JP2014240046A

JP2014240046A - 異物除去装置

Info

Publication number: JP2014240046A
Application number: JP2013123025A
Authority: JP
Inventors: 超新美; Cho Niimi
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2013-06-11
Filing date: 2013-06-11
Publication date: 2014-12-25

Abstract

【課題】半導体装置に付着している異物を除去する異物除去装置に関し、異物の吸引時に発生する気流を制御して異物を効率的に除去する構成を提供する。【解決手段】異物除去装置１０は、半導体装置１００の少なくとも一部を被覆すると共に、気体排出口２４と気体導入口２６とが形成され、且つ被覆形状が変化可能に構成された可変カバー２０を備え、吸引部７０により排出路３０を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を吸引するように構成されている。また、異物除去装置１０は、導入部４０によって、給気部８０から送られた供給気体を導入路４４にて導入し、気体導入口２６を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０に向けてノズル４２から放出するように構成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置の異物除去装置に関するものである。

半導体装置の基板上などに付着する粉塵などの異物は、半導体装置の正常な動作を妨げるため、できる限り除去する必要がある。そこで、半導体装置に圧縮空気などの気体を吹き付けることによって、基板上などに付着している異物を舞い上がらせ、舞い上がったこのような異物を吸引して除去する技術が知られている。

特許第２５６０９０４号公報

例えば、特許文献１に開示される異物除去装置は、組み立てケース１のキャビティ１１部分に半導体素子（チップ２）を収納して構成される半導体装置に付着する異物を除去する装置であって、半導体装置に接続されるアウターリード４を取り巻くように半導体装置の一方面をハウジング５で覆う構成となっている。また、ハウジング５には、中心部に吸引ノズル７が取り付けられており、この吸引ノズル７を挟んで対称となる位置にエアーブローノズル６が２つ取り付けられている。そして、エアーブローノズル６でキャビティ内に清浄なガスを吹き付けることでハウジング５内にごみを舞い上がらせて、吸引ノズル７で舞い上がったごみを吸い取るようになっている。

しかしながら、このような構成では、エアーブローノズル６によるガスの吹き付け時に、ハウジング５とキャビティ１１とによって形成される空間形状が一定の形状に保たれ、ノズルの向きも一定であるため、ハウジング５内には常に同様な流れの吸引ノズル７に向かう気流が発生することになる。そのため、上記空間内におけるエアーブローノズル６及び吸引ノズル７から離れた隅の箇所や、チップ２上に搭載される部品の影となる箇所など、空間形状に基づいて発生する特定の気流に乗り難い箇所に付着するごみは、このような箇所に残存し続ける虞がある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、半導体装置に付着している異物を除去する異物除去装置に関し、異物の吸引時に発生する気流を変化させ易く、異物を効率的に除去する構成を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１の発明は、
半導体装置（１００）の少なくとも一部を被覆すると共に、気体排出口（２４）と気体導入口（２６）とが形成され、且つ被覆形状が変化可能に構成された可変カバー（２０）と、
前記気体排出口（２４）と連通する構成で少なくとも前記可変カバー（２０）の外側に配置される排出路（３０）と、
前記排出路（３０）に接続され、前記排出路（３０）を介して前記可変カバー（２０）と前記半導体装置（１００）との間の空間（９０）の気体を吸引する吸引部（７０）と、
気体を供給する給気部（８０）と、
ノズル（４２）と、前記ノズル（４２）に連通する導入路（４４）とを備え、前記給気部（８０）から送られた供給気体を前記導入路（４４）にて導入し、前記気体導入口（２６）を介して前記可変カバー（２０）と前記半導体装置（１００）との間の前記空間（９０）に向けて前記ノズル（４２）から放出する導入部（４０）と、
を備えることを特徴とする。

請求項１の発明では、異物除去装置（１０）が、半導体装置（１００）の少なくとも一部を被覆すると共に、気体排出口（２４）と気体導入口（２６）とが形成され、且つ被覆形状が変化可能に構成された可変カバー（２０）を備える構成となっている。そして、導入部（４０）は、給気部（８０）から送られた供給気体を導入路（４４）にて導入し、気体導入口（２６）を介して可変カバー（２０）と半導体装置（１００）との間の空間（９０）に向けてノズル（４２）から放出し、吸引部（７０）は、排出路（３０）を介して空間（９０）の気体を吸引するように構成されている。このように、空間（９０）に導入部（４０）から気体を放出すると共に、排出路（３０）を介して空間（９０）の気体を吸引部（７０）により吸引することによって、気体導入口（２６）から気体排出口（２４）に向かう気流を発生させることができる。そして、このような気流によって、半導体装置（１００）に付着している異物（２００）を舞い上がらせて、空間（９０）から排出して除去することができる。
また、可変カバー（２０）の被覆形状を変化させることにより、空間（９０）の形状を変化させることができるため、空間（９０）内で発生する気流の状態を変化させることができ、これにより、特定箇所が常に気流から外れるような状態を変化させ易くなり、空間内の異物をより効率的に排出し易くなる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る異物除去装置を概略的に説明する説明図である。図２は、図１の異物除去装置の可変カバー等を概略的に例示する断面図である。図３は、図２の可変カバーを概略的に示す平面図である。図４は、図１の異物除去装置による異物除去工程を概略的に例示する断面図であり、図４（Ａ）は、ノズルの方向を第１方向に変化させた状態を示す図であり、図４（Ｂ）は、ノズルの方向を第２方向に変化させた状態を示す図である。図５は、本発明の第２実施形態に係る異物除去装置による異物除去工程を概略的に例示する断面図であり、図５（Ａ）は、第１気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間に供給する状態を示す図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す状態の後、吸引部によって排出路を介して空間の気体を吸引する状態を示す図である。図６は、本発明の第２実施形態に係る異物除去装置による異物除去工程を概略的に例示する断面図であり、図６（Ａ）は、図５（Ｂ）に示す状態の後、第２気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間に供給する動作を示す図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す状態の後、吸引部によって排出路を介して空間の気体を吸引する状態を示す図である。図７は、本発明の第３実施形態に係る異物除去装置による異物除去工程を概略的に例示する断面図であり、図７（Ａ）は、外側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間に供給する状態を示す図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す状態の後、内側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間に供給する動作を示す図である。図８は、本発明の第３実施形態に係る異物除去装置による異物除去工程を概略的に例示する断面図であり、図７（Ｂ）に示す状態の後、内側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間に供給する状態を示す図である。図９は、本発明の第４実施形態に係る異物除去装置による異物除去工程を概略的に例示する断面図である。図１０は、他の実施形態に係る異物除去装置の可変カバーを概略的に例示する平面図である。図１１は、他の実施形態に関し、図１０の例とは異なる異物除去装置の可変カバーを概略的に例示する平面図である。

[第１実施形態]
以下、本発明を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
（異物除去装置の構成）
まず、図１〜図４を参照し、異物除去装置１０について説明する。図１に示す異物除去装置１０は、半導体装置１００に付着する粉塵等の異物を気体の吹き付けによって舞い上がらせると共に、このような気体を吸引することによって除去する構成となっている。この異物除去装置１０は、図１、図２に示すように、気体排出口２４と気体導入口２６（例えば第１〜第６の気体導入口２６Ａ〜２６Ｆ）とが形成され且つ被覆形状が変化可能に構成された可変カバー２０と、気体排出口２４と連通する構成で少なくとも可変カバー２０の外側に配置される排出路３０と、排出路３０に接続され、排出路３０を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を吸引する吸引部７０と、気体を供給する給気部８０と、給気部８０からの気体を導入する導入部４０（例えば、第１〜第６の導入部４０Ａ〜４０Ｆ）とを備えている。そして、導入部４０は、ノズル４２と、ノズル４２に連通する導入路４４とを備え、給気部８０から送られた供給気体を導入路４４にて導入し、気体導入口２６を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０に向けてノズル４２から放出する構成となっている。

