CN104409528B - 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 - Google Patents
一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104409528B CN104409528B CN201410729536.7A CN201410729536A CN104409528B CN 104409528 B CN104409528 B CN 104409528B CN 201410729536 A CN201410729536 A CN 201410729536A CN 104409528 B CN104409528 B CN 104409528B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hazo
- azo
- electrode
- composite transparent
- wide spectrum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 13
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002872 contrast media Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，采用磁控溅射及后腐蚀技术，以玻璃或聚酰亚胺为衬底材料，以ZnO∶Al2O3陶瓷靶为靶材原料。首先通过在溅射气氛中引入一定量的氢气，沉积第一层HAZO材料，随后切断氢气通路，原位生长第二层AZO材料，其中HAZO厚度占总厚度的25‑75％，经湿法腐蚀处理，获得具有宽光谱范围内透过率及散射绒度性能提升的HAZO/AZO复合透明导电前电极。本发明有益效果是：该复合透明导电前电极400nm透过率大于75％，400‑1100nm平均透过率大于80％，腐蚀后800nm散射绒度大于70％，400‑1100nm平均散射绒度大于60％，可有效提高薄膜太阳电池的入射光通量及光程，提升电池效率及稳定性。
Description
【技术领域】
本发明属于薄膜太阳电池领域，尤其是一种适用于高效硅基薄膜太阳电池的宽光谱透过及散射特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极的制备及应用。
【背景技术】
太阳电池要成为未来主力能源形式，必须实现高效与低成本，其中薄层化一直是其非常重要的发展趋势之一。对于顶衬(P-I-N)结构的薄膜电池，透明导电前电极作为光子入射的窗口层，良好的光学透过及散射性能为提升薄膜电池性能提供了最为有效的帮助。一方面，高的透过率能够提供更大的入射光子通量；另一方面，有效的绒面陷光结构为入射光子提供了良好的光散射截面，可以显著增大光子的入射光程，增加长波光子(特别是带隙附近光子)的光吸收几率，从而以薄的“物理厚度”获得厚的“光学厚度”，实现对太阳光子的有效吸收。
采用磁控溅射技术制备的铝掺杂氧化锌(ZnO：Al，AZO)材料具有电导率高、成本低、热稳定性好、无毒无污染、易于腐蚀获得良好绒面陷光结构等诸多优势，已被广泛应用于非晶硅(a-Si：H)、微晶硅(μc-Si：H)单结薄膜太阳电池以及非晶硅/微晶硅(a-Si：H/μc-Si：H)、非晶硅/非晶硅锗/微晶硅(a-Si：H/a-SiGe：H/μc-Si：H)多结叠层薄膜太阳电池中。
然而受限于布尔斯坦-莫斯效应(Burstein-Moss effect)及载流子的等离子体吸收(plasmon absorption)，使得同步提升AZO材料的短波及长波光学特性受到了限制。F.Wang(J.Nanomater.，2014(2014)857614)、K.Kim(Thin Solid Films，540(2013)142)、S.J.Tark(Appl.Phys.，11(2011)362)等人的研究表明，通过在溅射气氛中引入氢气(H2)，制备获得了同时具有高的短波及长波透过率的氢铝共掺杂的高性能氧化锌材料(HAZO)。不仅如此，研究还表明HAZO还具有更为优异的导电性能，为提升透明导电前电极的综合性能提供了一条有效的途径。然而不幸的是，截至目前表面均方根(Root Mean Square，RMS)粗糙度大于100纳米的高效绒面陷光结构还未能在直接制备的以及经过腐蚀的HAZO透明导电材料中获得。这一结果大大限制了HAZO材料在高效薄膜太阳电池，特别是对光谱响应更加苛刻的高效多结叠层薄膜太阳电池中的应用。
为突破上述技术瓶颈，进一步提高薄膜太阳电池光电转换效率，本发明致力于提供一种便捷地、有效地提高磁控溅射制备氧化锌透过导电前电极光学性能的方法，获得了宽光谱范围内同时具有高透过率及高散射绒度的透明导电前电极，并在高效单结及叠层薄膜太阳电池中获得了良好的应用效果。
【发明内容】
本发明目的旨在克服现有技术的不足，提供一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，其中HAZO层用以提升前电极的光学透过特性，AZO层用以提升前电极腐蚀电学稳定性及散射陷光特性。该方法可有效提高磁控溅射制备氧化锌薄膜的短波光学透过特性，增加入射光通量，并提升腐蚀后材料的长波陷光特性，增加入射光在电池中的光程，从而得到宽光谱特性改善的高性能前电极材料，提高硅基薄膜太阳电池的光利用率和电池效率。
本发明的技术方案：
一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，以玻璃或聚酰亚胺为衬底，以纯度为99.995％的ZnO：Al2O3陶瓷靶为靶材原料，采用溅射后腐蚀工艺，溅射主体气体为氩气，具体制备步骤如下：
1)首先在溅射气氛中引入一定流量的氢气，沉积第一层HAZO材料；
2)随后切断氢气通路，原位沉积第二层AZO材料，以构成HAZO/AZO复合透明导电材料；
3)最后经稀盐酸湿法腐蚀处理，获得宽光谱透过及散射特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极。
所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，电阻率小于1×10-3Ωcm，表面均方根粗糙度大于150nm，400nm透过率大于80％，400-1100nm平均透过率大于85％，800nm散射绒度大于70％，400-1100nm平均散射绒度大于60％。
所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极腐蚀前总厚度为0.7-3.0μm，腐蚀后总厚度为0.4-2.5μm，其中HAZO层厚度占腐蚀前材料总厚度的25-75％。
