JP2014236119A - 処理液供給ノズル、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Konosuke Hayashi
航之介 林
邦浩 宮崎
Kunihiro Miyazaki
邦浩 宮崎
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Abstract

【課題】 洗浄液に含まれる気泡が有する性質を利用して効果的に処理を行いながらも、基板へのダメージを防ぐことのできる処理液供給ノズル、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 処理液Lによって基板Wを処理する基板処理装置であって、微細気泡を含む処理液Lを生成する処理液生成部4と、前記処理液生成部で生成された処理液を基板に供給する処理液供給ノズル3とを有し、前記処理液供給ノズルは、微細気泡を含む処理液を貯留可能なタンクと、前記タンクを二つのエリアに分ける第1の仕切り30aと、前記タンクの一方側のエリアに前記処理液を取り込む配管P1と、前記タンクの他端側のエリアから前記処理液を吐出する吐出口3aとを有し、前記タンクの前記一方側のエリア側の外側壁面に超音波発振器31を備えた処理液供給ノズルであることを特徴とする基板処理装置である。
【選択図】 図2

Description

本発明の実施形態は、処理液供給ノズル、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来より、微細なパターンが形成された基板上のパーティクルを除去する洗浄処理工程等において、洗浄液にガスを飽和状態まで溶解させ、この洗浄液に超音波振動を加えながら洗浄処理を行う技術がある。この洗浄処理工程においては、飽和状態までガスが溶解された洗浄液に超音波振動を付与することによって洗浄液中に気泡が発生し、この気泡が消滅する際に発生する衝撃波によって、基板上のパーティクルが除去され、洗浄処理が行われるとされている。
特開2008−21672号公報
従来のような基板処理装置を用いて、微細なパターンの形成された基板の洗浄を行った場合、超音波振動付与の衝撃が、気泡の発生を促進するに留まらず、基板上に形成されたパターンにまで影響し、パターン倒れを引き起こしてしまうことが多々あった。
本発明は、処理液に含まれる気泡が有する性質を利用し用途に合わせて効果的な処理を行いながらも、基板へのダメージを防ぐことのできる処理液供給ノズル、基板処理装置および基板処理方法を提供するものである。
本発明の処理液供給ノズルは、
微細気泡を含む処理液を貯留可能なタンクと、
前記タンクを二つのエリアに分ける第1の仕切りと、
前記タンクの一方側のエリアに前記処理液を取り込む配管と、
前記タンクの他端側のエリアから前記処理液を吐出する吐出口とを有し、
前記タンクの前記一方側のエリア側の外側壁面に超音波発振器とを備えたことを特徴とする。
本発明の基板処理装置は、
処理液によって基板を処理する基板処理装置であって、
微細気泡を含む処理液を生成する処理液生成部と、
前記処理液生成部で生成された処理液を基板に供給する処理液供給ノズルとを有し、
前記処理液供給ノズルは、
微細気泡を含む処理液を貯留可能なタンクと、
前記タンクを二つのエリアに分ける第1の仕切りと、
前記タンクの一方側のエリアに前記処理液を取り込む配管と、
前記タンクの他端側のエリアから前記処理液を吐出する吐出口とを有し、
前記タンクの前記一方側のエリア側の外側壁面に超音波発振器を備えた処理液供給ノズルであることを特徴とする。
本発明の基板処理方法は、
処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、
微細気泡を含む処理液を生成する処理液生成工程と、
前記処理液生成工程で生成された処理液を二つのエリアに分けられた供給ノズルに取り込む処理液取込工程とを有し、
前記供給ノズルの一方側のエリアにおいて超音波振動を付与する超音波付与工程と、
前記供給ノズルの他方側のエリアにおいて基板に吐出を行う工程と
を有することを特徴とする。
本発明によれば、処理液に含まれる気泡が有する性質を利用して用途に合わせた効率的に処理を行いながらも、基板へのダメージを防いで、処理を行うことができる。
実施の一形態に係る基板処理装置の概略を示す図である。 実施の一形態に係る基板処理装置が有するノズルの側面断面図である。 図2におけるC−C断面図である。
(実施例1)
実施の一形態について図面を参照して説明する。
図1に示すように、実施形態に係る基板処理装置1は、テーブル2aと、テーブル2aを回転させるための回転駆動機構(不図示)を備えた回転軸2bとを有する基板保持部2を有し、この基板保持部2に載置され保持される基板Wに向かって、基板Wの上部から後述する洗浄液等の処理液Lを供給する供給ノズル3と、供給ノズル3に供給する処理液Lを生成する処理液生成部4とを具備している。供給ノズル3と処理液生成部4とは配管P1を介して接続されている。
処理液生成部4には、配管P2を介して気体供給源5が、配管P3を介して液体供給源6が接続されている。処理液生成部4は、たとえば中空糸膜等を用いて気体(例えば酸素ガス)を液体(例えば純水)に溶解させる構造のものであり、図示しないポンプなどの駆動源によって圧力制御される気体と液体が供給される。そして、処理液生成部4内では、供給された気体と液体が混合され、大気圧下における飽和用溶解量以上の気体が液体に溶解された処理液Lが生成されるようになっている。なお、処理液生成部4内の圧力は、先に述べた不図示のポンプで代表される駆動源を制御することにより、大気圧以上に制御されている。
供給ノズル3には配管P4を介して薬液供給部7が接続され、配管P5を介して測定部8が接続されている。また、基板処理装置1の処理工程におけるすべての制御を行なう制御部10が備えられている。
供給ノズル3は、図2、図3に示すように、平面視において矩形状のタンク型ノズルとなっており、その底部の一端側には配管P1が、他端側には吐出口3aが形成されている。供給ノズル3内部には、図2中の左右方向を区切る第1の仕切り30aと、上下方向を区切る第2の仕切り30bが備えられており、第2の仕切り30bは複数互い違いに対向するように備えられる。供給ノズル3内部において、第1の仕切り30aによって区切られた、図2中の左側の領域をエリアA、右側の領域をエリアBとする。エリアA側の供給ノズル3の外側壁面には、超音波発振子31が備えられている。また、気体供給源5および液体供給源6からの気体および液体それぞれの供給量の制御や、薬液供給部7からの薬液供給量の制御、供給ノズル3からの処理液供給量の制御、測定部8の測定結果の格納やフィードバック制御等は、すべて制御部10によって行なわれる。