異物除去装置１０の異物除去対象である半導体装置１００は、例えばＩＣやＬＳＩなどの集積回路からなる半導体チップ等の電子部品を搭載した装置として構成されている。この半導体装置１００は、例えば、上面及び下面が矩形状に構成された所定厚さの板状部品として形成されている。また、半導体装置１００は、例えば、一方面（上面）側に電子部品１０２を搭載し（図１、図２参照）、他方面側がリードフレームなどに接合される構成となっている。

半導体装置１００に付着する異物２００（図２等参照）としては、例えば、Ａｌ膜などをスパッタによって作製する際に発生する金属の屑（スパッタ屑）や、半導体装置１００を接着材を用いてリードフレームに接合する際にその接着剤から生じる硬化した樹脂の屑や、作業者の着衣から生じる埃などが想定される。そして、このような異物２００は、例えば静電気などによって半導体装置１００に付着する可能性があり、本構成の異物除去装置１０では、このような異物２００を吸引し、除去することが可能となっている。以下、図１〜図４等を参照し、異物除去装置１０を構成する各部品について詳述する。

可変カバー２０は、図２に示すように、開口部２２を備えると共に開口部２２から所定方向に凹む凹状に構成され、開口部２２から離れた位置に気体排出口２４が形成されており、開口部２２から気体排出口２４に近づくにつれて開口部２２を基準とする深さが大きくなる構成となっている。具体的には、可変カバー２０は、気体排出口２４を頂点とする略四角錐形の筒形状であって、形状が変化可能に構成される天井部分２１と、天井部分２１の下端から下方側に延出する四角筒状の開口部２２と、から構成されている。また、可変カバー２０は、異物２００が堆積し難いように、天井部分２１が角のない滑らかな形状になっている。

なお、本構成では、仮想平面Ｆの方向を水平方向とし、この水平方向と直交する方向を上下方向とする。そして、上下方向において、開口部２２が設けられた側を下方側、気体排出口２４が設けられた側を上方側とする。また、図３のように平面視したときの長手方向を幅方向とし、図３のように平面視したときの短手方向を前後方向とする。開口部２２は、図２に示す可変カバー２０の下端部を構成しており、環状且つ長方形状に構成されている。そして、開口部２２の下端部全体が、図２に示す仮想平面Ｆ上に位置しており、可変カバー２０は、この仮想平面Ｆを基準として上方側に凹む構造となっている。そして、幅方向中心位置付近且つ前後方向中心位置付近が最も深い位置（上方位置）となっている。例えば、図２は、前後方向中心位置を通り且つ幅方向及び上下方向と平行な切断面を概略的に示すものであるが、この図のように、開口部側（幅方向両側）から気体排出口２４に近づくにつれて開口部２２を基準とする深さ（仮想平面Ｆを基準とする天井部分２１の高さ）が大きくなる構成となっている。また、幅方向中心位置を通り且つ前後方向及び上下方向と平行な切断面も同様であり、この場合も、開口部側（前後方向両側）から気体排出口２４に近づくにつれて開口部２２を基準とする深さ（仮想平面Ｆを基準とする天井部分２１の高さ）が大きくなる構成となっている。

また、可変カバー２０は、図２に示すように、半導体装置１００の少なくとも一部を被覆すると共に、気体排出口２４と複数の気体導入口２６（なお、それぞれの気体導入口は、２６Ａ〜２６Ｊとが形成され、且つ被覆形状が変化可能に構成されている。具体的には、図２に示すように、可変カバー２０は、半導体装置１００の一方面（電子部品１０２が搭載されている面）側から、半導体装置１００の当該一方面側及び側面を被覆するようになっている。そして、可変カバー２０が半導体装置１００を被覆することで、図２に示すように、可変カバー２０と半導体装置１００の間に空間９０が形成されることになる。

図２、図３に示すように、可変カバー２０には、天井部分２１の中心において天井部分２１を上下方向に貫通した構成で配置される気体排出口２４と、天井部分２１において気体排出口２４を囲むように配置される複数の気体導入口２６Ａ〜２６Ｊとが形成されている。気体排出口２４の左右方向一方側（幅方向一方側）には、気体導入口２６Ａ〜２６Ｃが形成されており、気体排出口２４の左右方向他方側（幅方向一方側）には、気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆが形成されている。そして、気体導入口２６Ａ〜２６Ｃは、天井部分２１の斜面を貫通した構成となっており、前後方向中心位置を通る幅方向の直線上に等間隔で並ぶように、開口部２２側から気体導入口２６Ａ、気体導入口２６Ｂ、気体導入口２６Ｃの順に形成されている。同様に、気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆは、天井部分２１の斜面を貫通した構成となっており、気体排出口２４を挟んで気体導入口２６Ａ〜２６Ｃ側（気体導入口２６Ａ〜２６Ｃが形成される斜面側）とは反対側の斜面に形成され、前後方向中心位置を通る幅方向の直線上に等間隔で並ぶように、開口部２２側から気体導入口２６Ｄ、気体導入口２６Ｅ、気体導入口２６Ｆの順に形成されている。即ち、図３に示すように、上方側から見て、気体排出口２４を中心として、気体導入口２６Ａと気体導入口２６Ｄとが左右に対称となる位置に形成され、気体導入口２６Ｂと気体導入口２６Ｅとが左右に対称となる位置に形成され、気体導入口２６Ｃと気体導入口２６Ｆとが左右に対称となる位置に形成されている。さらに、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊは、気体導入口２６Ａ〜２６Ｆが形成される斜面と異なる斜面において気体排出口２４を中心とする同心円状に形成され、気体導入口２６Ｇと気体導入口２６Ｈとが同一の斜面に形成され、気体導入口２６Ｉと気体導入口２６Ｊとが同一の斜面に形成されている。即ち、図３に示すように、上方側から見て、気体排出口２４を中心として、気体導入口２６Ｇと気体導入口２６Ｊとが対称となる位置に形成され、気体導入口２６Ｈと気体導入口２６Ｉとが対称となる位置に形成されている。
なお、本明細書では、半導体装置１００の一方面（電子部品１０２が搭載されている面）と直交する方向が上下方向となっており、半導体装置１００に対して電子部品１０２が搭載される側が上方となっている。

また、可変カバー２０は、天井部分２１がゴムなどの伸縮可能な弾性部材によって構成されているため、被覆形状が変化可能となっている。具体的には、可変カバー２０は、通常時（可変カバー２０に接触する外力が加わらず、天井部分２１が伸び縮みしていない状態の時）には、図２に示す可変カバー２０の実線部分のように、一定の形状を保っている。一方で、可変カバー２０を変形させようとする外力が加えられた場合には、その外力に基づいて天井部分２１が伸び縮みして、可変カバー２０が変形するようになっている。

例えば、異物除去装置１０を操作する者が排出路３０を上方へ引っ張る操作を行った場合には、後述するように可変カバー２０の気体排出口２４と連通する構成で排出路３０が接続されているため、天井部分２１は上方に引っ張られて伸び、通常時よりも天井部分２１を構成する四角錐形状部分の高さが高くなる（図２に示す可変カバー２０の二点鎖線部分を参照）。このように、可変カバー２０を上方へと伸びるように変化させることにより、可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０が、容積が大きくなるように変化する。なお、排出路３０を下方へ押し下げる操作を行った場合には、天井部分２１は下方に押し下げられて縮み、通常時よりも天井部分２１を構成する四角錐形状部分の高さが低くなる（図示略）。そして、可変カバー２０を下方へと縮むように変化させることにより、可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０が、容積が小さくなるように変化することになる。このように、可変カバー２０は、図２の実線で示す自然状態のときから排出路３０と開口部２２を離間させる方向に外力が加えられた場合には、少なくとも天井部分２１が伸び、図２の実線で示す自然状態のときから排出路３０と開口部２２を接近させる方向に外力が加えられた場合には、少なくとも天井部分２１が縮むように形状が変化するようになっている。そして、このような外力が解除された場合には、図２に示す自然状態に復帰するようになっている。なお、このような操作以外にも、可変カバー２０に外力を加える他の操作によって、空間９０の空間形状を所望の形に変形させることができる。

