DE102014209950A1 - Sputter-Target auf der Basis von ZnO und photovoltaische Zelle, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des besagten Sputter-Targets abgeschieden wird - Google Patents
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 32
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 112
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 53
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- -1 copper-indium-gallium-selenide compound Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical group OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 1
- 241001572175 Gaza Species 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
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- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
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- C04B2237/32—Ceramic
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- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/403—Refractory metals
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- C04B2237/406—Iron, e.g. steel
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid (ZnO), das zum DC-Sputtern nutzbar ist, und photovoltaische Zelle, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des besagten Sputter-Targets abgeschieden wird. Das Sputter-Target auf der Basis von ZnO weist einen aus ZnO bestehenden Sinterkörper, wobei das ZnO mit 10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid dotiert ist, und eine Trägerplatte auf, die mit der Rückfläche des Sinterkörpers zum Tragen des Sinterkörpers verklebt ist. Die Passivierungsschicht kann verhindern, dass eine Veränderung in der Zusammensetzung der lichtabsorbierenden Schicht einen Wirkungsgrad verringert.
Description
- QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
- Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der am 28. Mai 2013 eingereichten
koreanischen Patentanmeldung mit der Nummer 10-2013-0060477 - HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid (ZnO) und eine photovoltaische Zelle, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des besagten Sputter-Targets abgeschieden wird, insbesondere ein Sputter-Target auf der Basis von ZnO, das zum Gleichstrom(DC)-Sputtern nutzbar ist, und eine photovoltaische Zelle, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des besagten Sputter-Targets abgeschieden wird, wobei die Passivierungsschicht verhindern kann, dass eine Veränderung in der Zusammensetzung einer lichtabsorbierenden Schicht einen Wirkungsgrad verringert.
- Beschreibung des Standes der Technik
- Um der Verknappung der Energieressourcen und der Umweltverschmutzung zu begegnen, wird in jüngerer Zeit in großem Umfang an der Entwicklung photovoltaischer Zellen mit hohem Wirkungsgrad gearbeitet. Eine photovoltaische Zelle ist eine zentrale Vorrichtung der photovoltaischen Energiegewinnung, die Sonnenenergie direkt in Elektrizität umwandelt. Mit der rasch steigenden Nachfrage nach photovoltaischen Modulen wird es immer wichtiger, ihre Größe zu erhöhen.
- Ein Photovoltaikzellmodul kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen, die ein Deckglas, ein erstes Pufferelement, einen Zellstapel, ein zweites Pufferelement und eine Rückplatte aufweist. Der Zellstapel kann ein Substrat, eine gemeinsame Elektrode, eine lichtabsorbierende Schicht, eine Pufferschicht, eine Passivierungsschicht und eine transparente Elektrode aufweisen. Das Substrat kann aus Glas oder Stahl bestehen. Die gemeinsame Elektrode kann durch die Abscheidung von Molybdän (Mo) auf dem Substrat ausgebildet werden. Die lichtabsorbierende Schicht kann durch Abscheidung von z. B. einer Kupfer-Indium-Gallium-Selenid(CIGS)-Verbindung auf der gemeinsamen Elektrode mittels Sputtern, Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder Verdampfung ausgebildet werden. Die Pufferschicht kann durch die Abscheidung von Cadmiumsulfid (CdS) oder Zinksulfid (ZnS) auf der lichtabsorbierenden Schicht mittels chemischer Badabscheidung (CBD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) ausgebildet werden. Die Passivierungsschicht kann durch die Abscheidung von intrinsischem Zinkoxid (i-ZnO) auf der Pufferschicht ausgebildet werden.
- Das für die Passivierungsschicht des Zellstapels verwendete i-ZnO ist ein Nichtleiter, dessen elektrische Eigenschaften denen der transparenten Elektrode entgegengesetzt sind, die z. B. aus einem Dünnfilm auf der Basis von ZnO hergestellt wird.