所述ZnO：Al2O3陶瓷靶中靶材组分Al2O3的重量百分比为0.2-2.0％。
所述溅射气压为1.0-10.0mTorr，其中氢气的流量占溅射气体总流量的3-20％。
所述磁控溅射镀膜工艺为直流磁控溅射、脉冲直流磁控溅射、中频磁控溅射或射频磁控溅射。
一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极的应用，应用于非晶硅、非晶硅锗、微晶硅、非晶硅/微晶硅或非晶硅/非晶硅锗/微晶硅薄膜太阳电池。
本发明有益效果是：对比于传统的AZO薄膜，本发明提出的HAZO/AZO复合透明导电前电极获得了短波透过率的明显提升；对比于HAZO薄膜，本发明提出的HAZO/AZO复合透明导电前电极具有更好的电学稳定性及更加致密的后腐蚀绒面结构，散射绒度显著增大，即实现了宽光谱透过及光散射特性的有效改善。该前电极应用于单结或叠层硅基薄膜太阳电池，可提高入射光通量及入射光程，有效降低有源层厚度，提高硅基薄膜薄膜太阳电池的效率和稳定性。
【附图说明】
图1为实施例1的AZO、HAZO及HAZO/AZO前电极光学透过及散射特性。
图2为实施例1的AZO前电极及HAZO/AZO复合透明导电前电极应用于非晶硅薄膜太阳电池的I-V特性曲线。
图3为实施例1的AZO前电极及HAZO/AZO复合透明导电前电极应用于非晶硅薄膜太阳电池的QE特性曲线。
图4为实施例1的AZO前电极及HAZO/AZO复合透明导电前电极应用于微晶硅薄膜太阳电池的I-V特性曲线。
图5为实施例1的AZO前电极及HAZO/AZO复合透明导电前电极应用于微晶硅薄膜太阳电池的QE特性曲线。
图6为实施例2的HAZO/AZO复合透明导电前电极应用于非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层薄膜太阳电池I-V特性曲线。
【具体实施方式】
实施例1：
采用射频磁控溅射技术，以纯度为99.995％的Al2O3重量百分比为1％的ZnO：Al2O3陶瓷靶为靶材原料，以玻璃为衬底，衬底温度325℃，本底真空度为2×10-5Pa，功率密度为0.83W/cm2，HAZO/AZO复合透明导电前电极的制备步骤如下：
1)首先在沉积腔室中通入4.8sccm的氩气及0.3sccm的氢气，即氢气流量占总溅射气体总流量的6％，保持反应气压为1.0mTorr，沉积厚度为0.5μm的HAZO材料；
2)随后切断氢气通路，调整氩气流量为5.1sccm，保持反应气压为1.0mTorr，沉积厚度为0.5μm的AZO材料，获得厚度为1.0μm的HAZO/AZO复合材料，其中HAZO厚度占总厚度的50％：
3)最后采用质量分数为0.5％的稀盐酸进行湿法腐蚀处理，腐蚀时间为30s，腐蚀后材料厚度降为0.83μm，获得宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极。
为获得对比效果，采用相同制备工艺，另制备获得初始厚度分别为1.0μm的AZO及HAZO对比材料，并采用质量分数为0.5％的稀HCl腐蚀30s。图1为腐蚀后AZO、HAZO及HAZO/AZO透明导电前电极的积分透过率曲线及散射绒度曲线。
将传统的AZO前电极及HAZO/AZO复合透明导电前电极分别应用于非晶硅及微晶硅薄膜太阳电池中，得到的电池性能参数列于图2-5。
检测结果显示：获得的HAZO/AZO复合透明导电前电极电阻率为8.24×10-4Ωcm，表面均方根粗糙度为232nm，400nm透过率为88.11％，400-1100nm范围内平均透过率为92.85％(不含玻璃衬底)，800nm散射绒度为87.68％，400-1100nm平均散射绒度为83.74％。用于对比的AZO前电极电阻率为9.91×10-4Ωcm，表面均方根粗糙度为148 nm，400nm透过率为78.75％，400-1100nm范围内平均透过率为90.80％，800nm散射绒度为67.91％，400-1100nm平均散射绒度为69.59％。用于对比的HAZO材料经稀HCl腐蚀后，表面均方根粗糙度为149nm，400nm透过率为86.34％，400-1100nm范围内平均透过率为91.90％，800nm散射绒度为69.79％，400-1100nm平均散射绒度为71.98％，但电学上表现为绝缘特性，故无法作为前电极材料进行使用。可见，相比于传统的AZO前电极，HAZO/AZO复合前电极400nm处透过率提升9.36％，400-1100nm范围内平均透过率提升2.05％，800nm散射绒度提升19.77％，400-1100nm平均散射绒度提升14.15％。
在非晶硅电池的实际应片中，因HAZO/AZO复合透明导电前电极良好的短波透过特性，使得非晶硅电池的短波响应显著提升，相比于AZO材料，400nm处量子效率提升7.9％(由59％提升至66.9％)，总积分电流提升4.14％(由10.62mA/cm2提升至11.06mA/cm2)，电池效率由6.92％提升至7.01％。
在微晶硅电池的实际应用中，因HAZO/AZO复合透明导电前电极良好的陷光特性，使得微晶硅电池全光谱范围上的光谱响应均有提升，积分电流提升5.34％(由26.04mA/cm2提升至27.43mA/cm2)，电池效率由8.11％提升至8.69％。
实施例2：
采用射频磁控溅射技术，以纯度为99.995％的Al2O3重量百分比为0.5％的ZnO：Al2O3陶瓷靶为靶材原料，以玻璃为衬底，衬底温度400℃，本底真空度为1×10-5Pa，功率密度为1.2W/cm2，HAZO/AZO复合透明导电前电极的制备步骤如下：
1)在沉积腔室中通入15sccm的氩气及2.5sccm的氢气，即氢气流量占溅射气体总流量的14.3％，保持反应气压为3.0mTorr，沉积厚度为0.3μm的HAZO材料；
2)切断氢气通路，调整氩气流量为17.5sccm，保持反应气压为3.0mTorr，沉积厚度为0.9μm的AZO材料，获得厚度为1.2μm的HAZO/AZO复合材料，其中HAZO厚度占总厚度的25％；
3)采用质量分数为0.5％的稀盐酸进行湿法腐蚀处理，腐蚀时间为40s，腐蚀后材料厚度降为0.85μm，获得宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极。
检测结果显示：获得的HAZO/AZO复合透明导电前电极电阻率为8.99×10-1Ωcm，表面均方根粗糙度为180nm，400nm透过率为91.50％，400-1100nm范围内平均透过率为92.33％(不含玻璃衬底)，800nm散射绒度为81.14％，400-1100nm平均散射绒度为79.18％。
