JP2014231640A - 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池 - Google Patents
酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014231640A JP2014231640A JP2014109768A JP2014109768A JP2014231640A JP 2014231640 A JP2014231640 A JP 2014231640A JP 2014109768 A JP2014109768 A JP 2014109768A JP 2014109768 A JP2014109768 A JP 2014109768A JP 2014231640 A JP2014231640 A JP 2014231640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- zinc oxide
- sintered body
- sputtering target
- photovoltaic cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 110
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/403—Refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
- C04B2237/406—Iron, e.g. steel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/407—Copper
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【課題】ＤＣスパッタリングが可能であり、且つ光吸収層の組成変化による効率の低下を防止することができる保護層の蒸着が可能な酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池を提供する。【解決手段】酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲でドープされている酸化亜鉛からなる焼結体；及び前記焼結体の裏面に接合され、前記焼結体を支持するバックキングプレートを含むことを特徴とする酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池。【選択図】図１
Description
本発明は、酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池に係り、より詳しくは、ＤＣスパッタリングが可能であり、且つ光吸収層の組成変化による効率の低下を防止することができる保護層の蒸着が可能な酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池に関する。
近年、エネルギー資源の不足や環境汚染の対策として高効率の光電池モジュール（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｍｏｄｕｌｅ）の開発が大規模で進められている。該光電池モジュールは、光エネルギー、例えば太陽エネルギーを直接電気に変換させる光発電の核心素子である。この種の光電池モジュールの需要が爆発的に増加しつつある中で、大面積化への要望も高まっている実情である。
一方、この種の光電池モジュールは、一般に、カバーガラス／緩衝部材／電池セル／緩衝部材／バックシートの積層構造からなる。このとき、電池セルは、基板／共通電極／光吸収層／バッファー層／保護層／透明電極を含んでなる。ここで、基板はガラス製またはスチール製である。また、共通電極は基板上にＭｏを蒸着させて形成することができ、光吸収層は共通電極上にスパッタ、ＭＢＥ、エバポレーション（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法にて、例えば、銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ：ｃｏｐｐｅｒ ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｓｅｌｅｎｉｄｅ）化合物を蒸着させて形成することができ、バッファー層は光吸収層上にＣＢＤやＡＬＤ法にてＣｄＳ或いはＺｎＳを蒸着させて形成することができる。そして、保護層はバッファー層上にイントリンシック酸化亜鉛（ｉ−ＺＮＯ）を蒸着させて形成することができる。
ここで、電池セルの保護層に用いられるｉ−ＺＮＯは不導体であって、例えば、酸化亜鉛系薄膜からなる透明電極（特許文献１）とは電気的な特性が相反する。
ここで、電池セルの保護層に用いられるｉ−ＺＮＯは不導体であって、例えば、酸化亜鉛系薄膜からなる透明電極（特許文献１）とは電気的な特性が相反する。
また、ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層は、ガリウムの界面拡散現象が生じるなど、組成的に不安定な構造であって、このように、光吸収層の組成が変質すると、結局、光電池の効率の低下につながらざるを得ない。このため、光吸収層の組成の変質を防止可能な対策が切実に要求されている。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、ＤＣスパッタリングが可能であり、且つ光吸収層の組成変化による効率の低下を防止することができる保護層の蒸着が可能な酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池を提供することである。
このために、本発明は、酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲でドープされている酸化亜鉛からなる焼結体；及び前記焼結体の裏面に接合され、前記焼結体を支持するバックキングプレートを含むことを特徴とする酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを提供する。
ここで、前記焼結体は、比抵抗が１００Ω・ｃｍ以下であってよい。
また、前記酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、ＤＣスパッタリングが可能なターゲットであってよい。
そして、前記焼結体は、５０ＭＰａ以上の曲げ強度を有していてよい。
さらに、前記焼結体中に、直径１μｍ以上の前記酸化ガリウムの凝集体が該焼結体の体積に対し５％未満で分布されていてよい。
一方、本発明は、酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛系薄膜を保護層として備えることを特徴とする光電池を提供する。
ここで、前記光電池は、銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ）化合物からなる光吸収層を含んでいてよい。