- Zudem weist die aus einer CIGS-Verbindung bestehende lichtabsorbierende Schicht aufgrund z. B. der Grenzflächendiffusion von Gallium (Ga) eine instabile Zusammensetzung auf. Ändert sich die Zusammensetzung der lichtabsorbierenden Schicht auf diese Weise, so wird der Wirkungsgrad einer photovoltaischen Zelle zwangsläufig verringert. Daher besteht ein dringender Bedarf an Lösungen, die eine Veränderung der Zusammensetzung der lichtabsorbierenden Schicht verhindern können.
- Die im Hintergrund der Erfindung offenbarten Angaben dienen lediglich dem besseren Verständnis des Hintergrunds der Erfindung und sind nicht als Anerkennung oder eine Form der Andeutung, dass diese Angaben einen dem Fachmann bereits bekannten Stand der Technik bilden, zu verstehen.
- Dokument aus verwandtem Stand der Technik
-
- Patentdokument 1:
Japanisches Patent Nr. 4670877 - KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Mehrere Aspekte der vorliegenden Erfindung stellen ein Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid (ZnO), das zum Gleichstrom(DC)-Sputtern nutzbar ist, und eine photovoltaische Zelle bereit, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des besagten Sputter-Targets abgeschieden wird, wobei die Passivierungsschicht verhindern kann, dass eine Veränderung der Zusammensetzung einer lichtabsorbierenden Schicht einen Wirkungsgrad verringert.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Sputter-Target auf der Basis von ZnO, das einen aus ZnO bestehenden Sinterkörper aufweist, wobei das ZnO mit 10 bis 60 Gewichtsprozent Galliumoxid dotiert ist, und eine Trägerplatte, die zum Tragen des Sinterkörpers mit der Rückfläche des Sinterkörpers verklebt ist, bereitgestellt.
- Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der spezifische Widerstand des Sinterkörpers 100 Ω·cm oder weniger betragen.
- Das Sputter-Target auf der Basis von ZnO kann zum DC-Sputtern nutzbar sein.
- Die Biegefestigkeit des Sinterkörpers kann 50 MPa oder mehr betragen.
- Galliumoxidaggregate, die einen Durchmesser von 1 μm aufweisen, können im Sinterkörper verteilt sein, wobei das Volumen der Galliumoxidaggregate weniger als 5% des Volumens des Sinterkörpers beträgt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine photovoltaische Zelle bereitgestellt, die einen mit 10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid dotierten Dünnfilm auf der Basis von Zno als Passivierungsschicht aufweist.
- Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die photovoltaische Zelle weiterhin eine aus einer CIGS-Verbindung bestehende lichtabsorbierende Schicht aufweisen.
- Die Größe der Kristallkörner der Passivierungsschicht kann 10 nm oder mehr betragen.
- Die Dicke der Passivierungsschicht kann unter 100 nm betragen.
- Die Dicke der Passivierungsschicht kann unter 50 nm betragen.
- Der spezifische Widerstand der Passivierungsschicht kann 10 Ω·cm oder weniger betragen.
- Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann ein DC-Sputtern durch Dotieren von ZnO mit 10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid zuverlässig durchgeführt werden.
- Da der Dünnfilm auf der Basis von ZnO unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO als Passivierungsschicht abgeschieden wird, kann zudem die hohe Konzentration von in der Passivierungsschicht enthaltenem Ga verhindern, dass sich die Zusammensetzung der instabilen lichtabsorbierenden Schicht verändert, wodurch verhindert wird, dass sich der Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle verringert.
- Da sich die Gleichmäßigkeit der Zusammensetzung der unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO abgeschiedenen Passivierungsschicht erhöht, ist es weiterhin möglich, eine eine große Fläche aufweisende photovoltaische Zelle herzustellen.
- Zudem wird der mit Galliumoxid dotierte Dünnfilm auf der Basis von ZnO unter Verwendung des Sputter-Targets als Passivierungsschicht abgeschieden. Wenn der Dünnfilm auf der Basis von ZnO als transparente Elektrode auf der leitfähigen Passivierungsschicht abgeschieden wird, ist es infolgedessen möglich, den Widerstand der transparenten Elektrode zu verringern und dadurch die photoelektrische Umwandlungseffizienz der photovoltaischen Zelle zu verbessern.
