である。図７（Ａ）に示すように、帯域選択偏光シールド１１０の表面に、光吸収層となる偏光部１３０を設けていない場合、矢印２００ａで示す外部光が金属ナノワイヤ１５０の表面で、矢印２００ｃに示すように乱反射し、ヘイズ等の光学特性を低下させる。

図７（Ｂ）は、帯域選択偏光シールド１１０の一面に設けた、光吸収性を有する偏光部１３０を設けることで、金属ナノワイヤ１５０の表面における散乱光を低減する様子を説明する断面図である。図７（Ｂ）に示すように、金属ナノワイヤ１５０を含む透明電極部１４０の表面に、偏光部１３０を設けることで、外部光による散乱光を減らすことができる。これは外部光が矢印２００ａに示すように偏光部１３０を斜めに横断する際に光が吸収され、更に金属ナノワイヤ１５０の表面で散乱し、この散乱した光は矢印２００ｃに示すように光吸収層となる偏光部１３０を斜めに横断する際に吸収されるためである。なお散乱光の強度については、市販のヘイズメータ等を用いて、ヘイズ値として測定することができる。

帯域選択偏光シールド１１０において、偏光部１３０側から測定したヘイズ値を、偏光部１３０が設けられていない面側から測定したヘイズ値より小さくすることが有用である。このように偏光部１３０側から測定したヘイズ値を、偏光部１３０が設けられていない側から測定したヘイズ値より小さくすることで、効果的に散乱光を低減できる。

図８は、帯域選択偏光シールドの、偏光部１３０が設けられていない側における外部光による、金属ナノワイヤ表面における散乱光について説明する断面図である。図８に示すように、外部光は矢印２００ａに示すように、透明基材１２０を斜めに横断し、金属ナノワイヤ表面で散乱し、この散乱した光は矢印２００ｃに示すように透明な接着層１７０を介して斜めに入射するが、この入射の際に殆ど吸収されることはない。なお必要に応じて、接着層１７０を顔料等で着色することで、矢印２００ｃに示す散乱光を低減することは可能であるが、この場合でも、偏光部１３０側から測定したヘイズ値を、偏光部１３０が形成されていない側から測定したヘイズ値より小さくすることが有用である。これは乱反射あるいはヘイズは、表示機器の外部側、すなわちタッチパネル等が設置される側からの測定値が重要なためである。

（実施の形態５）
実施の形態５を用いて、発明者らが作製した帯域選択偏光シールド１１０の電磁波に対するシールド特性について更に詳しく説明する。図９は、発明者らが作製した帯域選択偏光シールドのシールド特性の一例を示す特性図である。

図９において、発明品のシールド特性３００ａは、発明者らが作製した帯域選択偏光シールド（ＳａｍｐｌｅＡ、シート抵抗は１５０Ω／□）のシールド特性である。発明品のシールド特性３００ｂは、発明者らが作製した帯域選択偏光シールド（ＳａｍｐｌｅＢ、シート抵抗は４０Ω／□）のシールド特性である。なおシールド特性は共にＫＥＣ法を用いて測定したものである。

図９に示すように、シート抵抗を１５０Ω／□から４０Ω／□と低くすることで、最大電磁減衰率を約４６ｄＢから約５５ｄＢへと大きくすることができる。またシート抵抗を１５０Ω／□から４０Ω／□と低くすることで、最大電磁減衰率を示す周波数をＦ１（Ａ）からＦ１（Ｂ）へと移動させられる。

図９に示すように、帯域選択偏光シールドにおいては、シート抵抗の変化（１５０Ω／□〜４０Ω／□の範囲）に関係なく、周波数が１０ＭＨｚ以上、更には２０ＭＨｚ以上において、周波数が高くなるほど減衰率が低下するという、高周波域での減衰率の右下がりという傾向は変わらない。発明者らの実験によると、少なくとも５Ω／□以上２００Ω／□の範囲においては、周波数が高くなるほど減衰率が低下するというシールド特性を発現することが可能であった。

なお発明者らが色々実験したところでは、金属ナノワイヤを用いてシート抵抗を１０Ω／□以下、更には５Ω／□以下、２．５Ω／□以下と低抵抗化させた場合には、１０ＭＨｚ以上において減衰率が右下がりになるという、帯域選択性が発生しにくくなる場合や、前述の図１８（Ａ）（Ｂ）に示したようなシールド特性に近づく場合があった。

これはシート抵抗を５Ω／□以下と低くすることで、図１８で示した従来の透明電磁シールド１のシールド特性に近づくためと考えられる。

なお発明者らは、帯域選択偏光シールド１１０に用いる金属ナノワイヤ１５０として平均長さが、２μｍ以上、更には３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上と長いものを用いたが、これは一定以上の長さを有する金属ナノワイヤ１５０を用いる方が、発明者らが求める帯域選択性を有するシート抵抗領域（例えば、５Ω／□以上２００Ω／□以下）の形成が容易となるためである。

例えば金属ナノワイヤ１５０の平均長さが５μｍ未満、あるいは２μｍ未満のように短い場合、１０Ω／□以下、５Ω／□以下のような低シート抵抗の実現が容易となる一方、発明者らが求める帯域選択性を有するシート抵抗領域（例えば、５Ω／□以上２００Ω／□以下）の形成が難しくなる場合がある。これは、金属ナノワイヤ１５０の長さが２μｍ未満のように短い場合、金属ナノワイヤ同士の接触確率が低下してしまい５Ω／□以上２００Ω／□以下の抵抗領域を安定して実現することが難しくなる場合がある。例えば、平均長さが２μｍ未満の金属ナノワイヤを用いた透明導電膜において、金属ナノワイヤ１５０同士の接触による導通を得るためには、金属ナノワイヤの坪量（坪量は、ＪＩＳ Ｐ８１２４ 紙および板紙−坪量の測定方法等で定義されたもの）を増やす必要がある。