また、異物除去装置１０には、図２に示すように、排出路３０を固定する固定部２８が設けられており、排出路３０を所定の位置で固定し、可変カバー２０の変形状態を保持するように機能する。具体的には、固定部２８は、例えば２枚の板状部によって構成され、異物除去装置１０に設けられる公知のフレームと接続されて据え付けられ、排出路３０を側方から挟む位置に設けられている。そして、固定部２８は、上記通常時又は変位時の排出路３０を側方（即ち、上下方向に垂直な方向）から当接することで排出路３０を固定する。また、固定部２８は、排出路３０から離間することで、排出路３０の固定状態を解除するようになっている。なお、図２の例では、排出路３０を固定する固定部２８を図示しているが、開口部２２を固定部２８とは別の固定部（例えば固定部２８と同様の固定構造）によって固定可能とし、排出路３０と開口部２２をそれぞれ独立して図示しないフレームに固定可能且つ固定解除可能に構成すると良い。

次に、排出路３０について説明する。図１、図２に示すように、排出路３０は、気体排出口２４と連通する構成で少なくとも可変カバー２０の外側に配置されている。具体的には、排出路３０は、図２に示すように、筒状に構成され、一端が可変カバー２０に形成されている気体排出口２４と連通するように可変カバー２０と接続されている。また、排出路３０は、可変カバー２０の被覆形状が変化する前の状態において、気体排出口２４から上方に立ち上がるように構成されている（図２に示す排出路３０の実線部分を参照）。また、排出路３０の気体排出口２４と連通する上記一端は、気体排出口２４よりも下方に延出しておらず、気体排出口２４と滑らかに接続されている。また、排出路３０は、図１に示すように、他端（気体排出口２４と接続される端部とは反対側の端部）が後述する吸引部７０と接続されている。なお、排出路３０は、上述の可変カバー２０の天井部分２１と同材質の部材として当該天井部分２１と一体的に構成されていてもよく、天井部分２１と同材質又は別材質の部材として天井部分２１と別体として構成されていてもよい。

吸引部７０は、排出路３０に接続され、排出路３０を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を吸引するように構成されている。具体的には、吸引部７０は、公知の吸引装置によって構成され、気体を排気する排気ポンプなどを備えている。そして、吸引部７０は、図２に示すように、排出路３０の上記他端と接続されており、排出路３０を介して空間９０の気体を吸引して除去するように構成されている。また、上述したように、可変カバー２０は、開口部２２から気体排出口２４に近づくにつれて開口部２２を基準とする深さが大きくなる構成となっているため、吸引部７０による空間９０内の気体の吸引時に、異物２００を深い位置（天井部分２１の最上方位置）にある気体排出口２４に向けて誘導し易くなる。

給気部８０は、図２に示すように、後述する導入部（導入部４０Ａ〜４０Ｆ及び気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊに対応する導入部（図示略））に接続され、これら導入部に気体を供給するように構成されている。なお、以下では、説明の簡略化のために、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊに対応する導入部の説明は省略し、導入部４０Ａ〜４０Ｆに関連する部分のみを示して説明する。気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊに対応する導入部の構成は導入部４０Ａ〜４０Ｆと同様の構成である。

給気部８０は、公知の給気装置によって構成され、例えば圧縮機など高圧な気体（例えば空気）を発生させる手段を備えている。この給気部８０は、図２に示すように、導入路４４Ａ〜４４Ｆ等に接続され、これら導入路４４Ａ〜４４Ｆ等を介して空間９０内に気体を供給するように構成されている。

複数の導入部４０は、貫通構造の各気体導入口２６Ａ〜２６Ｆにそれぞれ対応した各導入部４０Ａ〜４０Ｆ等によって構成されている。いずれの導入部４０も、ノズル４２と、このノズル４２に連通する管状の導入路４４とを備えており、導入路４４を介して供給された気体をノズル４２から放出するように構成されている。具体的には、各気体導入口２６Ａ〜２６Ｆから空間９０に向けて気体を放出するように複数のノズル４２Ａ〜４２Ｆがそれぞれ配置されており、各ノズル４２Ａ〜４２Ｆにそれぞれ連通するように管状の導入路４４Ａ〜４４Ｆがそれぞれ配置されている。この構成では、給気部８０から送られた供給気体が各導入路４４Ａ〜４４Ｆに分流されてそれぞれを通り、分流された供給気体は、各気体導入口２６Ａ〜２６Ｆの位置に設けられたノズル４２Ａ〜４２Ｆから可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０に向けて放出されるように構成されている。

より具体的には、各ノズル４２Ａ〜４２Ｆは、図２に示すように、例えば円筒状に形成され、それぞれの一端が可変カバー２０に形成されている各気体導入口２６Ａ〜２６Ｆに緩やかに嵌まるようになっている。なお、図２の例では、各ノズル４２Ａ〜４２Ｆの一端が気体導入口２６Ａ〜２６Ｆよりも空間９０側に入り込んでおらず、空間９０内に突出しない構成となっているが、各ノズル４２Ａ〜４２Ｆの一端が空間９０内に突出した構成であってもよい。また、図２に示すように、導入路４４Ａ〜４４Ｆのそれぞれの一端はノズル４２Ａ〜４２Ｆの他端（気体放出側とは反対側の端部）と接続され、導入路４４Ａ〜４４Ｆのそれぞれの他端は給気部８０に接続されている。このように構成されているため、給気部８０から送られた供給気体をノズル４２Ａ〜４２Ｆのそれぞれの端部から放出することができる。

また、ノズル４２Ａ〜４２Ｆは、供給気体の放出方向を変化させる駆動手段を備え、後述する方向制御部６０からの制御信号に基づいて、後述する方向調整部５０Ａ〜５０Ｆによる調整を受けつつ、駆動手段によって供給気体の放出方向を変化させるように構成されている。

また、異物除去装置１０は、図１に示すように、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを変化させる複数の方向調整部５０を有している。この方向調整部５０は、ステッピングモータなど公知の駆動手段によって構成され、所定の回動軸を中心として回転駆動するように構成されている。なお、以下では、ノズル４２Ａ〜４２Ｆを変位させる方向調整部５０Ａ〜５０Ｆの構成を重点的に説明するが、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊにそれぞれ設けられたノズルの方向も、方向調整部５０Ａ〜５０Ｆと同様の構成によって調整することができる。

本構成では、図２のように、ノズル４２Ａ〜４２Ｆのそれぞれに対応して、方向調整部５０Ａ〜５０Ｆがそれぞれ設けられている。それぞれのノズル４２Ａ〜４２Ｆは、方向調整部５０Ａ〜５０Ｆのそれぞれによって駆動されるようになっており、図２の例では、ノズル４２Ａ〜４２Ｆが前後方向の中心軸を中心として回動可能とされている。このように構成されているため、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを所定の平面内（例えば、図２に示す断面内）において変化させることが可能となっており、上下方向に対するノズル４２Ａ〜４２Ｆのそれぞれの角度（供給気体の放出角度）を、調整できるようになっている。

このように、方向調整部５０Ａ〜５０Ｆによってノズル４２Ａ〜４２Ｆの向き（即ち、空間９０内における供給気体の放出方向）を変えることで、供給気体が特定の場所のみに集中しにくくなる。これにより、空間９０において異物２００が堆積し易い箇所や、一定の気流だけでは舞い上がらせることが難しい箇所に供給気体を効率良く吹き付け易くなり、付着している異物２００をより万遍なく舞い上がらせて気体と共に放出しやすくなる。また、導入部４０Ａ〜４０Ｆのノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを変化させ、空間９０内において供給気体の放出方向を変化させることにより、空間９０内にて気流を様々に変化させることができるため、異物２００を気体排出口２４へと誘導し易い気流が発生しやすくなる。