- Da der Dünnfilm auf der Basis von ZnO, zu dem eine große Menge Galliumoxid hinzugefügt wird, als Passivierungsschicht verwendet wird, ist es weiterhin möglich, die Grenzflächendiffusion von Ga zu reduzieren, das in der aus der CIGS-Verbindung bestehenden lichtabsorbierenden Schicht enthalten ist. Das Ga in der Passivierungsschicht kann in die lichtabsorbierende Schicht diffundieren, was den Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle verbessert.
- Die Verfahren und Vorrichtungen der vorliegenden Erfindung weisen weitere Merkmale und Vorteile auf, die sich den hierin aufgenommenen beigefügten Figuren entnehmen lassen oder in ihnen ausführlicher dargestellt werden, sowie in der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung dargelegt sind, wobei die Figuren und die Beschreibung zusammen der Erläuterung bestimmter Prinzipien der vorliegenden Erfindung dienen.
- KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
-
1 zeigt eine konzeptionelle Querschnittansicht, in der eine photovoltaische Zelle schematisch dargestellt ist, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung eines Sputter-Targets auf der Basis von Zinkoxid (ZnO) gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung abgeschieden wird. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Nachfolgend soll ausführlich auf ein Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid (ZnO) und eine photovoltaische Zelle, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des Sputter-Targets gemäß der Erfindung abgeschieden wird, Bezug genommen werden, wobei Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in den beigefügten Figuren dargestellt sind und weiter unten beschrieben werden, so dass ein Fachmann auf dem die vorliegende Erfindung betreffenden Gebiet die vorliegende Erfindung leicht realisieren kann.
- Im gesamten Dokument soll Bezug auf die Figuren genommen werden, wobei in den verschiedenen Figuren stets gleiche Bezugszeichen zur Bezeichnung gleicher oder ähnlicher Komponenten verwendet werden. In der nachfolgenden Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird auf ausführliche Beschreibungen bekannter Funktionen und hierin aufgenommener Komponenten verzichtet, wenn durch sie der Gegenstand der vorliegenden Erfindung unklar wird.
- Ein Sputter-Target auf der Basis von ZnO gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist ein Target, das zum Abscheiden einer Passivierungsschicht
100 in einer in1 gezeigten photovoltaischen Zelle10 verwendet wird. Wie in1 gezeigt, weist die photovoltaische Zelle10 ein Substrat11 , eine gemeinsame Elektrode12 , eine lichtabsorbierende Schicht13 , eine Pufferschicht14 , die Passivierungsschicht100 und eine transparente Elektrode15 auf. Die Passivierungsschicht100 ist als ein Dünnfilm auf der Basis von ZnO ausgebildet, dessen Zusammensetzung10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid aufweist. In der photovoltaischen Zelle10 kann das Substrat11 aus Glas oder Stahl bestehen. Die gemeinsame Elektrode12 kann auf dem Substrat11 durch Abscheiden von Molybdän (Mo) ausgebildet werden. Die lichtabsorbierende Schicht13 kann auf der gemeinsamen Elektrode12 durch Abscheiden einer Kupfer-Indium-Gallium-Selenid(CIGS)-Verbindung mittels Sputtern, Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder Verdampfung ausgebildet werden. Die Pufferschicht14 kann auf der lichtabsorbierenden Schicht13 durch Abscheiden von zum Beispiel Cadmiumsulfid (CdS) oder