JP2014236084A - 分析方法、分析装置および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】熱処理プレートによる処理温度の測定結果を分析することができる分析方法、分析装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理プレートによる処理温度の測定によって得られた温度データに基づいて、所定の現象が起きたか否かを判定する現象判定過程（ステップＳ４０１、Ｓ４０３、Ｓ４１１、Ｓ４２１、Ｓ４３１、Ｓ４３２）と、現象が起きたと現象判定過程が判定した場合には、起きたと判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策の少なくともいずれかを推定する推定過程（ステップＳ４０２、４０４、４１２、４２２、４３３）と、を備えている分析方法である。
【選択図】図３１

Description

この発明は、熱処理プレートによる処理温度の測定結果を分析する分析方法、分析装置および基板処理装置に関する。

従来、熱処理プレートと、検温素子が取り付けられた基板とを備え、熱処理プレートに基板を載置して基板の温度を測定する方法がある。検温素子は水晶振動子等によって構成されている。水晶振動子から放出された電磁波を受信して、電磁波の周波数に基づいて基板の温度を測定する（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１９１５５号公報

すなわち、基板の温度を測定した結果を分析する方法については、従来例にない。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、熱処理プレートによる処理温度の測定結果を分析することができる分析方法、分析装置および基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、熱処理プレートによる処理温度の測定によって得られた温度データに基づいて、所定の現象が起きたか否かを判定する現象判定過程と、現象が起きたと現象判定過程が判定した場合には、起きたと判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策の少なくともいずれかを推定する推定過程と、を備えている分析方法である。

［作用・効果］本発明に係る分析方法によれば、現象判定過程と推定過程とを備えているので、熱処理プレートによる処理温度の測定結果である温度データに基づいて、起きたと判定された現象について原因および対策の少なくともいずれかを的確に予測できる。

本発明において、現象判定過程は、温度データが欠損しているか否かを判定することが好ましい。欠損した温度データの発生という現象が起こったことを適切に判定できる。

本発明において、温度データが欠損していると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、測定に用いられた温度測定用基板の故障、温度測定用基板の点検、温度測定用基板の検出信号を処理する温度計測部の故障、および、温度計測部の点検の少なくともいずれかを推定することが好ましい。欠損した温度データの発生という現象に関連する原因および対策の少なくともいずれかを適切に推定できる。

本発明において、現象判定過程は、温度データが外れ値であるか否かを判定することが好ましい。外れ値である温度データの発生という現象が起こったことを適切に判定できる。

本発明において、温度データが外れ値であると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、熱処理プレートの汚損、熱処理プレートに付着する異物、熱処理プレートの清掃、測定に用いられた温度測定用基板の汚損、温度測定用基板に付着する異物、および、温度測定用基板の清掃の少なくともいずれかを推定することが好ましい。外れ値である温度データの発生という現象に関連する原因および対策の少なくともいずれかを適切に推定できる。

本発明において、現象判定過程は、温度データが異常値であるか否かを判定することが好ましい。異常値である温度データの発生という現象が起こったことを適切に判定できる。

本発明において、温度データが異常値であると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、測定に用いられた温度測定用基板の故障、温度測定用基板の点検、温度測定用基板の検出信号を処理する温度計測部の故障、および、温度計測部の点検の少なくともいずれかを推定することが好ましい。異常値である温度データの発生という現象に関連する原因および対策の少なくともいずれかを適切に推定できる。

本発明において、現象判定過程は、温度データと測定位置との関係を示す温度分布と熱処理プレートの上方に形成される気流との間に関連性が有るか否かを判定することが好ましい。温度分布と気流との間に関連性が有ったという現象（換言すれば、温度分布が気流の影響を受けたという現象）が起こったことを適切に判定できる。

本発明において、現象判定過程は、気流を強制的に形成するための気流形成設備に関する気流形成設備情報を参照して、熱処理プレートの上方に気流が強制的に形成されているか否かを判定する気流判定過程と、強制的に形成されていると気流判定過程が判定した場合には、温度分布と気流との間に関連性が有るか否かを判定する関連性判定過程と、を備えていることが好ましい。気流判定過程は気流形成設備情報を参照するので、気流が強制的に形成されているか否かを熱処理プレートごとに好適に判定できる。

この場合において、強制的に形成されていると気流判定過程が判定しなかった場合には、関連性判定過程は温度分布と気流との間に関連性が有るか否かを判定しないことが好ましい。これによれば、関連性判定過程における処理量を軽減できる。

本発明において、温度分布と気流との間に関連性が有ると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、気流形成設備の故障、点検、流量異常、および、流量確認の少なくともいずれかを推定することが好ましい。温度分布と気流との間に関連性が有ったという現象に関連する原因および対策の少なくともいずれかを適切に推定できる。

本発明において、温度データが所定の基準を満たしているか否かを判定する合否判定過程と、を備え、温度データが基準を満たしていないと合否判定過程が判定した場合のみ、現象判定過程および推定過程を行うことが好ましい。原因の究明や原因の解消を急ぐ現象について効率良く分析できる。

本発明において、推定過程による推定結果に関する情報を出力する出力過程を備えていることが好ましい。ユーザーに推定結果を好適に提示できる。これにより、ユーザーは適切な処置を採ることができる。

また、本発明は、分析装置であって、熱処理プレートによる処理温度の測定によって得られた温度データに基づいて、所定の現象が起きたか否かを判定し、現象が起きたと判定された場合には、起きたと判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策の少なくともいずれかを推定する分析処理部と、分析処理部による推定結果に関する情報を出力する出力部と、備えている分析装置である。

［作用・効果］本発明に係る分析装置によれば、分析処理部を備えているので、熱処理プレートによる処理温度の測定結果である温度データに基づいて、起きたと判定された現象の原因および対策の少なくともいずれかを的確に推定できる。また、出力部を備えているので、ユーザーに速やかに推定結果を提供できる。これにより、ユーザーは、速やかに適切な処置を採ることができる。

本発明において、現象は、欠損した温度データが発生したこと、外れ値である温度データが発生したこと、異常値である温度データが発生したこと、および、温度データの温度分布と熱処理プレートの上方に形成される気流との間に関連性が有ったこと、の少なくともいずれかであり、原因及び対策は、測定に用いられた温度測定用基板、温度測定用基板の検出信号を処理する温度計測部、および、熱処理プレートの上方を流れる気流を強制的に形成する気流形成設備の少なくともいずれかに関することであることが好ましい。これによれば、種々の現象を判定できる。また、種々の原因および対策を的確に推定できる。

本発明において、熱処理プレートに載置された温度測定用基板から得られた検出信号に基づいて温度データを生成する温度計測部を備えていることが好ましい。温度計測部によって温度データが生成されると、分析処理部は速やかに温度データを分析できる。

また、本発明は、上述した分析装置と、基板に熱処理を行う熱処理プレートと、を備えた基板処理装置である。

［作用・効果］本発明に係る基板処理装置によれば、温度測定用基板を用いた測定を行うと、分析処理部は速やかに温度データを分析できる。すなわち、熱処理プレートによる熱処理について円滑に分析できる。

なお、本明細書は、次のような基板処理装置および試験方法に係る発明も開示している。

（１）温度データが欠損していると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、温度測定用基板の故障、温度測定用基板の点検、温度計測部の故障、温度計測部の点検、温度計測部と有線で電気的に接続され、かつ、温度測定用基板と非接触で通信可能なユニット側アンテナの故障、ユニット側アンテナの点検、ユニット側アンテナと温度計測部との接続不良、および、ユニット側アンテナと温度計測部との接続確認の少なくともいずれかを推定することが好ましい。

前記（１）によれば、欠損した温度データの発生という現象に関連する原因および対策の少なくともいずれかを適切に推定できる。

（２）現象判定過程は、有意差検定によって外れ値を検出することが好ましい。

前記（２）によれば、外れ置を適切に検出できる。

（３）現象判定過程は、温度データを所定の閾値と比較することによって異常値を検出することが好ましい。

前記（３）によれば、異常値を適切に検出できる。

（４）温度データが異常値であると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、温度測定用基板の故障、温度測定用基板の点検、温度計測部の故障、温度計測部の点検、温度計測部と有線で電気的に接続され、かつ、温度測定用基板と非接触で通信可能なユニット側アンテナの故障、ユニット側アンテナの点検、ユニット側アンテナと温度計測部との接続不良、および、ユニット側アンテナと温度計測部との接続確認の少なくともいずれかを推定することが好ましい。

前記（４）によれば、異常値である温度データの発生という現象に関連する原因および対策の少なくともいずれかを適切に推定できる。

（５）現象判定過程は、上流側の気流に晒される上流側区域の温度データが、下流側の気流に晒される下流側区域の温度データに比べて低い場合には、温度分布と気流との間に関連性が有ると判定することが好ましい。

前記（５）によれば、温度分布と気流との関連性の有無を適切に判定できる。

（６）現象判定過程は、温度データと処理温度の目標値である試験温度との差を乖離幅として、上流側の気流に晒される上流側区域における乖離幅が、下流側の気流に晒される下流側区域の乖離幅に比べて大きい場合には、温度分布と気流との間に関連性が有ると判定することが好ましい。

前記（６）によれば、温度分布と気流との関連性の有無を適切に判定できる。

（７）熱処理プレートに載置された温度測定用基板から得られた検出信号に基づいて温度データを生成する測定過程を備えていることが好ましい。

前記（７）によれば、測定過程によって温度データが生成されると、現象判定過程および推定過程を速やかに実行できる。

（８）推定過程は、原因および対策の少なくともいずれかに関する情報と、現像に関する情報と、を関連付けた分析用情報を参照して、原因および対策の少なくともいずれかを推定することが好ましい。

前記（８）によれば、分析用情報を用いることにより、推定過程の処理を好適に実行できる。

（９）原因および対策の少なくともいずれかに関する情報と、現像に関する情報と、を関連付けた分析用情報を記憶する記憶部を備え、分析処理部は、分析用情報を参照して、原因および対策の少なくともいずれかを推定することが好ましい。

前記（９）によれば、分析用情報を用いることにより、分析処理部は熱処理プレートによる処理温度の測定結果を好適に分析できる。

（１０）気流を強制的に形成するための気流形成設備に関する気流形成設備情報を記憶する記憶部を備え、分析処理部は、気流形成設備情報を参照して、熱処理プレートの上方に気流が強制的に形成されているか否かを判定することが好ましい。

前記（１０）によれば、分析処理部は気流形成設備情報を参照するので、気流が強制的に形成されているか否かを熱処理プレートごとに好適に判定できる。

（１１）原因及び対策は、温度測定用基板、温度計測部、温度計測部と有線で電気的に接続され、かつ、温度測定用基板と非接触で通信可能なユニット側アンテナ、および、気流形成設備の少なくともいずれかに関することであることが好ましい。

前記（１１）によれば、種々の原因および対策を的確に推定できる。

本発明に係る分析方法、分析装置および基板処理装置によれば、熱処理プレートによる処理温度の測定結果に基づいて、起きたと判定された現象に対して原因および対策の少なくともいずれかを的確に予測できる。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置の内部を側方からみたときの液処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。 熱処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。 基板処理装置の内部を側方からみたときの搬送機構の配置を示す概略側面図である。 処理部内搬送機構の斜視図である。 インターフェイス部の正面図である。 図７（ａ）は、加熱冷却処理ユニットの平面図であり、図７（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、加熱冷却ユニットの側面図である。 熱処理プレートに載置される温度測定用基板の平面図である。 図９（ａ）は、エッジ露光ユニットの側面図であり、図９（ｂ）は、エッジ露光ユニットの平面図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 熱処理プレートの試験の概略的な手順を示すフローチャートである。 試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。 試験リスト情報の一例を示す模式図である。 プレート性能情報の一例を示す模式図である。 図１５（ａ）は、ケース１における試験リスト情報であり、図１５（ｂ）は、ケース１におけるプレート性能情報である。 ケース１における試験予定情報を例示する模式図である。 図１７（ａ）は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表であり、図１７（ｂ）は、比較例の工程表である。 図１８（ａ）は、ケース２における試験リスト情報であり、図１８（ｂ）は、ケース２におけるプレート性能情報である。 ケース２における試験予定情報を例示する模式図である。 図２０（ａ）は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表であり、図２０（ｂ）は、比較例の工程表である。 変形実施例にかかる試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。 試験連続実施過程の詳細な手順を示すフローチャートである。 温度測定用基板の搬送経路の一例を模式的に示す図である。 目標方向情報の一例を示す模式図である。 図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、エッジ露光ユニットにおける温度測定用基板の向きと、熱処理プレートにおける温度測定用基板の向きとの関係を模式的に示す図である。 受け渡し位置情報の一例を示す模式図である。 図２７（ａ）、２７（ｂ）、２７（ｃ）は、比較例における温度測定用基板の向きの関係を模式的に示す図である。 試験の詳細な手順を示すフローチャートである。 図２９（ａ）は、熱処理プレートのプレート温度の経時変化を示すグラフであり、図２９（ｂ）は、温度測定用基板の処理温度（総合平均値）の経時変化を示すグラフである。 試験レシピ情報を例示する模式図である。 分析の詳細な手順を示すフローチャートである。 図３２（ａ）は熱処理プレート上に付着する異物を模式的に示す図であり、図３２（ｂ）は温度測定用基板の裏面に付着する異物を模式的に示す図である。 気流形成設備情報の一例を示す模式図である。 図３４（ａ）は熱処理プレートに載置される温度測定用基板の平面図であり、図３４（ｂ）は温度分布である。 図３５（ａ）は熱処理プレートに載置される温度測定用基板の平面図であり、図３５（ｂ）は温度分布である。 変形実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。

以下、図面を参照して本発明に係る実施例を説明する。まず、実施例に係る基板処理装置の基本的な構成および動作を説明した後、熱処理プレートの試験に関連する構成および動作を説明する。

なお、以下の説明において、「基板」とは、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、プラズマディスプレイ用の基板、光ディスク用の基板、磁気ディスク用の基板、光磁気ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）をいう。

［１．基板処理装置の基本的な構成］
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図２は、基板処理装置の内部を側方（ｙ方向）からみたときの液処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。図３は、熱処理ユニットの配置を示す基板処理装置の概略側面図である。図４は、基板処理装置の内部を側方（ｙ方向）からみたときの搬送機構の配置を示す概略側面図である。

基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。本実施例では、基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト膜を形成し、かつ、基板Ｗを現像する処理を行う。

基板処理装置１は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１１と処理部１３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）１７とを備える。処理部１３は、ＩＤ部１１およびＩＦ部１７とそれぞれ接している。ＩＦ部１７はさらに、基板処理装置１とは別体の露光機ＥＸＰと接している。ＩＤ部１１、処理部１３、ＩＦ部１７及び露光機ＥＸＰは、水平な一方向（図では「ｘ」方向である）に並ぶように配置されている。なお、ｘ方向と直交する水平方向を「ｙ」方向とし、上下方向を「ｚ」方向とする。以下、ＩＤ部１１、処理部１３、ＩＦ部１７に分けて説明する。

［１−１ ＩＤ部１１］
ＩＤ部１１は、キャリア載置部２１と搬送スペース２２を備えている。

キャリア載置部２１にはキャリアＣが載置される。キャリアＣは、例えば不図示の外部搬送機構によって搬送される。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が例示される。キャリアＣは、本発明における収容器に相当する。

搬送スペース２２には、ＩＤ部内搬送機構（以下では、適宜に「搬送機構」と略記する）ＴＡが設置されている。搬送機構ＴＡは、キャリアＣから基板Ｗを搬出し、かつ、キャリアＣに基板Ｗを搬入する。また、搬送機構ＴＡは、処理部１３に基板Ｗを渡し、かつ、処理部１３から基板Ｗを受け取る。

搬送機構ＴＡは、いわゆる搬送ロボットである。具体的には、搬送機構ＴＡは、基板Ｗを保持する１又は２以上のハンドＨと、ハンドＨを移動させるための各種の駆動機構（不図示）を備えている。各種駆動機構によって、ハンドＨは、ｙ方向に平行移動可能であり、ｚ方向に昇降可能であり、搬送機構ＴＡの縦軸心回りに回転移動可能であり、縦軸心の径方向に前進・後退移動可能である。これらの移動によって、ハンドＨ（搬送機構ＴＡ）の位置が変わる。

［１−２ 処理部１３］
処理部１３は、第１ブロック１４と第２ブロック１５に分離可能に構成されている。第１ブロック１４と第２ブロック１５は、ｘ方向に並ぶように配置されている。ＩＤ部１１には第１ブロック１４が接しており、ＩＦ部１７には第２ブロック１５が接している。以下では、第１ブロック１４と第２ブロック１５に分けて説明する。

［１−２−１ 処理部１３〜第１ブロック１４］
第１ブロック１４は、搬送スペース３０と液処理部４０と熱処理部５０を備えている。搬送スペース３０は、平面視で第１ブロック１４のｙ方向（幅方向）における略中央を通り、ｘ方向に延びる帯状の領域である。搬送スペース３０の両端はそれぞれ、ＩＤ部１１および第２ブロック１５に面している。搬送スペース３０のｙ方向一側方には液処理部４０が配置されており、搬送スペース３０のｙ方向他側方には熱処理部５０が配置されている。

図４に示すように、搬送スペース３０は、搬送スペース３０の上部にあたる上部搬送スペース３１と、搬送スペース３０の下部にあたる下部搬送スペース３２を有する。上部搬送スペース３１には、処理部内搬送機構（以下では、適宜に「搬送機構」と略記する）ＴＢ１ｃが設置されている。下部搬送スペース３２には、処理部内搬送機構（以下では、適宜に「搬送機構」と略記する）ＴＢ２ｃが設置されている。搬送機構ＴＢ１ｃの可動域は、上部搬送スペース３１に限られ、搬送機構ＴＢ２ｃの可動域は下部搬送スペース３２の下部に限られている。

ＩＤ部１１と上部搬送スペース３１との間には、載置部Ｐ１Ｓ、Ｐ１Ｒが設置されている。ＩＤ部１１と下部搬送スペース３２との間には、載置部Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒが設置されている。載置部Ｐ１Ｓ、Ｐ１Ｒ、Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒは、上下方向（ｚ方向）に並ぶように配置されている。

載置部Ｐ１Ｓ、Ｐ１Ｒは、搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢ１ｃとの間で基板Ｗを双方向に送るために使用される。載置部Ｐ２Ｓ、Ｐ２Ｒは、搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢ２ｃとの間で基板Ｗを双方向に送るために使用される。たとえば、搬送機構ＴＡから搬送機構ＴＢ１ｃに基板Ｗを送るときは、搬送機構ＴＡが基板Ｗを載置部Ｐ１Ｓに載置し、載置部Ｐ１Ｓに載置された基板Ｗを搬送機構ＴＢ１ｃが受け取る。逆に、搬送機構ＴＢ１ｃから搬送機構ＴＡに基板Ｗを送るときは、搬送機構ＴＢ１ｃが基板Ｗを載置部Ｐ１Ｒに載置し、載置部Ｐ１Ｒに載置された基板Ｗを搬送機構ＴＡが受け取る。

図２を参照する。液処理部４０には、４つの塗布処理室４１、４２、４３、４４が設置されている。これら塗布処理室４１乃至４４は、上下方向（ｚ方向）に並ぶように配置されている。各塗布処理室４１乃至４４内の雰囲気は、隔壁等によって互いに遮断されている。上側の塗布処理室４１、４２はそれぞれ、上部搬送スペース３１に面している。塗布処理室４１、４２に対しては、搬送機構ＴＢ１ｃが基板Ｗを搬入、搬出する。下側の塗布処理室４３、４４はそれぞれ、下部搬送スペース３２に面している。塗布処理室４３、４４に対しては、搬送機構ＴＢ２ｃが基板Ｗを搬入、搬出する。

各塗布処理室４１乃至４４には、複数の塗布処理ユニット６０が搬送スペース３０に沿って一列に並ぶように設置されている。各塗布処理ユニット６０はそれぞれ、保持部６１とカップ６２とノズル６３とノズル搬送機構６４を備える。ノズル６３とノズル搬送機構６４は、図１に示される。搬送機構ＴＢ１ｃ／ＴＢ２ｃは、保持部６１上に基板Ｗを載置する。保持部６１は載置された基板Ｗを水平姿勢で保持する。保持部６１は不図示のモータに連結されており、回転可能である。カップ６２は保持部６１の周囲に配置され、基板Ｗから飛散する処理液を回収する。複数のノズル６３は、平面視でカップ６２の側方の待機位置に設置されている。各ノズル６３はそれぞれ、処理液供給源に連通接続されており、処理液を吐出可能である。ノズル搬送機構６４は、いずれかのノズル６３を保持して、待機位置と基板Ｗの上方にあたる処理位置との間にわたって搬送する。

塗布処理室４１、４３内の各塗布処理ユニット６０は、レジスト塗布処理ユニットＲＥである。レジスト塗布処理ユニットＲＥは、ノズル６３からレジスト膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、基板Ｗ上にレジスト膜を形成する処理を行う。塗布処理室４２、４４内の各塗布処理ユニット６０は、反射防止膜材料塗布処理ユニットＢＡである。塗布処理ユニットＢＡは、ノズル６３から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、基板Ｗ上に反射防止膜を形成する処理を行う。

図３を参照する。熱処理部５０には、複数の熱処理ユニットＨＵが設置されている。各熱処理ユニットＨＵは、側面視で行列状（例えば、ｘ方向に３列、ｚ方向に１０段）に配置されている。ここで、上側５段に配置される複数の熱処理ユニットＨＵを熱処理ユニット群５１と呼び、下側５段に配置される複数の熱処理ユニットＨＵを熱処理ユニット群５２と呼ぶ。上側の熱処理ユニット群５１は、上部搬送スペース３１に面している。熱処理ユニット群５１に対しては、搬送機構ＴＢ１ｃが基板Ｗを搬入、搬出する。下側の熱処理ユニット群５２は、下部搬送スペース３２に面している。熱処理ユニット群５２に対しては、搬送機構ＴＢ２ｃが基板Ｗを搬入、搬出する。