ここで平均長さが２μｍ未満と短い金属ナノワイヤ１５０を用いて作製した透明導電膜は、例えて言えば「洋紙」に相当するものであり、厚みを厚くすることで紙としての強度は高められるが、厚みを薄くした場合には和紙のような高強度や高耐力は得られない。一方、本発明のように平均長さが５μｍ以上、１０μｍ以上と長い金属ナノワイヤ１５０を用いて作製した透明電極部１４０は、例えて言えば「和紙」に相当するものであり、優れたカール耐性（カール耐性については、後述する表等で説明する）等が得られる。

このように本発明の帯域選択偏光シールド１１０に使う金属ナノワイヤ１５０を含む透明電極部１４０は、「和紙」に相当するものとすることが有用であり、そのためには繊維長が長く、低い坪量で繊維同士の絡み合いによる導通が得られ易くすることが有用である。そしてこうして得られた帯域選択偏光シールド１１０は、折り曲げても、シート抵抗が変化しないというカール耐性を有した丈夫なものである。そして本発明の帯域選択偏光シールド１１０に使う、金属ナノワイヤ１５０を含む透明電極部１４０は、少ない坪量において繊維同士の接触確率を増加させることで、５Ω／□以上２００Ω／□以下というシート抵抗域をバラツキ無く安定して実現できる。

このように静電式タッチパネル２６０のノイズ低減に有用な、５Ω／□以上２００Ω／□以下のシート抵抗域を得ようとした場合、平均繊維長さが２μｍ以下のような短い金属ナノワイヤ１５０を用いる場合に比べ、平均繊維長さが５μｍ以上の長い金属ナノワイヤ１５０を用いることで、坪量を小さくでき、コスト的にメリットがある。また出来上った透明電極部１４０の柔軟性（例えば、長尺のフィルム上に連続塗工した場合のハンドリング性や巻取り性）やカール耐性は、繊維長が長いほど有利である。

このように本発明の帯域選択偏光シールド１１０は、金属ナノワイヤ１５０の形状を工夫することで「和紙」のような柔軟性、あるいは耐力、更には耐クラック性やカール耐性を持たせているため、透明基材１２０としてガラスのような透明無機物を用いた場合でも、ＰＥＴフィルム等のフレキシブルな透明有機シートを用いた場合であっても、熱膨張係数や柔軟性の大小に関係なく、クラックやカール等の課題が発生しない。

（実施の形態６）
実施の形態６では、帯域選択偏光シールド１１０を用いた表示機器の一例について、図１０を用いて説明する。

図１０は、実施の形態１等で説明した帯域選択偏光シールドを用いた、表示機器の一例を示す断面図である。図１０において、３２０は表示機器であり、スマートフォン、電子タブレット、病院用の電子カルテ、電子ノート、電子ブック、電子黒板、ノートパソコン等の表示部を有する表示機器である。

表示機器３２０は、一方向に大きな開口部（番号は付与していない）を有する筐体３３０と、この筐体３３０の開口部を塞ぐように設けられたＩＰＳパネル２１０、帯域選択偏光シールド１１０、静電式タッチパネル２６０等を有している。

図１０の矢印２００ａで示される、ＩＰＳパネル２１０等から発生する数百ＫＨｚ前後の電磁ノイズは、帯域選択偏光シールド１１０によって減衰されるため、静電式等の静電式タッチパネル２６０を誤動作させない。なお表示機器３２０に用いる静電式タッチパネル２６０は、静電式であっても、ホバー式（非接触式）等のタッチパネルであっても良い。これは図１０に示すように、本発明の帯域選択偏光シールド１１０を用いることで、ＩＰＳパネル２１０から発生する電磁ノイズの影響を受けやすい静電式、あるいはホバー式の新型タッチパネルにおける電磁ノイズの影響を防止できるためである。

図１０において、３４０は内部アンテナ部であり、内部アンテナ部３４０は、筐体３３０の内部に設置され、１ＧＨｚ以上のような高周波を利用する無線ＬＡＮやＷｉＦｉ（登録商標）、ＮＦＣ、ワイヤレス通信に使われる高周波用のアンテナである。３５０は外部アンテナ部であり、室内あるいは構内等の、筐体３３０の外部に設置された無線ＬＡＮやＷｉＦｉ（登録商標）、ＮＦＣ、ワイヤレス通信用の外部アンテナ部である。図１０の矢印２００ｄ、２００ｅで示すように、外部アンテナ部３５０から発した電磁波は、帯域選択偏光シールド１１０で殆ど吸収されることなく、内部アンテナ部３４０に到達する。

図１０において、３６０は、筐体３３０の内部に設置された内部送受信部であり、１ＧＨｚ以上のような高周波を利用する無線ＬＡＮやＷｉＦｉ（登録商標）、ＮＦＣ、ワイヤレス通信に使われる部品である。３７０は外部送受信部であり、室内あるいは構内等の、筐体３３０の外部に設置された無線ＬＡＮやＷｉＦｉ（登録商標）、ＮＦＣ、ワイヤレス通信装置である。図１０の矢印２００ｆ、２００ｇで示すように、内部送受信部３６０から発した１ＧＨｚ以上のような高周波は、帯域選択偏光シールド１１０で殆ど吸収されることなく、外部送受信部３７０に到達する。