Zinksulfid (ZnS) auf der lichtabsorbierenden Schicht13 durch chemische Badabscheidung (CBD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) ausgebildet werden. Die transparente Elektrode15 kann auf der Passivierungsschicht100 , die unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO gemäß diesem Ausführungsbeispiel abgeschieden wird, abgeschieden werden. Die transparente Elektrode15 kann wie die Passivierungsschicht100 als Dünnfilm auf der Basis von ZnO ausgebildet werden. - So wird das Sputter-Target auf der Basis von ZnO gemäß diesem Ausführungsbeispiel zur Abscheidung der Passivierungsschicht
100 der photovoltaischen Zelle10 verwendet und weist einen Sinterkörper und eine Trägerplatte auf. - Der Sinterkörper besteht aus ZnO, das mit 10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid dotiert ist. Wird ZnO mit Galliumoxid dotiert, substituiert das Ga des Galliumoxids das Zn in der ZnO-Struktur, so dass ein n-Halbleiter, dem elektrische Leitfähigkeit verliehen wird, ausgebildet wird. Da der Ga-Gehalt in ZnO im Zustand des thermodynamischen Gleichgewichts begrenzt ist, wird die Menge des hinzugefügten Galliumoxids derart reguliert, dass der aus ZnO bestehende Sinterkörper elektrisch leitfähig ist, wodurch der Sinterkörper wiederum zum Gleichstrom(DC)-Sputtern nutzbar wird. Beträgt die Menge des hinzugefügten Galliumoxids 10 Gewichts-% oder mehr, ist es vorteilhaft, die Effizienz der lichtabsorbierenden CIGS-Schicht
13 zu erhöhen. Da sich der spezifische Widerstand des Sinterkörpers wesentlich erhöht, wenn die Menge des hinzugefügten Galliumoxids 60 Gewichts-% übersteigt, wird indes vorzugsweise die Menge des hinzugefügten Galliumoxids derart reguliert, dass sie 60 Gewichts-% oder weniger beträgt. Beträgt dagegen die Menge des hinzugefügten Galliumoxids weniger als 10 Gewichts-%, ist die Fähigkeit des Galliumoxids zur Erhöhung der Effizienz der lichtabsorbierenden CIGS-Schicht13 begrenzt, obwohl der niedrige spezifische Widerstand des ZnO-Sinterkörpers eine zuverlässige Entladung ermöglicht. Dann ist es unmöglich, eine Veränderung der instabilen Zusammensetzung der lichtabsorbierenden Schicht13 zu verhindern. - Dementsprechend ist es möglich, einen mit 10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid dotierten Dünnfilm auf der Basis von ZnO als Passivierungsschicht
100 der photovoltaischen Zelle10 abzuscheiden, indem das Sputter-Target verwendet wird, das den aus ZnO bestehenden Sinterkörper, der mit 10 bis 60 Gewichts-% Galliumoxid dotiert ist, aufweist. - Vorzugsweise wird die Menge des zum Sinterkörper auf der Basis von ZnO hinzugefügten Galliumoxids derart reguliert, dass der Sinterkörper eine Biegefestigkeit von 50 MPa oder mehr aufweist, so dass nicht die Gefahr besteht, dass der Sinterkörper aufgrund einer während des Sputterns induzierten hohen Energie zerbricht, und Galliumoxidaggregate, die einen Durchmesser von 1 μm oder mehr aufweisen, werden im Sinterkörper verteilt und weisen ein Volumen von weniger als 5% des Volumens des Sinterkörpers auf.
- Die Trägerplatte ist ein Element, das zum Tragen des Sinterkörpers dient, und kann aus Cu, vorzugsweise aus sauerstofffreiem Cu, Ti oder rostfreiem Stahl bestehen, das/der eine sehr hohe elektrische und chemische Leitfähigkeit aufweist. Die Trägerplatte wird mittels eines z. B. aus In bestehenden Klebematerials mit der Rückfläche des Sinterkörpers verklebt, wodurch das Sputter-Target auf der Basis von ZnO ausgebildet wird.