各熱処理ユニットＨＵは、複数のカテゴリー（種類）に分類される。一部の熱処理ユニットＨＵは、加熱冷却ユニットＰＨＰであり、他の熱処理ユニットＨＵは冷却ユニットＣＰである。加熱冷却ユニットＰＨＰは、加熱処理と冷却処理を続けて行う。冷却ユニットＣＰは冷却処理を行う。熱処理ユニット群５１、５２の間で、加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの数および配置は、略同じである。

本明細書では、各熱処理ユニットＨＵを区別するときには、図３に示す符号を用いて、「熱処理ユニットＨＵ_０１」等と記載する。

搬送機構ＴＢ１ｃを具体的に説明する。図５を参照する。図５は、搬送機構ＴＢ１ｃの斜視図である。なお、搬送機構ＴＢ２ｃも搬送機構ＴＢ１ｃと同様に構成されている。

搬送機構ＴＢ１ｃは、一対の第１ガイドレール８１と、第２ガイドレール８２と、ベース部８３と、回転台８４と、２つのハンドＨを備えている。

第１ガイドレール８１は、上部搬送スペース３１の四隅のうち、液処理部４０側の２つの角隅部にそれぞれ固定されている（図１参照）。第１ガイドレール８１はそれぞれ、上下方向（ｚ方向）に延びるように設置されている。各第１ガイドレール８１には、第２ガイドレール８２の両端部がそれぞれ摺動可能に接続されている。第１ガイドレール８１は第２ガイドレール８２をｚ方向に案内する。

第２ガイドレール８２は、ｘ方向に延びるように設置されている。第２ガイドレール８２には、ベース部８３が摺動可能に接続されている。第２ガイドレール８２はベース部８３をｘ方向に案内する。

ベース部８３には回転台８４が接続されている。回転台８４は、ベース部８３に対して縦軸心Ｑ周りに回転可能である。

２本のハンドＨは、回転台８４に接続されている。各ハンドＨはそれぞれ、回転台８４に対して水平１方向に前進後退移動可能である。

搬送機構ＴＢ１ｃはさらに、第２ガイドレール８２、ベース部８３、回転台８４およびハンドＨをそれぞれ移動させるための各種の駆動機構を備えている。これら各種の駆動機構によって、搬送機構ＴＢ１ｃの位置が変わる。すなわち、第２ガイドレール８２はｚ方向に昇降し、ベース部８３はｘ方向に移動し、回転台８４は縦軸心Ｑ回りに回転する。これらの移動に伴って、ハンドＨおよびハンドＨに保持された基板Ｗは、ｚ方向およびｘ方向に平行移動し、縦軸心Ｑ回りに旋回する。さらに、各ハンドＨが回転台８４に対して進退移動することによって、ハンドＨに保持された基板Ｗは縦軸心Ｑの径方向に平行移動する。

搬送スペース３０の他の設備について説明する。搬送スペース３０内には、給気ユニット８５、８６と排気ユニット８７、８８が配置されている。給気ユニット８５は、上部搬送スペース３１に清浄な気体を供給する。排気ユニット８７は、上部搬送スペース３１から気体を排出する。給気ユニット８６は、下部搬送スペース３２に清浄な気体を供給する。排気ユニット８８は、下部搬送スペース３２から気体を排出する。

図５では、排気ユニット８７が有する複数の排気口ｅｏを図示する。排気口ｅｏは、排気ユニット８７の上面に形成されている。排気口ｅｏを通じて、排気ユニット８７の上方の気体は排気ユニット８７内に吸引される。

また、排気ユニット８７と給気ユニット８６とは、上部搬送スペース３１の雰囲気と下部搬送スペース３２の雰囲気を遮断している。

［１−２−２ 処理部１３〜第２ブロック１５］
第２ブロック１５の構成について説明する。なお、第１ブロック１４と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図１を参照する。第２ブロック１５は、搬送スペース３５と液処理部４５と熱処理部５５を備えている。これらのレイアウトは、基本的に第１ブロック１４と同様である。

図４を参照する。搬送スペース３５は、上部搬送スペース３６と下部搬送スペース３７を有する。上部搬送スペース３６には、処理部内搬送機構（以下では、適宜に「搬送機構」と略記する）ＴＢ１ｄが設置されている。下部搬送スペース３７には、処理部内搬送機構（以下では、適宜に「搬送機構」と略記する）ＴＢ２ｄが設置されている。搬送機構ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｄは、搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ２ｃと同様に構成されている。

上部搬送スペース３６の一端は、上部搬送スペース３１に面している。上部搬送スペース３１、３６の間には載置部Ｐ３Ｓ、Ｐ３Ｒが設置されている。搬送機構ＴＢ１ｄは、載置部Ｐ３Ｒを介して、搬送機構ＴＢ１ｃに基板Ｗを渡す。また、搬送機構ＴＢ１ｄは、載置部Ｐ３Ｓを介して、搬送機構ＴＢ１ｃから基板Ｗを受け取る。

同様に、下部搬送スペース３７の一端は、下部搬送スペース３２に面している。下部搬送スペース３２、３７の間には載置部Ｐ４Ｓ、Ｐ４Ｒが設置されている。搬送機構ＴＢ２ｄは、載置部Ｐ４Ｓ／Ｐ４Ｒを介して、搬送機構ＴＢ２ｃに基板Ｗを渡し、かつ、搬送機構ＴＢ２ｃから基板Ｗを受け取る。

図２を参照する。液処理部４５は、４つの現像処理室４６、４７、４８、４９を備えている。これら現像処理室４６乃至４９は、上下方向（ｚ方向）に並ぶように配置されている。現像処理室４６、４７は上側に配置され、現像処理室４８、４９は下側に配置されている。現像処理室４６、４７はそれぞれ、上部搬送スペース３６に面している。現像処理室４６、４７に対しては、搬送機構ＴＢ１ｄが基板Ｗを搬入、搬出する。現像処理室４８、４９はそれぞれ、下部搬送スペース３７に面している。現像処理室４８、４９に対しては、搬送機構ＴＢ２ｄが基板Ｗを搬入、搬出する。

各現像処理室４６乃至４９には、それぞれ複数の現像処理ユニット６５が搬送スペース３５に沿って一列に並ぶように設置されている。各現像処理ユニット６５は、保持部６６とカップ６７とノズル６８とノズル搬送機構６９を備える。搬送機構ＴＢ１ｄ／ＴＢ２ｄは、保持部６６上に基板Ｗを載置する。保持部６６は載置された基板Ｗを水平姿勢で保持する。保持部６６は不図示のモータに連結されており、回転可能である。カップ６７は保持部６６の周囲に配置され、基板Ｗから飛散する現像液を回収する。ノズル６８は基板Ｗに現像液を吐出する。ノズル６８は、ノズル移動機構６９に接続されており、ｘ方向に移動可能である。ノズル移動機構６９は、基板Ｗの上方の位置と基板Ｗの上方から外れた位置との間にわたってノズル６８を移動させる。

図３を参照する。熱処理部５５には、複数の熱処理ユニットＨＵとエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部Ｐ５Ｓ、Ｐ５Ｒ、Ｐ６Ｓ、Ｐ６Ｒが設置されている。これら熱処理ユニット等は、行列状に配置されている。ここで、上側に配置される熱処理ユニット等を熱処理ユニット群５６と呼ぶ。下側に配置される熱処理ユニット等を熱処理ユニット群５７と呼ぶ。

熱処理ユニット群５６に含まれる熱処理ユニットＨＵは、加熱冷却ユニットＰＨＰと、冷却ユニットＣＰと、露光後加熱処理ユニットＰＥＢである。熱処理ユニット群５６の加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対しては、搬送機構ＴＢ１ｄが基板Ｗを搬送する。露光後加熱処理ユニットＰＥＢに対しては、ＩＦ部１７が基板Ｗを搬入・搬出する。

熱処理ユニット群５７に含まれる熱処理ユニットＨＵは、加熱冷却ユニットＰＨＰと、冷却ユニットＣＰと、露光後加熱処理ユニットＰＥＢである。熱処理ユニット群５７の加熱冷却ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対しては、搬送機構ＴＢ２ｄが基板Ｗを搬送する。露光後加熱処理ユニットＰＥＢに対しては、ＩＦ部１７が基板Ｗを搬入・搬出する。

露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、熱処理ユニット群５６、５７の列のうち、最もＩＦ部１７側の列のみに配置されている。露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、加熱冷却ユニットＰＨＰと同じ構造である。露光後加熱処理ユニットＰＥＢは、露光処理後の基板Ｗに露光後熱処理（Post Exposure Bake）を行う。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗの周縁部を露光する。熱処理ユニット群５６のエッジ露光ユニットＥＥＷ_０１に対しては、搬送機構ＴＢ１ｄが基板Ｗを搬送する。熱処理ユニット群５７のエッジ露光ユニットＥＥＷ_０２に対しては、搬送機構ＴＢ２ｄが基板Ｗを搬送する。

載置部Ｐ５Ｓ、Ｐ５Ｒ、Ｐ６Ｓ、Ｐ６Ｒは、それぞれ露光後加熱処理ユニットＰＥＢの上方に積層されている。載置部Ｐ５Ｓ／Ｐ５Ｒは、搬送機構ＴＢ１ｄとＩＦ部１７の間で基板Ｗを搬送するときに使用される。載置部Ｐ６Ｓ／Ｐ６Ｒは、搬送機構ＴＢ２ｄとＩＦ部１７の間で基板Ｗを搬送するときに使用される。

上述した処理部１３の構造によれば、処理部１３は、基板Ｗを処理する複数の階層Ｋ１、Ｋ２を備えていると考えることができる。ここで、上側の階層である上層Ｋ１は、上部搬送スペース３１、３６と、塗布処理室４１、４２と、現像処理室４６、４７と、熱処理ユニット群５１、５６等によって構成されている。下側の階層である下層Ｋ２は、下部搬送スペース３２、３７と、塗布処理室４３、４４と、現像処理室４８、４９と、熱処理ユニット群５２、５７等によって構成されている。

［１−３ ＩＦ部１７］
図１を参照する。ＩＦ部１７は基板Ｗを搬送するＩＦ部内搬送機構（以下、適宜に「搬送機構」と略記する）ＴＣを備えている。本実施例では、搬送機構ＴＣは、２基の搬送機構ＴＣａ、ＴＣｂで構成されている。搬送機構ＴＣａは、ｚ方向に昇降可能であり、搬送機構ＴＣａの縦軸心回りに回転移動可能であり、縦軸心の径方向に前進・後退移動可能である。搬送機構ＴＣｂも、搬送機構ＴＣａと同様に構成されている。

搬送機構ＴＣａは、載置部Ｐ５Ｓを介して搬送機構ＴＢ１ｄから基板Ｗを受け取り、載置部Ｐ５Ｒを介して搬送機構ＴＢ１ｄに基板Ｗを渡す。搬送機構ＴＣａは、載置部Ｐ６Ｓを介して搬送機構ＴＢ２ｄから基板Ｗを受け取り、載置部Ｐ６Ｒを介して搬送機構ＴＢ２ｄに基板Ｗを渡す。また、各搬送機構ＴＣａは、熱処理ユニット群５６／５７の両方に設けられる露光後加熱処理ユニットＰＥＢに対して基板Ｗを搬入、搬出する。搬送機構ＴＣａは、さらに、搬送機構ＴＣｂに基板Ｗを渡し、搬送機構ＴＣｂから基板Ｗを受け取る。搬送機構ＴＣｂは、さらに、基板Ｗを露光機ＥＸＰに搬送し、かつ、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取る。

図６を参照する。図６は、ＩＦ部１７の内部をｘ方向から見た正面図である。搬送機構ＴＣａと搬送機構ＴＣｂとの間には、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、載置部Ｐ７Ｒと、バッファ部ＢＦが設けられている。これら載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ等は、上下に並ぶように積層されている。載置部ＰＡＳＳ−ＣＰは基板Ｗを載置し、かつ、基板Ｗを冷却する。載置部ＰＡＳＳ−ＣＰは、搬送機構ＴＣａが搬送機構ＴＣｂに基板Ｗを渡すときに使用される。載置部Ｐ７Ｒは、搬送機構ＴＣｂが搬送機構ＴＣａに基板Ｗを渡すときに使用される。バッファ部ＢＦは複数枚の基板Ｗを載置可能である。

［１−４ 制御系の構成］
図１を参照する。基板処理装置１は、制御部９１と記憶部９３と入出力部９５を備えている。

制御部９１は、例えば、ＩＤ部１１に設置されている。制御部９１は、ＩＤ部１１、処理部１３およびＩＦ部１７を統括的に制御する。具体的には、各種の搬送機構および各種の処理ユニットの動作を制御する。

記憶部９３も、例えば、ＩＤ部１１に設置されている。記憶部９３は、処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶している。

入出力部９５は、ＩＤ部１１の外壁面に取り付けられている。入出力部９５には、ユーザーが各種の命令や情報を入力することができる。また、入出力部９５は、ユーザーに各種の情報を表示する。入出力部９５は、例えば、タッチパネルディスプレイである。入出力部９５は、本発明における出力部に相当する。

［２．基板処理装置１の動作］
次に、実施例に係る基板処理装置１の動作について説明する。以下では、ＩＤ部１１からＩＦ部１７への搬送と、ＩＦ部１７からＩＤ部１１への搬送とに分けて説明する。

［２−１ ＩＤ部１１からＩＦ部１７への搬送］
搬送機構ＴＡは、キャリアＣから基板Ｗを搬出し、搬出した基板Ｗを搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ２ｃに交互に搬送する。すなわち、ＩＤ部１１は、上層Ｋ１、下層Ｋ２に交互に基板Ｗを渡す。

上層Ｋ１では、次のように動作する。搬送機構ＴＢ１ｃは、搬送機構ＴＡから基板Ｗを受け取り、塗布処理室４１、４２および熱処理ユニット群５１に設置される各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、反射防止膜用の塗布処理ユニットＢＡ（６０）、加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、レジスト膜用の塗布処理ユニットＲＥ（６０）、加熱冷却ユニットＰＨＰの順番に基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗに各種の処理が連続的に施され、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜が形成される。搬送機構ＴＢ１ｃは、一連の処理が施された基板Ｗを搬送機構ＴＢ１ｄに渡す。

搬送機構ＴＢ１ｄは、搬送機構ＴＢ１ｃから基板Ｗを受け取って、熱処理ユニット群５６に設置されるエッジ露光ユニットＥＥＷ_０１に搬送する。これにより、基板Ｗの周縁部が露光される。搬送機構ＴＢ１ｄは、処理が施された基板Ｗを搬送機構ＴＣａに渡す。すなわち、上層Ｋ１はＩＦ部１７に基板Ｗを渡す。

下層Ｋ２では、上層Ｋ１と同様に動作する。搬送機構ＴＢ２ｃは、搬送機構ＴＡから基板Ｗを受け取り、塗布処理室４３、４４および熱処理ユニット群５２における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。その後、基板Ｗを搬送機構ＴＢ２ｄに渡す。搬送機構ＴＢ２ｄは、搬送機構ＴＢ２ｃから基板Ｗを受け取って、熱処理ユニット群５７に設置されるエッジ露光ユニットＥＥＷ_０２に搬送する。その後、搬送機構ＴＢ２ｄは、基板Ｗを搬送機構ＴＣａに渡す。すなわち、下層Ｋ２はＩＦ部１７に基板Ｗを渡す。

搬送機構ＴＣａは、搬送機構ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｄから基板Ｗを交互に受け取って、搬送機構ＴＣｂに渡す。搬送機構ＴＣｂは、搬送機構ＴＣａから基板Ｗを受け取って、露光機ＥＸＰに送る。露光機ＥＸＰは基板Ｗに露光処理を行う。

［２−２ ＩＤ部１１からＩＦ部１７への搬送］
搬送機構ＴＣｂは、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取って搬送機構ＴＣａに渡す。

搬送機構ＴＣａは、搬送機構ＴＣｂから基板Ｗを受け取って、露光後加熱処理ユニットＰＥＢに搬送する。これにより、基板Ｗに露光後加熱処理を行う。その後、搬送機構ＴＣａは、露光後加熱処理が行われた基板Ｗを搬送機構ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｄに渡す。すなわち、ＩＦ部１７は上層Ｋ１および下層Ｋ２に基板Ｗを渡す。

ここで、搬送機構ＴＢ１ｄからＩＦ部１７に払い出された基板Ｗについては、熱処理ユニット群５６に設置される露光後加熱処理ユニットＰＥＢで処理し、搬送機構ＴＢ１ｄに渡すようにしてもよい。また、搬送機構ＴＢ２ｄからＩＦ部１７に払い出された基板Ｗについては、熱処理ユニット群５７に設置される露光後加熱処理ユニットＰＥＢで処理し、搬送機構ＴＢ２ｄに渡すようにしてもよい。

上層Ｋ１では、次のように動作する。すなわち、搬送機構ＴＢ１ｄは、搬送機構ＴＣａから基板Ｗを受け取って、現像処理室４６、４７および熱処理ユニット群５６における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。例えば、冷却ユニットＣＰ、現像処理ユニット６５、加熱冷却ユニットＰＨＰの順番で基板Ｗを搬送する。これにより、基板Ｗを現像する。その後、搬送機構ＴＢ１ｄは、現像された基板Ｗを搬送機構ＴＢ１ｃに渡す。搬送機構ＴＢ１ｃは、搬送機構ＴＢ１ｄから基板Ｗを受け取り、搬送機構ＴＡに渡す。すなわち、上層Ｋ１はＩＤ部１１に基板Ｗを渡す。

下層Ｋ２では、上層Ｋ１と同様に動作する。搬送機構ＴＢ２ｄは、搬送機構ＴＣａから基板Ｗを受け取って、現像処理室４８、４９および熱処理ユニット群５７における各種の処理ユニットに所定の順番で搬送する。そして、搬送機構ＴＢ２ｄは、現像された基板Ｗを搬送機構ＴＢ２ｃに渡す。搬送機構ＴＢ２ｃは、搬送機構ＴＢ２ｄから基板Ｗを受け取り、搬送機構ＴＡに渡す。すなわち、下層Ｋ２はＩＤ部１１に基板Ｗを渡す。

搬送機構ＴＡは、搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ２ｃから基板Ｗを受け取って、キャリアＣに搬入する。

このように、ＩＤ部１１とＩＦ部１７との間で基板Ｗを往復搬送させる。処理部１３においては、基板Ｗを往復搬送させながら、基板Ｗにレジスト膜を形成し、かつ、基板Ｗを現像する。

特に、処理部１３では、上層Ｋ１および下層Ｋ２が互いに独立して基板Ｗを搬送し、基板Ｗを処理する。これにより、処理部１３における処理能力を約倍増させることができる。

［３．熱処理プレートＰＬを試験するための構成］
次に、本実施例の特徴的な構成を説明する。

［３−１ 熱処理ユニットＨＵの構成］
カテゴリーが同じ熱処理ユニットＨＵ同士であっても、その構成が同じであるとは限らない。以下では、加熱冷却ユニットＰＨＰの一構成例を説明し、その後、加熱冷却ユニットＰＨＰのバリエーションを説明する。

図７（ａ）乃至７（ｃ）を参照する。図７（ａ）は、加熱冷却ユニットＰＨＰの平面図であり、図７（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、加熱冷却ユニットＰＨＰの内部をｙ方向から見た側面図である。図７（ｂ）は、ローカル搬送機構が熱処理プレートの上方に位置しているときを示している。図７（ｃ）は、熱処理プレートが熱処理を行っているときを示している。なお、図７（ｂ）、（ｃ）において、熱処理プレートについては断面図で示す。

加熱冷却ユニットＰＨＰは、載置部ＰＡとローカル搬送機構ＴＬと熱処理プレートＰＬとを備えている。

載置部ＰＡと熱処理プレートＰＬはｙ方向に並ぶように配置されている。載置部ＰＡは、搬送スペース３０／３５に面するように設置され、熱処理プレートＰＬと搬送スペース３０／３５の間に位置する。

載置部ＰＡは、基板Ｗを支持する支持ピン１０３を備える。支持ピン１０３は、上下動可能である。支持ピン１０３が上下動することによって、支持ピン１０３は搬送機構ＴＢ１ｃ／ＴＢ２ｃ／ＴＢ１ｄ／ＴＢ２ｄ（以下、これらを「搬送機構ＴＢ」と総称する）から基板Ｗを受け取ったり、搬送機構ＴＢに基板Ｗを渡す。また、支持ピン１０３が上下動することによって、支持ピン１０３はローカル搬送機構ＴＬに基板Ｗを渡したり、ローカル搬送機構ＴＬから基板Ｗを受け取る。

ローカル搬送機構ＴＬは、載置部ＰＡと熱処理プレートＰＬとの間で基板Ｗを搬送する。ローカル搬送機構ＴＬは、ハンドＨと駆動部１０４とを備えている。ハンドＨは、基板Ｗを載置する。駆動部１０４はハンドＨをｙ方向に平行移動させる。