本構成では、図１に示す方向制御部６０により、方向調整部５０Ａ〜５０Ｆの状態が制御可能となっており、これによりノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを制御可能とされている。この方向制御部６０は、例えば公知のコンピュータ（具体的には、ＣＰＵ等を含んだ制御回路）などによって構成されており、それぞれのノズル４２Ａ〜４２Ｆを駆動する各方向調整部５０Ａ〜５０Ｆに対し、個別に制御信号を送信可能とされている。例えば、方向調整部５０Ａ〜５０Ｆがステッピングモータなどの回転アクチュエータによって構成されている場合、方向制御部６０から各方向調整部５０Ａ〜５０Ｆに対して個別に回転角度の指令値を与えることで、各方向調整部５０Ａ〜５０Ｆの駆動軸のそれぞれの回転角度（即ち、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの角度）を、方向制御部６０によって指定された角度に設定できるようになっている。

方向制御部６０によるノズル方向の制御方法は様々に考えられるが、例えば、少なくともいずれかのノズルの方向を、少なくとも可変カバー２０の開口部２２側に向く第１方向（即ち、平面視したときの可変カバー２０の周縁部側に向く方向）と、第１方向のときよりも開口部２２の開口領域（開口部２２によって囲まれる四角柱状の領域）の中心側に向く第２方向（即ち、平面視したときの可変カバー２０の中心側に向く方向）とに変化させることができる。例えば、図４の例では、幅方向に並ぶ複数のノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向を、少なくとも可変カバー２０の開口部２２側に向く第１方向と、第１方向のときよりも開口部２２の開口領域（開口部２２によって囲まれる四角柱状の領域）の中心側に向く第２方向とに変化させるように構成されている。具体的には、図４（Ａ）に示すノズル４２Ａ〜４２Ｆの気体の放出方向が、開口部２２側（気体排出口２４から遠ざかる方向）に向く第１方向であり、図４（Ｂ）に示すノズル４２Ａ〜４２Ｆの気体の放出方向が、第１方向のときよりも開口部２２の開口領域の中心側（気体排出口２４が設けられる側）に向く第２方向であり、少なくともこれら２つの方向にノズル４２Ａ〜４２Ｆの一端の向きが変わるように構成されている。なお、図４の例では、例えば所定時間帯において同時期に、図４（Ａ）のようにノズル４２Ａ〜４２Ｆの気体の放出方向が、開口部２２側（気体排出口２４から遠ざかる方向）に向く第１方向となり、その時間帯とは異なる時間帯において同時期に、図４（Ｂ）のように、４２Ａ〜４２Ｆの気体の放出方向が、第１方向のときよりも開口部２２の開口領域の中心側（気体排出口２４が設けられる側）に向く第２方向となるように制御がなされている。

（異物除去方法）
次に、図１〜図４を参照し、異物除去装置１０を用いて半導体装置１００に付着した異物を除去する方法について説明する。
まず、図１に示すように、半導体装置１００を異物除去装置１０に組み付ける。具体的には、可変カバー２０を半導体装置１００の一方面（電子部品１０２が搭載されている面）側から被せ、図１、図２に示すように、半導体装置１００の当該一方面及び側面を被覆する。このように半導体装置１００を可変カバー２０によって被覆することで、図１、図２に示すように、可変カバー２０と半導体装置１００とによって囲まれる空間９０が形成されることになる。この時、可変カバー２０の天井部分２１には外力による引っ張りや圧縮が生じておらず、天井部分２１が伸び縮みしていない状態となっている。そして、可変カバー２０は、図２の実線部分のように、一定の形状（気体排出口２４を頂点とする略四角錐形の筒形状）を保っている。また、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きが制御されていない状態では、図２に示すノズル４２Ａ〜４２Ｆの実線部分のように、ノズル４２Ａ〜４２Ｆからの供給気体の放出方向も一定に保たれている。

次に、可変カバー２０の被覆形状を設定する。本構成では、可変カバー２０を所望の形状に変更できるようになっており、例えば、図２の実線部分のような形状に設定してもよく、図２の二点鎖線部分のような形状に設定してもよい。このように、可変カバー２０を上方へと伸びるように変化させることにより、空間９０の容積が大きくなると共に空間９０の形状も変化し、空間９０内で発生する気流の状態が通常時（図２に示す実線形状の時）とは異なりやすくなる。また、排出路３０を下方へ押し下げる操作を行うように変化させてもよい。この場合、天井部分２１は下方に押し下げられて縮み、通常時よりも天井部分２１を構成する四角錐形状部分の高さが低くなるように変化する（図示略）。このように可変カバー２０を下方へと縮むように変化させることにより、空間９０の容積が小さくなるように変化し、空間９０内で発生する気流の状態は、通常時や拡大時とは異なりやすくなる。

なお、天井部分２１の引っ張りや圧縮は、手作業によって行ってもよく、アクチュエータによって行ってもよい。例えば、開口部２２を図示しないフレーム等に固定して位置決めした状態で、排出路３０を手作業によって上下に移動させ（即ち、開口部２２に対する排出路３０の相対位置を変化させ）、排出路３０を所望の位置にて固定部２８により固定するようにしてもよい。或いは、開口部２２を図示しないフレーム等に固定して位置決めした状態で、排出路３０を保持する固定部２８をアクチュエータ（固定部２８を上下に移動可能なリニアアクチュエータ等）によって上下に移動可能とし、コンピュータ等によってアクチュエータを制御することで、固定部２８の位置を上下方向の所望の位置に設定できるようにしてもよい。なお、このような被覆形状の調整は、半導体装置１００からの異物除去時（供給気体の供給時及び吸引時）に制御によって行うようにしてもよく、半導体装置１００から異物を除去する工程を行う前に、調整作業を終えておいてもよい。

このように、可変カバー２０の被覆形状を変化させることによって、例えばある気流状態のときに、その気流によって舞い上がり難い箇所に付着している異物２００や、排出路３０に向かう気流に乗り難い異物２００が存在しても、その気流とは異なる気流に変化させることによって、排出路３０へと誘導し易くする気流を新たに作りだすことができる。そして、可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０内の特定の箇所に除去しきれない異物２００が滞留し続けることを防ぎ、このような異物２００が半導体装置１００に付着することで半導体装置１００の正常な動作を阻害することを抑制できる。

そして、ノズル４２Ａ〜４２Ｆからの供給気体の供給時、又はその供給後に、吸引部７０による吸引を行い、可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を、排出路３０を介して吸引する。このように吸引部７０が動作することで、空間９０内の気体は、気体排出口２４及び排出路３０を通って吸引部７０へと排気され、空間９０内には気体排出口２４に向かう気流（図２に示す矢印Ａ１を参照）が発生することになる。また、吸引部７０による吸引時には、給気部８０から導入部４０Ａ〜４０Ｆを介して空間９０に気体が放出され続ける（図２において矢印Ａ２〜Ａ４で示す気流を参照）。具体的には、給気部８０が供給気体を導入路４４Ａ〜４４Ｆに導入することで、導入路４４Ａ〜４４Ｆに連通するノズル４２Ａ〜４２Ｆに供給気体が送られ、気体導入口２６Ａ〜２６Ｆを介してノズル４２Ａ〜４２Ｆから空間９０に向けて供給気体を放出することになる。そして、導入部４０Ａ〜４０Ｆによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっているため、空間９０内には気体導入口２６Ａ〜２６Ｆから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図２に示す矢印Ａ５の例を参照）。この気流（例えば、図２の矢印Ａ５の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。