測定部8は、処理液中の気体濃度や処理液温度の測定、後述する微細気泡の粒度分布測定や処理液中の薬液濃度などを行うことができる測定器であり、公知の測定器である。
以下、本実施形態に係る基板処理装置を用いた処理工程について説明する。
制御部10は、気体供給源5から気体(たとえば酸素ガス)を、液体供給源6から液体(たとえば純水)を、処理液生成部4に供給する。この処理液生成部4にかかる圧力は、制御部10にて制御されている。
処理液生成部4で生成された処理液Lは、配管P1を通って供給ノズル3へと取り込まれる。処理液Lには大気圧下における飽和溶解量以上の酸素ガスが溶解しているため、供給ノズル3に供給された瞬間に圧力が開放され、微細な酸素ガスバブルが生成され、処理液Lは酸素ガスの微細気泡を含む純水となる。供給ノズル3内は、図2および図3に示すように、複数の第2の仕切り30bが処理液Lの進行方向(図2における下から上に向かう方向)と交差する方向にエリアAを区切るように形成されているため、この第2の仕切り30bが障壁となって、供給された処理液Lは蛇行するように供給ノズル3内を上昇する。この第2の仕切り30bが形成されたエリアAにおいては、超音波発振器31によって処理液Lに対して超音波が付与される。超音波発振器31の周波数の制御は制御部10が行なう。この超音波付与によって、処理液L中の微細気泡が圧壊されて、ラジカルが発生する。このラジカル発生量を考慮し、制御部10は超音波発生器31の周波数を制御している。供給ノズル3内の第1の仕切り30aの高さまで処理液Lが供給されると、ラジカルを含む処理液Lが第1の仕切り30aを乗り越えて、吐出口3a側へ流れる。ラジカルは、洗浄処理を効率的に行うために重要な役割を果たすことは、すでに知られている。ラジカルを含む処理液Lは、吐出口3aから基板Wへと供給され、処理液Lに含まれるラジカルの効果によって、基板W上に形成された微細なパターンを倒すことなく、洗浄を行うことができる。
また、洗浄処理対象物によっては、純水中に酸素ガスの微細気泡を含む処理液Lに加えて薬液を添加した方が効率よく処理を行える場合がある。この場合、制御部10はその処理に応じて、図示しない開閉弁等を開放する等して、配管P4を介して薬液供給部7から薬液(たとえばアンモニア溶液)を供給ノズル3に供給する。アンモニア溶液は、供給ノズルのエリアA内に供給され、処理液Lと混合されて第1の仕切り30aを乗り越えてエリアBへと流れる。エリアBには配管P5が接続されており、処理液Lは配管P5に設けられた図示しないポンプにより、測定部8へ送液される。測定部8へ送液された処理液Lは、供給ノズル3内の処理液L中の溶存酸素ガス濃度、微細気泡の粒度分布、アンモニア溶液の濃度測定等を行なうために用いられる。この測定のタイミングや、測定結果の格納、その後の処理液内の薬液濃度調整などのフィードバック制御等は、すべて制御部10によって行なわれる。なお、測定部8への処理液Lの送液は、処理液Lに薬液を添加しない場合においても実施するようにし、処理液L中の溶存酸素ガス濃度や微細気泡の粒度分布の測定、並びにその測定結果を用いて、気体供給源5や液体供給源6からの気体、液体の供給量制御を制御部10にて行なうようにしても良い。例えば、溶存ガス濃度が低い場合には、気体供給源5からの単位時間当たりの供給量を増加させるとか、不図示のポンプを用いての処理液生成部4内の圧力を増加させるといった制御である。
このようにして洗浄工程において好適な状態となった処理液Lは、吐出口3aから基板Wに向かって供給される。処理液Lは超音波付与によって生じるラジカルを多く含んでおり、洗浄を効率的に行うことができる上、超音波振動付与の衝撃をダイレクトに受けないため、基板Wに形成されたパターンが倒れることを防ぐこともできる。
なお、上記実施の形態において、供給ノズル3の形状は、平面視において矩形状である場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、液を一時的に溜めおくことのできるタンク状のものであればよく、円形状、三角形状であっても良い。さらに、タンクは上面が開放されているものでも、密閉状であっても良いが、効率よく溶存している気体を気泡にするために、密閉状でかつ、弁を有する排気管(図示略)を有するものが好ましい。
また、上記実施の形態において、基板保持部2は基板Wを回転させるものとして説明したが、これに限らず、ローラ搬送するようなものであっても良い。
また、上記実施の形態において、気体は酸素ガス、液体は純水、薬液はアンモニア溶液として説明したが、これに限らず、それぞれ処理に応じた気体、液体、薬液であれば良く、さらに、薬液は添加をしなくても良い。また、液体供給源6から薬液を供給するようにしても良い。さらに、薬液を供給する配管P4は、上記実施の形態においては供給ノズル3の上方から供給される形のものを例に説明したが、これに限らず、供給ノズル3の下方からの供給でも良い。下方(特に一番下の30bと底部との間の空間)から供給した場合、処理液Lと薬液との混合が蛇行するように上昇していく間に十分に行われるため、処理が効率的に行える。
なお、上記実施の形態において、基板処理は基板の洗浄処理を例として説明したが、これに限らず、剥離処理、現像処理、加工処理など、処理液を使用して行うすべの基板処理を含む。
また、上記実施の形態においては、測定部8を設け、供給ノズル3内における処理液温度、溶存ガス濃度、薬液濃度などを測定し、これらを制御する例を挙げて説明したが、これに限らず、測定が必須ではない処理においては測定部8は設けなくても良い。
また、上記実施の形態においては、供給ノズル3内に複数の第2の仕切り30bを形成し、供給された処理液Lが蛇行するように供給ノズル3内を上昇するようにした例を挙げて説明したが、これに限らず、第2の仕切り30bは複数でなくても良い。また、全く有さなくても良い。ただし、処理液Lの蛇行、上昇する時間が長くなるほど、超音波発振器31からの超音波付与の時間が長くなり、ラジカル発生効率が向上するので、複数有しているほうが好ましい。
また、供給ノズル3のエリアA側の底部に排液管を設けるようにしても良い。このような構成にすることにより、基板処理装置1の処理を停止する際、供給ノズル3内のエリアBにオーバーフローせずにエリアA内に溜まった処理液L(放置していると劣化してしまったり、気泡が抜けたりして再利用することができない場合がある)を排液することができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 基板処理装置
2 基板保持部
2a テーブル
2b 回転軸
3 供給ノズル
4 処理液生成部
5 気体供給部
6 液体供給部
7 薬液供給部
8 測定部
10 制御部
30a 第1の仕切り
30b 第2の仕切り
31 超音波発振器