ハンドＨは、その内部に形成される流路（不図示）を有している。この流路に冷却水を流すことによって、ローカル搬送機構ＴＬは、ハンドＨに載置された基板Ｗを冷却する。

熱処理プレートＰＬは、基板Ｗを載置するための上面Ｆを有する。上面Ｆは略平坦である。上面Ｆは、平面視で基板Ｗより若干大きい円形状を有する。

加熱冷却ユニットＰＨＰは、さらに、昇降ピン１０５と支持部材１０７とヒータ１０９と温度センサ１１１とユニット側アンテナＡＵと上蓋１１５を備えている。

昇降ピン１０５は、熱処理プレートＰＬに形成された貫通孔に上下動可能に挿入されている。昇降ピン１０５が上下動することによって、ローカル搬送機構ＴＬから基板Ｗを取って熱処理プレートＰＬに載置したり、熱処理プレートＰＬから基板Ｗを取ってローカル搬送機構ＴＬに渡す。図７（ｂ）、（ｃ）では、退避位置にある昇降ピン１０５を実線で示している。昇降ピン１０５が退避位置に位置するとき、昇降ピン１０５の先端は熱処理プレートＰＬの上面Ｆよりも低い。図７（ｂ）では、突出位置にある昇降ピン１０５を破線で示している。また、図７（ｂ）では、突出位置にある昇降ピン１０５によって支持される基板Ｗを破線で示している。昇降ピン１０５が突出位置に位置するとき、昇降ピン１０５の先端はローカル搬送機構ＴＬのハンドＨよりも高い。

支持部材１０７は、熱処理プレートＰＬに載置される基板Ｗの裏面と直接的に接し、基板Ｗと熱処理プレートＰＬの上面Ｆとの間に僅かな隙間（空間）を形成する。この隙間を通じて熱処理プレートＰＬから基板Ｗに熱が伝達される。支持部材１０７は、熱処理プレートＰＬの上面Ｆに固定されている。支持部材１０７は、例えば、球形状を有する。

ヒータ１０９は、熱処理プレートＰＬの内部又は下部に設置され、熱処理プレートＰＬを加熱する。熱処理プレートＰＬは、ヒータ１０９の熱を基板Ｗに伝達する。

温度センサ１１１は、熱処理プレートＰＬの温度（以下、「プレート温度」という）を測定する。温度センサ１１１は、加熱プレートＰＬの上面Ｆ付近に埋め込まれている。

ユニット側アンテナＡＵは、アーム１１３を介して、熱処理プレートＰＬに固定されている。ユニット側アンテナＡＵは、熱処理プレートＰＬの上方かつ側方の位置に配置されている。熱処理プレートＰＬに基板Ｗが載置されたとき、その基板Ｗの周縁部の側方が、ユニット側アンテナＡＵに近接する。

図８を参照する。図８は、熱処理プレートＰＬに載置される温度測定用基板ＷＴの平面図である。図示するように、ユニット側アンテナＡＵは、複数のユニット側コイルＵＣを備えている。各ユニット側コイルＵＣはそれぞれ、所定の位置に所定の向きでそれぞれ配置されている。

再び、図７（ａ）乃至７（ｃ）を参照する。上蓋１１５は、上下動可能に熱処理プレートＰＬの上方に設置されている。上蓋１１５は、熱処理プレートＰＬの上方を覆う。上蓋１１５は、下方に向かって広がる円錐形状（傘形状）を有する。

加熱冷却ユニットＰＨＰは、上述した各構成を収容するためのチャンバー１１７を備えている。さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰは、上部排気管１２１と圧力計１２２と側部給気ダクト１２３と側部排気ダクト１２５と排気用ダンパー１２６を備えている。

上部排気管１２１は、チャンバー１１７内の気体をチャンバー１１７外に強制的に排出する。上部排気管１２１の一端は、上蓋１１５の上部中央に連通接続されている。上部排気管１２１が気体を排出することによって、熱処理プレートＰＬの上方には、熱処理プレートＰＬの周縁部から中央部に上昇しながら進む気流が形成される。図７（ｃ）では、この気流を１点鎖線で示す。上蓋１１５および上部排気管１２１により、基板Ｗから昇華物が発生する場合であっても、昇華物は的確に回収され、チャンバー１１７外に捨てられる。

圧力計１２２は、上部排気管１２１の途中に設置されている。圧力計１２２は、上部排気管１２１内の流量を監視する。

側部給気ダクト１２３は、チャンバー１１７内に気体を供給する。側部給気ダクト１２３は供給口１２３ａを有する。供給口１２３ａは、チャンバー１１７内の一側部に配置され、横方向に気体を吹き出す。

側部排気ダクト１２５は、チャンバー１１７内の気体をチャンバー１１７外へ排出する。側部排気ダクト１２５は排気口１２５ａを有する。排気口１２５ａは、平面視で熱処理プレートＰＬを挟んで供給口１２３ａと向かい合う位置に配置されている。排気口１２５ａは、横方向から気体を吸い込む。

これら側部給気ダクト１２３および側部排気ダクト１２５によって、熱処理プレートＰＬの上方を略水平方向（ｘ方向）に流れる気流が形成される。図７（ａ）、（ｃ）では、この気流を２点鎖線で示す。側部給気ダクト１２３および側部排気ダクト１２５によって、チャンバー１１７内は換気され、熱処理プレートＰＬから放出された熱もチャンバー１１７外に排出される。

排気用ダンパー１２６は、側部排気ダクト１２５の途中に設置されている。排気用ダンパー１２６は、側部排気ダクト１２５内の流量を調節する。

以上が、加熱冷却ユニットＰＨＰの一構成例である。ただし、加熱冷却ユニットＰＨＰの中には、上蓋１１５や上部排気管１２１を備えていないものもある。また、加熱冷却ユニットＰＨＰの中には、側部給気ダクト１２３や側部排気ダクト１２５を備えていないものもある。このため、加熱冷却ユニットＰＨＰ同士であっても、熱処理プレートＰＬの上方や周囲に形成される気流が同じとは限らない。

ここで、上部排気管１２１、側部給気ダクト１２３、および、側部排気ダクト１２５をそれぞれ、「気流形成設備」と呼ぶ。気流形成設備は、気流を強制的に形成する。また、圧力計１２２を、「気流監視設備」と呼ぶ。気流監視設備は、気流形成設備の流量を監視する。排気用ダンパー１２６を、「気流調節設備」と呼ぶ。気流調節設備は、気流監視設備の流量を調節する。

また、加熱冷却ユニットＰＨＰ同士で、ユニット側アンテナＡＵの位置が同じとは限らない。例えば、加熱冷却ユニットＰＨＰ間で、ユニット側アンテナＡＵのレイアウトを意図的に変えている場合がある。また、レイアウトが共通する加熱冷却ユニットＰＨＰ間であっても、取付誤差等によりユニット側アンテナＡＵの位置が多少ずれている場合がある。

上述した同一カテゴリーの熱処理ユニットＨＵ間における違いは、加熱冷却ユニットＰＨＰだけではなく、他のカテゴリーＣＰ、ＰＥＢについても存在する。ちなみに、冷却ユニットＣＰは、上述した載置部ＰＡやローカル搬送機構ＴＬ等を備えていない。また、冷却ユニットＣＰは、ヒータ１０９に代えて熱処理プレートＰＬを冷却するための温調器具等を備えている。

なお、以下では、各熱処理ユニットＨＵに設置される載置部ＰＡ、熱処理プレートＰＬ、ローカル搬送機構ＴＬまたはユニット側アンテナＡＵを区別する場合には、各熱処理ユニットＨＵを識別する番号（図３参照）と同じ番号を使う。例えば、「熱処理プレートＰＬ_０１」と記載したときは、熱処理ユニットＨＵ_０１に設置されている熱処理プレートＰＬを指す。

［３−２ 温度測定用基板ＷＴの構成］
図８を参照する。温度測定用基板ＷＴは、通常の生産処理に使用される基板Ｗを模擬したものであり、熱処理プレートＰＬによる処理温度を検出する。温度測定用基板ＷＴは、基板本体ＢＷと、複数のセンサユニットＳＵと、センサ側アンテナＡＳとを備えている。

基板本体ＢＷの材質は、基板Ｗと同じ（例えば、シリコン）であり、基板Ｗと同じ形状を有する。

センサユニットＳＵは、基板本体ＢＷの温度を検出する。各センサユニットＳＵは、基板本体ＢＷの上面に設置されている。各センサユニットＳＵは、基板本体ＢＷの各位置の温度を検出する。

本実施例では、１６個のセンサユニットＳＵが基板本体ＢＷに設置されている。１のセンサユニットＳＵは、基板本体ＢＷの中心に配置されている。他の８のセンサユニットＳＵは、温度測定用基板ＷＴの半径の約２分の１の半径を有し、基板本体ＢＷの中心軸Ｐｃと同心の円周上に、周方向に一定の間隔を空けて配置されている。残りの７のセンサユニットＳＵは、温度測定用基板ＷＴの周縁部に、周方向に一定の間隔を空けて配置されている。

センサ側アンテナＡＳは、ユニット側アンテナＡＵと非接触で（無線で）通信する。センサ側アンテナＡＳは、ブロック１３１と複数のセンサ側コイルＳＣを備えている。

ブロック１３１は、基板本体ＢＷの上面の周縁部に固定されている。ブロック１３１の材質は、例えば、石英である。本実施例では、ブロック１３１（センサ側アンテナＡＳ）を、基板本体ＢＷの周縁部の全周ではなく、一部のみに設置している。具体的には、センサ側アンテナＡＳの周方向の長さは、基板本体ＢＷの全周の４分の１以下である。このようにセンサ側アンテナＡＳの外形をコンパクトにすることによって、センサ側アンテナＡＳの熱容量を低減している。その結果、センサ側アンテナＡＳが基板本体ＢＷの温度に与える影響を小さくでき、温度測定用基板ＷＴの検出結果の信頼性を高めることができる。

各センサ側コイルＳＣは、ブロック１３１の内部に設置されている。各センサ側コイルＳＣには、１のセンサユニットＳＵが電気的に接続されている。各センサ側コイルＳＣはそれぞれ、１のセンサユニットＳＵによって得られた検出信号を送信する。各センサ側コイルＳＣはそれぞれ、所定の位置に所定の向きで配置されている。

温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置されているとき、温度測定用基板ＷＴの向きが所定方向であれば、各センサ側コイルＳＣの軸心がそれぞれ１のユニット側コイルＵＣの軸心と完全に一致する。すなわち、ユニット側アンテナＡＵはそれぞれ１のセンサ側アンテナＡＳと正対する。本明細書では、この所定方向を、「第１目標方向」という。なお、温度測定用基板ＷＴの向きは、温度測定用基板ＷＴの中心軸Ｐｃ回りにおける温度測定用基板ＷＴの向き（角度）をいう。第１目標方向は、３６０度に対して１つ存在し、９０度ごとや１８０度ごとに存在する方向ではない。第１目標方向は、熱処理プレートＰＬとユニット側アンテナＡＵの位置関係に依存するので、熱処理プレートＰＬごとに固有の値をとる。

このように構成される温度測定用基板ＷＴは、平面視では基板Ｗと略同じ外形状を有する。すなわち、温度測定用基板ＷＴと基板Ｗとで、平面視における輪郭の寸法は略同じである。センサ側アンテナＡＳ等は、平面視で基板本体ＢＷ内に収まっており、基板本体ＢＷからはみ出していない。温度測定用基板ＷＴは非接触型であり、温度測定用基板ＷＴにケーブルや機器等を接続しない。よって、温度測定用基板ＷＴを搬送したり、載置する際、温度測定用基板ＷＴを、基板Ｗと同様に取り扱うことができる。

本実施例では、各センサユニットＳＵはそれぞれ、水晶振動子と容器（いずれも不図示）とを備えている。水晶振動子は、温度に応じて水晶振動子の固有振動数が変化する。水晶振動子は、適宜な切り出し角度でカットされている。容器は、水晶振動子を気密に封止している。容器の材質は、例えばセラミックである。

温度を検出する際には、まず、ユニット側コイルＵＣに所定周波数の電流を流す。センサ側コイルＳＣには電磁誘導によって起電力が生じる。この起電力によって水晶振動子が共振する。その後、ユニット側コイルＵＣの電流を停止する。水晶振動子が減衰振動する。センサ側コイルＳＣが減衰振動に応じた周波数を含む検出信号を送信する。この検出信号をユニット側コイルＵＣが受信する。

このようにセンサユニットＳＵが水晶振動子で構成され、ユニット側アンテナＡＵがセンサユニットＳＵに電磁誘導により無線で給電する。給電は、検出信号を受信する都度、行えば足りる。このため、温度測定用基板ＷＴ自体は電源部を備えなくてもよいし、蓄電部を備えなくてもよい。また、温度測定用基板ＷＴを給電したり充電するための設備を別途に準備しなくてもよい。

温度測定用基板ＷＴの格納スペースは、たとえばキャリアＣ内や基板処理装置１内である。基板処理装置１内の場合、熱処理部５０、５５内の一画を格納スペースとして活用してもよいし、バッファ部ＢＦ内の１つの棚に温度測定用基板ＷＴを載置してもよい。格納スペースに充電設備を設置しなくてもよいので、いずれの場所であっても温度測定用基板ＷＴを適切に保管することができる。

［３−３ エッジ露光ユニットＥＥＷの構成］
図９（ａ）、（ｂ）を参照する。図９（ａ）は、エッジ露光ユニットの側面図であり、図９（ｂ）は、エッジ露光ユニットの平面図である。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、保持部１４１とモータ１４３と露光ヘッド１４５とエッジ検出部１４７（アンテナ位置検出センサ）とを有する。

保持部１４１は載置された基板Ｗを水平姿勢で保持する。なお、図９（ａ）、９（ｂ）では、温度測定用基板ＷＴを図示している。モータ１４３は、保持部１４１と連結しており、保持部１４１を回転させる。これにより、保持部１４１に保持されている基板Ｗは、基板Ｗの中心軸Ｐｃ回りに回転する。モータ１４３にはエンコーダやポテンショメータ（いずれも不図示）が取り付けられており、モータ１４３の回転位置や回転量を検出可能に構成されている。

露光ヘッド１４５は、基板Ｗの周縁部に露光用の光（例えば紫外線）を照射して、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜を露光する。露光ヘッド１４５は、保持部１４１に保持された基板Ｗの周縁部の上方に配置される。露光ヘッド１４５は、不図示の露光ヘッド用駆動機構によって水平方向（ｘ方向およびｙ方向）に移動可能である。

エッジ検出部１４７は、基板Ｗの周縁部（輪郭）の位置を検出する。エッジ検出部１４７は、光照射部１４８と受光部１４９と備える。

光照射部１４８は、保持部１４１に保持された基板Ｗの周縁部の上方に配置される。受光部１４９は、基板Ｗの周縁部を挟んで光照射部１４８と対向する位置に配置される。

光照射部１４８は、下方に向けてエッジ検出用の光を照射する。光照射部１４８の光の一部は基板Ｗの周縁部に遮られ、その他は受光部１４９に入射する。すなわち、受光部１４９には、基板Ｗの周縁部が投影される。エッジ検出用の光は、平行光であることが好ましい。

受光部１４９は、光を受光し、受光した光の光量（受光量）に応じた検出信号を出力する。すなわち、受光部１４９は、基板Ｗの周縁部を撮像する。受光部１４９は、たとえば、ＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサである。

上述した保持部１４１、モータ１４３、露光ヘッド１４５、エッジ検出部１４７等は制御部９１によって制御される。

エッジ露光ユニットＥＥＷが基板Ｗの周縁部を露光する動作は、次の通りである。

搬送機構ＴＢ１ｄ／ＴＢ２ｄが基板Ｗを保持部１４１に載置する。保持部１４１が基板Ｗを水平姿勢で保持する。モータ１４３が基板Ｗを回転し、エッジ検出部１４７が基板Ｗの周縁部の位置を検出する。エッジ検出部１４７が基板Ｗの周縁部全周の位置を検出すると、モータ１４３が停止する。

制御部９１は、エッジ検出部１４７の検出結果（受光部１４９の検出信号）に基づいて、基板Ｗの周縁部の位置を計算する。基板Ｗの周縁部の位置は、具体的には、基板Ｗの向きや基板Ｗの偏心量である。ここで、基板Ｗの向きは、基板Ｗの中心軸Ｐｃ回りの基板Ｗの角度である。基板Ｗの向きは適宜に定義できる。例えば、基板Ｗの向きを、基板Ｗの中心軸Ｐｃから基板Ｗの周縁部に形成されている切り欠きＶに向かう方向としてもよい。切り欠きＶは、たとえば、ノッチまたはオリエンテーションフラットである。

制御部９１は、モータ１４３を制御して基板Ｗを回転させ、エッジ露光処理のために予め決められている方向に基板Ｗの向きを調整する。また、制御部９１は、基板Ｗの偏心量に基づいて露光ヘッド用駆動機構を制御し、露光ヘッド１４５の位置を調整する。

続いて、モータ１４３が基板Ｗを回転させながら、露光ヘッド１４５が露光用の光を基板Ｗの周縁部に照射する。これにより、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。

エッジ露光処理が終了すると、搬送機構ＴＢ１ｄ／ＴＢ２ｄは保持部１４１に保持された基板Ｗを取り、エッジ露光ユニットＥＥＷから搬出する。

このように、エッジ露光ユニットＥＥＷは、エッジ検出部１４７を備えているので、基板Ｗの向きを適切に調整した上で、エッジ露光処理を行うことができる。

［３−４ 制御系の構成］
図１０を参照する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。

制御部９１は、順番設定部１６１と、試験実行部１６３と、分析処理部１６９とに機能的に分けられる。

順番設定部１６１は、試験を実際に行う前に、複数の試験の予定（スケジュール）に関する試験予定情報を作成する。試験実行部１６３は、試験予定情報に従って複数の試験を行う。分析処理部１６９は、試験結果を分析する。試験実行部１６３は、さらに、搬送制御部１６４と、向き制御部１６５と、熱処理ユニット制御部１６６と、温度計測部１６７とに機能的に分けられる。以下、詳細に説明する。

順番設定部１６１は、試験予定情報を作成する。試験予定情報は、具体的には、各試験に一連の順番を関連づけたテーブルである。順番は、具体的には、「１番目」、「２番目」、…、「ｎ番目」である。試験予定情報を生成するタイミングは、試験を実際に行う前である。

順番を設定すべき複数の試験は、試験リスト情報に規定されている。試験リスト情報は、記憶部９３に予め記憶されている。また、試験リスト情報は、入出力部９５を操作することによって、新規に作成されたり、修正される。このような試験リスト情報を順番設定部１６１が参照することによって、順番設定部１６１は複数の試験を特定する。

ここで、試験とは、熱処理プレートＰＬによって処理されている基板Ｗの温度（以下、「処理温度」という）を測定することである。熱処理ユニットＰＨＰ、ＣＰおよびＰＥＢに設置される任意の熱処理プレートＰＬを試験の対象とすることができる。

試験では、温度測定用基板ＷＴを使用する。すなわち、熱処理プレートＰＬに載置された温度測定用基板ＷＴの処理温度を測定し、測定された処理温度を熱処理プレートＰＬによる基板Ｗの処理温度とみなす。試験予定情報は、同じ温度測定用基板ＷＴを使う複数の試験に対して、１つ生成される。１つの温度測定用基板ＷＴを用いて複数の試験を同時に行うことができず、１つの試験が終了しなければ、他の試験を始められない。

試験は、熱処理プレートＰＬと試験温度を定めて行われる。より具体的には、試験は、熱処理プレートＰＬによる処理温度が試験温度となるように、試験の対象である熱処理プレートＰＬのプレート温度を所定の目標値に制御した状態で行われる。なお、試験温度は、基板Ｗの処理温度の目標値であり、プレート温度の目標値とは厳密には異なる。本明細書では、プレート温度の目標値を、「設定温度」と呼び、試験温度と区別する。

１回の試験につき、試験温度は１つに限られる。たとえば、同じ熱処理プレートＰＬにおいて２以上の試験温度で試験を行った場合、２回以上の試験を行ったとことになる。

搬送制御部１６４は、各搬送機構ＴＡ、ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｃ、ＴＢ２ｄ、ＴＣ１ａ、ＴＣ１ｂ、ローカル搬送機構ＴＬを制御し、温度測定用基板ＷＴを搬送させる。

本明細書では、各搬送機構ＴＡ、ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｃ、ＴＢ２ｄ、ＴＣ１ａ、ＴＣ１ｂ、ローカル搬送機構ＴＬを、「搬送部」と総称する。搬送部は、温度測定用基板ＷＴを搬送する。

向き制御部１６５は、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。具体的には、温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置されたときに温度測定用基板ＷＴが第１目標方向を向くように温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。この調整を「プレート用調整」と呼ぶ。

また、温度測定用基板ＷＴが格納スペースに搬入されたときに温度測定用基板ＷＴの向きが第２目標方向となるように、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。この調整を「格納用調整」と呼ぶ。ここで、第２目標方向は、格納スペースにおける温度測定用基板ＷＴの適切な向きであり、予め設定されている。第２目標方向については、後述する。

調整は、エッジ露光ユニットＥＥＷに設置されている保持部１４１、モータ１４３およびエッジ検出部１４７を制御することによって行う。これら保持部１４１、モータ１４３およびエッジ検出部１４７は、基板Ｗの向きのみならず、温度測定用基板ＷＴの向きを変更できる。すなわち、保持部１４１、モータ１４３およびエッジ検出部１４７は、温度測定用基板ＷＴの向きを変える調整機構ＭＤを構成する。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷ_０１、ＥＥＷ_０２に設置される各調整機構ＭＤを区別するときには、「調整機構ＭＤ_０１」、「調整機構ＭＤ_０２」と記載する。

熱処理ユニット制御部１６６は、各熱処理ユニットＨＵのヒータ１０９等を制御する。なお、ローカル搬送機構ＴＬは熱処理ユニットＨＵの一要素であるが、本実施例では、ローカル搬送機構ＴＬについては、熱処理ユニット制御部１６６ではなく、搬送制御部１６４が制御する。