また、前記保護層をなす結晶粒の大きさは、１０ｎｍ以上であってよい。
そして、前記保護層は、１００ｎｍ未満の厚さで形成されていてよい。
このとき、前記保護層は、５０ｎｍ未満の厚さで形成されていてよい。
さらに、前記保護層は、１０Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有していてよい。
ここで、前記焼結体は、比抵抗が１００Ω・ｃｍ以下であってよい。
また、前記酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、ＤＣスパッタリングが可能なターゲットであってよい。
そして、前記焼結体は、５０ＭＰａ以上の曲げ強度を有していてよい。
さらに、前記焼結体中に、直径１μｍ以上の前記酸化ガリウムの凝集体が該焼結体の体積に対し５％未満で分布されていてよい。
一方、本発明は、酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛系薄膜を保護層として備えることを特徴とする光電池を提供する。
ここで、前記光電池は、銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ）化合物からなる光吸収層を含んでいてよい。
また、前記保護層をなす結晶粒の大きさは、１０ｎｍ以上であってよい。
そして、前記保護層は、１００ｎｍ未満の厚さで形成されていてよい。
このとき、前記保護層は、５０ｎｍ未満の厚さで形成されていてよい。
さらに、前記保護層は、１０Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有していてよい。
本発明によれば、酸化亜鉛に酸化ガリウムを１０〜６０ｗｔ％の範囲でドープさせることで、安定したＤＣスパッタリングが可能になる。
また、本発明によれば、酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより、保護層として酸化亜鉛系薄膜を蒸着することで、不安定な光吸収層の組成変質を保護層中に含有された高濃度のガリウムにより防止することができ、その結果、光電池の効率の低下を防止することができる。
また、本発明によれば、酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着される保護層の組成均質度が高まり、大面積の光電池の製造が可能になる。
また、本発明によれば、スパッタリングターゲットにより、保護層として酸化ガリウムがドープされた酸化亜鉛系薄膜を蒸着することで、伝導性の保護層上に透明電極として酸化亜鉛系薄膜を蒸着した場合、透明電極の抵抗を下げることができ、その結果、光電池の光変換効率を向上することができる。
さらに、本発明によれば、酸化ガリウムが多量添加された酸化亜鉛系薄膜を保護層として用いることで、ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層にあるガリウムの界面拡散を抑制し、且つ保護層のガリウムが光吸収層に拡散していき、光電池の効率を向上することができる。
また、本発明によれば、酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより、保護層として酸化亜鉛系薄膜を蒸着することで、不安定な光吸収層の組成変質を保護層中に含有された高濃度のガリウムにより防止することができ、その結果、光電池の効率の低下を防止することができる。
また、本発明によれば、酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着される保護層の組成均質度が高まり、大面積の光電池の製造が可能になる。
また、本発明によれば、スパッタリングターゲットにより、保護層として酸化ガリウムがドープされた酸化亜鉛系薄膜を蒸着することで、伝導性の保護層上に透明電極として酸化亜鉛系薄膜を蒸着した場合、透明電極の抵抗を下げることができ、その結果、光電池の光変換効率を向上することができる。
さらに、本発明によれば、酸化ガリウムが多量添加された酸化亜鉛系薄膜を保護層として用いることで、ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層にあるガリウムの界面拡散を抑制し、且つ保護層のガリウムが光吸収層に拡散していき、光電池の効率を向上することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池について詳しく説明する。
なお、本発明を説明するにあたって、関連公知機能あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断された場合、その詳細な説明は省略することにする。
なお、本発明を説明するにあたって、関連公知機能あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断された場合、その詳細な説明は省略することにする。
図１に示すように、本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、基板１１、共通電極１２、光吸収層１３、バッファー層１４、保護層１００、及び透明電極１５がこの順で積層されてなる光電池１０において、酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛系薄膜からなる保護層１００を蒸着させるためのターゲットである。ここで、基板１１は、ガラス製またはスチール製であってよい。また、共通電極１２は、基板１１上に、例えば、Ｍｏ蒸着を通じて形成されていてよい。そして、光吸収層１３は、共通電極１２上にスパッタ、ＭＢＥ、エバポレーション（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法にて、銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ）化合物を蒸着することで形成されていてよく、バッファー層１４は、光吸収層１３上にＣＢＤまたはＡＬＤ法にて、例えば、ＣｄＳまたはＺｎＳを蒸着することで形成されていてよく、また、透明電極１５は、本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着される保護層１００上に蒸着形成されていてよく、且つ保護層１００と同様に酸化亜鉛系薄膜からなるものであってよい。
このように、光電池１０の保護層１００の蒸着に用いられる本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結体及びバックキングプレート（ｂａｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）を含んでなる。