方向制御部６０によるノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向の制御は、予め決められた時期に行うようにしてもよく、第１方向と第２方向の切り替えを継続的に繰り返し行うようにしてもよい。いずれの場合でも、図４（Ａ）で示すノズル４２Ａ〜４２Ｆのように、供給気体の放出方向を上記第１方向に変化させた場合、図４（Ａ）で示す気流（Ａ６〜Ａ１１の気流を参照）のように、空間９０内に発生させる気流を変化させることができる。また、図４（Ｂ）で示すノズル４２Ａ〜４２Ｆのように、供給気体の放出方向を上記第２方向に変化させた場合、図４（Ｂ）で示す気流（Ａ１２〜Ａ１７の気流を参照）のように、空間９０内に発生させる気流を変化させることができる。このように、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向を、第１方向と第２方向とに変化させることで、可変カバー２０の開口部２２側と開口部２２の開口領域の中心側とで強い気流を発生させることができ、空間９０内の広い範囲で排出路３０へと向かう強い気流を発生させることができる。また、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向を、可変カバー２０の開口部２２側に向けて供給気体を放出することで、異物２００を気体排出口２４又は気体排出口２４から近距離となる位置に誘導させる一方で、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向を、第１方向のときよりも開口部２２の開口領域の中心側に向く第２方向とに変化させて供給気体を放出することで、このような異物２００を気体排出口２４に誘導させることができ、異物２００を気体排出口２４へと追い込んで効率良く排出させることができる。

なお、上記異物除去方法では、吸引部７０が排出路３０を介して空間９０内の気体の吸引を開始した後に、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する構成としたが、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体の放出を開始した後に、吸引部７０が排出路３０を介して空間９０内の気体の吸引を開始する構成としてもよく、これらの動作を同時期に開始する構成としてもよい。

［第２実施形態］
次に、図５、図６を参照し、第２実施形態について説明する。第２実施形態の異物除去装置１０は、ノズルからの気体の放出タイミングのみが第１実施形態と異なり、それ以外は第１実施形態と同一である。一方、この点以外は第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

本構成では、ノズルからの気体の放出タイミング以外の第１実施形態の特徴を全て含んでいる。一方、本構成では、可変カバー２０の幅方向一方側に配置された第１気体導入口（気体導入口２６Ａ〜２６Ｃ）に連通するノズル４２Ａ〜４２Ｃ及び導入路４４Ａ〜４４Ｃによって供給気体を空間９０に供給する制御と、可変カバー２０の幅方向他方側に配置された第２気体導入口（気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆ）に連通するノズル４２Ｄ〜４２Ｆ及び導入路４４Ｄ〜４４Ｆによって供給気体を空間９０に供給する制御とを切り替えて行う点が第１実施形態の異物除去装置１０と異なっている。

（異物除去装置の構成）
第２実施形態の異物除去装置１０は、第１実施形態の異物除去装置１０と同様の構成である。従って、第２実施形態の異物除去装置１０は、第１実施形態と同様の効果を奏することになる。さらに、第２実施形態の異物除去装置１０では、可変カバー２０に、気体導入口が複数設けられており、それら複数の気体導入口は、気体排出口を挟んで両側に配置される第１気体導入口及び第２気体導入口を少なくとも含む構成となっている。なお、ここでは、気体導入口２６Ａ〜２６Ｃが第１気体導入口に相当し、気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆが第２気体導入口に相当する。また、異物除去装置１０は、第１実施形態でも述べたように、例えばコンピュータ制御を行う公知の制御装置を備えており、当該制御装置によって各導入部の供給気体の放出タイミングを制御して、設定した導入部の順番で空間９０に供給気体を放出するように構成されている。例えば、導入部４０Ａ〜４０Ｆのそれぞれに気体の流量を調整可能な調整部（例えば電磁弁等）が設けられており、上記制御装置は、これらの調整部を制御することで、各導入部４０Ａ〜４０Ｆからの気体供給量（即ち、各ノズル４２Ａ〜４２Ｆからの放出量）を調整するようになっている。

（異物除去方法）
次に、図５、図６を参照し、異物除去装置１０を用いて半導体装置１００に付着した異物を除去する方法について説明する。なお、以下では、説明の簡略化のために導入部４０Ａ〜４０Ｆ以外の導入部の説明は省略する。なお、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊ及びこれに対応する導入部は省略してもよく、導入部４０Ａ〜４０Ｆ等と同様の制御を行ってもよい。

まず、第１実施形態と同様に、半導体装置１００を異物除去装置１０に組み付ける（図５（Ａ）などを参照）。次に、可変カバー２０の被覆形状を変化させる調整を行い、空間９０の空間形状を所望の形状に変化させる。このように、空間９０の形状を変化させることによって、空間９０に発生する気流を変化させることができ、異物２００を気体排出口２４へと誘導し易い所望の気流を設定することができる。なお、このような空間形状の変更は、工程中（異物除去処理中）に行うようにしてもよい。

異物除去処理中は、第１実施形態と同様、吸引部７０によって、排出路３０を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を吸引する（図５（Ａ）を参照）。これによって、空間９０内の気体は、気体排出口２４と排出路３０とを通って吸引部７０へと排気され、空間９０内には気体排出口２４に向かう気流（図５（Ａ）に示す矢印Ｂ１を参照）が発生することになる。

一方、所定の第１時期に、給気部８０から導入部４０Ａ〜４０Ｃに気体を供給し、導入部４０Ａ〜４０Ｃから空間９０にこの供給された気体を放出する（図５（Ａ）で矢印Ｂ２〜Ｂ４で示す気流を参照）。具体的には、給気部８０が供給気体を導入路４４Ａ〜４４Ｃに導入することで、導入路４４Ａ〜４４Ｃに連通するノズル４２Ａ〜４２Ｃに供給気体が送られ、気体導入口２６Ａ〜２６Ｃを介してノズル４２Ａ〜４２Ｃから空間９０に向けて供給気体を放出することになる。この時、ノズル４２Ｄ〜４２Ｆからの気体の供給は停止させる。導入部４０Ａ〜４０Ｃによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっている。これによって、空間９０内には気体導入口２６Ａ〜２６Ｃから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図５（Ａ）に示す矢印Ａ５〜Ａ７を参照）。この気流（例えば、図５（Ａ）の矢印Ａ５〜Ａ７の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００（主に空間９０の第１気体導入口側に存在する異物２００）は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。次に、図５（Ｂ）に示すように、導入部４０Ａ〜４０Ｃから空間９０への供給気体の放出を停止させる。この時、吸引部７０によって、排出路３０を介して行う空間９０内の気体の吸引を継続させる。

そして、上記第１時期（ノズル４２Ａ〜４２Ｃから気体を供給する時期）とは異なる第２時期に、給気部８０から導入部４０Ｄ〜４０Ｆに気体を供給し、導入部４０Ｄ〜４０Ｆから空間９０にこの供給された気体を放出する（図６（Ａ）で矢印Ａ８〜Ａ１０で示す気流を参照）。具体的には、給気部８０が供給気体を導入路４４Ｄ〜４４Ｆに導入することで、導入路４４Ｄ〜４４Ｆに連通するノズル４２Ｄ〜４２Ｆに供給気体が送られ、気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆを介してノズル４２Ｄ〜４２Ｆから空間９０に向けて供給気体を放出することになる。この時、ノズル４２Ａ〜４２Ｃからの気体の供給は停止させる。導入部４０Ｄ〜４０Ｆによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっている。これによって、空間９０内には気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図６（Ａ）に示す矢印Ｂ１１〜Ｂ１３を参照）。この気流（例えば、図６（Ａ）の矢印Ｂ１１〜Ｂ１３の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００（主に空間９０の第２気体導入口側に存在する異物２００）は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。次に、図６（Ｂ）に示すように、導入部４０Ｄ〜４０Ｆから空間９０への供給気体の放出を停止させる。この時、吸引部７０によって、排出路３０を介して行う空間９０内の気体の吸引を継続させる。このように、第１気体導入口から供給気体を空間９０に供給する制御と、第２気体導入口から供給気体を空間９０に供給する制御とを切り替えて行う工程を、１回又は複数回行うようになっている。