温度計測部１６７は、温度測定用基板ＷＴの検出信号を処理する。具体的には、温度計測部１６７は、ユニット側アンテナＡＵと有線で電気的に接続されている。温度計測部１６７は、ユニット側アンテナＡＵが受信した検出信号に基づいて、複数（例えば１６）の温度データＴＤを生成する。

分析処理部１６９は、温度計測部１６７によって生成された温度データＴＤを分析する。

記憶部９３は、上述した試験リスト情報のほか、プレート性能情報、試験レシピ情報、受け渡し位置情報、目標方向情報、気流形成設備情報、分析用情報等を予め記憶している。プレート性能情報は、熱処理プレートＰＬの性能に関する情報が規定されている。試験レシピ情報は、試験の要領（条件）に関する情報が規定されている。受け渡し位置情報は、搬送部の位置に関する情報が規定されている。目標方向情報は、第１目標方向および第２目標方向に関する情報が規定されている。気流形成設備情報は、気流形成設備に関する情報が規定されている。分析用情報は、原因および対策に関する情報が規定されている。

また、記憶部９３は、順番設定部１６１が生成した試験予定情報を適宜に記憶する。

入出力部９５は、試験リスト情報の作成や修正に関する命令を受け付ける。その際、入出力部９５は、試験リスト情報を編集するための編集画面を表示してもよい。また、入出力部９５は、試験結果や、分析処理部１６９による分析結果等を表示する。

基板処理装置１は、本発明における基板処理装置に相当するのみならず、本発明における分析装置に相当し、本発明における試験予定作成装置に相当する。

［４． 熱処理プレートＰＬを試験するための動作］
次に、基板処理装置１の熱処理プレートＰＬを試験する動作について説明する。図１１は、熱処理プレートの試験の概略的な手順を示すフローチャートである。

＜ステップＳ１＞ 試験予定作成過程
試験の実施に先立って、試験予定情報を生成する。試験予定作成過程は、本発明における試験予定作成方法に相当する。

＜ステップＳ２、Ｓ３＞ 試験連続実施過程
試験予定情報に規定される一連の試験を実施する。具体的には、試験予定情報に従って温度測定用基板ＷＴを熱処理プレートＰＬに搬送し、１番目の試験から順に試験を１つずつ行う。このようにして一連の試験を全て終了するまで試験を連続的に行う。なお、ステップＳ３の過程は、ステップＳ２の過程に含まれる１つ１つの試験のみを意味する。

＜ステップＳ４＞ 分析
試験の結果を分析する。

＜ステップＳ５＞ 出力
試験の結果および／または分析の結果を出力する。

以下では、ステップＳ１乃至Ｓ４の各動作について詳細に説明する。

［４−１ Ｓ１（試験予定作成過程の作成）の詳細な動作例］
図１２は、試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。

＜ステップＳ１１＞ 試験特定過程
順番設定部１６１は、記憶部９３に記憶されている試験リスト情報または入出力部９５に入力された試験リスト情報を参照し、順番を割り当てるべき試験を特定する。試験リスト情報には、複数の試験が規定されている。試験リスト情報は、試験対象である熱処理プレートＰＬや試験温度を特定するための情報を含む。

図１３は、試験リスト情報の一例を示す模式図である。図１３に示す試験リスト情報は、試験識別情報とユニット識別情報とカテゴリー識別情報とプレート識別情報と試験温度とを関連付けたテーブルである。この試験リスト情報には、７つの試験（ＴｅＡ乃至ＴｅＧ）が規定されている。ここで、試験識別情報は、各試験を識別するための情報である。ユニット識別情報は、熱処理ユニットＨＵを識別するための情報である。カテゴリー識別情報は、熱処理ユニットＨＵのカテゴリーを識別するための情報である。プレート識別情報は、熱処理プレートＰＬを識別するための情報である。

＜ステップＳ１２＞ 負担量比較過程
順番設定部１６１は、各熱処理プレートＰＬの初期負担量を比較し、初期負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを特定する。

初期負担量は、試験特定過程によって特定された全ての試験が各熱処理プレートＰＬに与える負担を数値化したものである。初期負担量は、熱処理プレートＰＬに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とする数値である。

試験数は、試験リスト情報によって与えられる。同じ熱処理プレートＰＬに対して２以上の試験温度が設定されている場合、その熱処理プレートＰＬの試験数は２以上になる。図１３の試験リスト情報では、熱処理プレートＰＬ_０３、ＰＬ_１１の試験数はそれぞれ「２」であり、熱処理プレートＰＬ_１８の試験数は「３」である。

変更時間と温度変化速度はそれぞれ、熱処理プレートＰＬの性能を示す指標であり、熱処理プレートＰＬの材質、使用温度域または使用環境等に依存する。これら変更時間や温度変化速度のような熱処理プレートＰＬの性能に関する情報は、プレート性能情報に規定されている。プレート性能情報は、記憶部９３に予め記憶されている。

図１４は、プレート性能情報の一例を示す模式図である。図１４に示すプレート性能情報は、プレート識別情報と変更時間とを関連付けたテーブルである。図１４では変更時間の欄が空欄になっているが、実際には各欄に一つの値、具体的には、各熱処理プレートＰＬの変更時間を代表する値が設定されている。なお、熱処理プレートＰＬごとに設定されている１つの変更時間のみによっても、各熱処理プレートＰＬの性能の相対的な関係（性能比）を十分に表すことができる。このため、このような変更時間を基礎とする場合であっても適切な初期負担量を算出できる。

初期負担量は、負担が大きいほど大きな値をとるように定義することが好ましい。具体的には、初期負担量は、試験数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示すことが好ましい。

初期負担量は、例えば、試験数そのものであってもよい。これによれば、試験リスト情報のみに基づいて各熱処理プレートＰＬの初期負担量を特定できる。また、初期負担量は、各熱処理プレートＰＬの変更時間を基準となる時間で除した値でもよい。これによれば、その後の演算処理において扱い易い数値に整えることができる。あるいは、初期負担量は、例えば、試験数と変更時間の積でもよい。この場合、順番設定部１６１は、試験リスト情報とプレート性能情報を参照することによって、各熱処理プレートＰＬの初期負担量を算出する。

＜ステップＳ１３＞ １番目割当過程
順番設定部１６１は、負担量比較過程によって特定された熱処理プレートＰＬに対する１の試験に、「１番目」の順番を割り当てる。「１番目」は最初の順番である。「１番目」の順番が割り当てられた試験は、割当済試験となる。なお、「割当済試験」以外の試験、すなわち、未だ順番が割り当てられていない試験を「未割当試験」と呼ぶ。

特定された熱処理プレートＰＬの試験数が２以上である場合、いずれの試験に順番を割り当ててもよい。

＜ステップＳ１４＞ タイミング推定過程
順番設定部１６１は、割当済試験の全てを行う場合を仮想する。本ステップＳ１４を開始する時点を基準とすると、既にいずれかの試験に「１番目」が割り当てられているので、少なくとも１以上の割当済試験が必ず存在する。このような仮定のもとで、割当済試験を行った後に、未割当試験の中で最も早く開始できる未割当試験を推定する。推定をする際、順番設定部１６１はプレート性能情報を参照し、各熱処理プレートＰＬの性能を考慮する。そして、割当済試験の終了時を基準として、各未割当試験を開始できるタイミング（時刻）をそれぞれ計算する。

＜ステップＳ１５＞ ２番目以降割当過程
タイミング推定過程によって推定された未割当試験に、次の順番を割り当てる。なお、「次の順番」は、割当済試験の数をｎとすると、「（ｎ＋１）番目」である。これにより、「２番目」、「３番目」等、「２番目」以降の順番を未割当試験に割り当てる。

＜ステップＳ１６＞ 全ての試験に順番を割り当てたか？
順番設定部１６１は、全ての試験に順番を割り当てたか否かを判断する。割り当てたと判断した場合には、試験予定情報が完成したことになり、終了する。そうでないと判断した場合には、ステップＳ１４に戻る。これにより、全ての試験に順番を割り当てるまでステップＳ１４、Ｓ１５の処理を繰り返す。

完成した試験予定情報は、記憶部９３に適宜に記憶される。また、完成した試験予定情報は、試験実行部１６３に与えられる。

上述したステップＳ１２、Ｓ１３は、本発明における１番目作成過程に相当する。また、ステップＳ１４、Ｓ１５は、本発明における２番目以降作成過程に相当する。

ここで、２つのケースを例にとって、ステップＳ１（試験予定情報の作成）の処理を具体的に説明する。

［ケース１］
図１５（ａ）は、ケース１における試験リスト情報であり、図１５（ｂ）は、ケース１におけるプレート性能情報である。図１５（ａ）では、ユニット識別情報等が省略された簡素な試験リスト情報を例示している。なお、初期負担量は、試験数と変更時間の積とする。各試験の試験時間を１０分と仮定する。

＜ステップＳ１１＞ 試験特定過程
試験リスト情報を参照して、試験ＴｅＡ、ＴｅＢ、ＴｅＣを特定する。

＜ステップＳ１２＞ 負担量比較過程
試験リスト情報およびプレート性能情報を参照して、以下の事項を特定する。
・（熱処理プレートＰＬ_０１に対する試験数）＝１
・（熱処理プレートＰＬ_０２に対する試験数）＝２
・（熱処理プレートＰＬ_０１の変更時間）＝３［ｍｉｎ］
・（熱処理プレートＰＬ_０２の変更時間）＝３［ｍｉｎ］
・（熱処理プレートＰＬ_０１の初期負担量）＝３
・（熱処理プレートＰＬ_０２の初期負担量）＝６
・（熱処理プレートＰＬ_０１の初期負担量）＜（熱処理プレートＰＬ_０２の初期負担量）
・（初期負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬ）＝熱処理プレートＰＬ_０２

＜ステップＳ１３＞ １番目割当過程
熱処理プレートＰＬ_０２に対する１の試験に「１番目」を割り当てる。このとき、試験ＴｅＢ、ＴｅＣのいずれに「１番目」を割り当ててもよい。ここでは、試験ＴｅＢを１番目に割り当てたとする。試験ＴｅＢは、割当済試験になる。

＜ステップＳ１４＞ タイミング推定過程（１回目）
試験ＴｅＢを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・未割当試験＝試験ＴｅＡ、ＴｅＣ
・（試験ＴｅＡの開始タイミング）＝試験ＴｅＢの終了時から０分後
・（試験ＴｅＣの開始タイミング）＝試験ＴｅＢの終了時から３分後
・（試験ＴｅＢの終了後に最も早く開始できる未割当試験）＝試験ＴｅＡ

ここでは、試験ＴｅＢの終了時までに熱処理プレートＰＬ_０１のプレート温度を約１００度に変更し終えるものとして、試験ＴｅＡの開始タイミングを推定している。また、試験ＴｅＢの終了時に、熱処理プレートＰＬ_０２のプレート温度を約１００度から約１５０度に変更し始めるものとして、試験ＴｅＣの開始タイミングを推定している。なお、熱処理プレートＰＬ_０２から熱処理プレートＰＬ_０１に温度測定用基板ＷＴを搬送する時間については無視している。

＜ステップＳ１５＞ ２番目以降割当過程（１回目）
試験ＴｅＡに「２番目」を割り当てる。試験ＴｅＡは割当済試験となる。

＜ステップＳ１６＞ 全ての試験に順番を割り当てたか？
未割当試験ＴｅＣが残っているので、ステップＳ１４に戻る。

＜ステップＳ１４＞ タイミング推定過程（２回目）
試験ＴｅＢ、ＴｅＡを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・未割当試験＝試験ＴｅＣ
・（試験ＴｅＣの開始タイミング）＝試験ＴｅＡの終了時から０分後
・（試験ＴｅＢ、ＴｅＡの終了後に最も早く開始できる未割当試験）＝試験ＴｅＣ

＜ステップＳ１５＞ ２番目以降割当過程（２回目）
試験ＴｅＣに「３番目」を割当てる。試験ＴｅＣは割当済試験となる。

＜ステップＳ１６＞ 全ての試験に順番を割り当てたか？
全ての試験が割当済試験であるので、ステップＳ１（試験予定作成過程）の処理を終了する。

これにより、図１６に例示するような試験予定情報が作成される。図１６は、ケース１における試験予定情報を例示する模式図である。

図１７（ａ）、（ｂ）を参照する。図１７（ａ）、（ｂ）は、ケース１における一連の試験の工程表である。図１７（ａ）は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表である。図１７（ｂ）は、試験ＴｅＡ、ＴｅＢ、ＴｅＣの順に試験を行う場合（比較例）の工程表である。なお、図１７（ａ）、（ｂ）では、温度測定用基板ＷＴを熱処理プレートＰＬ_０１、ＰＬ_０２間で搬送するための時間を無視している。

一連の試験の開始時から終了時までの期間を、「総試験時間」とする。図１７（ａ）に示すように、本実施例では、総試験時間が３０分である。図１７（ｂ）に示すように、比較例では、総試験時間が３３分である。このように、本実施例によれば、比較例よりも総試験時間を３分短縮できる。

［ケース２］
図１８（ａ）は、ケース２における試験リスト情報であり、図１８（ｂ）は、ケース２におけるプレート性能情報である。なお、初期負担量は、試験数と変更時間の積とする。各試験の試験時間を１０分と仮定する。

＜ステップＳ１１＞ 試験特定過程
試験リスト情報を参照して、試験ＴｅＡ、ＴｅＢ、ＴｅＣ、ＴｅＤを特定する。

＜ステップＳ１２＞ 負担量比較過程
リスト情報およびプレート性能情報を参照して、以下の事項を特定する。
・（熱処理プレートＰＬ_０１の初期負担量）＝６
・（熱処理プレートＰＬ_０３の初期負担量）＝６０
・（熱処理プレートＰＬ_０１の初期負担量）＜（熱処理プレートＰＬ_０３の初期負担量）
・（初期負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬ）＝熱処理プレートＰＬ_０３

＜ステップＳ１３＞ １番目割当過程
熱処理プレートＰＬ_０３に対する１の試験に「１番目」を割り当てる。ここでは、試験ＴｅＣを「１番目」に割り当てたとする。試験ＴｅＣは割当済試験になる。

＜ステップＳ１４＞ タイミング推定過程（１回目）
試験ＴｅＣを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・（試験ＴｅＡの開始タイミング）＝試験ＴｅＣの終了時から０分後
・（試験ＴｅＢの開始タイミング）＝試験ＴｅＣの終了時から０分後
・（試験ＴｅＤの開始タイミング）＝試験ＴｅＣの終了時から３０分後
・（試験ＴｅＡの終了後に最も早く開始できる未割当試験）＝試験ＴｅＡ、ＴｅＢ

＜ステップＳ１５＞ ２番目以降割当過程（１回目）
試験ＴｅＡ、ＴｅＢのいずれかに「２番目」を割り当てる。ここでは、試験ＴｅＡに「２番目」を割り当てたとする。試験ＴｅＡは割当済試験となる。

＜ステップＳ１６＞ 全ての試験に順番を割り当てたか？
未割当試験ＴｅＢ、ＴｅＤが残っているので、ステップＳ１４に戻る。

＜ステップＳ１４＞ タイミング推定過程（２回目）
試験ＴｅＣ、ＴｅＡを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・（試験ＴｅＢの開始タイミング）＝試験ＴｅＡの終了時から３分後
・（試験ＴｅＤの開始タイミング）＝試験ＴｅＡの終了時から２０分後
・（試験ＴｅＡの終了後に最も早く開始できる未割当試験）＝試験ＴｅＢ

＜ステップＳ１５＞ ２番目以降割当過程（２回目）
試験ＴｅＢに「３番目」を割り当てる。試験ＴｅＢは割当済試験となる。

＜ステップＳ１６＞ 全ての試験に順番を割り当てたか？
未割当試験ＴｅＤが残っているので、ステップＳ１４に戻る。

＜ステップＳ１４＞ タイミング推定過程（３回目）
試験ＴｅＣ、ＴｅＡ、ＴｅＢを行うと仮定して、以下の事項を推定する。
・（試験ＴｅＤの開始タイミング）＝試験ＴｅＢの終了時から７分後
・（試験ＴｅＢの終了後に最も早く開始できる未割当試験）＝試験ＴｅＤ

＜ステップＳ１５＞ ２番目以降割当過程（３回目）
試験ＴｅＤに「４番目」を割り当てる。試験ＴｅＤは割当済試験となる。

＜ステップＳ１６＞ 全ての試験に順番を割り当てたか？
全ての試験が割当済試験であるので、ステップＳ１（試験予定作成過程）の処理を終了する。

これにより、図１９に例示するような試験予定情報が作成される。図１９は、ケース２における試験予定情報を例示する模式図である。

図２０（ａ）、（ｂ）を参照する。図２０（ａ）、（ｂ）は、ケース２における一連の試験の工程表である。図２０（ａ）は、本実施例によって作成された試験予定情報に基づく工程表である。図２０（ｂ）は、試験ＴｅＡ、ＴｅＣ、ＴｅＢ、ＴｅＤの順に試験を行う場合（比較例）の工程表である。なお、図２０（ａ）、（ｂ）では、温度測定用基板ＷＴを熱処理プレートＰＬ_０１、ＰＬ_０３間で搬送するための時間を無視している。

図２０（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施例では、総試験時間は５０分である。比較例では総試験時間は６０分である。このように、本実施例によれば、比較例よりも総試験時間を１０分短縮できる。

ステップＳ１（試験予定作成過程）の効果
試験予定作成過程は、１番目作成過程と２番目以降作成過程を備えているので、試験を実際に行う前に試験予定情報を好適に作成できる。すなわち、各試験に最適な順番をそれぞれ設定することができる。この試験予定情報に従えば、複数の試験を効率良く実施できる。

また、１番目作成過程は、負担量比較過程と１番目割当過程を備え、初期負担量が最も大きい熱処理プレートＰＬに対する試験を「１番目」とする。これにより、「１番目」が割り当てられた試験の対象である熱処理プレートＰＬに対して試験温度を変えて複数の試験を行う場合であっても、その熱処理プレートＰＬのプレート温度を変更している間に他の熱処理プレートＰＬに対する試験を行うようなスケジュールを作成し易い。よって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。

また、２番目以降作成過程は、タイミング推定過程と２番目以降割当過程を備えているので、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。特に、タイミング推定過程を備えているので、試験と試験の間の待ち時間を最小にできる。

また、タイミング推定過程は変更時間を考慮して未割当試験の開始タイミングを推定するので、変更時間に起因する試験と試験の間の待ち時間を最小にできる。

ステップＳ１（試験予定作成過程）の変形実施例
上述したステップＳ１１〜Ｓ１６の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。

（１）１番目作成過程について
１番目作成過程は、負担量比較過程と１番目割当過程を備えていたが、これに限られない。例えば、１番目作成過程は、さらに、特定結果判定過程と補助比較過程を備えるように変更してもよい。この変形実施例によれば、負担量比較過程が２以上の熱処理プレートＰＬを特定した場合であっても、その中から熱処理プレートＰＬをさらに選別することができ、最適な試験に「１番目」を割り当てることができる。

図２１を参照する。図２１は、変形実施例にかかる試験予定作成過程の詳細な手順を示すフローチャートである。図２１に示すフローチャートにおいては、ステップＳ１１２乃至Ｓ１１５が、本発明における１番目作成過程に相当する。

まず、負担量比較過程は、負担量が最も大きい熱処理プレートＰＬを特定する（ステップＳ１１２）。続いて、負担量比較過程の処理結果に、２以上の熱処理プレートＰＬが含まれているか否かを判定する（ステップＳ１１３）。その結果、含まれていると判定した場合には、補助比較過程（ステップＳ１１４）に進む。そうでない場合には、１番目割当過程（ステップＳ１１５）に進む。ステップＳ１１３が、特定結果判定過程である。

補助比較過程は、負担量比較過程が特定した２以上の熱処理プレートＰＬの中で、補助初期負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを特定する（ステップＳ１１４）。

ここで、補助初期負担量は、初期負担量とは別の観点から熱処理プレートＰＬの負担を数値化したものである。すなわち、補助初期負担量は、熱処理プレートＰＬに対する試験数、プレート温度を変更するのに要する変更時間、および、プレート温度の温度変化速度の少なくともいずれかであって、初期負担量の基礎と異なるものを基礎とする数値である。例えば、初期負担量が試験数および変更時間を基礎とする数値である場合には、試験数のみを基礎とする補助初期負担量を採用してもよい。

補助比較過程が熱処理プレートＰＬを特定した場合には、１番目割当過程は、負担量比較過程の処理結果に関係無く、補助比較過程が特定した熱処理プレートＰＬを対象とする１の試験に「１番目」を割り当てる（ステップＳ１１５）。他方、補助比較過程が熱処理プレートＰＬを特定しなかった場合（すなわち、含まれていると特定結果判定過程によって判定されなかった場合）、１番目割当過程は、負担量比較過程が特定した熱処理プレートＰＬを対象とする１の試験に「１番目」を割り当てる（ステップＳ１１５）。

このような変形実施例によれば、初期負担量が最も大きい熱処理プレートＰＬが２以上存在する場合であっても、初期負担量とは異質な指標である補助初期負担量を用いて、負担のより大きな熱処理プレートＰＬを的確に特定できる。よって、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。

（２）２番目以降作成過程について
２番目以降作成過程は、タイミング推定過程と２番目以降割当過程を例示したが、これに限られない。以下、３つの変形実施例を説明する。

（２−１）２番目以降作成過程は、さらに、推定結果判定過程と補助推定過程を備えるように変更してもよい。推定結果判定過程は、タイミング推定過程の推定結果に、異なる熱処理プレートＰＬを対象とする複数の未割当試験が含まれているか否かを判定する。含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、補助推定過程は、タイミング推定過程が推定した未割当試験の対象となっている複数の熱処理プレートＰＬの中で、各熱処理プレートＰＬの残負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを推定する。