図１１は、帯域選択偏光シールドの代わりに、従来の薄膜金属メッシュ部を用いた表示機器における課題を説明する断面図である。図１１に示すように、従来の薄膜金属メッシュ部４（例えば、前述の図１７で説明したもの）を、ＩＰＳパネル２１０と、静電式タッチパネル２６０との間に設けた場合、従来の薄膜金属メッシュ部４が、ＩＰＳパネル２１０から発生する電磁ノイズを除去と同時に、矢印２００ａで示す内部アンテナ部３４０と外部アンテナ部３５０との間の通信や、矢印２００ｂで示す内部送受信部３６０と外部送受信部３７０との間の通信を大きく阻害してしまう場合がある。これは前述の図１８に示すように、従来の金属メッシュや、１Ω／□程度の低抵抗の特殊な金属ナノワイヤを用いた偏光シールドの場合、１００ＭＨｚ以上、更には１０００ＭＨｚ付近においても、高い電磁減衰率を有しているためである。

（実施の形態７）
実施の形態７を用いて、偏光板に従来のＩＴＯを用いた透明導電膜を設ける場合に発生する課題について説明する。

図１２（Ａ）（Ｂ）は、共に、偏光板（あるいは偏光フィルム）の表面にＩＴＯを形成した場合に発生する課題について説明する模式図である。３８０ａ、３８０ｂは共にＩＴＯ付偏光フィルムである。３９０はクラック等である。

ロール状の偏光フィルムの表面にＩＴＯを形成し、偏光シールドを作製する場合、図１２（Ａ）に示すように、ＩＴＯ付偏光フィルム３８０ａがカールし、表面のＩＴＯ皮膜にクラック３９０等が発生する場合があるが、これは有機物からなる偏光フィルム部分と、酸化物からなるＩＴＯ皮膜との間で、熱膨張係数が大きく異なっているためである。こうしたカールや、クラック３９０等の課題は、ＩＴＯ薄膜の抵抗値を３００Ω／□以下の低抵抗を実現するため、ＩＴＯ膜厚を増加したり、熱処理したりする際に発生しやすくなる。

図１２（Ｂ）は、枚葉の偏光フィルムの上にＩＴＯを形成した場合に発生する課題の一例を説明する斜視図である。図１２（Ｂ）のように、枚葉であっても、ＩＴＯ付偏光フィルム３８０ｂからなる偏光シールドには、クラック３９０等が発生しやすくなるが、有機物からなるフィルムと、酸化物からなるＩＴＯとの間で、熱膨張係数が大きく異なることによって、こうしたカール（図示していない）や、クラック３９０等が発生する場合がある。こうした課題は、ＩＴＯ薄膜の抵抗値を１５０Ω／□以下の低抵抗化を実現するため、ＩＴＯ膜厚を増加したり、１００℃以上で熱処理したりする際に発生しやすい。

なおＩＴＯ膜厚を増加した場合、ＩＴＯを用いた偏光シールド自体が着色（例えば、黄色、あるいはメタリックの金属光沢等）してしまい、光透過率そのものを下げてしまう課題が発生する。そのためＩＴＯを用いた場合、１５０Ω／□以下、１００Ω／□以下の低抵抗を実現することが難しいが、これは上述したクラック３９０が発生しやすくなる（またはカールし易くなる）という課題以外に、ＩＴＯによる着色課題等が発生するためである。

（実施の形態８）
実施の形態８を用いて、帯域選択偏光シールドを用いた表示デバイスの一例について、図１３を用いて説明する。

図１３（Ａ）（Ｂ）は、共に帯域選択偏光シールドを用いた表示デバイスの一例を示す断面図であり、例えば液晶パネルの一面に、帯域選択偏光シールド１１０を設けてなる表示デバイスである。

図１３（Ａ）に示すように、表示デバイス４００を製造することができる。例えば、図１３（Ａ）に示すように、少なくとも透明基材１２０と、透明電極部１４０、偏光部１３０、接着層１７０を有する帯域選択偏光シールド１１０を準備し、矢印２００に示すように、ＩＰＳパネル２１０の一面に貼り付け、表示デバイス４００とする。

図１３（Ｂ）は、一面に帯域選択性を有する帯域選択偏光シールドを設けた表示デバイスの一例を示す断面図である。図１３（Ｂ）のような表示デバイス４００とすることで、他の電子機器への電磁ノイズ放射の少ない、表示機能を有する表示デバイス４００を実現できる。

（実施の形態９）
実施の形態９では、比較例として液晶パネルとしてＴＮ液晶を用いた場合や、ＩＰＳ液晶に本発明の帯域選択偏光シールド１１０を用いていない場合に発生する課題について図１４〜図１６を用いて説明する。

図１４は、ＴＮ液晶を用いた場合について説明する断面図である。ＴＮパネル４２０は、ガラスや透明フィルムからなるＴＮ透明基材４３０と、ＴＮ透明基材４３０の表面に形成されたＴＮ−ＩＴＯ４４０を有している。そして矢印２００ａに示すような液晶用の駆動電圧は、対面する二つのＴＮ−ＩＴＯの間に印加されるため、ＴＮパネル４２０の外部に、電磁ノイズとして漏洩することは無い。このように従来のＴＮパネル４２０を用いた場合は、微弱な電流を検出する静電式タッチパネル２６０において誤動作は発生しにくい。

図１５は、ＩＰＳ液晶の表面に帯域選択偏光シールドを設けていない場合において発生する課題について説明する断面図である。図１５において、ＩＰＳパネル２１０と静電式タッチパネル２６０との間には、帯域選択偏光シールド１１０を設置していない。この結果、図１５の矢印２００ｃに示すように、ＩＰＳパネル２１０に印加された電磁信号は、矢印２００ｃに示すように、ＩＰＳパネル２１０から静電式タッチパネル２６０側に漏洩し、静電式タッチパネル２６０の誤動作の発生源となる電磁ノイズとなる。