このように、気体排出口２４を挟んだ両側に配置される第１気体導入口（気体導入口２６Ａ〜２６Ｃ）及び第２気体導入口（気体導入口２６Ｄ〜２６Ｆ）から交互に供給気体を空間９０に供給することによって、それぞれの供給気体が干渉することによって発生する虞のある乱流を抑制でき、異物２００を気体排出口２４へと誘導させ易い気流を作りだすことができる。

なお、上記異物除去工程において、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊを介する供給気体の放出を伴う構成としてもよい。例えば、導入部４０Ａ〜４０Ｃから空間９０に供給気体を放出する際に（図５（Ａ）参照）、気体導入口２６Ｈ，２６Ｊを介した供給気体の放出を行い、導入部４０Ｄ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に（図６（Ａ）参照）、気体導入口２６Ｇ，２６Ｉを介した供給気体の放出を行うようにすることができる。

また、上記異物除去工程において、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に、第１実施形態と同様、方向制御部６０の制御によって、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの供給気体の放出方向を変化させてもよい。例えば、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向を、少なくとも上記第１方向と上記第２方向とに変化させる構成としてもよい。

［第３実施形態］
次に、図７、図８を参照し、第３実施形態について説明する。第３実施形態の異物除去装置１０は、ノズルからの気体の放出タイミングのみが第１実施形態と異なり、それ以外は第１実施形態と同一である。一方、この点以外は第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

本構成では、ノズルからの気体の放出タイミング以外の第１実施形態の特徴を全て含んでいる。一方、本構成では、後述する外側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間９０に供給する制御と、後述する内側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間９０に供給する制御とを切り替えて行う点が第１実施形態の異物除去装置１０と異なっている。

（異物除去装置の構成）
第３実施形態の異物除去装置１０は、第１実施形態の異物除去装置１０と同様の構成である。従って、第３実施形態の異物除去装置１０は、第１実施形態と同様の効果を奏することになる。さらに、第３実施形態の異物除去装置１０では、可変カバー２０に、気体導入口が複数設けられており、それら複数の気体導入口は、気体排出口からの距離が所定の遠距離となる外側気体導入口と、気体排出口からの距離が外側気体導入口よりも近い内側気体導入口とを少なくとも含む構成となっている。ここでは、例えば気体導入口２６Ａ〜２６Ｆの中で、気体導入口２６Ａ，２６Ｄが外側気体導入口に相当し、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆが外側気体導入口に相当する。また、異物除去装置１０は、第１、第２実施形態でも述べたように、例えばコンピュータ制御を行う公知の制御装置を備えており、第２実施形態と同様の構成、方法で、当該制御装置によって各導入部の供給気体の放出タイミングを制御して、設定した導入部の順番で空間９０に供給気体を放出するように構成されている。

（異物除去方法）
次に、図７、図８を参照し、異物除去装置１０を用いて半導体装置１００に付着した異物を除去する方法について説明する。なお、以下では、説明の簡略化のために導入部４００〜４０Ｆ以外の導入部の説明は省略する。気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊ及びこれに対応する導入部は省略してもよく、導入部４０Ａ〜４０Ｆ等と同様の制御を行ってもよい。

まず、第１実施形態と同様に、半導体装置１００を異物除去装置１０に組み付ける（図７（Ａ）などを参照）。次に、可変カバー２０の被覆形状を変化させる調整を行い、空間９０の空間形状を所望の形状に変化させる。このように、空間９０の形状を変化させることによって、空間９０に発生する気流を変化させることができ、異物２００を気体排出口２４へと誘導し易い所望の気流を設定することができる。なお、このような空間形状の変更は、工程中（異物除去処理中）に行うようにしてもよい。

次に、吸引部７０によって、排出路３０を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を吸引する（図７（Ａ）を参照）。これによって、空間９０内の気体は、気体排出口２４と排出路３０とを通って吸引部７０へと排気され、空間９０内には気体排出口２４に向かう気流（図７（Ａ）に示す矢印Ｃ１を参照）が発生することになる。

一方、導入部４０Ａ〜４０Ｆからの気体の供給時には、外側気体導入口からの供給気体の放出と、内側気体導入口からの供給気体の放出とを切り替える制御を行う。例えば、外側気体導入口からの供給気体の放出を行った後、内側気体導入口からの供給気体の放出を行う。例えば、気体導入口２６Ａ〜２６Ｆの中では気体導入口２６Ａ，２６Ｄが外側気体導入口に相当し、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆが内側気体導入口に相当するため、気体導入口２６Ａ，２６Ｄからの供給気体の放出を行った後、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆからの供給気体の放出を行う。なお、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆからの供給気体の放出を行う際には、これら導入口からの気体放出を同時期に行うようにしてもよく、図７（Ｂ）、図８のように、気体導入口２６Ｂ，２６Ｅからの供給気体の放出を行った後、気体導入口２６Ｃ，２６Ｆからの供給気体の放出を行うようにしてもよい。

例えば、まず、図７（Ａ）のように、給気部８０から導入部４０Ａ，４０Ｄに気体を供給し、導入部４０Ａ，４０Ｄから空間９０にこの供給された気体を放出する（図７（Ａ）で矢印Ｃ２，Ｃ３で示す気流を参照）。具体的には、給気部８０が供給気体を導入路４４Ａ，４４Ｄに導入することで、導入路４４Ａ，４４Ｄに連通するノズル４２Ａ，４２Ｄに供給気体が送られ、気体導入口２６Ａ，２６Ｄを介してノズル４２Ａ，４２Ｄから空間９０に向けて供給気体を放出することになる。なお、導入部４０Ａ，４０Ｄによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっている。これによって、空間９０内には気体導入口２６Ａ，２６Ｄから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図７（Ａ）に示す矢印Ｃ４，Ｃ５を参照）。この気流（例えば、図７（Ａ）の矢印Ｃ４，Ｃ５の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００（主に空間９０の開口部２２側に存在する異物２００）は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。

次に、給気部８０から導入部４０Ｂ，４０Ｅに気体を供給し、導入部４０Ｂ，４０Ｅから空間９０にこの供給された気体を放出する（図７（Ｂ）で矢印Ｃ６，Ｃ７で示す気流を参照）。具体的には、給気部８０が供給気体を導入路４４Ｂ，４４Ｅに導入することで、導入路４４Ｂ，４４Ｅに連通するノズル４２Ｂ，４２Ｅに供給気体が送られ、気体導入口２６Ｂ，２６Ｅを介してノズル４２Ｂ，４２Ｅから空間９０に向けて供給気体を放出することになる。なお、導入部４０Ｂ，４０Ｅによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっている。これによって、空間９０内には気体導入口２６Ｂ，２６Ｅから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図７（Ｂ）に示す矢印Ｃ６，Ｃ７を参照）。この気流（例えば、図７（Ｂ）の矢印Ｃ６，Ｃ７の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００（主に空間９０の開口部２２と気体排出口２４との真ん中の位置付近に存在する異物２００）は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。

次に、給気部８０から導入部４０Ｃ，４０Ｆに気体を供給し、導入部４０Ｃ，４０Ｆから空間９０にこの供給された気体を放出する（図８で矢印Ｃ１０，Ｃ１１で示す気流を参照）。具体的には、給気部８０が供給気体を導入路４４Ｃ，４４Ｆに導入することで、導入路４４Ｃ，４４Ｆに連通するノズル４２Ｃ，４２Ｆに供給気体が送られ、気体導入口２６Ｃ，２６Ｆを介してノズル４２Ｃ，４２Ｆから空間９０に向けて供給気体を放出することになる。なお、導入部４０Ｃ，４０Ｆによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっている。これによって、空間９０内には気体導入口２６Ｃ，２６Ｆから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図８に示す矢印Ｃ１２，Ｃ１３を参照）。この気流（例えば、図８の矢印Ｃ１２，Ｃ１３の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００（主に空間９０の気体排出口２４側に存在する異物２００）は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。このように、外側気体導入口からの供給気体の放出と、内側気体導入口からの供給気体の放出とを切り替える制御を行う工程を、１回又は複数回行うようになっている。