そして、補助推定過程が熱処理プレートＰＬを推定した場合には、２番目以降割当過程は、タイミング推定過程の推定結果に関わらず、補助推定過程によって推定された熱処理プレートＰＬを対象とする未割当試験に、次の順番を割り当てる。他方、補助推定過程が熱処理プレートＰＬを推定しなかった場合（すなわち、含まれていると推定結果判定過程が判定しなかった場合）には、２番目以降割当過程は、タイミング推定過程が推定した未割当試験に次の順番を割り当てる。

ここで、残負担量は、未割当試験が各熱処理プレートＰＬに与える負担を表す数値であって、残数、変更時間、および、温度変化速度の少なくともいずれかを基礎とする数値である。「残数」とは、熱処理プレートに対する未割当試験の数である。

残負担量は、負担が大きいほど大きな値をとるように定義することが好ましい。具体的には、残負担量は、残数が多いほど大きくなる傾向、変更時間が長いほど大きくなる傾向、および、温度変化速度が遅いほど大きくなる傾向の少なくともいずれかを示すことが好ましい。

このような変形実施例によれば、タイミング推定過程が、異なる熱処理プレートＰＬを対象とする複数の未割当試験を推定した場合であっても、複数の未割当試験をさらに絞り込むことができる。具体的には、熱処理プレートＰＬの残負担量がより大きい熱処理プレートＰＬを対象とする未割当試験を選別することができる。そして、選別されなかった未割当試験よりも選別された未割当試験に優先的に次の順番を割り当てることができる。このため、総試験時間が一層短い試験予定情報を作成できる。

（２−２）タイミング推定過程に代えて、残負担量推定過程を採用してもよい。残負担量推定過程は、残負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを推定する。この変形実施例では、２番目以降割当過程は、残負担量推定過程が推定した未割当試験に次の順番を割り当てる。

さらに、この変形実施例において、２番目以降作成過程は、推定結果判定過程と補助推定過程を備えるように変更してもよい。推定結果判定過程は、残負担量推定過程の推定結果に、２以上の熱処理プレートＰＬが含まれているか否かを判定する。補助推定過程は、含まれていると推定結果判定過程が判定した場合には、残負担量推定過程が推定した２以上の熱処理プレートＰＬの中で、熱処理プレートＰＬの補助残負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを推定する。

ここで、補助残負担量は、残負担量とは別の観点から熱処理プレートＰＬの負担を数値化したものである。すなわち、補助残負担量は、残数、変更時間、および、温度変化速度の少なくともいずれかであって、残負担量の基礎と異なるものを基礎とする数値である。

（２−３）２番目以降作成過程は、さらに、未割当試験判定過程と候補限定過程を備えるように変更してもよい。未割当試験判定過程は、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する。異プレート未割当試験が存在すると判定された場合には、候補限定過程は、次の順番を割り当てる試験の候補を異プレート未割当試験に限定する。

ここで、「異プレート未割当試験」は、直近に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートＰＬとは異なる熱処理プレートＰＬを対象とする未割当試験である。未割当試験のうち異プレート未割当試験以外は全て、「同プレート未割当試験」である。同プレート未割当試験は、直近に順番が割り当てられた割当済試験と同じ熱処理プレートＰＬに対する未割当試験である。候補限定過程が候補を限定すると、仮に同プレート未割当試験が存在していても、同プレート未割当試験は候補から外れる。なお、「直近に順番が割り当てられた割当済試験」とは、割当済試験の中で、最後に順番が割り当たられた割当済試験をいう。

上記（２−２）、（２−３）について、図２１を参照して具体的に説明する。図２１に示すフローチャートにおいて、ステップＳ１１６乃至Ｓ１２１が、本発明における２番目以降作成過程に相当する。

ステップＳ１１６は、未割当試験判定過程である。未割当試験判定過程は、直前に順番が割り当てられた割当済試験の対象である熱処理プレートＰＬを特定する。そして、特定された熱処理プレートＰＬとは異なる熱処理プレートＰＬを対象とした未割当試験、すなわち、異プレート未割当試験が存在するか否かを判定する（Ｓ１１６）。その結果、存在すると判定した場合には、候補限定過程（ステップＳ１１７）に進む。そうでない場合には、残負担量推定過程（ステップＳ１１８）に進む。

候補限定過程は、全ての未割当試験のうち、異プレート未割当試験のみを、次の順番を割り当てる試験の候補に決定する（ステップＳ１１７）。

候補限定過程によって候補が限定された場合、残負担量推定過程は、異プレート未割当試験の対象となっている熱処理プレートＰＬの中で残負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを推定する（ステップＳ１１８）。他方、候補限定過程によって候補が限定されなかった場合、残負担量推定過程は、全ての熱処理プレートＰＬの中で、残負担量が最も大きな熱処理プレートＰＬを推定する（ステップＳ１１８）。

ステップＳ１１９は、推定結果判定過程である。推定結果判定過程は、残負担量推定過程によって２以上の熱処理プレートＰＬが推定されたか否かを判定する（ステップＳ１１９）。その結果、２以上の熱処理プレートＰＬが推定されたと推定結果判定過程が判定した場合には、補助推定過程（ステップＳ１２０）に進む。そうでない場合には、２番目以降割当過程（ステップＳ１２１）に進む。

補助推定過程は、残負担量推定過程によって推定された２以上の熱処理プレートＰＬの中で、補助残負担量の最も大きな熱処理プレートＰＬを推定する（ステップＳ１２０）。

補助推定過程が熱処理プレートＰＬを推定した場合には、２番目以降割当過程は、残負担量推定過程の処理結果に関係無く、補助推定過程によって推定された熱処理プレートＰＬを対象とする１の試験に次の順番を割り当てる（ステップＳ１２１）。他方、補助推定過程が熱処理プレートＰＬを推定しなかった場合には、２番目以降割当過程は、残負担量推定過程によって推定された熱処理プレートＰＬを対象とする１の試験に次の順番を割り当てる（ステップＳ１２１）。

ステップＳ１２２は、全ての試験に順番を割り当てたか否かを判断する。割り当てたと判断した場合には、試験予定情報が完成したことになり、終了する。そうでないと判断した場合には、ステップＳ１１６に戻る。これにより、全ての試験に順番を割り当てるまでステップＳ１１６乃至Ｓ１２１の処理を繰り返す。

このように、２番目以降作成過程は、残負担量推定過程と２番目以降割当過程を備え、残負担量の最も大きい熱処理プレートＰＬを対象とする試験に次の順番を割り当てる。一部の熱処理プレートＰＬのプレート温度を変更している間に他の熱処理プレートＰＬに対する試験を行うようなスケジュールを作成し易い。よって、総試験時間が比較的に短い試験予定情報を作成できる。

また、２番目以降作成過程は、推定結果判定過程と補助推定過程を備えている。このため、残負担量が最も大きい熱処理プレートＰＬが２以上存在する場合であっても、残負担量とは異質な指標である補助残負担量を用いて、負担がより大きい熱処理プレートＰＬを的確に特定できる。よって、総試験時間がより短い試験予定情報を作成できる。

また、２番目以降作成過程は、未割当試験判定過程と候補限定過程を備えているので、同プレート未割当試験よりも異プレート未割当試験に優先的に次の順番を割り当てることができる。これにより、試験と試験の間の待ち時間がより短い試験予定情報を作成できる。

（３）試験特定過程について
試験特定過程（ステップＳ１１、Ｓ１１１）については詳しく説明しなかったが、試験特定過程を適宜に選択、設計することができる。例えば、試験特定過程において、ユーザーが入出力部９５に入力した情報、及び、記憶部９３に記憶されている情報の少なくともいずれかに基づいて試験リスト情報を作成・修正してもよい。

（４）温度測定用基板ＷＴの数について
上述した実施例では、１枚の温度測定用基板ＷＴを使用して複数の試験を行う場合における動作を例示したが、これに限られない。たとえば、複数の温度測定用基板ＷＴを用いて試験を行う場合であっても、試験予定作成過程を適用できる。この場合、各温度測定用基板ＷＴについて試験予定作成過程をそれぞれ実行し、温度測定用基板ＷＴごとに１つの試験予定情報を作成する。

（５）複数の試験について
上述した実施例では、複数の試験は、熱処理プレートＰＬおよび試験温度の双方が異なる試験であったが、これに限られない。複数の試験は、熱処理プレートＰＬおよび試験温度の一方のみが異なる試験であってもよい。

（６）試験の対象について
上述した実施例では、試験の対象については特に説明しなかったが、次のように変更してもよい。たとえば、複数の試験を、上層Ｋ１に含まれる熱処理プレートＰＬを対象とする試験で構成される上層試験グループと、下層Ｋ２に含まれる熱処理プレートＰＬを対象とする試験で構成される下層試験グループに区分し、上層試験グループに含まれる試験のみについて１の試験予定情報を作成し、下層試験グループに含まれる試験のみについて別の試験予定情報を作成してもよい。あるいは、試験が属するグループに関係なく、上層試験グループおよび下層試験グループに含まれる各試験について１つの試験予定情報を作成してもよい。

（７）プレート性能情報について
プレート性能情報は、プレート識別情報と変更時間とを関連付けたテーブルであったが、これに限られない。たとえば、熱処理プレートＰＬの性能によって熱処理プレートＰＬをプレートカテゴリーに分類できる場合には、プレートカテゴリー識別情報とプレート性能情報（例えば、変更時間に関する情報）とを関連付けたテーブルに変更してもよい。ここで、プレートカテゴリー識別情報は、熱処理プレートＰＬが属するプレートカテゴリーを識別するための情報である。これによれば、１のプレートカテゴリー識別情報によって複数の熱処理プレートＰＬを一括して特定できるので、プレート性能情報をより簡素にできる。

また、プレート性能情報は、変更時間に関する情報および温度変化速度に関する情報の少なくともいずれかを含むように変更してもよい。これによれば、変更時間に関する情報および温度変化速度に関する情報の少なくともいずれかに基づいて、未割当試験を開始できるタイミングを好適に計算できる。また、種々の負担量を好適に求めることができる。

［４−２ Ｓ２（試験連続実施過程）の詳細な動作例］
図２２は、試験連続実施過程の詳細な手順を示すフローチャートである。図２３は、温度測定用基板ＷＴの搬送経路の一例を模式的に示す図である。

ここでは、図２３に示すように、温度測定用基板ＷＴの格納スペースをキャリアＣ内とする。説明の便宜上、上層Ｋ１（熱処理ユニット群５１、５６）に設置されている熱処理プレートＰＬのみを各試験の対象とする。また、上層Ｋ１（熱処理ユニット群５６）に設置されているエッジ露光ユニットＥＥＷ_０１において温度測定用基板ＷＴの向きを調整するものとする。

＜ステップＳ２１＞ 搬出過程
搬送制御部１６４は、搬送機構ＴＡを制御して、ＩＤ部１１に載置されているキャリアＣから温度測定用基板ＷＴを搬出する。なお、キャリアＣは、専ら温度測定用基板ＷＴを収容するための専用キャリアであってもよいし、基板Ｗも収容可能な兼用キャリアであってもよい。

＜ステップＳ２２＞ 温度測定用基板をエッジ露光ユニットに搬送する
搬送制御部１６４は、搬送機構ＴＡ、ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄを制御して、エッジ露光ユニットＥＥＷ_０１に温度測定用基板ＷＴを搬送する。温度測定用基板ＷＴは、保持部１４１に載置される。

＜ステップＳ２３＞ プレート用調整
向き制御部１６５は、エッジ露光ユニットＥＥＷ_０１に設置される調整機構ＭＤ_０１を制御することによって、プレート用調整を行う。これにより、調整機構ＭＤ_０１は、温度測定用基板ＷＴの向きを変える。

より詳しくは、向き制御部１６５は、試験予定情報を参照して、「１番目」の試験の対象となっている熱処理プレートＰＬを特定する。そして、特定した熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴが載置されたときに温度測定用基板ＷＴの向きが第１目標方向となるように、エッジ露光ユニットＥＥＷにおいて温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。

第１目標方向は、記憶部９３に記憶されている目標方向情報に予め規定されている。向き制御部１６５は、目標方向情報を参照して第１目標方向を特定する。

図２４は、目標方向情報の一例を示す模式図である。図２４に示す目標方向情報は、第１目標方向のみならず第２目標方向に関する情報が規定されている。具体的には、目標方向情報は、プレート識別情報と第１目標方向とを関連付けたテーブルと、格納スペース識別情報と第２目標情報とを関連付けたテーブルを含む。ここで、格納スペース識別情報は、格納スペースを識別するための情報である。

温度測定用基板ＷＴの向きを調整する際、向き制御部１６５は、第１向き変動量を考慮する。第１向き変動量は、搬送部がエッジ露光ユニットＥＥＷ（調整機構ＭＤ）から熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを搬送する間に温度測定用基板ＷＴの向きが変動する量である。

図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照する。図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、エッジ露光ユニットＥＥＷにおける温度測定用基板ＷＴの向きと熱処理プレートＰＬにおける温度測定用基板ＷＴの向きとの関係を模式的に示す図である。各図において、左側の図は、搬送機構ＴＢ１ｄがエッジ露光ユニットＥＥＷ_０１から温度測定用基板ＷＴを取るときを示し、右側の図は、搬送機構ＴＢ１ｄが熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを渡すときを図示する。図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す熱処理プレートＰＬ_１５、ＰＬ_１６、ＰＬ_１７はいずれも、冷却ユニットＣＰに設置されている。

図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）では、温度測定用基板ＷＴの向きＤＥ、ＤＨを、便宜上、温度測定用基板ＷＴの中心軸Ｐｃからセンサ側アンテナＡＳの一端に延びる向きによって示している。向きＤＥは、エッジ露光ユニットＥＥＷにおける温度測定用基板ＷＴの向きである。向きＤＨは、熱処理プレートＰＬ上に載置された温度測定用基板ＷＴの向きである。図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の右側の図では、向きＤＥを重ねて図示している。

第１向き変動量は、向きＤＥと向きＤＨのなす角度ＡＣである。各図では、第１向き変動量ＡＣａ、ＡＣｂ、ＡＣｃが異なっている場合を示している。このように、第１向き変動量ＡＣは一律とは限らない。すなわち、第１向き変動量は、熱処理プレートＰＬごとに固有の値をとる。

また、図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に明示するように、温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置されたとき、センサ側アンテナＡＳはユニット側アンテナＡＵの真正面に位置している。すなわち、向きＤＨａ、ＤＨｂ、ＤＨｃはそれぞれ、熱処理プレートＰＬ_１５、ＰＬ_１６、ＰＬ_１７における第１目標方向であり、各温度測定用基板ＷＴはそれぞれ、第１目標方向ＤＨａ、ＤＨｂ、ＤＨｃを向いた状態で載置されている。したがって、向きＤＥａ、ＤＥｂ、ＤＥｃは、エッジ露光ユニットＥＥＷにおいて調整すべき温度測定用基板ＷＴの向きである。なお、各図では、第１目標方向ＤＨａ、ＤＨｂ、ＤＨｃが互いに異なっている場合を示している。

各図から明らかなように、向きＤＥａ、ＤＥｂ、ＤＥｃは、第１目標方向ＤＨに第１向き変動量ＡＣを加減算することによって求められる。

ここで、第１向き変動量ＡＣの特定方法を例示する。

第１向き変動量ＡＣは、搬送部の受け渡し位置によって決まる。例えば、図２５（ａ）の場合、向き変動量ＡＣａは、エッジ露光ユニットＥＥＷ（調整機構ＭＤ）から温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置と、熱処理プレートＰＬ_１５に温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｄの各位置によって決まる。

搬送部の受け渡し位置は、受け渡し位置情報に規定されている。受け渡し位置情報は、搬送部がエッジ露光ユニットＥＥＷ（調整機構ＭＤ）から温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送部の位置に関する情報、および、搬送部が熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送部の位置に関する情報を少なくとも含む。

図２６は、受け渡し位置情報の一例を示す模式図である。図２６に示す受け渡し位置情報は、搬送部識別情報と、ユニット等識別情報と、位置情報とを関連付けたテーブルである。搬送部識別情報は、搬送部を識別するための情報である。ユニット等識別情報は、処理ユニット、載置部、キャリアＣ等（以下、「ユニット等」という）を識別するための情報である。位置情報は、搬送部がユニット等から温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送部の位置に関する情報であり、搬送部がユニット等に温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送部の位置に関する情報である。位置情報は、ｘ方向の位置、ｙ方向の位置、ｚ方向の位置、角度θ、および、距離ｒに関する各情報を含む。これらｘ方向の位置等の情報によって、搬送機構の位置は一意に特定される。なお、角度θは、各搬送機構の縦軸心回りの角度である。距離ｒは、縦軸心の径方向における搬送機構（ハンドＨ）の位置である。

位置情報は、１の搬送部と１のユニット等の組み合わせの全てに関して、規定されている。搬送部がユニット等に温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送部の位置と、搬送部がユニット等から温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送部の位置とが同じである場合、両者を特に区別しなくてもよい。例えば、図２６に示すように、１の搬送部と１のユニット等の各組み合わせに関連付けられる位置情報の数を、１つとしてもよい。

なお、搬送機構ＴＢ１ｃ等は、ｙ方向に移動する機構を備えていないので、ｙ方向の位置を与えなくても搬送機構ＴＢ１ｃ等の位置を一意に特定できる。このため、図２６では、搬送機構ＴＢ１ｃ等に、「ｙ方向の位置」が関連付けられていない。他の搬送機構ＴＡ等についても、同様に、受け渡し位置の特定に不要な位置情報は関連づけられていない。

なお、本実施例では、搬送部は、基板Ｗと同じように、温度測定用基板ＷＴを扱うことができる。すなわち、搬送部は、基板Ｗと同じように、温度測定用基板ＷＴを取ったり、渡すことができる。よって、いわゆるティーチングデータを、受け渡し位置情報として活用してもよい。ティーチングデータは、搬送部が基板Ｗをユニット等に受け渡しするときの搬送部の位置を設定・調整するティーチング作業によって作成される。ティーチング作業は、基板処理装置１の出荷時のみならずメンテナンス時等に行われる。これに伴い、ティーチングデータも、随時更新される。

上述したとおり、第１向き変動量ＡＣは、基本的に、エッジ露光ユニットＥＥＷ（調整機構ＭＤ）から温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構の位置情報と、熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構の位置情報に基づいて特定できる。ただし、エッジ露光ユニットＥＥＷから熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを搬送する際に、１の搬送機構が他の搬送機構に温度測定用基板ＷＴを渡す場合には、そのときの各搬送機構の位置情報を併せて考慮する。

例えば、熱処理プレートＰＬが熱処理ユニット群５６における冷却ユニットＣＰに設置されている場合、第１向き変動量は以下の情報によって与えられる。
ＩＰ１：エッジ露光ユニットＥＥＷから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ２：熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報

例えば、熱処理プレートＰＬが熱処理ユニット群５６における加熱冷却ユニットＰＨＰに設置されている場合、第１向き変動量は以下の情報によって与えられる。
ＩＰ１：エッジ露光ユニットＥＥＷから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ３：載置部ＰＡに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ４：載置部ＰＡから温度測定用基板ＷＴを取るときのローカル搬送機構ＴＬの位置情報
ＩＰ５：熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを渡すときのローカル搬送機構ＴＬの位置情報

例えば、熱処理プレートＰＬが熱処理ユニット群５１における加熱冷却ユニットＰＨＰに設置されている場合、向き制御部１６５は、以下の情報に基づいて第１向き変動量によって与えられる。
ＩＰ１：エッジ露光ユニットＥＥＷから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ６：載置部Ｐ３Ｒに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ７：載置部Ｐ３Ｒから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｃの位置情報
ＩＰ８：載置部ＰＡに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｃの位置情報
ＩＰ９：載置部ＰＡから温度測定用基板ＷＴを取るときのローカル搬送機構ＴＬの位置情報
ＩＰ１０：熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを渡すときのローカル搬送機構ＴＬの位置情報

ＩＰ１は、本発明における「搬送部が調整機構から温度測定用基板を取るときの搬送部の位置に関する情報」に相当する。ＩＰ２、ＩＰ５、ＩＰ１０は、本発明における「搬送部が熱処理プレートに温度測定用基板を渡すときの搬送部の位置に関する情報」に相当する。ＩＰ３、ＩＰ４、ＩＰ６乃至ＩＰ９は、本発明における「一の搬送機構から他の搬送機構に温度測定用基板を渡すときの各搬送機構の位置に関する情報」に相当する。

なお、位置情報ＩＰ１等に含まれる全部の情報が、第１向き変動量ＡＣを特定するために必要であるとは限らない。本実施例のように、ローカル搬送機構ＴＬが温度測定用基板ＷＴを搬送しても第１向き変動量ＡＣが変わらない場合には、位置情報ＩＰ３、ＩＰ４等に含まれる全部の情報が不要である。また、本実施例のように、搬送機構ＴＢ１ｄが温度測定用基板ＷＴをｚ方向に搬送しても第１向き変動量ＡＣが変わらない場合には、位置情報ＩＰ１、ＩＰ２に含まれる一部の情報（「ｚ方向の位置」）が不要である。その結果、最も単純な場合には、列挙した各位置情報ＩＰに含まれる角度θのみに基づいて、第１向き変動量ＡＣを特定できる。

向き制御部１６５は、目標方向情報に規定される第１目標方向に基づき、かつ、第１向き変動量ＡＣを考慮することによって、プレート用調整を行う。これにより、熱処理プレートＰＬ上における温度測定用基板ＷＴの向きを第１目標方向に精度よく一致させることができる。