Claims (7)

  1. 微細気泡を含む処理液を貯留可能なタンクと、
    前記タンクを二つのエリアに分ける第1の仕切りと、
    前記タンクの一方側のエリアに前記処理液を取り込む配管と、
    前記タンクの他端側のエリアから前記処理液を吐出する吐出口とを有し、
    前記タンクの前記一方側のエリア側の外側壁面に超音波発振器を備えたことを特徴とする処理液供給ノズル。
  2. 前記一方側のエリアに前記一方側のエリアを前記処理液が供給される処理液の進行方向と交差する方向に分けるように設けられた第2の仕切りを有していることを特徴とする請求項1記載の処理液供給ノズル。
  3. 前記第2の仕切りが複数設けられていることを特徴とする請求項2記載の処理液供給ノズル。
  4. 処理液によって基板を処理する基板処理装置であって、
    微細気泡を含む処理液を生成する処理液生成部と、
    前記処理液生成部で生成された処理液を基板に供給する処理液供給ノズルとを有し、
    前記処理液供給ノズルは、
    微細気泡を含む処理液を貯留可能なタンクと、
    前記タンクを二つのエリアに分ける第1の仕切りと、
    前記タンクの一方側のエリアに前記処理液を取り込む配管と、
    前記タンクの他端側のエリアから前記処理液を吐出する吐出口とを有し、
    前記タンクの前記一方側のエリア側の外側壁面に超音波発振器を備えた処理液供給ノズルであることを特徴とする基板処理装置。
  5. 前記処理液供給ノズルは、前記一方側のエリアに前記一方側のエリアを前記処理液が供給される処理液の進行方向と交差する方向に分けるように設けられた第2の仕切りを有していることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
  6. 前記第2の仕切りが複数設けられていることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
  7. 処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、
    微細気泡を含む処理液を生成する処理液生成工程と、
    前記処理液生成工程で生成された処理液を二つのエリアに分けられた供給ノズルに取り込む処理液取込工程とを有し、
    前記供給ノズルの一方側のエリアにおいて超音波振動を付与する超音波付与工程と、
    前記供給ノズルの他方側のエリアにおいて基板に吐出を行う工程と
    を有することを特徴とする基板処理方法。
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