- Das Sputter-Target auf der Basis von ZnO, das den Sinterkörper und die Trägerplatte aufweist, weist eine hohe Abscheidungsrate auf. Der spezifische Widerstand des Sinterkörpers beträgt 100 Ω·cm oder weniger, wodurch es möglich wird, die Entladung zuverlässig durchzuführen, ohne dass es zu einer unnormalen Entladung kommt, wenn während des Sputterns hohe Energie induziert wird. Dadurch erhöht sich die Gleichmäßigkeit der Zusammensetzung der abgeschiedenen Passivierungsschicht
100 , so dass die eine große Fläche aufweisende photovoltaische Zelle10 hergestellt werden kann. - Die Passivierungsschicht
100 der photovoltaischen Zelle10 , die unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO gemäß diesem Ausführungsbeispiel abgeschieden wird, kann einen spezifischen Widerstand von 10 Ω·cm oder weniger aufweisen. Die sehr hohe Widerstandseigenschaft der Passivierungsschicht100 verringert zudem den Widerstand der darüber liegenden transparenten Elektrode15 . Dadurch lässt sich somit verhindern, dass sich aufgrund des hohen Widerstands der transparenten Elektrode die Effizienz einer Kupfer-Indium-Gallium-Selenid(CIGS)-Schicht verringert, wozu es im Stand der Technik bei der Verwendung einer großen Tafel käme. - Die Passivierungsschicht
100 kann eine Dicke aufweisen, die unter 100 nm, vorzugsweise unter 50 nm, beträgt, da durch die Passivierungsschicht100 ebenso wie durch die Pufferschicht14 Licht dringen kann und eine kleinere Dicke vorteilhafter ist, um die Lichtdurchlässigkeit der Passivierungsschicht100 zu erhöhen. - Die als Dünnfilm auf der Basis von ZnO ausgebildete Passivierungsschicht
100 , die unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO abgeschieden wird, erhält die hexagonale Kristallstruktur des ZnO unabhängig vom Ga-Gehalt aufrecht, wobei Kristalle generell entlang der c-Achse wachsen. In diesem Fall kann die Größe der Kristallkörner der Passivierungsschicht100 10 nm oder mehr betragen. - Die Passivierungsschicht
100 , die unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO gemäß diesem Ausführungsbeispiel abgeschieden wird, weist die Kristallstruktur auf der Basis von ZnO auf. Die auf der Passivierungsschicht100 abgeschiedene transparente Elektrode15 kann wie die Passivierungsschicht100 als Dünnfilm auf der Basis von ZnO ausgebildet werden. Dementsprechend wird die transparente Elektrode15 auf der Passivierungsschicht100 , die eine Kristallorientierung aus der frühen Stufe des Abscheidungsverfahrens aufweist, abgeschieden, so dass die Leistung der transparenten Elektrode15 maximal erhöht werden kann, wodurch sich die photoelektrische Umwandlungseffizienz der photovoltaischen Zelle10 weiterhin verbessert. - Zudem kann in der unter Verwendung des Sputter-Targets auf der Basis von ZnO gemäß diesem Ausführungsbeispiel abgeschiedenen Passivierungsschicht
100 die hohe Konzentration von Ga die Veränderung der Zusammensetzung der lichtabsorbierenden Schicht13 verhindern, die aus einer eine instabile Zusammensetzung aufweisenden CIGS-Verbindung besteht. Speziell ist es möglich, wenn die Passivierungsschicht100 für die aus der CIGS-Verbindung bestehende lichtabsorbierende Schicht13 als Dünnfilm auf der Basis von ZnO, zu dem eine große Menge Galliumoxid hinzugefügt wird, ausgebildet wird, die Grenzflächendiffusion des in der lichtabsorbierenden Schicht13 enthaltenen Ga zu verringern. Zudem kann Ga in der Passivierungsschicht100 in die lichtabsorbierende Schicht13 diffundieren, was den Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle10 erhöht. - Beispiel 1
- Eine Pufferschicht wurde durch Abscheiden von Cadmiumsulfid (CdS) auf einer aus einer Kupfer-Indium-Gallium-Selenid(CIGS)-Verbindung bestehenden lichtabsorbierenden Schicht ausgebildet. Eine Passivierungsschicht wurde durch Gleichstrom(DC)-Sputtern unter Verwendung eines mit Galliumoxid dotierten Zinkoxid(GZO)-Targets auf der Pufferschicht ausgebildet. Eine transparente Elektrode (TCO) wurde durch DC-Sputtern unter Verwendung eines Ga-Al-Zn-O(GAZO)-Targets auf der Passivierungsschicht ausgebildet. Anschließend wurden die Eigenschaften der resultierenden Struktur analysiert.
- Vergleichsbeispiel 1
- Eine Pufferschicht wurde durch Abscheiden von CdS auf einer aus einer CIGS-Verbindung bestehenden lichtabsorbierenden Schicht ausgebildet. Eine Passivierungsschicht wurde durch Hochfrequenz(RF)-Sputtern unter Verwendung eines intrinsischen Zinkoxid(i-ZnO)-Gallium-Targets auf der Pufferschicht ausgebildet. Eine TCO wurde durch RF-Sputtern unter Verwendung eines Al-Zn-O(AZO)-Targets auf der Passivierungsschicht ausgebildet.