＜ステップＳ２４＞ プレート搬送過程
搬送制御部１６４は、試験予定情報を参照して、エッジ露光ユニットＥＥＷ（調整機構ＭＤ）から温度測定用基板ＷＴを取り、取った温度測定用基板ＷＴを「１番目」の試験の対象である熱処理プレートＰＬに載置する。この際、載置部Ｐ３Ｒ等を経由してもよいが、他の熱処理プレートＰＬや液処理ユニット６０、６５に温度測定用基板ＷＴを搬送することなく、調整機構ＭＤから「１番目」の熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを直接的に搬送する。

ここで、図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して、比較例を例示する。図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、比較例における温度測定用基板ＷＴの向きの関係を模式的に示す図である。図２７（ａ）、２７（ｂ）、２７（ｃ）では、エッジ露光ユニットＥＥＷにおいて温度測定用基板ＷＴの向きを一律の方向ＤＥｓに調整する場合を示している。

図示するように、この比較例では、熱処理プレートＰＬ上における温度測定用基板ＷＴの向きを第１目標方向に精度よく調整できず、センサ側アンテナＡＳとユニット側アンテナＡＵを精度よく正対させることができない。この結果、比較例によれば、センサ側アンテナＡＳとユニット側アンテナＡＵは、適切に通信できない。

これに対して、図２５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本実施例によれば、いずれの熱処理プレートＰＬに温度測定用基板ＷＴを載置するときであっても、センサ側アンテナＡＳがユニット側アンテナＡＵに正対する。このため、実施例によれば、センサ側アンテナＡＳとユニット側アンテナＡＵは、適切に通信できる。

＜ステップＳ３＞ 試験
「１番目」の試験を行う。この処理について、後述する。

＜ステップＳ２５＞ 全ての試験が終わったか？
試験予定情報に規定される一連の試験が終了したか否かを判断する。この結果、全ての試験が終わったと判断した場合には、ステップＳ２７に進む。そうでない場合には、ステップＳ２６に進む。

＜ステップＳ２６＞ 次の試験の対象は同じ熱処理プレートか？
試験予定情報において次の順番が割り当てられている試験が、引き続き同じ熱処理プレートＰＬに対する試験であるか否かを判断する。この結果、同じ熱処理プレートＰＬに対する試験であると判断した場合には、ステップＳ３に戻る。

そうでない場合には、ステップＳ２２に戻る。これにより、温度測定用基板ＷＴを１の熱処理プレートＰＬから別の熱処理プレートＰＬに搬送する場合には、その都度、温度測定用基板ＷＴにプレート用調整を行ってから温度測定用基板ＷＴを別の熱処理プレートＰＬに搬送する。

そして、ステップＳ２２からステップＳ２４、および、ステップＳ３の処理を再び行う。この際、ステップＳ２３、Ｓ２４、Ｓ３に関する上記説明において、「１番目」を繰り返し回数に応じた「ｎ番目」に適宜に読み替えて、ステップＳ２３、Ｓ２４の処理を行う。

＜ステップＳ２７＞ 温度測定用基板をエッジ露光ユニットに搬送する
搬送制御部１６４は、温度測定用基板ＷＴをエッジ露光ユニットＥＥＷに搬送する。

＜ステップＳ２８＞ 格納用調整
向き制御部１６５は、調整機構ＭＤ_０１を制御することによって、格納用調整を行う。これにより、調整機構ＭＤ_０１は、温度測定用基板ＷＴの向きを変える。

より詳しくは、向き制御部１６５は、温度測定用基板ＷＴがキャリアＣに搬入されたときに温度測定用基板ＷＴの向きが第２目標方向となるように、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。第２目標方向は、目標方向情報に規定されている。向き制御部１６５は、目標方向情報を参照して第２目標方向を特定する。

第２目標方向は、キャリアＣの構造等を考慮して設定されることが好ましい。キャリアＣの構造等とは、具体的には、キャリアＣ内に設置され、温度測定用基板ＷＴを載置するスロット（棚）の配置や、スロットに載置される温度測定用基板ＷＴの存否を検知するための基板検知センサの検知領域などである。例えば、センサ側アンテナＡＳがスロットと干渉しないような温度測定用基板ＷＴの向きを第２目標方向とすることが好ましい。また、例えば、センサ側アンテナＡＳが基板検知センサの検知領域から外れるような温度測定用基板ＷＴの向きを第２目標方向とすることが好ましい。

格納用調整を行う際、向き制御部１６５は、第２向き変動量を考慮する。第２向き変動量は、搬送部が調整機構ＭＤからキャリアＣに温度測定用基板ＷＴを搬送する間に温度測定用基板ＷＴの向きが変動する量である。第２向き変動量を考慮することにより、エッジ露光ユニットＥＥＷにおいて調整すべき温度測定用基板ＷＴの向きを精度よく特定できる。

第２向き変動量は、例えば、以下に列挙する位置情報ＩＰによって特定される。
ＩＰ１：エッジ露光ユニットＥＥＷから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ６：載置部Ｐ３Ｒに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｄの位置情報
ＩＰ７：載置部Ｐ３Ｒから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＢ１ｃの位置情報
ＩＰ１１：載置部Ｐ１Ｒに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＢ１ｃの位置情報
ＩＰ１２：載置部Ｐ１Ｒから温度測定用基板ＷＴを取るときの搬送機構ＴＡの位置情報
ＩＰ１３：キャリアＣに温度測定用基板ＷＴを渡すときの搬送機構ＴＡの位置情報

ＩＰ６、ＩＰ７、ＩＰ１１乃至ＩＰ１２は、本発明における「搬送部が一の搬送機構から他の搬送機構に温度測定用基板を渡すときの各搬送機構の位置に関する情報」に相当する。ＩＰ１３は、本発明における「搬送部が格納スペースに温度測定用基板を渡すときの搬送部の位置に関する情報」に相当する。

＜ステップＳ２９＞ 格納過程
搬送制御部１６４は、搬送機構ＴＢ１ｄ、ＴＢ１ｃ、ＴＡを制御して、エッジ露光ユニットＥＥＷから温度測定用基板ＷＴを搬出して、キャリアＣ内に搬入する。

ステップＳ２（試験連続実施過程）の効果
試験連続実施過程によれば、複数の試験を自動的に続けて行うことができる。これにより、複数の試験を一括して実行できる。

プレート用調整過程とプレート搬送過程とを備え、プレート搬送過程を実行するときには、その都度、プレート用調整過程を事前に行う。これにより、温度測定用基板ＷＴの向きを好適に管理できる。

プレート用調整過程では、熱処理プレートＰＬに載置されたときの温度測定用基板ＷＴの向きを考慮して、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。このため、温度測定用基板ＷＴを適切な向きで熱処理プレートＰＬ上に載置できる。よって、熱処理プレートＰＬに対する試験（ステップＳ３）を適正に行うことができる。

また、向き制御部１６５と搬送制御部１６４が連携することによって、プレート搬送過程の前にプレート用調整過程を常に実行できる。

また、プレート用調整過程は、温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置されたときに温度測定用基板ＷＴの向きが第１目標方向となるように、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。これにより、センサ側アンテナＡＳとユニット側アンテナＡＵとが正確に向かい合い、両者は品質よく無線通信を行うことができる。

また、プレート用調整過程は、第１向き変動量を考慮して温度測定用基板ＷＴの向きを調整するので、温度測定用基板ＷＴの向きを精度よく調整できる。

また、向き制御部１６５は、受け渡し位置情報に基づいて第１向き変動量を特定するので、いずれの熱処理プレートＰＬに搬送するときであっても第１向き変動量を精度よく特定できる。

また、格納用調整過程と格納過程とを備え、格納過程を実行するときには、その都度、格納用調整過程を事前に行う。これにより、温度測定用基板ＷＴの向きを好適に管理できる。

格納用調整過程では、キャリアＣに搬入されたときの温度測定用基板ＷＴの向きを考慮して、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。このため、温度測定用基板ＷＴを適切な向きでキャリアＣに搬入できる。よって、温度測定用基板ＷＴを適切に保管できる。

また、向き制御部１６５と搬送制御部１６４が連携することによって、格納過程の前に格納用調整過程を常に実行できる。

また、格納用調整過程は、温度測定用基板ＷＴがキャリアＣに搬入されたときに温度測定用基板ＷＴの向きが第２目標方向となるように、温度測定用基板ＷＴの向きを調整する。これにより、温度測定用基板ＷＴを適切に保管できる。

また、格納用調整過程は、第２向き変動量を考慮して温度測定用基板ＷＴの向きを調整するので、温度測定用基板ＷＴの向きを精度よく調整できる。

また、向き制御部１６５は、受け渡し位置情報に基づいて第２向き変動量を特定するので、第２向き変動量を精度よく特定できる。

また、試験予定情報に規定される試験が終了すると、格納過程を実行するので、温度測定用基板ＷＴを自動的に格納できる。すなわち、試験が終了すれば、温度測定用基板ＷＴを自動的に撤去できる。

また、搬出過程を備えているので、試験予定情報に規定される試験の実施に先立って、格納スペースから温度測定用基板ＷＴを自動的に搬出できる。すなわち、試験を行うときに、温度測定用基板ＷＴを自動的に準備できる。

また、キャリアＣ内が温度測定用基板ＷＴの格納スペースであるので、温度測定用基板ＷＴを基板処理装置１の外部に適切に搬送できる。

また、調整機構ＭＤは、本来、基板Ｗの向きを変えるために設置されている既存設備である。このような調整機構ＭＤを温度測定用基板ＷＴの向きを変えるために使用するので、基板処理装置１の大型化や高コスト化を招くことがない。

ステップＳ２（試験連続実施過程）の変形実施例
上述した調整機構ＭＤ等の構成や、ステップＳ２１〜Ｓ２９の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。

（１）調整機構ＭＤについて
調整機構ＭＤの設置場所は、エッジ露光ユニットＥＥＷ内であったが、これに限られない。エッジ露光ユニットＥＥＷ以外に設置されている調整機構を変更してもよい。たとえば、エッジ露光ユニットＥＥＷ以外の処理ユニット（例えば、液処理ユニット６０、６５や熱処理ユニットＨＵ）に温度測定用基板ＷＴの向きを変える調整機構が設置されていてもよい。基板処理装置１が基板Ｗを検査するための検査ユニットを備える場合には、その検査ユニットに設置される調整機構を使用してもよい。検査ユニットとしては、例えば、基板Ｗ上の異物の検出、エッジリンス処理の幅の測定、または、塗布膜の膜厚の測定を行う検査ユニットなどが例示される。また、基板処理装置１が基板Ｗの向きを調整するための調整ユニットを備える場合には、その調整ユニットを使用するように変更してもよい。

（２）格納スペースについて
温度測定用基板ＷＴの格納スペースとして、基板処理装置１とは別体のキャリアＣ内を例示したが、これに限られない。例えば、基板処理装置１内に格納スペースを設置してもよい。これによれば、任意の時間に試験を自動的に実施できる。例えば、通常の生産処理（基板Ｗに所定の処理が施された製品を製造するための処理）を行っていないときに試験を容易に実施できる。また、定期的に試験を実施することも容易である。また、基板処理装置１内に格納スペースを設置することによって、温度測定用基板ＷＴの準備および撤去も容易に実施できる。よって、試験に伴うユーザーの作業およびユーザーの介入を低減することができる。

（３）第１向き変動量、第２向き変動量の特定について
向き制御部１６５は、受け渡し位置情報を参照して、第１向き変動量および第２向き変動量を特定したが、これに限られない。たとえば、第１向き変動量の値自体を含む情報を予め準備しておき、向き制御部１６５がこの情報を参照することによって第１向き変動量を特定してもよい。これによれば、向き制御部１６５の処理を簡素化することができる。第２向き変動量の特定に関しても、同様に変更してもよい。

あるいは、エッジ露光ユニットＥＥＷにおいて調整すべき温度測定用基板ＷＴの向き自体を含む情報を予め準備しておき、向き制御部１６５がこの情報を参照することによってプレート用調整や格納用調整を行ってもよい。これによれば、向き制御部１６５の処理をさらに簡素化することができる。

（４）試験対象の熱処理プレートＰＬについて
上述した動作例では、熱処理ユニット群５１、５６に設置されている熱処理プレートＰＬのみを試験対象としたが、これに限られない。熱処理ユニット群５１、５２、５６、５７に設置されている任意の熱処理プレートＰＬを試験対象とするように変更してもよい。

（５）上層Ｋ１および下層Ｋ２の動作について
上述した動作例では、処理部１３の上層Ｋ１の動作のみを例示し、下層Ｋ２の動作については特に説明しなかったが、下層Ｋ２を適宜に動作させてもよい。たとえば、上層Ｋ１および下層Ｋ２の一方において試験連続実施過程を行い、他方において通常の生産処理を実行してもよい。また、上層Ｋ１および下層Ｋ２の双方において、それぞれ別の温度測定用基板ＷＴを用いた試験連続実施過程を別個独立に実行してもよい。あるいは、上層Ｋ１および下層Ｋ２の双方において、同じ温度測定用基板ＷＴを用いた１の試験連続実施過程を実行してもよい。

（６）試験の数について
上述したステップＳ２（試験連続実施過程）による搬送方法は、複数の試験を連続的に実施できるが、単一の試験を行う場合にも好適に適用できる。たとえば、試験予定情報に規定される試験の数が単一であっても、ステップＳ２（試験連続実施過程）による搬送方法を支障なく実行できる。具体的には、プレート用調整（ステップＳ２３）およびプレート搬送過程（ステップＳ２４）を備えているので、熱処理プレートＰＬ上における温度測定用基板ＷＴの向きを好適に管理できる。また、格納用調整（ステップＳ２８）および格納過程（ステップＳ２９）を備えているので、格納スペースにおける温度測定用基板ＷＴの向きを好適に管理できる。

［４−３ Ｓ３（試験）の詳細な動作例］
図２８は、試験の詳細な手順を示すフローチャートである。図２９（ａ）は、熱処理プレートのプレート温度の経時変化を示すグラフであり、図２９（ｂ）は、温度測定用基板ＷＴの処理温度（各温度データＴＤの総合平均値）の経時変化を示すグラフである。

＜ステップＳ３０＞ プレート温度の変更（時刻ｔ１〜時刻ｔ２）
熱処理ユニット制御部１６６は、温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置される前に、熱処理プレートＰＬのプレート温度を変更する。以下、「１番目」の試験を行う場合を例にとって、詳細に説明する。

熱処理ユニット制御部１６６は、試験予定情報と試験リスト情報を参照して、「１番目」の試験の対象である熱処理プレートＰＬと試験温度ＴＷｅを特定する。また、熱処理ユニット制御部１６６は、その熱処理プレートＰＬに取り付けられている温度センサ１１１の検出結果に基づいて、プレート温度の変更を開始する時点におけるプレート温度ＴＰｉを特定する。以下では、このプレート温度ＴＰｉを「初期温度」と呼ぶ。

続いて、熱処理ユニット制御部１６６は、試験レシピ情報を参照して、試験温度ＴＷｅと初期温度ＴＰｉに対応した変更時間を特定する。試験レシピ情報には、熱処理プレートＰＬごとに変更時間が規定されている。

図３０を参照する。図３０は、試験レシピ情報を例示する模式図である。図示する試験レシピ情報は、プレート識別情報と、温度変更条件に関する情報と、変更時間等に関する情報とを関連付けたテーブルである。温度変更条件は、初期温度域と試験温度域の組み合わせである。図示の試験レシピ情報では、熱処理プレートＰＬ_０１に関する温度変更条件は、３つの初期温度域と２つの試験温度域によって６通りに分けられている。各温度変更条件にはそれぞれ、変更時間等が関連付けられている。変更時間等とは、たとえば、変更時間のほかに、待ち時間と測定時間と微調整時間と乖離幅の閾値と測定回数の上限値である。

変更時間は、プレート温度を変更するのに要する時間である。より詳細には、変更時間は、プレート温度が初期温度ＴＰｉから、試験温度ＴＷｅに対応する設定温度ＴＰｒ０に達するまでの時間のみならず、プレート温度が設定温度ＴＰｒ０で安定するまでの時間を含む。変更時間は、予め実験等によって求められている。

熱処理ユニット制御部１６６は、変更時間を特定すると、ヒータ１０９を制御して、熱処理プレートＰＬのプレート温度を変更する。プレート温度の変更を開始した時刻から変更時間が経過すると、本ステップＳ３０の処理（プレート温度の変更）を終了する。このように、熱処理ユニット制御部１６６は、変更時間によってプレート温度を管理する。

なお、試験レシピ情報に規定されている変更時間は、プレート性能情報に規定されている変更時間と基本的に同義である。ただし、試験レシピ情報では温度変更条件に応じて複数の変更時間が設定されているので、本ステップＳ３０の処理を効率良く、かつ、確実に行うことができる。

このステップＳ３０の処理は、図２２に示すステップＳ２１乃至Ｓ２４の処理が終了する前に開始してもよい。たとえば、ステップＳ２１乃至Ｓ２４の各処理と並行して実行してもよいし、あるいは、ステップＳ２１乃至Ｓ２４の処理を行う前に実行してもよい。

＜ステップＳ３１＞ 温度測定用基板を熱処理プレートに載置する（時刻ｔ２）
熱処理ユニット制御部１６６は、昇降ピン１０５等を制御して、搬送部から温度測定用基板ＷＴを受け取って、熱処理プレートＰＬに載置する。温度測定用基板ＷＴが載置されると、センサ側アンテナＡＳはユニット側アンテナＡＵに正対する。

＜ステップＳ３２＞ 温度測定用基板をなじませる（時刻ｔ２〜時刻ｔ３）
測定を開始することなく、温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置された状態を保つ。温度測定用基板ＷＴが熱処理プレートＰＬに載置された時刻ｔ２から待ち時間が経過する時刻ｔ３において、本ステップＳ３２の処理を終了する。待ち時間は、試験レシピ情報に規定されている。

本ステップＳ３２の処理により、温度測定用基板ＷＴの処理温度が熱処理プレートＰＬの温度に十分になじみ、温度測定用基板ＷＴの処理温度が十分に安定する。ここで、「十分に安定する」目安としては、例えば、１分間の前後における各処理温度の温度差が０．０１度以下になる程度である。このように、待ち時間は、温度測定用基板ＷＴの処理温度を安定させるための時間であり、予め実験等によって求められている。

＜ステップＳ３３＞ 測定（時刻ｔ３〜時刻ｔ４）
温度測定用基板ＷＴの処理温度を測定する。より詳しくは、熱処理プレートＰＬに載置された温度測定用基板ＷＴから得られた検出信号に基づいて温度データＴＤを生成する。測定は、測定時間にわたって行われる。本ステップＳ３３は、熱処理プレートＰＬに載置された温度測定用基板ＷＴから得られた検出信号に基づいて温度データＴＤを生成する。測定を開始した時刻ｔ３から測定時間が経過する時刻ｔ４において、本ステップＳ３３の処理を終了する。測定時間は、試験レシピ情報に規定されている。

具体的には、センサユニットＳＵが温度を検知し、センサユニットＳＵの検知結果に応じた検出信号をセンサ側アンテナＡＳに出力する。センサ側アンテナＡＳは、検出信号を無線で送信する。ユニット側アンテナＡＵは、センサ側アンテナＡＳ（温度測定用基板ＷＴ）に接触することなく、送信された検出信号を受信する。受信された検出信号は、有線で温度計測部１６７に送られる。これにより、温度計測部１６７は、１６個のセンサユニットＳＵのそれぞれに対応する、互いに独立した複数の検出信号を取得する。

本実施例では、ユニット側コイルＵＣに所定周波数の電流を流して水晶振動子が共振させる動作と、ユニット側コイルＵＣが検出信号を受信する動作を繰り返し切り替える。

温度計測部１６７は、取得した各検出信号に基づいて温度を計算し、１６個の温度データＴＤを生成する。各温度データＴＤはそれぞれ、１のセンサユニットＳＵによって検出された結果に基づく。各温度データＴＤはそれぞれ、１のセンサユニットＳＵが設置されている基板本体ＢＷの部位における温度を示す。各温度データＴＤはそれぞれ、時刻ｔ３から時刻ｔ４の測定時間の間に測定された複数の計測値の集合であり、これら計測値が計測時刻の順に並んだ時系列データである。

測定時間としては、温度データＴＤが測定時間に依存しない程度に長いことが好ましい。あるいは、測定時間としては、温度データＴＤのばらつきや誤差が十分小さくなる程度に長いことが好ましい。このように、測定時間は、温度測定用基板ＷＴの処理温度を測定するための時間であり、予め実験等によって求められている。

本ステップＳ３３は、本発明における測定過程に相当する。

＜ステップＳ３４＞ 乖離幅が閾値以上か？
温度計測部１６７は、各温度データＴＤの値の総和を温度データＴＤの個数で除することにより、総合平均値を算出する。なお、温度データＴＤの値は、例えば、各温度データＴＤに含まれる計測値の平均値である。さらに、総合平均値と試験温度ＴＷｅとの差である乖離幅ＤＦを算出する。

温度計測部１６７は、試験レシピ情報を参照して乖離幅の閾値を特定し、特定した閾値を、乖離幅ＤＦと比較する。そして、温度計測部１６７は、乖離幅ＤＦが閾値以上であるか否かを判断する。その結果、閾値以上であると判断した場合には、ステップＳ３５に進む。そうでない場合には、ステップＳ３７に進む。

＜ステップＳ３５＞ 測定回数が上限値以下か？
測定回数が上限値以下であるか否かを判断する。測定回数の上限値は、試験レシピ情報に規定されている。その結果、上限値以下であると判断した場合には、ステップＳ３６に進む。そうでない場合には、ステップＳ３９に進む。