焼結体は、酸化ガリウムが該焼結体の重さの１０〜６０ｗｔ％の範囲でドープされている酸化亜鉛からなる。これは、酸化亜鉛に酸化ガリウムがドープされると、酸化ガリウムのガリウムが酸化亜鉛の構造において亜鉛を置換固溶してｎ型半導体を形成させることで電気伝導度を付与するようになるが、熱力学的に平衡をなす状態でガリウムが酸化亜鉛に固溶する含量には限界があるため、その添加量を制御することで酸化亜鉛からなる焼結体に電気伝導度を呈させることにより、ＤＣスパッタリングが可能になるようにするためである。ここで、酸化ガリウムの添加量を１０ｗｔ％以上にすると、ＣＩＧＳ光吸収層１３の効率を向上するうえで有効である。しかし、酸化ガリウムの添加量が６０ｗｔ％を超えると、焼結体の比抵抗が急増するため、酸化ガリウムの添加量が６０ｗｔ％を越えないように制御することが望ましい。他方で、酸化ガリウムの添加量が１０ｗｔ％を越えないと、酸化亜鉛焼結体の比抵抗が低下して安定した放電が可能になるものの、ＣＩＧＳ光吸収層１３の効率向上に関する寄与度が低下するようになる。すなわち、組成的に不安定な光吸収層１３の組成変質を防ぐことができなくなる。
このように、酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲でドープされている酸化亜鉛からなる焼結体を備えたスパッタリングターゲットにより、酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛系薄膜を、光電池１０の保護層１００として蒸着することができる。
なお、前記のように酸化ガリウムの添加量が制御された酸化亜鉛焼結体は、スパッタリングの際に印加される高いパワーによってクラックなどが生じる恐れがあり、このため、５０ＭＰａ以上の曲げ強度を有し、且つ焼結体中に直径１μｍ以上の酸化ガリウムの凝集体が該焼結体の体積に対し５％未満で分布されているように制御することが好ましい。
バックキングプレートは、焼結体を支持する役割を果たす部材であって、導電性及び熱伝導性に優れる銅、好ましくは、無酸素銅、チタン、ステンレス鋼からなるものであってよい。このようなバックキングプレートは、例えば、インジウムからなるボンディング材を介して焼結体の裏面に接合され、酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを構成するようになる。
このように、焼結体とバックキングプレートとからなる酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、高い蒸着速度を有する。また、焼結体は、１００Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有し、その結果、スパッタリングの際に印加される高いパワーでも異常放電をすることなく安定した放電が可能になり、これにより、蒸着される保護層１００の組成均質度が高まり、大面積の光電池１０の製造が可能になる。
一方、本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着された光電池１０の保護層１００は、１０Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有していてよい。このように、保護層１００が抵抗特性に優れていると、その上部に形成される透明電極１５の抵抗も低くなり、従来、大面積パネルの適用時において透明電極の高い抵抗によりＣＩＧＳ層の効率が劣化するという現象を防止可能になる。
このような保護層１００は、１００ｎｍ未満の厚さ、好ましくは、５０ｎｍ未満の厚さで形成されていてよい。なぜならば、保護層１００がバッファー層１４と共に光を透過させる役割を果たすが、厚さが薄いほど透過率の向上に有利であるからである。
このように、酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着される酸化亜鉛系薄膜からなる保護層１００は、ガリウムの含有量に関係なく酸化亜鉛の六方晶結晶構造を保持し、主にｃ-軸に結晶成長をする。このとき、このような保護層１００をなす結晶粒の大きさ、即ち直径、は１０ｎｍ以上であってよい。
ここで、本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着された保護層１００は、酸化亜鉛基盤の結晶構造をなしている。このとき、このような保護層１００上に蒸着される透明電極１５は、保護層１００と同様に酸化亜鉛系薄膜からなるものであってよい。これにより、透明電極１５の蒸着初期から結晶配向が形成された保護層１００上に透明電極１５が蒸着されることで、透明電極１５の性能を極大化でき、その結果、光電池１０の光変換効率を一層向上することができる。
また、本発明の実施例に係る酸化亜鉛系スパッタリングターゲットにより蒸着された保護層１００は、その中に含有された高い濃度のガリウムによって組成的に不安定なＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層１３の組成変質を防止することができる。すなわち、ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層１３の保護層１００にて酸化ガリウムが多量添加された酸化亜鉛系薄膜が形成されると、光吸収層１３にあるガリウムの界面拡散を抑制することができ、且つ、保護層１００のガリウムが光吸収層１３に拡散していき、光電池１０の効率を向上することができるようになる。
[実施例１]
ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層上にＣｄＳを蒸着してバッファー層を形成し、バッファー層上に酸化ガリウムがドープされた酸化亜鉛ターゲット（ＧＺＯターゲット）によるＤＣスパッタリングにて保護層を形成し、保護層上にＧＡＺＯ（Ｇａ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ）ターゲットによるＤＣスパッタリングにて透明電極（ＴＣＯ）を形成した後、これらに対する特性を評価した。
ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層上にＣｄＳを蒸着してバッファー層を形成し、バッファー層上に酸化ガリウムがドープされた酸化亜鉛ターゲット（ＧＺＯターゲット）によるＤＣスパッタリングにて保護層を形成し、保護層上にＧＡＺＯ（Ｇａ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ）ターゲットによるＤＣスパッタリングにて透明電極（ＴＣＯ）を形成した後、これらに対する特性を評価した。
[比較例１]
ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層上にＣｄＳを蒸着してバッファー層を形成し、バッファー層上にイントリンシック酸化亜鉛（ｉ−ＺＮＯ）ターゲットによるＲＦスパッタリングにて保護層を形成し、保護層上にＡＺＯ（Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ）ターゲットによるＲＦスパッタリングにて透明電極（ＴＣＯ）を形成した後、これらに対する特性を評価した。
ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層上にＣｄＳを蒸着してバッファー層を形成し、バッファー層上にイントリンシック酸化亜鉛（ｉ−ＺＮＯ）ターゲットによるＲＦスパッタリングにて保護層を形成し、保護層上にＡＺＯ（Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ）ターゲットによるＲＦスパッタリングにて透明電極（ＴＣＯ）を形成した後、これらに対する特性を評価した。
[比較例２]
ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層上にＣｄＳを蒸着してバッファー層を形成し、バッファー層上にｉ−ＺＮＯターゲットによるＲＦスパッタリングにて保護層を形成し、保護層上にＧＡＺＯ（Ｇａ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ）ターゲットによるＲＦスパッタリングにて透明電極（ＴＣＯ）を形成した後、これらに対する特性を評価した。
ＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層上にＣｄＳを蒸着してバッファー層を形成し、バッファー層上にｉ−ＺＮＯターゲットによるＲＦスパッタリングにて保護層を形成し、保護層上にＧＡＺＯ（Ｇａ-Ａｌ-Ｚｎ-Ｏ）ターゲットによるＲＦスパッタリングにて透明電極（ＴＣＯ）を形成した後、これらに対する特性を評価した。
前記表１は蒸着条件を表すものであり、前記表２はこれによる特性評価の結果を表すものである。
表２を見ると、透明電極がＧＡＺＯからなる比較例２は、透明電極がＡＺＯからなる比較例１よりも、開放電圧ＶｏｃやＦＦ（ｆｉｌｌ ｆａｃｔｏｒ）値はいずれも高く、且つ短絡電流Ｊｓｃ値は低く、これにより、比較例２の効率（Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が比較例１の効率よりも約１％程度向上することが確認された。すなわち、透明電極をＧＡＺＯで形成するのが、ＡＺＯで形成するよりも光電池の効率向上のうえでより好適であることが確認された。
表２を見ると、透明電極がＧＡＺＯからなる比較例２は、透明電極がＡＺＯからなる比較例１よりも、開放電圧ＶｏｃやＦＦ（ｆｉｌｌ ｆａｃｔｏｒ）値はいずれも高く、且つ短絡電流Ｊｓｃ値は低く、これにより、比較例２の効率（Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が比較例１の効率よりも約１％程度向上することが確認された。すなわち、透明電極をＧＡＺＯで形成するのが、ＡＺＯで形成するよりも光電池の効率向上のうえでより好適であることが確認された。
また、比較例２と同様に透明電極としてＧＡＺＯを蒸着し、保護層としてＧＺＯを蒸着した実施例１は、保護層としてｉ−ＺＮＯを蒸着した比較例２よりも、開放電圧ＶｏｃやＦＦ（ｆｉｌｌ ｆａｃｔｏｒ）値はいずれも高く、短絡電流Ｊｓｃ値はほぼ同じであり、これにより、実施例１の効率が比較例２の効率よりも約２．７％程度向上することが確認された。また、実施例１に係る光電池は、現在商用される比較例１の構造であるＡＺＯ／ｉ−ＺＮＯ構造からなる光電池に対して約３．７５％の効率向上効果が得られることが確認された。
このように、保護層としてｉ−ＺＮＯに代えてＧＺＯを蒸着したほうが、透明電極としてＡＺＯに代えてＧＡＺＯを蒸着することより、光電池の効率の面でより優れた効果を示すことが確認された。すなわち、保護層としてＧＺＯを蒸着すれば、ＧＡＺＯからなる透明電極の電気的特性を向上し、且つ、Ｇａの効果を極大化させることでＣＩＧＳ化合物からなる光吸収層の組成変質を防止することができることが確認された。
以上のように、限定された実施例と図面によって本発明が説明されたが、本発明は、前記の実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から多様な修正および変形が可能である。
したがって、本発明の範囲は、説明された実施例に限定されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、特許請求の範囲と均等なものにより定められなければならない。
したがって、本発明の範囲は、説明された実施例に限定されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、特許請求の範囲と均等なものにより定められなければならない。
１００ 保護層
１０ 光電池
１１ 基板
１２ 共通電極
１３ 光吸収層
１４ バッファー層
１５ 透明電極
１０ 光電池
１１ 基板
１２ 共通電極
１３ 光吸収層
１４ バッファー層
１５ 透明電極
Claims (11)
- 酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲でドープされている酸化亜鉛からなる焼結体；及び
前記焼結体の裏面に接合され、前記焼結体を支持するバックキングプレート;
を含むことを特徴とする酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。 - 前記焼結体は、比抵抗が１００Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
- ＤＣスパッタリングが可能なターゲットであることを特徴とする請求項２に記載の酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
- 前記焼結体は、５０ＭＰａ以上の曲げ強度を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
- 前記焼結体中に、直径１μｍ以上の前記酸化ガリウムの凝集体が該焼結体の体積に対し５％未満で分布されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
- 酸化ガリウムが１０〜６０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛系薄膜を保護層として備えることを特徴とする光電池。
- 銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ：ｃｏｐｐｅｒ ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｓｅｌｅｎｉｄｅ）化合物からなる光吸収層を含むことを特徴とする請求項６に記載の光電池。
- 前記保護層をなす結晶粒の大きさは、１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項６又は７に記載の光電池。
- 前記保護層は、１００ｎｍ未満の厚さで形成されることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の光電池。
- 前記保護層は、５０ｎｍ未満の厚さで形成されることを特徴とする請求項９に記載の光電池。