- Anschließend wurden die Eigenschaften der resultierenden Struktur analysiert.
- Vergleichsbeispiel 2
- Eine Pufferschicht wurde durch Abscheiden von CdS auf einer aus einer CIGS-Verbindung bestehenden lichtabsorbierenden Schicht ausgebildet. Eine Passivierungsschicht wurde durch RF-Sputtern unter Verwendung eines i-ZnO-Gallium-Targets auf der Pufferschicht ausgebildet. Eine TCO wurde durch RF-Sputtern unter Verwendung eines GAZO-Targets auf der Passivierungsschicht ausgebildet. Anschließend wurden die Eigenschaften der resultierenden Struktur analysiert. Tabelle 1
TCO-Leistungsdichte (W/cm2) TCO-Dicke (Å) Pufferschichttyp i-ZnO GZO Abscheidungsverfahren Dicke (Å) Abscheidungsverfahren Dicke (Å) AZO 4,4 5000 CdS RF 800 - - GAZO 4,4 5000 CdS RF 800 DC 800 Vergleichsbeispiel 1 Vergleichsbeispiel 2 Beispiel 1 Voc (V) 0,52 0,57 0,65 JSC (ma/cm2) 34,31 33,01 33,66 FF (%) 64,32 66,89 70,81 Wirkungsgrad (%) 11,56 12,52 15,24 - In der oben gezeigten Tabelle 1 sind die Abscheidungsbedingungen dargestellt, während in der oben gezeigten Tabelle 2 die Ergebnisse der Analyse der Eigenschaften dargestellt sind.
- Gemäß
2 ergab die Messung, dass in Vergleichsbeispiel 2, in dem die transparente Elektrode (TCO) aus GAZO bestand, sowohl die Leerlaufspannung VOC als auch der Füllfaktor (FF) höher und der Kurzschlussstrom JSC niedriger als in Vergleichsbeispiel 1 waren, in dem die transparente Elektrode aus AZO bestand. Dementsprechend war der Wirkungsgrad von Vergleichsbeispiel 2 um etwa 1% höher als der Wirkungsgrad von Vergleichsbeispiel 1. Dies erklärt, dass die transparente Elektrode vorzugsweise aus GAZO und nicht aus AZO hergestellt wird, um den Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle zu erhöhen. - Gemäß Beispiel 1, in dem die transparente Elektrode wie in Vergleichsbeispiel 2 durch Abscheiden von GAZO ausgebildet wurde und die Passivierungsschicht durch Abscheiden von GZO ausgebildet wurde, ergab die Messung, dass sowohl die Leerlaufspannung VOC als auch der Füllfaktor (FF) höher als diejenigen in Vergleichsbeispiel 2 waren und dass der Kurzschlussstrom JSC ähnlich demjenigen in Vergleichsbeispiel 2 war. Demensprechend war der Wirkungsgrad in Beispiel 1 um etwa 2,7% höher als in Vergleichsbeispiel 2. Zudem war der Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle aus Beispiel 1 um etwa 3,75% höher als der Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle, die die AZO/i-ZnO-Struktur gemäß Vergleichsbeispiel 1 aufwies.
- Wie oben dargelegt, ist bewiesen, dass im Hinblick auf den Wirkungsgrad der photovoltaischen Zelle das Substituieren von i-ZnO durch GZO in der Passivierungsschicht effizienter ist als das Substituieren von AZO durch GAZO in der transparenten Elektrode. Anders ausgedrückt, kann die Abscheidung von GZO für die Passivierungsschicht die elektrischen Eigenschaften der aus GAZA bestehenden transparenten Elektrode verbessern und die Wirkung von Ga maximal erhöhen, wodurch eine Veränderung der Zusammensetzung der aus einer CIGS-Verbindung bestehenden lichtabsorbierenden Schicht verhindert wird.
- Die vorangehenden Beschreibungen spezifischer Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wurden mit Bezug auf die Figuren dargelegt. Sie sollen nicht erschöpfend sein oder die vorliegende Beschreibung auf die offenbarten exakten Formen beschränken. Im Lichte der oben dargelegten Lehren können zahlreiche Modifikationen und Variationen in dem Durchschnittsfachmann geläufiger Weise vorgenommen werden.