このように、導入部４０Ａ〜４０Ｆが、外側気体導入口からの気体の供給と、内側気体導入口からの気体の供給とを切り替えて行う構成によって、気体排出口２４からの距離が遠距離となる位置と、気体排出口２４からの距離が気体排出口２４よりも近い位置とからそれぞれ強い気流を発生させることができ、空間９０内の広い範囲で排出路３０へと向かう強い気流を発生させることができる。また、外側気体導入口と内側気体導入口とで供給気体の供給源を切り替える構成とすることで、異物２００を気体排出口２４へと追い込んで効率良く排出させ易くなる。即ち、気体排出口２４からの距離が遠距離となる位置から発生させる気流によって、異物２００を気体排出口２４又は気体排出口２４から近距離となる位置に誘導させる一方で、気体排出口２４からの距離が気体排出口２４よりも近い位置から発生させる気流によって、このような異物２００を気体排出口２４に誘導させることができる。

なお、上記異物除去工程において、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊを介する供給気体の放出を伴う構成としてもよい。例えば、導入部４０Ｃ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に（図８参照）、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊを介した供給気体の放出を行うようにすることができる。

また、上記異物除去工程において、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に、方向制御部６０の制御によって、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの供給気体の放出方向を変化させてもよい。例えば、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの方向を、少なくとも上記第１方向と上記第２方向とに変化させる構成としてもよい。

［第４実施形態］
次に、図９を参照し、第４実施形態について説明する。第４実施形態の異物除去装置１０は、導入部４０Ａ〜４０Ｆが、外側気体導入口を介して空間に供給気体を供給する際の供給量を、内側気体導入口を介して空間に供給気体を供給する際の供給量よりも大きくする点が第１実施形態の異物除去装置１０と異なっている。一方、これらの点以外は第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

（異物除去装置の構成）
第４実施形態の異物除去装置１０は、第１実施形態の異物除去装置１０と同様の構成である。従って、第４実施形態の異物除去装置１０は、第１実施形態と同様の効果を奏することになる。さらに、第４実施形態の異物除去装置１０では、可変カバー２０に、気体導入口が複数設けられており、それら複数の気体導入口は、気体排出口からの距離が所定の遠距離となる外側気体導入口と、気体排出口からの距離が外側気体導入口よりも近い内側気体導入口とを少なくとも含む構成となっている。ここで、気体導入口２６Ａ〜２６Ｆの中では気体導入口２６Ａ，２６Ｄが外側気体導入口に相当し、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆが外側気体導入口に相当する。また、異物除去装置１０は、第１〜第３実施形態でも述べたように、例えばコンピュータ制御を行う公知の制御装置を備えており、第２、第３実施形態と同様の方法、構成により、当該制御装置によって各導入部による供給気体の空間９０への供給量を制御するように構成されている。

（異物除去方法）
次に、図９を参照し、異物除去装置１０を用いて半導体装置１００に付着した異物を除去する方法について説明する。なお、以下では、説明の簡略化のために導入部４０Ａ〜４０Ｆ以外の導入部の説明は省略する。気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊ及びこれに対応する導入部は省略してもよく、導入部４０Ａ〜４０Ｆ等と同様の制御を行ってもよい。

まず、第１実施形態と同様に、半導体装置１００を異物除去装置１０に組み付ける（図９を参照）。次に、可変カバー２０の被覆形状を変化させる調整を行い、空間９０の空間形状を所望の形状に変化させる。このように、空間９０の形状を変化させることによって、空間９０に発生する気流を変化させることができ、異物２００を気体排出口２４へと誘導し易い所望の気流を設定することができる。なお、このような空間形状の変更は、工程中（異物除去処理中）に行うようにしてもよい。

次に、吸引部７０によって、排出路３０を介して可変カバー２０と半導体装置１００との間の空間９０の気体を吸引する（図９を参照）。これによって、空間９０内の気体は、気体排出口２４と排出路３０とを通って吸引部７０へと排気され、空間９０内には気体排出口２４に向かう気流（図９に示す矢印Ｄ１を参照）が発生することになる。

そして、第１実施形態と同様に、給気部８０から導入部４０Ａ〜４０Ｆに気体を供給し、導入部４０Ａ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する（図９において矢印Ａ２〜Ａ７で示す気流を参照）。ここで、外側気体導入口を介して空間に供給気体を供給する際の供給量が、内側気体導入口を介して空間に供給気体を供給する際の供給量よりも大きくなっている。具体的には、気体導入口２６Ａ〜２６Ｆの中では気体導入口２６Ａ，２６Ｄが外側気体導入口に相当し、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆが内側気体導入口に相当するため、気体導入口２６Ａ，２６Ｄからの供給気体の供給量（図９の矢印Ｄ２，Ｄ５で表す）が気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆからの供給気体の供給量（図９の矢印Ｄ３，Ｄ４，Ｄ６，Ｄ７で表す）よりも大きくなっている。また、気体導入口２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｅ，２６Ｆからの供給気体の放出を行う際には、これらの供給量をほぼ同一としてもよく、図９のように、気体導入口２６Ｂ，２６Ｅからの供給気体の供給量（図９の矢印Ｄ３，Ｄ６で表す）が気体導入口２６Ｃ，２６Ｆからの供給気体の供給量（図９の矢印Ｄ４，Ｄ７で表す）よりも大きくなっていてもよい。なお、図９では、供給量の大きさを気流の矢印の長さで表している。ここでは、導入部４０Ａ〜４０Ｆによる供給気体の放出時には、排出路３０を介した吸引部７０による空間９０内の気体の吸引を継続して行う構成となっている。これによって、空間９０内には気体導入口２６Ａ〜２６Ｆから気体排出口２４に向かう気流が発生することになる（図９に示す矢印Ｄ８，Ｄ９を参照）。この気流（例えば、図９の矢印Ｄ８，Ｄ９の気流）によって、空間９０内において半導体装置１００又は可変カバー２０に付着している異物２００は、舞い上がって気体排出口２４へと誘導され、排出路３０を介して吸引部７０に吸引されて除去されることになる。

このように、外側気体導入口を介して空間９０に供給気体を供給する際の供給量を、内側気体導入口を介して空間９０に供給気体を供給する際の供給量よりも大きくする構成とすることで、気体排出口２４からの距離が大きく強い気流を生じさせ難い位置ほど気体の供給量を大きくすることで、気体排出口２４からの吸引力が相対的に弱い位置では、吹き付ける力によって気流を補うことができ、空間９０内の広い範囲で排出路３０へと向かう強い気流を発生させることができる。

また、第２実施形態と同様に、導入部４０Ａ〜４０Ｆが、第１気体導入口（気体導入口２６Ａ〜２６Ｃ）に連通するノズル４２Ａ〜４２Ｃ及び導入路４４Ａ〜４４Ｃによって供給気体を空間９０に供給する制御と、第２気体導入口（気体導入口２６Ａ〜２６Ｃ）に連通するノズル４２Ｄ〜４２Ｆ及び導入路４４Ｄ〜４４Ｆによって供給気体を空間９０に供給する制御とを切り替えて行う構成としてもよい。このような構成によって、第２実施形態と同様の効果を奏することができる。

また、第３実施形態と同様に、導入部４０Ａ〜４０Ｆが、外側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間９０に供給する制御と、内側気体導入口に連通するノズル及び導入路によって供給気体を空間９０に供給する制御とを切り替えて行う構成としてもよい。このような構成によって、第３実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、上記異物除去工程において、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊを介する供給気体の放出を伴う構成としてもよい。例えば、導入部４０Ｃ〜４０Ｆから空間９０に供給気体を放出する際に（図９参照）、気体導入口２６Ｇ〜２６Ｊを介した供給気体の放出を行うようにすることができる。