- 前記保護層は、１０Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の光電池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0060477 | 2013-05-28 | ||
| KR1020130060477A KR20140140187A (ko) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 이를 통해 증착된 보호층을 갖는 광전지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014231640A true JP2014231640A (ja) | 2014-12-11 |
Family
ID=51899651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014109768A Pending JP2014231640A (ja) | 2013-05-28 | 2014-05-28 | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140352786A1 (ja) |
| JP (1) | JP2014231640A (ja) |
| KR (1) | KR20140140187A (ja) |
| CN (1) | CN104213084A (ja) |
| DE (1) | DE102014209950A1 (ja) |
| TW (1) | TW201500191A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10227261B2 (en) * | 2015-02-27 | 2019-03-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact, oxide sputtering target, and oxide thin film |
| US10297708B1 (en) | 2018-01-25 | 2019-05-21 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Air Force | Surface passivation for PhotoDetector applications |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06187833A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-07-08 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜 |
| JPH07138745A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-05-30 | Asahi Glass Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JPH08245220A (ja) * | 1994-06-10 | 1996-09-24 | Hoya Corp | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
| JP2010285321A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用酸化亜鉛系焼結体の製造方法 |
| JP2012136417A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-07-19 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜 |
| JP2013100565A (ja) * | 2010-03-03 | 2013-05-23 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2014005538A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Samsung Corning Precision Materials Co Ltd | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、およびこれを通じて蒸着された遮断膜を有する薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100549219C (zh) * | 2005-06-28 | 2009-10-14 | 日矿金属株式会社 | 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜 |
| JP5143410B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2013-02-13 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| KR20090000421A (ko) * | 2007-06-28 | 2009-01-07 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 산화아연계 비정질 박막용 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 |
| KR20110083011A (ko) * | 2010-01-13 | 2011-07-20 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 염료감응형 태양전지용 전극기판과 이를 구비하는 염료감응형 태양전지 |
| FR2956924B1 (fr) * | 2010-03-01 | 2012-03-23 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique incorporant une nouvelle couche tco |
| KR101727559B1 (ko) | 2011-07-08 | 2017-04-17 | 한국단자공업 주식회사 | 충격감지장치 |
-
2013
- 2013-05-28 KR KR1020130060477A patent/KR20140140187A/ko active Search and Examination
-
2014
- 2014-05-26 DE DE102014209950.1A patent/DE102014209950A1/de not_active Withdrawn
- 2014-05-27 TW TW103118466A patent/TW201500191A/zh unknown