将制备获得的HAZO/AZO复合透明导电前电极应用于非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层薄膜太阳电池中，获得初始转换效率达15％的高效硅基薄膜太阳电池，具体电池I-V特性曲线列于图6。
综上，本发明提供了一种改善磁控溅射制备氧化锌透明导电前电极宽光谱透过及散射特性的有效方法，该方法与传统的硅基薄膜电池前电极制备工艺完全兼容，并且普遍适用于非晶硅、微晶硅以及多结叠层薄膜电池等硅基薄膜太阳电池。由于该HAZO/AZO复合透明导电前电极同时具有较高的光透过及光散射特性，使在其上制备得到的太阳电池具有很好的光谱响应，从而有利于提高电池的光电转换效率及稳定性。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，其特征在于：以玻璃或聚酰亚胺为衬底，以纯度为99.995％的ZnO：Al2O3陶瓷靶为靶材原料，采用溅射后腐蚀工艺，溅射主体气体为氩气，具体制备步骤如下：
1)首先在溅射气氛中引入一定流量的氢气，沉积第一层HAZO材料；
2)随后切断氢气通路，原位沉积第二层AZO材料，以构成HAZO/AZO复合透明导电薄膜；
3)最后经稀盐酸湿法腐蚀处理，获得宽光谱透过及散射特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极；
所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，电阻率小于1×10-3Ωcm，表面均方根粗糙度大于150nm，400nm透过率大于80％，400-1100nm平均透过率大于85％，800nm散射绒度大于70％，400-1100nm平均散射绒度大于60％。
2.根据权利要求1所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，其特征在于：腐蚀前总厚度为0.7-3.0μm，腐蚀后总厚度为0.4-2.5μm，其中HAZO层厚度占腐蚀前材料总厚度的25-75％。
3.根据权利要求1所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，其特征在于：ZnO：Al2O3陶瓷靶中靶材组分Al2O3的重量百分比为0.2-2.0％。
4.根据权利要求1所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，其特征在于：溅射气压为1.0-10.0mTorr，其中氢气的流量占总溅射气体流量的3-20％。
5.根据权利要求1所述宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，其特征在于：磁控溅射镀膜工艺为直流磁控溅射、脉冲直流磁控溅射、中频磁控溅射或射频磁控溅射。
6.一种根据权利要求1所述的宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极的应用，应用于非晶硅、非晶硅锗、微晶硅、非晶硅/微晶硅或非晶硅/非晶硅锗/微晶硅薄膜太阳电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410729536.7A CN104409528B (zh) | 2014-12-01 | 2014-12-01 | 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410729536.7A CN104409528B (zh) | 2014-12-01 | 2014-12-01 | 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104409528A CN104409528A (zh) | 2015-03-11 |
| CN104409528B true CN104409528B (zh) | 2018-07-24 |
Family
ID=52647141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410729536.7A Expired - Fee Related CN104409528B (zh) | 2014-12-01 | 2014-12-01 | 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104409528B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106784112A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 中山大学 | 一种硅基硫化锌异质结太阳电池及其制备方法 |
| CN110391306A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 一种太阳能电池及制备方法 |
| CN110880460A (zh) * | 2018-09-05 | 2020-03-13 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 太阳能电池的制备方法及其制备装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060003277A (ko) * | 2004-07-05 | 2006-01-10 | 전자부품연구원 | 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법 |
| CN101820003A (zh) * | 2010-04-27 | 2010-09-01 | 南开大学 | 薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 |
| CN102637751A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-08-15 | 南开大学 | 太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法 |
| TW201320360A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-16 | Ind Tech Res Inst | 透明導電層結構 |
| CN103757594A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-30 | 深圳大学 | 室温下柔性衬底上制备高性能azo透明导电薄膜的方法 |