［他の実施形態]
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

上記第１〜第４実施形態では、図３に示すように、可変カバー２０において気体排出口２４を囲むように、天井部分２１に気体導入口２６Ａ〜２６Ｊが形成される構成を示したが、図１０のように、気体導入口２６Ａ〜２６Ｊよりも径の大きな６つの気体導入口２２６Ａ〜２２６Ｆが形成される構成や、図１１のように、可変カバー２０において気体排出口２４を囲むように、気体導入口２６Ａ〜２６Ｊよりも径の小さな多数の気体導入口が、天井部分２１の全体に形成される構成であってもよい。即ち、可変カバー２０に形成される気体導入口及び気体排出口の個数、配列の仕方、径サイズは、任意に設定することができる。

また、上記第１〜第４実施形態では、可変カバー２０において、天井部分２１がゴムなどの伸縮可能な弾性部材によって構成され、被覆形状が変化可能となる構成を示したが、被覆形状が変化可能となる構成であればその他の構造を有するものであってもよい。例えば、天井部分２１が複数の板部材によって構成される折り畳み構造になっており、折畳部分が伸縮することによって可変カバー２０の被覆形状が変化する構成であってもよい。或いは、天井部分２１が傘と類似した構造となっていてもよい。例えば変形可能及び各変形状態で形状保持可能な複数なフレームと、樹脂等の変形可能なシート等によって天井部分が傘状に構成されており、傘が最大に開いた状態や傘が若干閉じた状態のようにシート下方の空間形状が変更可能とされていてもよい。

また、上記第１〜第４実施形態では、可変カバー２０において、天井部分２１が気体排出口２４を頂点とする略四角錐形の筒形状である構成を示したが、開口部２２から所定方向に凹む凹状に構成され、開口部２２から気体排出口２４に近づくにつれて開口部２２を基準とする深さが大きくなる構成で有ればその他の構成であってもよい。例えば、天井部分２１が、球面に気体排出口及び気体導入口が形成される半球状となる構成であってもよい。

また、上記第１〜第４実施形態では、可変カバー２０が、半導体装置１００の一方面（電子部品１０２が搭載されている面）及び側面を被覆する構成を示したが（図２参照）、可変カバー２０の開口部２２のサイズが変化可能となる構成であってもよい。即ち、可変カバー２０の天井部分２１及び開口部２２のサイズが変化することで、様々なサイズの半導体装置に対応することができる。

また、上記第１〜第４実施形態では、可変カバー２０が上方から半導体装置１００を被覆し、半導体装置１００の上方側に配置される気体排出口２４を介して空間９０内の気体を吸引する構成を示したが（図２など参照）、可変カバー２０が下方から半導体装置１００を被覆し、半導体装置１００の下方側に配置される気体排出口２４を介して空間９０内の気体を吸引する構成としてもよい。また、上記第１〜第４実施形態のように、可変カバー２０によって半導体装置１００の一部を被覆する構成以外に、可変カバー２０によって半導体装置１００の全体を被覆する構成であってもよい。

また、上記第１〜第４実施形態では、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを変化させる方向調整部５０（５０Ａ〜５０Ｆ）として、ステッピングモータなど公知の駆動手段を用いる構成を示したが、異物除去装置１０を操作する者が手動で操作して供給気体の放出角度を変化させる構成であってもよい。この場合、各ノズル４２Ａ〜４２Ｆを変位可能に保持する構造は、ラチェット機構や球面対偶構造など、公知の様々な機構を適用できる。また、上記第１〜第４実施形態では、所定の平面内（例えば、図２に示す断面内）においてノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを変化させる構成を示したが、ノズル４２Ａ〜４２Ｆの向きを３次元的に変化させる構成であってもよい。

１０…異物除去装置
２０…可変カバー
２２…開口部
２４…気体排出口
２６…気体導入口
３０…排出路
４０Ｆ…導入部
４２…ノズル
４４…導入路
５０…方向調整部
７０…吸引部
８０…給気部
９０…空間
１００…半導体装置

Claims

半導体装置（１００）の少なくとも一部を被覆すると共に、気体排出口（２４）と気体導入口（２６）とが形成され、且つ被覆形状が変化可能に構成された可変カバー（２０）と、
前記気体排出口（２４）と連通する構成で少なくとも前記可変カバー（２０）の外側に配置される排出路（３０）と、
前記排出路（３０）に接続され、前記排出路（３０）を介して前記可変カバー（２０）と前記半導体装置（１００）との間の空間（９０）の気体を吸引する吸引部（７０）と、
気体を供給する給気部（８０）と、
ノズル（４２）と、前記ノズル（４２）に連通する導入路（４４）とを備え、前記給気部（８０）から送られた供給気体を前記導入路（４４）にて導入し、前記気体導入口（２６）を介して前記可変カバー（２０）と前記半導体装置（１００）との間の前記空間（９０）に向けて前記ノズル（４２）から放出する導入部（４０）と、
を備えることを特徴とする異物除去装置（１０）。
前記ノズル（４２）の向きを変化させる方向調整部（５０）を有することを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置（１０）。
前記可変カバー（２０）は、開口部（２２）を備えると共に前記開口部（２２）から所定方向に凹む凹状に構成され、前記開口部（２２）から離れた位置に前記気体排出口（２４）が形成されており、前記開口部（２２）から前記気体排出口（２４）に近づくにつれて前記開口部（２２）を基準とする深さが大きくなる構成であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の異物除去装置（１０）。
前記気体導入口（２６）が複数設けられ、
それら複数の前記気体導入口（２６）は、前記気体排出口（２４）を挟んで両側に配置される第１気体導入口（２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ）及び第２気体導入口（２６Ｄ，２６Ｅ，２６Ｆ）を少なくとも含み、
前記導入部（４０）は、前記第１気体導入口（２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ）に連通する前記ノズル（４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ）及び前記導入路（４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ）によって前記供給気体を前記空間（９０）に供給する制御と、前記第２気体導入口（２６Ｄ，２６Ｅ，２６Ｆ）に連通する前記ノズル（４２Ｄ，４２Ｅ，４２Ｆ）及び前記導入路（４４Ｄ，４４Ｅ，４４Ｆ）によって前記供給気体を前記空間（９０）に供給する制御とを切り替えて行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の異物除去装置（１０）。
前記気体導入口（２６）が複数設けられ、
それら複数の前記気体導入口（２６）は、前記気体排出口（２４）からの距離が所定の遠距離となる外側気体導入口と、前記気体排出口（２４）からの距離が前記外側気体導入口よりも近い内側気体導入口とを少なくとも含み、
前記導入部（４０）は、前記外側気体導入口に連通する前記ノズル及び前記導入路によって前記供給気体を前記空間（９０）に供給する制御と、前記内側気体導入口に連通する前記ノズル及び前記導入路によって前記供給気体を前記空間（９０）に供給する制御とを切り替えて行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の異物除去装置（１０）。
前記気体導入口（２６）が複数設けられ、
それら複数の前記気体導入口（２６）は、前記気体排出口（２４）からの距離が所定の遠距離となる外側気体導入口と、前記気体排出口（２４）からの距離が前記外側気体導入口よりも近い内側気体導入口とを少なくとも含み、
前記導入部（４０）は、前記外側気体導入口を介して前記空間（９０）に前記供給気体を供給する際の供給量を、前記内側気体導入口を介して前記空間（９０）に前記供給気体を供給する際の供給量よりも大きくすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の異物除去装置（１０）。
前記ノズル（４２）の向きを変化させる方向制御部（６０）を備え、
前記可変カバー（２０）は、開口部（２２）を備えると共に前記開口部（２２）から所定方向に凹む凹状に構成され、
前記方向制御部（６０）は、少なくともいずれかの前記ノズル（４２）の方向を、少なくとも前記可変カバー（２０）の前記開口部（２２）側に向く第１方向と、前記第１方向のときよりも前記開口部（２２）の開口領域の中心側に向く第２方向とに変化させることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の異物除去装置（１０）。