図１６は、ＩＰＳパネルから漏洩する電磁波が、静電式タッチパネルに影響を与える様子を説明する断面図である。図１６において、ＩＰＳパネル２１０と静電式タッチパネル２６０との間には、帯域選択偏光シールド１１０を設置していない。この結果、図１６の矢印２００ｃに示すように、ＩＰＳパネル２１０に印加された電磁信号は、矢印２００ｃに示すように、ＩＰＳパネル２１０から静電式タッチパネル２６０側に漏洩し、静電式タッチパネル２６０の誤動作の発生源となる電磁ノイズとなる。図１６に示すように、ＩＰＳパネル２１０に印加された電磁信号は、矢印２００ｃに示すように指先２４０における容量成分２５０に影響を与え、その位置検出を困難とする。

（実施の形態１０）
実施の形態１０を用いて、本発明に用いる金属ナノワイヤについて説明する。本発明に用いる金属ナノワイヤ１５０としては、発明者らが特願２００９−１７４５９４号で提案したものを用いることが可能である。

ここで金属ナノワイヤ１５０の製造手段には特に制限は無く、例えば、液相法や気相法などの公知の手段を用いることができる。具体的な製造方法にも特に制限は無く、公知の製造方法を用いることができる。例えば、Ａｇナノワイヤの製造方法として、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ８３３〜８３７や、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，Ｐ４７３６〜４７４５、前述の引用文献２等を、Ａｕナノワイヤの製造方法として、特開２００６−２３３２５２号公報等を、Ｃｕナノワイヤの製造方法として、特開２００２−２６６００７号公報等を、Ｃｏナノワイヤの製造方法として、特開２００４−１４９８７１号公報等を挙げることができる。特に、上記のＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．及びＣｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．で報告されたＡｇナノワイヤの製造方法は、水系で簡便にかつ大量にＡｇナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、本発明で用いる金属ナノワイヤの製造方法として好ましく適用することができる。

本発明において金属ナノワイヤ１５０の平均直径は、透明性の観点から２００ｎｍ以下であることが好ましく、導電性の観点から１０ｎｍ以上であることが好ましい。平均直径が２００ｎｍ以下であれば光透過率の低下を抑えることができるため好ましい。一方で、平均直径が１０ｎｍ以上であれば導電体としての機能を有意に発現でき、平均直径がより大きい方が導電性が向上するため好ましい。従って平均直径は、より好ましくは２０〜１５０ｎｍであり、４０〜１５０ｎｍであることが更に好ましい。また金属ナノワイヤ１５０の平均長さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましく、凝集による透明性への影響から１００μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１〜５０μｍであり、３〜５０μｍであることが更に好ましい。金属ナノワイヤ１５０の平均直径及び平均長さは、ＳＥＭやＴＥＭを用いて十分な数のナノワイヤについて電子顕微鏡写真を撮影し、個々の金属ナノワイヤ像の計測値の算術平均から求めることができる。金属ナノワイヤの長さは、本来直線状に伸ばした状態で求めるべきであるが、現実には屈曲している場合が多いため、電子顕微鏡写真から画像解析装置を用いて金属ナノワイヤ１５０の投影径及び投影面積を算出し、円柱体を仮定して算出する（長さ＝投影面積／投影径）ものとする。計測対象の金属ナノワイヤ数は、少なくとも１００個以上が好ましく、３００個以上の金属ナノワイヤを計測するのが更に好ましい。

上記の金属ナノワイヤ１５０は樹脂溶液に分散させて使用されるものであり、樹脂溶液の膜形成のための樹脂成分としては、モノマーやオリゴマーの重合反応によりポリマー化してマトリクスを形成するものが用いられる。

上記の樹脂成分として、光重合反応または熱重合反応する樹脂を使用する場合、可視光、または紫外線や電子線のような電離放射線の照射により直接または開始剤の作用を受けて重合反応を生じるモノマーあるいはオリゴマーを用いることができ、アクリル基あるいはメタクリル基を有するモノマーあるいはオリゴマーが好適である。中でも架橋させて耐擦傷性、硬度を上げるには多官能性バインダー成分であることが好ましい。

そして一分子中に一個の官能基をもつものとして、具体的には例えば、イソアミル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシ−ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ−トリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ−ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレートフェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、イソボニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−コハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルフタル酸、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルモルホリン等が挙げられる。

また二個以上の官能基を持つものとして、具体的には例えば、ポリエチレングリコールジアクリレート、グリセリントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等が挙げられ、更にベンゼン環を有する化合物としては、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、変性ビスフェノールＡジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレンオキサイドプロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、プロピレンオキサイドテトラメチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＦジアクリレート、ポリエステルアクリレート等の多官能アクリレート類あるいはメタクリレート類が挙げられる。

また、１，２−ビス（メタ）アクリロイルチオエタン、１，３−ビス（メタ）アクリロイルチオプロパン、１，４−ビス（メタ）アクリロイルチオブタン、１，２−ビス（メタ）アクリロイルメチルチオベンゼン、１，３−ビス（メタ）アクリロイルメチルチオベンゼンなどの硫黄含有（メタ）アクリレート類を用いることも高屈折率化に有効である。