-
2014
- 2014-12-01 CN CN201410729536.7A patent/CN104409528B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060003277A (ko) * | 2004-07-05 | 2006-01-10 | 전자부품연구원 | 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법 |
| CN101820003A (zh) * | 2010-04-27 | 2010-09-01 | 南开大学 | 薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 |
| TW201320360A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-16 | Ind Tech Res Inst | 透明導電層結構 |
| CN102637751A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-08-15 | 南开大学 | 太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法 |
| CN103757594A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-30 | 深圳大学 | 室温下柔性衬底上制备高性能azo透明导电薄膜的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Enhancement ofthelighttrappingbydouble-layeredsurfacetexture of ITO/AZOandAZO/AZOtransparentconductive films;Q.J. Jiang，等;《MaterialsLetters》;20140228;全文 * |
| 可髙效利用太阳光谱的ZnO透明导电薄膜研究;王延峰;《中国博士学位论文全文数据库（工程科技Ⅱ辑）》;20140615(第6期);参见第11-12、18-20、106-123页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104409528A (zh) | 2015-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9023681B2 (en) | Method of fabricating heterojunction battery | |
| CN103515484B (zh) | 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN205863192U (zh) | 一种采用双tco膜层的硅基异质结太阳能电池 | |
| CN102242345B (zh) | 一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法 | |
| CN101017858A (zh) | 一种背接触式太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102403376B (zh) | 含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102664198A (zh) | 宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN110310999A (zh) | 渐变叠层tco导电膜的异质结电池结构及其制备方法 | |
| CN104409528B (zh) | 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用 | |
| CN102332499B (zh) | 一种利用微颗粒制备双结构绒面透明电极的方法 | |
| CN102199758B (zh) | 一种生长绒面结构ZnO-TCO薄膜的方法及应用 | |
| CN101882632B (zh) | 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜及应用 | |
| CN101820003B (zh) | 薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN101540345B (zh) | 纳米硅薄膜三叠层太阳电池及其制备方法 | |
| CN104681654B (zh) | 一种双n层结构非晶硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102637751A (zh) | 太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN101882653B (zh) | 基于纳米CdS薄膜的太阳能电池制备方法 | |
| CN207009459U (zh) | 一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池 | |
| CN102433545A (zh) | 一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜及其应用 | |
| CN101707219B (zh) | 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 | |
| CN103000738A (zh) | 一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池 | |
| CN103066134B (zh) | 一种薄膜太阳能电池背反电极及其制备方法 | |
| CN106229377B (zh) | 一种防止薄膜电池扫边后短路的方法 | |
| CN203325950U (zh) | 一种多带隙双面透光太阳能电池 | |
| CN104576780A (zh) | 基于表面氧化法制备太阳能电池背电极钝化层的工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180724 Termination date: 20211201 |