- 2014-05-27 US US14/287,673 patent/US20140352786A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-28 JP JP2014109768A patent/JP2014231640A/ja active Pending
- 2014-05-28 CN CN201410232028.8A patent/CN104213084A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06187833A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-07-08 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜 |
| JPH07138745A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-05-30 | Asahi Glass Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JPH08245220A (ja) * | 1994-06-10 | 1996-09-24 | Hoya Corp | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
| JP2010285321A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用酸化亜鉛系焼結体の製造方法 |
| JP2013100565A (ja) * | 2010-03-03 | 2013-05-23 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2012136417A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-07-19 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜 |
| JP2014005538A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Samsung Corning Precision Materials Co Ltd | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、およびこれを通じて蒸着された遮断膜を有する薄膜トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140140187A (ko) | 2014-12-09 |
| DE102014209950A1 (de) | 2014-12-04 |
| CN104213084A (zh) | 2014-12-17 |
| US20140352786A1 (en) | 2014-12-04 |
| TW201500191A (zh) | 2015-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010087105A (ja) | 太陽電池 | |
| CN106653898B (zh) | 一种czts太阳能电池 | |
| TW201240123A (en) | Method of manufacturing transparent conductive film, and method of manufacturing thin-film solar cell | |
| Chen et al. | Optimizing transparent conductive Al-doped ZnO thin films for SiN x free crystalline Si solar cells | |
| JP6083785B2 (ja) | 化合物太陽電池およびその製造方法 | |
| CN105097980B (zh) | 薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
| US20120103407A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the solar cell | |
| JP2014231640A (ja) | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池 | |
| WO2013035732A1 (ja) | Ｃｉｇｓ膜の製法およびそれを用いるｃｉｇｓ太陽電池の製法 | |
| CN104409528B (zh) | 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 | |
| CN102433545A (zh) | 一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜及其应用 | |
| CN101707219B (zh) | 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 | |
| JP2015072936A (ja) | 光発電素子 | |
| CN204441296U (zh) | 一种cigs基薄膜太阳能电池 | |
| JP2014225567A (ja) | Ｃｉｇｓ系化合物太陽電池およびその製造方法 | |
| JP6534088B2 (ja) | 太陽電池 | |
| KR101571652B1 (ko) | 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 이를 통해 증착된 보호층을 갖는 광전지 | |
| WO2012165289A1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN111416015A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2015072939A (ja) | 光発電素子 | |
| JP5818789B2 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| TW201228000A (en) | Device structure for high efficiency CdTe thin-film solar cell | |
| CN203325950U (zh) | 一种多带隙双面透光太阳能电池 | |
| KR101664483B1 (ko) | Ｐ형 반도체 조성물 및 이를 이용한 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| WO2023039967A1 (zh) | 一种层叠太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160209 |