さらに、紫外線や熱による硬化を促進させるため、光または熱重合開始剤を配合してもよい。

光重合開始剤としては、一般に市販されているもので構わないが、特に例示すると、ベンゾフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「イルガキュアー６５１」）、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「イルガキュアー１８４」）、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「ダロキュアー３８０３」、ランベルティー社製「エサキュアーＫＬ２００」）、オリゴ（２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン）（ランベルティー社製「エサキュアーＫＩＰ１５０」）、２−ヒドロキシエチル−フェニル−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「イルガキュアー２９５９」）、２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「イルガキュアー９０７」）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「イルガキュアー３６９」）、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「イルガキュアー８１９」）、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「ＣＧＩ４０３」）、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（＝ＴＭＤＰＯ）（ＢＡＳＦ社製「ルシリンＴＰＯ」、チバスペシャリティーケミカルズ（株）製「ダロキュアーＴＰＯ」）、チオキサントンまたはその誘導体などが挙げられ、これらのうち１種、あるいは２種以上混合して用いることができる。

また、光増感作用の目的により第三アミン、例えばトリエタノールアミン、エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、イソペンチルメチルアミノベンゾエートなどを添加しても良い。

熱による重合開始剤としては、主として過酸化ベンゾイル（＝ＢＰＯ）などの過酸化物、アゾビスイソブチルニトリル（＝ＡＩＢＮ）などのアゾ化合物が用いられる。

上記の光重合開始剤や熱重合開始剤の配合量は、通常、組成物（樹脂成分＋金属ナノワイヤ）１００質量部に対し、０．１〜１０質量部程度が好ましい。

また、エポキシ基、チオエポキシ基、オキセタニル基等のカチオン重合性官能基を有するモノマーあるいはオリゴマーを用いてもよい。さらに必要に応じて光カチオン開始剤等を組み合わせて用いることもできる。これらは同様に多官能であることが好ましい。

また、熱重合する樹脂については一般的にゾル−ゲル系材料が挙げられ、アルコキシシラン、アルコキシチタン等のゾル−ゲル系材料が好ましい。これらのなかでもアルコキシシランが好ましい。ゾル−ゲル系材料は、ポリシロキサン構造を形成する。アルコキシシランの具体的は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３，４−エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、３，４−エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン等のトリアルコキシシラン類、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらアルコキシシランはその部分縮合物等として用いることができる。これらのなかでもテトラアルコキシシラン類またはこれらの部分縮合物等が好ましい。特に、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランまたはこれらの部分縮合物が好ましい。

さらに、樹脂溶液のマトリクスを形成する樹脂成分として導電性高分子を用いることもできる。導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリトリフェニルアミン等を例示することができる。

また樹脂溶液のマトリクスを形成する樹脂成分としては、上記した光重合性の樹脂、熱重合性の樹脂、導電性高分子から選ばれる２種類以上のものを併用してもよい。

樹脂溶液への金属ナノワイヤ１５０の配合量は、後述のように透明導電膜を形成した際に、透明導電膜中に金属ナノワイヤ１５０が０．０１〜９０質量％含有されるように、マトリクス形成用樹脂成分に対する配合量を調整して設定するのが好ましい。金属ナノワイヤの含有量は０．１〜３０質量部がより好ましく、さらに好ましくは０．５〜１０質量％である。

ここで、樹脂溶液には、樹脂固形分、金属ナノワイヤ１５０など固形成分を溶解乃至分散するための溶剤が含有されることが必須であるが、溶剤の種類は特に限定されるものではない。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；ハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、あるいはこれらの混合物を用いることができる。これらの中でも、ケトン系の有機溶剤を用いるのが好ましく、ケトン系溶剤を用いて樹脂溶液を調製すると、透明基材の表面に容易に均一に塗布することができ、かつ、塗工後において溶剤の蒸発速度が適度で乾燥むらを起こし難いので、均一な厚さの大面積の透明導電膜を容易に得ることができるものである。また、溶剤としては上記の有機溶剤の他に、水を用いる場合もあり、有機溶剤と水を組み合わせて用いる場合もある。溶剤の量は、上記の各固形成分を均一に溶解、分散することができ、樹脂溶液を調製した後の保存時に凝集を来たさず、かつ、塗工時に希薄すぎない濃度となるように適宜調節するものである。この条件が満たされる範囲内で溶剤の使用量を少なくして高濃度の樹脂溶液を調製し、容量をとらない状態で保存し、使用時に必要分を取り出して塗工作業に適した濃度に溶剤で希釈するのが好ましい。固形分と溶剤の合計量を１００質量部とした時に、全固形分０．１〜５０質量部に対して、溶剤の量を５０〜９９．９質量部に設定するのが好ましく、さらに好ましくは、全固形分０．５〜３０重量部に対して、溶剤を７０〜９９．５質量部の割合で用いることにより、特に分散安定性に優れ、長期保存に適した樹脂溶液を得ることができる。用いる樹脂と溶剤の組み合わせについては、特に規定されるものではないが、配合する樹脂が溶解しやすい溶剤を用いるほうが好ましい。また塗工する透明基材によっては、用いる溶剤によって溶解が発生する場合もあるので、予め透明基材への溶解性を確認したうえで適切な溶剤組成を設計することが望ましい。

一方、本発明で用いる透明基材１２０において、その形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。透明基材の形状としては、例えば平板状、シート状、フィルム状などが挙げられ、また構造としては、例えば単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、適宜選択することができる。透明基材の材料についても特に制限はなく、無機材料及び有機材料のいずれであっても好適に用いることができる。透明基材を形成する無機材料としては、例えば、ガラス、石英、シリコンなどが挙げられる。また有機材料としては、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のアセテート系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアクリル系樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