＜ステップＳ３６＞ 微調整（時刻ｔ４〜時刻ｔ５）
温度計測部１６７は、乖離幅ＤＦに基づいて、オフセット値ＯＳを決定する。オフセット値ＯＳは、設定温度ＴＰｒ０を補正するための値である。オフセット値ＯＳは、例えば、約２度以下である。熱処理ユニット制御部１６６は、プレート温度を、設定温度ＴＰｒ０からオフセット値ＯＳの分だけ変更する微調整を行う。微調整を開始した時刻ｔ４から微調整時間が経過する時刻ｔ５において、本ステップＳ３６の処理（微調整）を終了する。そして、ステップＳ３３に戻る。

微調整時間は、プレート温度を微調整するのに要する時間である。より詳細には、微調整時間は、プレート温度が微調整前の設定温度ＴＰｒ０から微調整後の設定温度に達するまでの時間のみならず、プレート温度が微調整後の設定温度で安定するまでの時間を含む。微調整時間は、予め実験等によって求められている。

ちなみに、図２９（ａ）、２９（ｂ）では、次のような場合を例示している。１回目の測定（時刻ｔ３〜ｔ４）の結果、乖離幅ＤＦ１が閾値より大きかった。このため、オフセット値ＯＳ１によって微調整を行った（時刻ｔ４〜ｔ５）。２回目の測定（時刻ｔ５〜ｔ６）の結果、乖離幅ＤＦ２が閾値より大きかった。このため、オフセット値ＯＳ２によって微調整を行った（時刻ｔ６〜ｔ７）。３回目の測定（時刻ｔ７〜ｔ８）の結果、乖離幅ＤＦ３が閾値以下であった。このため、試験を終了した（時刻ｔ８）。

＜ステップＳ３７＞ 微調整をしたか？
温度計測部１６７は、微調整を少なくとも１回以上実行したか否かを判定する。微調整を実行したと判定した場合は、ステップＳ３８に進む。そうでない場合には、ステップＳ３９に進む。

＜ステップＳ３８＞ 補正
オフセット値ＯＳに基づいて設定温度ＴＰｒ０を補正する。この結果、設定温度ＴＰｒ０から設定温度ＴＰｒ１に更新される。これにより、設定温度ＴＰｒ１が試験温度ＴＷｅに対応付けられ、その後の熱処理プレートＰＬの制御に設定温度ＴＰｒ１が使用される。

＜ステップＳ３９＞ 温度測定用基板を搬送部に渡す（時刻ｔ８）
熱処理ユニット制御部１６６は、昇降ピン１０５等を制御して、熱処理プレートＰＬに載置された温度測定用基板ＷＴを搬送部に渡す。これにより、１の試験が終了する。

時刻ｔ８の後に、同じ熱処理プレートＰＬに対して、試験温度ＴＷｅの異なる他の試験が予定されている場合には、熱処理プレートＰＬのプレート温度の変更を開始する。ちなみに、図２９（ａ）では、時刻ｔ８から、他の試験のためにプレート温度を上昇させる様子（すなわち、新たなステップＳ３０を開始する様子）を示している。

ステップＳ３（試験）の効果
記憶部９３は予め試験レシピ情報を記憶しており、熱処理ユニット制御部１６６は試験レシピ情報を参照しながら試験を実行するので、試験を適正に実行できる。

また、試験レシピ情報が予め設定されているので、ユーザーは熱処理プレートＰＬと試験温度ＴＷｅのみを入出力部９５に入力するだけで足り、その他の試験の要領（条件）を入力する手間を省くことができる。よって、試験を簡易にかつ適切に実施できる。

また、試験レシピ情報は、変更時間、待ち時間、測定時間および微調整時間に関する各情報を含むので、試験を適正に行うことができる。また、これらの情報は、複数の温度変更条件ごとに設定されているので、試験をより適正に行うことができる。

また、ステップＳ３２の処理を備えているので、温度測定用基板ＷＴの処理温度を安定させることができ、処理温度の測定を適正に行うことができる。

また、ステップＳ３４の処理を備えているので、処理温度に関する試験を好適に実施できる。本実施例では、特に、温度データＴＤの総合平均値（すなわち、処理温度の面内平均値）が適正であるかに関する試験を好適に実施できる。

また、試験レシピ情報は、乖離幅の閾値に関する情報を含むので、温度データＴＤの総合平均値が適正か否かを的確に判定できる。

また、ステップＳ３５の処理を備えているので、試験が長時間に及ぶことを回避できる。

また、オフセット値ＯＳによって設定温度ＴＰｒ０を補正するので、熱処理プレートＰＬの処理品質を自動的に向上させることができる。

ステップＳ３（試験）の変形実施例
上述した試験レシピ情報の構成や、ステップＳ３０〜Ｓ３９の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。

（１）試験レシピ情報について
試験レシピ情報には、乖離幅の閾値や測定回数の上限値に関する各情報が予め設定されていたが、これに限られない。例えば、これらの情報を含まないように試験レシピ情報を変更してもよい。あるいは、ユーザーが乖離幅の閾値や測定回数の上限値を設定・修正できるように変更してもよい。

（２）ステップＳ３４の処理について
ステップＳ３４の処理では、乖離幅ＤＦが乖離幅の閾値以上か否かを判定したが、これに限られない。たとえば、処理温度の面内均一性を示す指標（以下、「均一性指標」という）が、所定の範囲内にあるか否かを判定してもよい。均一性指標としては、例えば、各温度データＴＤの標準偏差などの統計量が例示される。これによれば、処理温度の面内均一性が適正であるかについて好適に判定できる。

この変形例では、均一性指標の閾値または均一性指標の許容範囲に関する情報を含むように試験レシピ情報を変更してもよい。

（３）設定温度ＴＰｒ０の補正について
ステップＳ３７、Ｓ３８の処理によって、設定温度ＴＰｒ０を自動的に補正したが、これに限られない。例えば、ユーザーが補正を許可する命令を与えたときだけ、設定温度ＴＰｒ０を補正するように変更してもよい。あるいは、制御部９１（温度計測部１６７）が設定温度ＴＰｒ０を自動的に補正する自動補正モードと、ユーザーが設定温度ＴＰｒ０を手動で補正する手動補正モードとを備えて、これら自動補正モードと手動補正モードとのいずれかに適宜に切り替えるように変更してもよい。

（４）試験レシピ情報について
試験レシピ情報において、温度変更条件は初期温度域と試験温度域の組み合わせであったが、これに限られない。例えば、初期温度域とプレート設定温度域との組み合わせに変更してもよい。

（５）温度データＴＤ等について
温度計測部１６７によって生成された温度データＴＤを、適宜に記憶部９３に記憶させてもよい。また、温度計測部１６７によって計算された総合平均値や乖離幅ＤＦを、適宜に記憶部９３に記憶させてもよい。

［４−４ Ｓ４（分析）の動作］
図３１は、分析の詳細な手順を示すフローチャートである。
上述したとおり、測定（ステップＳ３３）において、温度計測部１６７は、熱処理プレートＰＬに載置された温度測定用基板ＷＴによって得られた検出信号に基づいて温度データＴＤを生成する。生成された温度データＴＤは温度計測部１６７から分析処理部１６９に送られる。

分析処理部１６９は、この温度データＴＤに基づいて、現象判定過程と推定過程を行う。現象判定過程は、所定の現象が起きたか否かを判定する。推定過程は、起こっていると判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策を推定する。図３１に示すように、現象判定過程は、ステップＳ４０１、Ｓ４０２、Ｓ４１１、Ｓ４２１、Ｓ４３１、Ｓ４３２の各処理を含む。推定過程は、ステップＳ４０２、Ｓ４０４、Ｓ４１２、Ｓ４２２、Ｓ４３３の各処理を含む。以下、各ステップの処理について説明する。

＜ステップＳ４０１＞ 全部欠損？
「全部欠損」は、あるべき温度データＴＤがないことをいう。本実施例では、各センサユニットＳＵに対して１の温度データＴＤが存在するはずである。分析処理部１６９は、少なくとも１の温度データＴＤが全部欠損であるか否かを判定する。その結果、全部欠損であると判定した場合、全部欠損の温度データＴＤが発生したと判定して、ステップＳ４０２に進む。そうでない場合には、各センサユニットＳＵに対して温度データＴＤが１つずつ存在すると判定して、ステップＳ４０３に進む。

なお、「全部欠損の温度データＴＤが発生した」、および、「各センサユニットＳＵに対して温度データＴＤが１つずつ存在した」はそれぞれ、本ステップＳ４０１によって判定された現象である。現象判定過程に含まれる他のステップＳ４０３等においても同様である。

＜ステップＳ４０２＞ 原因１、対策１
分析処理部１６９は、分析用情報を参照する。分析用情報は、図示を省略するが、現象、原因、および、対策に関する各情報が関連付けられた情報である。分析用情報は、予め記憶部９３に記憶されている。分析処理部１６９は、「全部欠損の温度データＴＤが発生した」という現象に関連付けられた原因１および対策１を抽出する。そして、抽出された原因１によってその現象が引き起こされたと分析処理部１６９が推定し、抽出された対策１によって原因１を解消可能であると分析処理部１６９が推定する。

以下、原因１と対策１は、具体的には、以下の事項を含む。

原因１
Ａ．温度測定用基板ＷＴの故障
Ｂ．ユニット側アンテナＡＵの故障
Ｃ．温度計測部１６７の故障
Ｄ．ユニット側アンテナＡＵと温度計測部１６７の接続不良

対策１
ａ．温度測定用基板ＷＴの点検
ｂ．ユニット側アンテナＡＵの点検
ｃ．温度計測部１６７の点検
ｄ．ユニット側アンテナＡＵと温度計測部１６７の接続確認

このように、本明細書では、対策は、ユーザーに推奨したり促す作業や点検、ユーザーに有益なアドバイスやコメント等を含む。

＜ステップＳ４０３＞ 一部欠損？
「一部欠損」は、温度データＴＤに含まれる計測値の一部が欠けていることをいう。あるいは、「一部欠損」は、温度データＴＤに含まれる計測値が一定の割合以上欠けていることをいう。分析処理部１６９は、少なくとも１の温度データＴＤが一部欠損であるか否かを判定する。一部欠損であると判定した場合、一部欠損の温度データＴＤが発生したと判定して、ステップＳ４０４に進む。そうでない場合には、温度データＴＤが正常に取得されたと判断して、欠損に関する推定過程を実行しない。

＜ステップＳ４０４＞ 原因２、対策２
分析処理部１６９は、現象の原因２と、原因２を解消するための対策２を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。

原因２
Ａ．温度測定用基板ＷＴの故障
Ｂ．ユニット側アンテナＡＵの故障
Ｃ．温度計測部１６７の故障
Ｄ．ユニット側アンテナＡＵと温度計測部１６７の接続不良

対策２
ａ．温度測定用基板ＷＴの点検
ｂ．ユニット側アンテナＡＵの点検
ｃ．温度計測部１６７の点検
ｄ．ユニット側アンテナＡＵと温度計測部１６７の接続確認

なお、上述した例では、原因２に含まれる事項は、原因１に含まれる事項と同じであるが、これに限られない。すなわち、原因２と原因１の各内容は異なっていてもよい。対策１、２についても同様である。

＜ステップＳ４１１＞ 温度データが外れ値であるか？
他の温度データＴＤに比べて値が大きく異なる温度データＴＤを外れ値という。外れ値は、「特異点」とも言われる。分析処理部１６９は、少なくともいずれかの温度データＴＤが外れ値であるか否かを判定する。この際、有意差検定など各種の検定によって外れ値を検出してもよい。また、全ての温度データＴＤに対する個々の温度データＴＤの相対的なばらつきを示す指標（以下、「ばらつき指標」という）を計算し、ばらつき指標が異常な温度データＴＤを外れ値として抽出してもよい。ばらつき指標としては、例えば、総合平均値と各温度データＴＤとの差や、各温度データＴＤの偏差値（T Score）等の統計量が例示される。

外れ値であると判定した場合には、外れ値である温度データＴＤが発生したと判定して、ステップＳ４１２に進む。そうでない場合には、外れ値である温度データＴＤが発生しなかったと判定して、外れ値に関する推定過程を実行しない。

＜ステップＳ４１２＞ 原因３、対策３
分析処理部１６９は、現象の原因３と、原因３を解消するための対策３を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。

原因３
Ｅ１．熱処理プレートＰＬの汚損
Ｅ２．熱処理プレートＰＬに付着する異物
Ｆ１．温度測定用基板ＷＴの汚損
Ｆ２．温度測定用基板ＷＴに付着する異物

対策３
ｅ．熱処理プレートＰＬの清掃
ｆ．温度測定用基板ＷＴの清掃

図３２を参照する。図３２（ａ）は熱処理プレートＰＬ上に付着する異物Ｇ１を模式的に示す図であり、図３２（ｂ）は温度測定用基板ＷＴの裏面に付着する異物Ｇ２を模式的に示す図である。

図示するように、熱処理プレートＰＬおよび温度測定用基板ＷＴの少なくともいずれかに異物Ｇ１、Ｇ２が付着する場合がある。異物Ｇ１、Ｇ２はいずれも、熱処理プレートＰＬから温度測定用基板ＷＴへの熱の伝達を妨げるので、異物Ｇ１、Ｇ２が付着した位置の温度データＴＤが外れ値となる可能性が高い。

＜ステップＳ４２１＞ 異常値？
処理温度の目標値である試験温度ＴＷｅに比べて値が大きく異なる温度データＴＤを異常値と呼ぶ。分析処理部１６９は、少なくともいずれかの温度データＴＤが異常値であるか否かを判断する。この際、各温度データＴＤを所定の閾値と比較することによって異常値を検出してもよい。また、１の温度データＴＤと試験温度ＴＷｅとの差を乖離幅ｄｆとして、各温度データＴＤに関する乖離幅ｄｆをそれぞれ所定の閾値と比較することによって異常値を検出してもよい。乖離幅ｄｆを、後述する図３５（ｂ）に図示する。

異常値であると判定した場合には、異常値である温度データＴＤが発生したと判定して、ステップＳ４２２に進む。そうでない場合には、異常値である温度データＴＤが発生しなかったと判定して、異常値に関する推定過程を実行しない。

＜ステップＳ４２２＞ 原因４、対策４
分析処理部１６９は、現象の原因４と、原因を解消するための対策４を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。

原因４
Ａ．温度測定用基板ＷＴの故障
Ｂ．ユニット側アンテナＡＵの故障
Ｃ．温度計測部１６７の故障
Ｄ．ユニット側アンテナＡＵと温度計測部１６７の接続不良

対策４
ａ．温度測定用基板ＷＴの点検
ｂ．ユニット側アンテナＡＵの点検
ｃ．温度計測部１６７の点検
ｄ．ユニット側アンテナＡＵと温度計測部１６７の接続

＜ステップＳ４３１＞ 気流？
分析処理部１６９は、熱処理プレートＰＬの上方に気流が強制的に形成されているか否かを判断する。この際、分析処理部１６９は、気流形成設備情報を参照して、試験（測定）の対象である熱処理プレートＰＬに関連して設けられる気流形成設備を特定する。

気流形成設備情報は、気流形成設備に関する情報が規定されている。気流形成設備情報は、予め記憶部９３に記憶されている。

図３３は、気流形成設備情報の一例を示す模式図である。図３３に示す気流形成設備情報は、プレート識別情報と、上部排気管１２１、側部給気ダクト１２３および側部排気ダクト１２５に関する各情報とを関連付けたテーブルである。このテーブルでは、各気流形成設備の存否に関する情報が熱処理プレートＰＬごとに規定されている。

たとえば、熱処理プレートＰＬの周囲に上部排気管１２１が設置されていることが特定された場合、図７（ｃ）に示すように、熱処理プレートＰＬの上面Ｆの周縁部近傍から上面Ｆの中央部上方に向かって上昇する気流が強制的に形成されているとみなすことができる。よって、この場合には、熱処理プレートＰＬの上方に気流が形成されていると判断する。

また、熱処理プレートＰＬの周囲に側部給気ダクト１２３および側部排気ダクト１２５の少なくともいずれかが設置されていることが特定された場合、図７（ａ）、（ｃ）に示すように、熱処理プレートＰＬの上方において一方側から他方側に向かって略水平方向に流れる気流が強制的に形成されているとみなすことができる。よって、この場合にも、熱処理プレートＰＬの上方に気流が形成されていると判断する。

なお、図７（ａ）乃至（ｃ）の場合、熱処理プレートＰＬの上方に経路の異なる２つの気流が強制的に形成されていると判断される。

他方、熱処理プレートＰＬの周囲に気流形成設備が設置されていないことが特定された場合、気流は強制的に形成されないとみなすことができる。よって、この場合には、熱処理プレートＰＬの上方に気流が形成されていると判断しない。

強制的に形成されていると判定した場合には、ステップＳ４３２に進む。そうでない場合には、温度分布と気流との間に関連性が無かった（温度分布は気流の影響を受けなかった）と判定して、温度分布と気流との関連性に関する推定過程を実行しない。

＜ステップＳ４３２＞ 温度分布と気流との関連性？
分析処理部１６９は、温度分布と気流との間に関連性があるか否かを判定する。温度分布は、温度測定用基板ＷＴの各位置における処理温度の分布であり、温度データＴＤと測定位置との関係を示す。

判定の結果、関連性があると判定した場合には、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定して、ステップＳ４３３に進む。そうでない場合には、温度分布と気流との間に関連性が無かったと判断して、温度分布と気流との関連性に関する推定過程を実行しない。

図３４（ａ）、（ｂ）を参照して、関連性に関する判定を具体的に説明する。図３４（ａ）は熱処理プレートＰＬに載置される温度測定用基板ＷＴの平面図であり、図３４（ｂ）は、ｘ軸方向における温度分布である。

図３４（ａ）に示すように、熱処理プレートＰＬの上方には、側部給気ダクト１２３から側部排気ダクト１２５へ向かう気流が形成されている。気流の向きは、平面視でｘ軸と略平行である。より具体的には、図３４（ａ）において、気流の向きは、左側から右側に向かう方向である。なお、図３４（ａ）には、ｘ軸の右側および左側をそれぞれ、「ＲＩＧＨＴ」、「ＬＥＦＴ」によって示す。

他方、図３４（ｂ）に示すように、温度データＴＤはｘ軸方向に沿って変化している。すなわち、温度勾配はｘ軸と略平行であり、気流の向きと略一致する。より厳密には、ｘ軸方向の左側から右側に向かって温度データＴＤは高くなっている。

このように、気流の向きと温度勾配の向きを特定し、両者が略一致している場合には、温度分布と気流との間に関連性があると判定する。

また、次のような処理によって関連性に関する判定を行ってもよい。すなわち、温度測定用基板ＷＴの表面を、上流側の気流に晒される上流側区域ＪＵと、下流側の気流に晒される下流側区域ＪＤに区画する。図３４（ａ）では、温度測定用基板ＷＴの左側部分が上流側区域ＪＵに相当し、温度測定用基板ＷＴの右側部分が下流側区域ＪＤに相当する。

他方、図３４（ｂ）に示すように、上流側区域ＪＵの温度データＴＤは、下流側区域ＪＤの温度データＴＤに比べて低い。

このように、温度測定用基板ＷＴを、上流側区域ＪＵと下流側区域ＪＤに区画した場合に、上流側区域ＪＵの温度データＴＤが下流側区域ＪＤの温度データＴＤに比べて低いときには、温度分布と気流との間に関連性があると判定する。

あるいは、次のような処理によって関連性に関する判定を行ってもよい。すなわち、温度測定用基板ＷＴを、上流側区域ＪＵと下流側区域ＪＤに区画する。ここで、１の温度データＴＤと、処理温度の目標値である試験温度ＴＷｅの差を乖離幅ｄｆとすると、図３４（ｂ）に示すように、上流側区域ＪＵにおける乖離幅ｄｆは、下流側区域ＪＤにおける乖離幅ｄｆよりも総じて大きい。

このように、温度測定用基板ＷＴを、上流側区域ＪＵと下流側区域ＪＤに区画した場合に、上流側区域ＪＵにおける乖離幅ｄｆが、下流側区域ＪＤにおける乖離幅ｄｆに比べて大きいときには、温度分布と気流との間に関連性があると判定する。

上述した判定は、複数の気流が形成されている場合には、気流ごとに行われる。ちなみに、上部排気管１２１によって形成される気流の場合、気流の向きは、熱処理プレートＰＬの上面Ｆ（温度測定用基板ＷＴの表面）の周縁部から中央部に向かう方向となる。このため、上流側区域ＪＵは温度測定用基板ＷＴの表面の周縁部（環形状）となり、下流側区域ＪＤは温度測定用基板ＷＴの表面の中央部（円形状）となる（図３５（ａ）参照）。

＜ステップＳ４３３＞ 原因５、対策５
分析処理部１６９は、現象の原因５と、原因を解消するための対策５を推定する。具体的には、以下の事項を推定する。

予測される原因５
Ｇ１．上部排気管１２１の故障
Ｇ２．上部排気管１２１の流量異常
Ｈ１．側部給気ダクト１２３の故障
Ｈ２．側部給気ダクト１２３の流量異常
Ｉ１．側部排気ダクト１２５の故障
Ｉ２．側部排気ダクト１２５の流量異常

復旧のための対策５
ｇ１．上部排気管１２１の点検
ｇ２．上部排気管１２１の流量確認
ｈ１．側部給気ダクト１２３の点検
ｈ２．側部給気ダクト１２３の流量確認
ｊ１．側部排気ダクト１２５の点検
ｊ２．側部排気ダクト１２５の流量確認

なお、ｇ２、ｈ２、ｊ２については、「気流監視設備による流量確認」や「気流調節設備による流量確認、流量変更」を適宜に含んでもよい。具体的には、ｇ２については、圧力計１２２による流量確認を適宜に含んでもよい。また、ｊ２については、排気用ダンパー１２６による流量確認や流量変更を含んでもよい。