- Daher soll der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung nicht auf die vorangehenden Ausführungsformen beschränkt sein, sondern soll durch die hier anhängenden Ansprüche und ihre Äquivalente definiert sein.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- KR 10-2013-006047 [0001]
- JP 4670877 [0008]
Claims (11)
- Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid, aufweisend: einen Sinterkörper, der Zinkoxid aufweist, das mit 10 bis 60 Gewichtsprozent Galliumoxid, bezogen auf das Gewicht des Sinterkörpers, dotiert ist; und eine Trägerplatte, die mit einer Rückfläche des Sinterkörpers zum Tragen des Sinterkörpers verklebt ist.
- Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid nach Anspruch 1, wobei ein spezifischer Widerstand des Sinterkörpers 100 Ω·cm oder weniger beträgt.
- Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid nach Anspruch 1, wobei das Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid zum Gleichstrom-Sputtern nutzbar ist.
- Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid nach Anspruch 1, wobei eine Biegefestigkeit des Sinterkörpers 50 MPa oder mehr beträgt.
- Sputter-Target auf der Basis von Zinkoxid nach Anspruch 1, wobei Aggregate des Galliumoxids, die einen Durchmesser von 1 μm aufweisen, im Sinterkörper verteilt sind, wobei ein Volumen der Aggregate des Galliumoxids weniger als 5% eines Volumens des Sinterkörpers beträgt.
- Photovoltaische Zelle, aufweisend einen Dünnfilm auf der Basis von Zinkoxid, der mit 10 bis 60 Gewichtsprozent Galliumoxid, bezogen auf das Gewicht des Dünnfilms auf der Basis von Zinkoxid, dotiert ist, als Passivierungsschicht.
- Photovoltaische Zelle nach Anspruch 6, weiterhin aufweisend eine lichtabsorbierende Schicht, die eine Kupfer-Indium-Gallium-Selenid-Verbindung aufweist.
- Photovoltaische Zelle nach Anspruch 6, wobei eine Größe der Kristallkörner der Passivierungsschicht 10 nm oder mehr beträgt.
- Photovoltaische Zelle nach Anspruch 6, wobei eine Dicke der Passivierungsschicht weniger als 100 nm beträgt.
- Photovoltaische Zelle nach Anspruch 9, wobei eine Dicke der Passivierungsschicht weniger als 50 nm beträgt.
- Photovoltaische Zelle nach Anspruch 6, wobei ein spezifischer Widerstand der Passivierungsschicht 100 Ω·cm oder weniger beträgt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0060477 | 2013-05-28 | ||
KR1020130060477A KR20140140187A (ko) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 이를 통해 증착된 보호층을 갖는 광전지 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014209950A1 true DE102014209950A1 (de) | 2014-12-04 |
Family
ID=51899651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014209950.1A Withdrawn DE102014209950A1 (de) | 2013-05-28 | 2014-05-26 | Sputter-Target auf der Basis von ZnO und photovoltaische Zelle, die eine Passivierungsschicht aufweist, die unter Verwendung des besagten Sputter-Targets abgeschieden wird |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140352786A1 (de) |
JP (1) | JP2014231640A (de) |
KR (1) | KR20140140187A (de) |
CN (1) | CN104213084A (de) |
DE (1) | DE102014209950A1 (de) |
TW (1) | TW201500191A (de) |
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CN107207356B (zh) * | 2015-02-27 | 2020-12-08 | 捷客斯金属株式会社 | 氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 |
US10297708B1 (en) | 2018-01-25 | 2019-05-21 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Air Force | Surface passivation for PhotoDetector applications |
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2014
- 2014-05-26 DE DE102014209950.1A patent/DE102014209950A1/de not_active Withdrawn
- 2014-05-27 US US14/287,673 patent/US20140352786A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-27 TW TW103118466A patent/TW201500191A/zh unknown
- 2014-05-28 CN CN201410232028.8A patent/CN104213084A/zh active Pending
- 2014-05-28 JP JP2014109768A patent/JP2014231640A/ja active Pending
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