また本発明において透明基材１２０としては、上記のような基材単体のものであってもよいが、基材の表面に一層ないし複数層のハードコート層が形成されたものであってもよい。このように透明基材がハードコート層を備える場合、透明導電膜はハードコート層の上に形成されるものである。

このハードコート層はモノマーを重合した樹脂で形成されていてもよく、この樹脂中に粒子等を含んでいてもよい。樹脂としては、特に限定されるものではないが、上記の透明導電膜を形成するマトリクス形成樹脂と同じものを用いることが可能であり、また粒子としては樹脂より低い屈折率あるいは高い屈折率を有するもの、樹脂より高い硬度を有するもの、耐熱性が高いものなど、種々の機能を有するものを用いることができる。

そしてこの透明基材１２０の表面に、上記の金属ナノワイヤを配合した樹脂溶液を塗布して乾燥・硬化させることによって、図８等のような透明電極部１４０を形成することができるものである。このように形成される透明電極部１４０中には金属ナノワイヤ１５０が均一に分散した状態で含有されている。樹脂溶液の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、キャスト法、ロールコート法、フローコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法などが挙げられる。また透明電極部１４０の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０１〜１００μｍ程度の範囲が好ましく、０．０５〜１０μｍの範囲がより好ましく、さらに好ましくは０．１〜３μｍの範囲である。

このように透明基材１２０の表面に透明電極部１４０を形成した後、この透明電極部１４０の表面に偏光部１３０を積層して形成する。

偏光部１３０は、樹脂溶液に、ヨウ素等からなる偏光材料を溶解乃至分散させ、この偏光材料を含有する樹脂溶液を透明電極部１４０の表面に塗布して乾燥・硬化、あるいは配向させることによって形成することができる。また市販の偏光板（あるいは偏光フィルム）を用いることが有用である。

樹脂溶液を構成するマトリクス樹脂や溶剤としては、透明電極部１４０を形成する既述の樹脂溶液と同様なものを用いることができる。

次に、本発明に使用する銀ナノワイヤについて実施例によって具体的に説明する。

（実施例１）
まず、ＩＰＳ液晶用に使われる市販の偏光フィルムを準備した。ＩＰＳ液晶用の偏光板フィルムとしては、ＴＡＣ等からなる透明基材１２０と、所定の偏光部１３０（例えば、直線偏光板や位相差板等）とのサンドイッチ構造からなる長尺のフレキシブル性を有するフィルム部材とすることが有用である。

次にこの偏光フィルム（あるいは偏光板）の上に、バインダ部１６０となる樹脂溶液に、金属ナノワイヤ１５０を分散してなる透明電極形成用のコーティング部材を用意し、塗布した。

具体的には、光硬化性アクリル樹脂（新中村化学社製「Ａ−ＤＰＨ」）１８．１質量部と、メチルエチルケトン８．１質量部およびメチルイソブチルケトン２１．８質量部を混合し、アクリル樹脂を溶解させた混合物Ａを調製した。また金属ナノワイヤとして銀ナノワイヤを用いた。この銀ナノワイヤは、公知論文「Materials Chemistry and Physics vol.３５０ p333-338 "Preparation of Ag nanorods with high yield by polyol process"」に準じて作製したものであり、平均直径１５０ｎｍ、平均長さ５μｍである。この金属ナノワイヤ１２．０質量部をメチルエチルケトン４０．０質量部に分散させた混合物Ｂを調製した。そして混合物Ａと混合物Ｂをよく混合した後、これに光重合開始剤（チバガイギー社製「イルガキュア１８４」）０．１質量部を加えてよく混合し、さらに２５℃の恒温雰囲気下で１時間撹拌混合することによって、金属ナノワイヤを含む樹脂溶液からなるコーティング材組成物を得た。

そしてこのコーティング材組成物を、ＩＰＳ液晶用の偏光フィルムの上に、ワイヤーバーコーター＃１０を用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥した後、ＵＶ積算量４００ｍＪ／ｃｍ^２でＵＶを照射することによって、膜厚０．２μｍの透明電極部１４０を形成した、これを帯域選択偏光シールド１１０とした。なおこの帯域選択偏光シールド１１０の表面に、図１に示したように、接着層１７０や保護フィルム１８０を形成することは有用である。また必要に応じて、更に高屈折率層や低屈折率層、更にはハードコート層、耐擦傷層等を設けることは有用である。なお乾燥時間を２分以上と長くすることで、乾燥温度を１００℃以下と低温化することが可能である。

以上のようにして、発明品１、２を作製した。なお発明品１とは、図９のサンプルＡ（シート抵抗１５０Ω／□）、発明品２とは、図９のサンプルＢ（シート抵抗４０Ω／□）に相当する。

また比較品１として、発明品と同様に、前述のＩＰＳ液晶用に使われる市販の偏光フィルムの上に、ＩＴＯからなる透明電極を、スパッタ装置を用いて試作した。しかし前述の図１２（Ａ）（Ｂ）等で説明したように、ＩＴＯのシート抵抗を低減するように、熱処理（例えば１５０℃１時間）しようとした所、ＴＡＣ等からなる透明基材１２０が熱変形してしまい、ＩＴＯにクラック３９０等が発生してしまい、希望するサンプルが得られなかった。

（実施の形態１１）
実施の形態１１では、実施の形態８で説明した発明者らが作製したサンプル等（発明品１、２、比較品１、比較品２）の評価結果について説明する。

［表１］の発明品１、２は共に発明者らが作製したサンプルであり、比較品１は市販のスパッタ装置を用いてＩＴＯからなる透明電極を作製したものである。

［表１］において、発明品１、２は、図９に示した発明者らが作製したサンプルＡ（ＡｇＮＷ−Ｎｏ１、シート抵抗は１５０Ω／□、発明品１）、サンプルＢ（ＡｇＮＷ−Ｎｏ２、シート抵抗は４０Ω／□、発明品２）について、ヘイズ、全光線透過率等を測定した結果である。