上述したステップＳ４０１〜、Ｓ４１１〜、Ｓ４２１〜、Ｓ４３１〜の各処理を、同じ測定結果に対して並列的に行う。すなわち、１の測定結果を異なる観点から分析する。その結果、１の測定結果に対して、多角的な分析結果が得られる。

図３５（ａ）、（ｂ）を参照する。図３５（ａ）は、熱処理プレートＰＬに載置される温度測定用基板ＷＴの平面図であり、図３５（ｂ）は、ｘ軸方向における温度データＴＤの温度分布である。

図３５（ｂ）に示す１の温度データＴＤｋが、外れ値、および、異常値の双方であると判定される場合がある（ステップＳ４１１、Ｓ４２１）。この場合、原因３、４の双方が推定され、対策３、４の双方が推定される。さらに、図３５（ｂ）に図示する温度分布と上部排気管１２１によって形成される気流との間に関連性があると判定される場合がある（ステップＳ４３２）。この場合、原因３、４等と併せて原因５と対策５が推定される。

ステップＳ４３１の処理は、本発明における気流判定過程に相当する。ステップＳ４３２の処理は、本発明における関連性判定過程に相当する。

［４−５ Ｓ５（出力）の動作］
引き続き、出力（ステップＳ５）の動作を説明する。

図１１を参照する。入出力部９５は、ステップＳ３における試験の結果を出力する。例えば、温度データＴＤの総合平均値や、総合平均値と試験温度ＴＷｅとの乖離幅ＤＦ等を表示する。また、入出力部９５は、温度測定用基板ＷＴの現在の温度データＴＤや、オフセット値ＯＳなどを表示してもよい。表示態様としては、グラフ、数字、文字等などが適宜に採用される。

また、入出力部９５は、ステップＳ２における試験連続実施過程の進行状況を出力する。たとえば、温度測定用基板ＷＴの現在の位置や現在の測定回数等を表示する。

また、入出力部９５は、ステップＳ４における分析の結果を出力する。具体的には、現象判定過程によって起こったと判定された現象を表示する。また、推定過程によって推定された原因および対策を表示する。

ステップＳ４（分析）とステップＳ５（出力）の効果
ステップＳ４の分析は、現象判定過程と推定過程とを備えているので、起きた現象を判定するのみならず、その現象について原因と対策を的確に予測できる。

推定過程では分析用情報を参照するので、推定過程の処理を好適に実行できる。

ステップＳ４はステップＳ４０１乃至Ｓ４０４の処理を備えているので、欠損した温度データＴＤの発生という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策が潜む設備（すなわち、原因および対策の所在）は、温度測定用基板ＷＴ、温度計測部１６７、および、ユニット側アンテナＡＵを含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。

ステップＳ４はステップＳ４１１、Ｓ４１２の処理を備えているので、外れ値である温度データＴＤの発生という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策の所在は、温度測定用基板ＷＴ、および、熱処理プレートＰＬを含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。

ステップＳ４はステップＳ４２１、Ｓ４２２の処理を備えているので、異常値である温度データＴＤの発生という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策の所在は、温度測定用基板ＷＴ、温度計測部１６７、および、ユニット側アンテナＡＵを含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。

ステップＳ４はステップＳ４３１乃至Ｓ４３３の処理を備えているので、温度分布と気流との間に関連性が有った（温度分布が気流の影響を受けた）という現象について原因と対策を的確に推定できる。また、原因および対策の所在は、気流形成設備、気流監視設備および気流調節設備を含むので、広範囲かつ網羅的に推定できる。よって、的確なアドバイスや処置をユーザーに伝えることができる。

気流判定過程では、気流形成設備情報を参照するので、気流が強制的に形成されているか否かを熱処理プレートＰＬごとに好適に判定できる。

入出力部９５は、現象判定過程による判定結果に関する情報を出力するので、ユーザーは基板処理装置１の状態を適時に認識できる。また、入出力部９５は、推定過程による推定結果に関する情報を出力するので、ユーザーは、速やかに適切な処置を採ることができる。これにより、ユーザーの初動を迅速化させ、時間的損失を低減でき、基板処理装置１の稼働率の低下を抑制できる。

また、入出力部９５は、ステップＳ３における試験の結果を出力するので、ユーザーは試験の結果を適切に認識できる。

さらに、入出力部９５は、ステップＳ２における試験連続実施過程の進行状況をリアルタイムに表示するので、ユーザーは、試験の進行状況を適切に認識できる。

ステップＳ４（分析）の変形実施例
上述したステップＳ４０１〜Ｓ４３３の各処理を適宜に変更してもよい。以下、変形実施例を説明する。

（１）現象判定過程について
現象判定過程が判定する現象として、４つの現象（欠損、外れ値、異常値、温度分布と気流との関連性）を例示したが、これに限られない。たとえば、４つの現象のうち、少なくともいずれかの現象を判定するように変更してもよい。また、これら４つの現象以外の現象を判定するように変更してもよい。

（２）推定過程および分析用情報について
推定過程は、原因と対策の双方を推定したが、これに限られない。原因と対策のいずれか一方を推定するように変更してもよい。また、分析用情報は、現象、原因、および、対策に関する各情報が関連付けられた情報であったが、これに限られない。例えば、原因および対策の少なくともいずれかに関する情報と、現像に関する情報と、を関連付けた分析用情報に変更してもよい。

（３）推定過程について
ステップＳ４０２の処理では、原因１としてＡ乃至Ｄの全部の事項を推定したが、これに限られない。たとえば、Ａ乃至Ｄの一部を原因１として推定するように変更してもよい。他のステップＳ４０４、Ｓ４１２、Ｓ４２２、Ｓ４３３も同様である。

（４）推定過程について
ステップＳ４０２の処理では、対策１としてａ乃至ｄの全部の事項を推定したが、これに限られない。たとえば、ａ乃至ｄの一部を対策１として推定するように変更してもよい。他のステップＳ４０４、Ｓ４１２、Ｓ４２２、Ｓ４３３も同様である。

（５）分析の対象
ステップＳ４の分析は、測定（ステップＳ３３）によって得られた温度データＴＤの全部を対象としたが、これに限られない。例えば、測定（ステップＳ３３）によって得られた温度データＴＤの一部を対象とするように変更してもよい。

例えば、次のようにステップＳ４（分析）を変更してもよい。すなわち、ステップＳ４（分析）は、さらに、温度データＴＤが所定の基準を満たしているか否かを判定する合否判定過程を備え、基準を満たしていないと合否判定過程が判定した場合のみ、現象判定過程と推定過程を行ってもよい。ここで、所定の基準としては、例えば、総合平均値と試験温度ＴＷｅの乖離幅ＤＦが、閾値以下であること等が例示される。閾値としては、試験レシピ情報に規定されている乖離幅の閾値を用いてもよい。これによれば、分析処理部１６９の処理量を抑制しつつ、速やかに対処する必要がある現象について効率良く分析できる。

（６）現象判定過程について
現象判定過程における処理は、熱処理プレートＰＬの種類等によって変わらなかったが、これに限られない。すなわち、熱処理プレートＰＬによる処理温度によって、熱処理プレートＰＬと熱処理プレートＰＬの周囲の気体との間で熱が移動する方向が変わる場合には、熱処理プレートＰＬの処理温度に応じて現象判定過程における処理を変更してもよい。

例えば、熱処理プレートＰＬが加熱冷却ユニットＰＨＰまたは露光後加熱処理ユニットＰＥＢに設置されている場合（前者）と、熱処理プレートＰＬが冷却ユニットＣＰに設置されている場合（後者）とで、ステップＳ４１１、ステップＳ４２１、ステップＳ４３２の処理を変更してもよい。

具体的には、ステップＳ４１１の処理に関して、前者の場合には、外れ値である温度データＴＤが他の温度データＴＤに比べて低いときにのみ、外れ値である温度データＴＤが発生したと判定してもよい。後者の場合には、外れ値である温度データＴＤが他の温度データＴＤに比べて高いときにのみ、外れ値である温度データＴＤが発生したと判定してもよい。

また、ステップＳ４２１の処理に関して、前者の場合には、異常値である温度データＴＤが試験温度ＴＷｅに比べて低いときにのみ、異常値である温度データＴＤが発生したと判定してもよい。後者の場合には、異常値である温度データＴＤが試験温度ＴＷｅに比べて高いときにのみ、異常値である温度データＴＤが発生したと判定してもよい。

また、ステップＳ４３２の処理に関して、前者の場合には、上流側から下流側へ向かう気流の向きと、温度データＴＤが低い測定位置から温度データＴＤが高い測定位置に向かう温度勾配の向きが略一致しているときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。後者の場合には、上流側から下流側へ向かう気流の向きと、温度データＴＤが高い測定位置から温度データＴＤが低い測定位置に向かう温度勾配の向きが略一致しているときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。

あるいは、ステップＳ４２１の処理に関して、前者の場合には、上流側区域ＪＵの温度データＴＤが下流側区域ＪＤの温度データＴＤに比べて高いときにときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。後者の場合には、上流側区域ＪＵの温度データＴＤが下流側区域ＪＤの温度データＴＤに比べて低いときにのみ、温度分布と気流との間に関連性が有ったと判定してもよい。

（７）現象判定過程について
現象判定過程における処理は、ステップＳ３３の試験において定められていた試験温度ＴＷｅによって変わらなかったが、これに限られない。試験温度ＴＷｅによって、熱処理プレートＰＬと熱処理プレートＰＬの周囲の気体との間で熱が移動する方向が変わる場合には、試験温度ＴＷｅに応じて現象判定過程における処理を変更してもよい。

例えば、試験温度ＴＷｅが熱処理プレートＰＬの周囲の雰囲気温度に比べて高い場合（前者）と、試験温度ＴＷｅが熱処理プレートＰＬの周囲の雰囲気温度に比べて低い場合（後者）とで、ステップＳ４１１、ステップＳ４２１、ステップＳ４３２の処理を変更してもよい。具体的には、上記（５）の変形実施例と同様に変更することができる。

（８）試験の数について
上述したステップＳ４（分析）は、複数の試験結果（測定結果）を分析できるが、単一の試験結果（測定結果）を分析する場合にも好適に適用できる。たとえば、試験予定情報に規定される試験の数が単一であっても、ステップＳ４（分析）を支障なく実行できる。また、ステップ５（出力）も、同様である。

（９）温度分布について
関連性判定過程（ステップＳ４３２）において、１次元の温度分布を例示したが、これに限られない。２次元の温度分布に変更してもよい。

（１０）気流形成設備、気流監視設備および気流調節設備について
気流形成設備として、上部排気管１２１、側部給気ダクト１２３および側部排気ダクト１２５等を例示したが、これに限られない。チャンバー１１７内に気体を供給する適宜な設備や、チャンバー１１７から気体を排出する適宜な設備に変更してもよい。また、チャンバー１１７内の気体を攪拌する設備に変更してもよい。

気流監視設備として、圧力計１２２を例示したが、これに限られない。流量計や流速計など適宜な機器に変更してもよい。また、気流調節設備として、排気用ダンパー１２６を例示したが、これに限られない。開閉弁や流量調節弁など適宜な機器に変更してもよい。

［５． 基板処理装置１の変形実施例］
（１）上述した実施例では、基板処理装置１は、温度計測部１６７、分析処理部１６９、入出力部９５等を備えていたが、これに限られない。温度計測部１６７、分析処理部１６９、入出力部９５等が、基板処理装置１の外部に設置されていてもよい。

図３６を参照する。図３６は、変形実施例に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。図示するように、基板処理システムは、基板処理装置１と分析装置１７１と計測装置１８１を備えている。分析装置１７１および計測装置１８１はそれぞれ、基板処理装置１に電気的に接続されている。

分析装置１７１は、順番設定部１６１と分析処理部１６９と入出力部１７３と記憶部１７５を備えている。入出力部１７３は、ユーザーからの命令を受け付けるとともに、分析結果を表示する。記憶部１７５は、試験リスト情報、プレート性能情報、気流形成設備情報等を記憶する。順番設定部１６１は、入出力部１７３に入力された命令や記憶部１７５に記憶されている情報を参照して、試験予定情報を作成する。また、分析処理部１６９は、記憶部１７５に記憶されている情報を参照して、基板処理装置１から受信した試験結果（測定結果）を分析する。分析装置１７１は、例えば、パーソナルコンピュータ等によって実現される。

基板処理装置１は、分析装置１７１から受信した試験予定情報に沿って試験を実施する。そして、ユニット側アンテナＡＵが受信した検出信号を計測装置１８１に送信する。

計測装置１８１は、温度計測部１６７と記憶部１８３を備えている。記憶部１８３は、試験レシピ情報、試験予定情報等を記憶している。温度計測部１６７は、試験レシピ情報等を参照して、基板処理装置１から受信した検出信号に基づいて温度データＴＤを生成する。そして、計測装置１８１は、生成した温度データＴＤを基板処理装置１に送信する。

このような基板処理システムによっても、上述したステップＳ１乃至Ｓ４における処理を好適に実行できる。

なお、分析装置１７１は、本発明における分析装置に相当するのみならず、本発明における試験予定作成装置に相当する。

（２）上述した実施例では、入力機能と出力機能を兼ね備えた入出力部９５を例示したが、これに限られない。たとえば、入力機能のみを有する入力部と、入力部とは別体に構成され、出力機能のみを有する出力部に変更してもよい。

（３）上述した実施例では、上層Ｋ１には、２基の搬送機構ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄが設置されていたが、これに限られない。例えば、上層Ｋ１における搬送機構の台数を１基に変更してもよいし、３基以上に変更してもよい。下層Ｋ２についても、同様に変更してもよい。また、上述した実施例では、処理部１３は、第１処理ブロック１４と第２処理ブロック１５とによって構成されていんたが、これに限られない。例えば、１つの処理ブロックによって処理部１３を構成してもよい。あるいは、３以上の処理ブロックによって処理部１３を構成してもよい。

（４）上述した実施例では、各種の液処理ユニット６０、６５や熱処理ユニットＨＵは、基本的に、基板Ｗを１枚ずつ処理する処理ユニット（いわゆる「枚葉式処理ユニット」）であったが、これに限られない。例えば、複数枚の基板Ｗを一括して処理する処理ユニット（いわゆる「バッチ式処理ユニット」）に変更してもよい。

（５）上述した実施例では、上層Ｋ１において基板Ｗに行う処理と、下層Ｋ２において基板Ｗに行う処理は、同じであったが、これに限られない。すなわち、上層Ｋ１における処理と下層Ｋ２における処理が互いに異なるように変更してもよい。

（６）上述した実施例では、一連の処理は、基板Ｗにレジスト膜等を形成し、かつ、基板Ｗを現像する処理であったが、これに限られない。例えば、一連の処理の内容を、処理対象の基板Ｗに応じて適宜に変更してもよい。

（７）上述した実施例では、熱処理ユニットＨＵとして、加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび露光後加熱処理ユニットＰＥＢを例示したが、これらに限られない。たとえば、熱処理ユニットＨＵの種類は、適宜に選択、変更できる。例えば、熱処理ユニットＨＵは、アドヒージョン処理ユニットＡＨＬであってもよい。アドヒージョン処理ユニットＡＨＬは、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルシラザン）の蒸気雰囲気で熱処理する。

（８）上述した実施例では、処理部１３に形成される階層の数は、２つであったが、これに限られない。すなわち、処理部１３に形成される階層の数を、１に変更してもよいし、３以上に変更してもよい。

（９）上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。

１ …基板処理装置（試験予定作成装置、分析装置）
１１ …インデクサ部（ＩＤ部）
１３ …処理部
１７ …インターフェイス部（ＩＦ部）
６０ …塗布処理ユニット（液処理ユニット、処理ユニット）
６５ …現像処理ユニット（液処理ユニット、処理ユニット）
９１ …制御部
９３、１７５、１８３ …記憶部
９５、１７３ …入出力部（出力部）
１６１ …順番設定部
１６３ …試験実行部
１６４ …搬送制御部
１６５ …向き制御部
１６６ …熱処理ユニット制御部
１６７ …温度計測部
１６９ …分析処理部
１２１ …上部排気管（気流形成設備）
１２３ …側部給気ダクト（気流形成設備）
１２５ …側部排気ダクト（気流形成設備）
１２２ …圧力計（気流監視設備）
１２６ …排気用ダンパー（気流調節設備）
１７１ …分析装置（試験予定作成装置）
ＴＡ、ＴＢ１ｃ、ＴＢ１ｄ、ＴＢ２ｃ、ＴＢ２ｄ、ＴＣ１ａ、ＴＣ１ｂ、ＴＬ …搬送部
Ｈ …ハンド
ＥＥＷ …エッジ露光ユニット（処理ユニット）
ＭＤ …調整機構
ＨＵ …熱処理ユニット（処理ユニット）
ＰＬ …熱処理プレート
ＡＵ …ユニット側アンテナ
Ｃ …キャリア
Ｗ …基板
ＷＴ …温度測定用基板
ＳＵ …センサユニット
ＡＳ …センサ側アンテナ
ＢＷ …基板本体
ＴＤ …温度データ
ＴＷｅ …試験温度
ＤＨａ、ＤＨｂ、ＤＨｃ …第１目標方向
ＡＣａ、ＡＣｂ、ＡＣｃ …第１向き変動量
ＩＰ１ …搬送部が調整機構から温度測定用基板を取るときの搬送部の位置に関する情報
ＩＰ２、ＩＰ５、ＩＰ１０ …搬送部が熱処理プレートに温度測定用基板を渡すときの搬送部の位置に関する情報
ＩＰ３、ＩＰ４、ＩＰ６乃至ＩＰ９、ＩＰ１１乃至ＩＰ１３ …一の搬送機構から他の搬送機構に温度測定用基板を渡すときの各搬送機構の位置に関する情報

Claims (16)

1. 熱処理プレートによる処理温度の測定によって得られた温度データに基づいて、所定の現象が起きたか否かを判定する現象判定過程と、
   現象が起きたと現象判定過程が判定した場合には、起きたと判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策の少なくともいずれかを推定する推定過程と、
   を備えている分析方法。
2. 請求項１に記載の分析方法において、
   現象判定過程は、温度データが欠損しているか否かを判定する分析方法。
3. 請求項２に記載の分析方法において、
   温度データが欠損していると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、
   測定に用いられた温度測定用基板の故障、
   温度測定用基板の点検、
   温度測定用基板の検出信号を処理する温度計測部の故障、
   および、温度計測部の点検
   の少なくともいずれかを推定する分析方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の分析方法において、
   現象判定過程は、温度データが外れ値であるか否かを判定する分析方法。
5. 請求項４に記載の分析方法において、
   温度データが外れ値であると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、
   熱処理プレートの汚損、
   熱処理プレートに付着する異物、
   熱処理プレートの清掃、
   測定に用いられた温度測定用基板の汚損、
   温度測定用基板に付着する異物、
   および、温度測定用基板の清掃
   の少なくともいずれかを推定する分析方法。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の分析方法において、
   現象判定過程は、温度データが異常値であるか否かを判定する分析方法。
7. 請求項６に記載の分析方法において、
   温度データが異常値であると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、
   測定に用いられた温度測定用基板の故障、
   温度測定用基板の点検、
   温度測定用基板の検出信号を処理する温度計測部の故障、
   および、温度計測部の点検
   の少なくともいずれかを推定する分析方法。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の分析方法において、
   現象判定過程は、温度データと測定位置との関係を示す温度分布と熱処理プレートの上方に形成される気流との間に関連性が有るか否かを判定する分析方法。
9. 請求項８に記載の分析方法において、
   現象判定過程は、
   気流を強制的に形成するための気流形成設備に関する気流形成設備情報を参照して、熱処理プレートの上方に気流が強制的に形成されているか否かを判定する気流判定過程と、
   強制的に形成されていると気流判定過程が判定した場合には、温度分布と気流との間に関連性が有るか否かを判定する関連性判定過程と、
   を備えている分析方法。
10. 請求項８または９に記載の分析方法において、
    温度分布と気流との間に関連性が有ると現象判定過程が判定した場合には、推定過程は、気流形成設備の故障、点検、流量異常、および、流量確認の少なくともいずれかを推定する分析方法。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の分析方法において、
    温度データが所定の基準を満たしているか否かを判定する合否判定過程と、
    を備え、
    温度データが基準を満たしていないと合否判定過程が判定した場合のみ、現象判定過程および推定過程を行う分析方法。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の分析方法において、
    推定過程による推定結果に関する情報を出力する出力過程を備えている分析方法。
13. 分析装置であって、
    熱処理プレートによる処理温度の測定によって得られた温度データに基づいて、所定の現象が起きたか否かを判定し、現象が起きたと判定された場合には、起きたと判定された現象の原因、および、その原因を解消するための対策の少なくともいずれかを推定する分析処理部と、
    分析処理部による推定結果に関する情報を出力する出力部と、
    備えている分析装置。
14. 請求項１３に記載の分析装置において、
    現象は、
    欠損した温度データが発生したこと、
    外れ値である温度データが発生したこと、
    異常値である温度データが発生したこと、
    および、温度データの温度分布と熱処理プレートの上方に形成される気流との間に関連性が有ったこと、
    の少なくともいずれかであり、
    原因及び対策は、
    測定に用いられた温度測定用基板、
    温度測定用基板の検出信号を処理する温度計測部、
    および、熱処理プレートの上方を流れる気流を強制的に形成する気流形成設備
    の少なくともいずれかに関することである分析装置。
15. 請求項１３または１４に記載の分析装置において、
    熱処理プレートに載置された温度測定用基板から得られた検出信号に基づいて温度データを生成する温度計測部を備えている分析装置。
16. 請求項１３から１５のいずれかに記載の分析装置と、
    基板に熱処理を行う熱処理プレートと、
    を備えた基板処理装置。

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