［表１］より、発明品１、発明品２は、図１や図９に示した帯域選択性を有するという優れたシールド効果を有していた。発明品１、発明品２は、共に液晶パネル等から発せられる周波数帯域では優れたシールド効果を有していたため、優れたＴＴＰ誤動作防止機能（ＴＴＰは透明タッチパネルの意味）を発揮することができた。また発明品１、発明品２は、共に無線ＬＡＮ等で代表される高周波域ではシールド効果（あるいは減衰率）が低減するため、優れた無線ＬＡＮ誤動作防止機能が得られた。

このように発明品１、２を用いることで、それぞれの周波数帯域において高いシールド効果や、低いシールド効果が得られるため、ＴＴＰ誤動作総合評価と、無線ＬＡＮ誤動作防止の両方を、共に○（Ｇｏｏｄ、良）と両立することができた。

以上のように、発明品１、２を用いることでＡ７サイズ〜Ａ４サイズ、更にはＢ４サイズ、新聞紙大等のタッチ機能付き表示機器においても、たとえ表示部分が高品位化（例えば、ハイビジョン化、２Ｋ化、４Ｋ化）した場合であっても、タッチパネルの誤動作が低減できる。

一方、比較品１に示すように、透明電極にＩＴＯを使った場合、偏光フィルム部分が熱処理に対応できず、シート抵抗やヘイズ、全光線透過率、電磁シールド性等を評価することができないことがある。

［表１］において、比較品２とは、偏光フィルムの上に前述の図１７に示すように、薄膜の金属メッシュを形成したものである。［表１］に示すように、金属メッシュを用いた比較品２の場合、ＴＴＰ動作安定性は○（Ｇｏｏｄ）であり、ＩＰＳパネル２１０から放射される電磁ノイズを吸収することができることが判った。しかし、金属メッシュを用いた比較品２の場合、無線ＬＡＮ通信安定性は×（遮蔽）であったが、これは、金属メッシュを用いた比較品２の場合、図１８（Ａ）（Ｂ）に示すように、１０００ＭＨｚのような高周波域においても、高い電磁界減衰率を有しているため、無線ＬＡＮの信号を大きく減衰してしまったためと考えられる。

なお、比較例１となる、ＩＴＯからなる透明導電膜を設けたＩＴＯ付変更フィルムについては、熱処理を省略したサンプルも用意した。しかしながらこうしたサンプルは、ＩＴＯ皮膜が着色（例えば、黄色やメタリック光沢）しているという課題が有った。またこうしたＩＴＯ皮膜は、カールしやすく、カール耐性に課題が残った。なおカール耐性とは、カールに対する耐性であり、各サンプルの取り扱い性等も考慮した結果である。ここで取り扱い性とは、カール耐性に加えて、サンプルの製造途中、あるいは製造後のハンドリング時の折り曲げ等の影響も加味したものである。

このように透明電極にＩＴＯを用いたもの（比較品１等）は、熱処理に課題が残ると共に、カール耐性においても、大きな課題が残った。すなわち、ＩＴＯを用いた偏光フィルムの場合、カールが発生し易かった。またカールが発生したサンプルについて、物理的なカール修正を行ったり、またカールが発生していないサンプルを繰り返し丸めたり、まっすぐ広げたりした際に、ＩＴＯ膜に微細なクラックが発生し、シート抵抗が変化する場合があった。一方、発明品１、２においてはカールが発生せず、カールが発生していないサンプルを繰り返し丸めたり、まっすぐ広げたりしても、クラック等は発生せず、シート抵抗も変化しなかった。

発明品１、２においては、ＴＴＰ動作安定性や無線ＬＡＮ通信安定性の両方において、○（Ｇｏｏｄ）という優れた評価結果が得られたが、これは発明品１、２において優れた帯域選択シールド特性を有していたためと考えられる。また発明品１、２は共に優れたカール耐性を有していた。こうした背景より、発明品１、２を用いた帯域選択偏光シールドにおいては、その優れた帯域選択シールド特性が、生産時や加工時の取り扱い状態によって影響を受けないことが判る。このように発明品１、２を用いた帯域選択偏光シールドは、表示デバイスとなるＩＰＳ液晶の表面にロールラミネータ等を用いて貼り付ける場合、あるいは各種表示機器に組み込むために部分的に折り曲げたりする場合においても、その優れたシールド特性が影響を受けないことが判る。

このように、本発明の帯域選択偏光シールドの一形態である発明品１、２の場合、表示デバイスとなる液晶やＥＬ等のディスプレイ、あるいは静電式の透明タッチパネル等の表面にロールラミネータ等を用いて貼り付ける場合、あるいは各種表示機器に組み込む際に帯域選択偏光シールドの一部を部分的に折り曲げたりした場合であっても、優れたＴＴＰ動作安定性や、優れた無線ＬＡＮ通信安定性が得られる。このように本発明の帯域選択偏光シールドを用いることで、折り曲げ可能な表示デバイスや、フレキシブルな表示機器においても、優れたＴＴＰ動作安定性や、優れた無線ＬＡＮ通信安定性が得られる。またフレキシブル性が要求されない、一般の表示デバイスや、表示機器に、本発明の帯域選択偏光シールドを用いることで優れたＴＴＰ動作安定性と、優れた無線ＬＡＮ通信安定性の両方を同時に満足することができることは言うまでもない。

また比較品１のようにＩＴＯを用いて偏光シールドを作製したとしても、表示デバイスの表面にロールラミネータ等を用いて貼り付ける場合、あるいは各種表示機器に組み込む際に部分的に折り曲げたりすると、ＩＴＯ皮膜にクラック等が発生してしまい、ＴＴＰ動作安定性や無線ＬＡＮ通信安定性が低下してしまう可能性がある。

なお発明者らの実験によると、少なくとも、サンプル形状がスマートフォンサイズ〜Ａ４サイズ程度のタブレットサイズにおいてシート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□が適切であった。そのため、より大型のパネル（例えば、畳１畳分〜２畳分）の場合は、スマートフォンやタブレット端末ほどの高性能が必要でない場合は、２Ω／□以上、４００Ω／□以下とシート抵抗域を広げても良い。

また液晶やＥＬ等の表示色調に合わせて、偏光部１３０の色調を調整することは有用である。すなわち、ＩＰＳパネル２１０（あるいはＥＬパネル）の色調が（あるいはホワイトバランス）が、赤色側にずれている場合、偏光部１３０の色調をシアン（あるいは補色、あるいは色相環で正反対に位置する色、余色、対照色、反対色と色相となる色調等）とすることで、ホワイトバランスを調整することができる。

また必要に応じて、低屈層、高屈層等を、帯域選択偏光シールド１１０に追加することで、帯域選択偏光シールド１１０の光学的特性を、更に高められることは言うまでも無い。

本発明によって、携帯端末、小型表示パッド等の表示部分の高品位化（例えば、ハイビジョン化、２Ｋ化、４Ｋ化）と共に、タッチパネル等の高性能化を両立することができる。

１１０ 帯域選択偏光シールド
１２０ 透明基材
１３０ 偏光部
１４０ 透明電極部
１５０ 金属ナノワイヤ
１６０ バインダ部
１７０ 接着層
１８０ 保護フィルム
１９０ グランド
２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄ、２００ｅ、２００ｆ 矢印
２１０ ＩＰＳパネル
２２０ ＩＰＳ透明基材
２３０ ＩＰＳ−ＩＴＯ
２４０ 指先
２５０ 容量成分
２６０ 静電式タッチパネル
２７０ ＴＴＰ透明基材
２８０ ＴＴＰ−ＩＴＯ
２９０ 矢印
３００ 発明品のシールド特性
３１０ 従来品のシールド特性
３２０ 表示機器
３３０ 筐体
３４０ 内部アンテナ部
３５０ 外部アンテナ部
３６０ 内部送受信部
３７０ 外部送受信部
３８０ａ、３８０ｂ ＩＴＯ付偏光フィルム
３９０ クラック
４００ 表示デバイス
４２０ ＴＮパネル
４３０ ＴＮ透明基材
４４０ ＴＮ−ＩＴＯ

Claims (6)

1. 少なくとも偏光部と、この偏光部の両面に形成された透明基材と、前記透明基材の前記偏光部が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤを含有する透明導電膜と、を備えた帯域選択偏光シールドであって、
   前記透明導電膜のシート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、
   最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ２）における電磁減衰率Ｓ２は、前記最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい帯域選択偏光シールド。
2. 少なくとも偏光部と、この偏光部の両面に形成された透明基材と、前記透明基材の前記偏光部が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤを含有する透明導電膜と、を備えた帯域選択偏光シールドであって、
   前記透明導電膜のシート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、
   ＫＥＣ法で測定した最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）は、２０ｄＢ以上７０ｄＢ以下の範囲内にあり、
   ＫＥＣ法で測定した前記最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）は、０．１ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の帯域内である帯域選択偏光シールド。
3. 少なくとも偏光部と、この偏光部の両面に形成された透明基材と、前記透明基材の前記偏光部が形成されていない面側に形成された金属ナノワイヤを含有する透明導電膜と、を備えた帯域選択偏光シールドであって、
   前記偏光部側から測定したヘイズ値は、前記偏光部でない側から測定したヘイズ値より小さく、
   少なくとも１ＭＨｚ以上１０００ＭＨｚ以下の周波数帯域において、２０ｄＢ以上７０ｄＢ以下の範囲内で周波数が高くなるほど減衰率が低下している帯域選択偏光シールド。
4. 少なくとも偏光部と、この偏光部の両側に形成された透明基材とを有する偏光フィルムを準備する準備工程と、
   前記偏光フィルムの一面以上に、表面の金属ナノワイヤを含有する透明導電膜を塗布形成する透明導電膜形成工程と、を有する、
   シート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ２）における電磁減衰率Ｓ２は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さいことを特徴とする帯域選択偏光シールドの製造方法。
5. ＩＰＳパネル部と、静電式タッチパネルと、帯域選択偏光シールドと、を有する表示デバイスであって、
   前記帯域選択偏光シールドのシート抵抗は５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、
   最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ２）における電磁減衰率Ｓ２は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい表示デバイス。
6. 少なくとも筐体と、筐体内部に内蔵されたアンテナ部もしくは送受信部のいずれか一つ以上と、
   前記筐体の一面以上に設けられたＩＰＳパネル部と、このＩＰＳパネル部の上に設けられた帯域選択偏光シールドと、この帯域選択偏光シールドの上に設けられた静電式タッチパネル部と、を有する表示機器であって、
   前記帯域選択偏光シールドのシート抵抗は、５Ω／□以上２００Ω／□以下であり、
   最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）を示す周波数（Ｆｓｍａｘ）の１０倍高い周波数（Ｆ２）における電磁減衰率Ｓ２は、最大電磁減衰率（Ｓｍａｘ）より１０ｄＢ以上２５ｄＢ以下の範囲で小さい表示機器。

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