CN103066134B - 一种薄膜太阳能电池背反电极及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种薄膜太阳能电池背反电极，包括衬底，衬底表面沉积有金属薄膜，金属薄膜表面沉积有网格式的第一透明导电薄膜，第一透明导电薄膜上沉积有第二透明导电薄膜。本发明通过在金属薄膜表面依次沉积有网格式的第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，形成了均匀的类金字塔结构，有效改善了电池内部光生载流子向背电极的传输和背电极的横向导电性，预防了网格式的第一透明导电薄膜的沟槽内部金属层与电池主体的直接接触，减少扩散，有效克服了背反电极在高雾度值时，电阻率偏大的缺点，能够使背反电极在具有优良光学性能的同时兼顾很好的电学性能，提高薄膜太阳能电池效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜太阳能电池背反电极及其制备方法。
背景技术
随着社会的发展和生活水平的提高，人类对能源的需求大幅度增加，并且更为依赖。作为传统的能源，煤、石油、天然气已不能满足人类长远发展的需求，而太阳能作为一种新型能源，取之不尽，用之不竭，具有安全、清洁、低成本的优点。因此，太阳能电池广泛地应用于生活、工业、军事、太空等各个技术领域，成为能源领域的研发重点。太阳能电池包括硅太阳能电池、染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池和化合物太阳能电池。其中硅太阳能电池研发最早，技术最为成熟。而硅基薄膜太阳能电池具有更低的生产成本，运输、安装便携性更强，因此，硅基薄膜太阳能电池的研发成为硅太阳能电池中重点的研发项目。
近年来，人们通过光波段转换、多叠层等技术手段进一步提高硅基薄膜太阳能电池的光电转换效率。而通过优化背电极结构提高薄膜太阳能电池效率，也是国内外研究人员高度关注的一种新兴手段。通过高温溅射生长的背反电极表面会形成类金字塔的粗糙结构,通过使外延生长的整个主体薄膜电池上表面与电池内部都形成这种类金字塔结构，能够增大入射光在电池内部的有效光程，进而使光子转化成电子与空穴的几率大幅增加，陷光作用增强,从而达到提高太阳能电池转化效率的目的。但是，这种优化背电极的方式存在缺陷，因为随着溅射时衬底温度的增加，背反电极的导电性逐渐变差，出现了电学特性与光学特性的矛盾。
发明内容
本发明的目的是提供一种薄膜太阳能电池背反电极及其制备方法，能够使背反电极在具有优良光学性能的同时兼顾很好的电学性能，提高薄膜太阳能电池效率。
本发明采用下述技术方案：
一种薄膜太阳能电池背反电极，包括衬底，衬底表面沉积有金属薄膜，金属薄膜表面沉积有阵列式的第一透明导电薄膜，第一透明导电薄膜上沉积有第二透明导电薄膜。
所述的衬底为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属。
所述的金属薄膜为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜。
第一和第二透明导电薄膜为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜。
金属薄膜厚度为60nm～400nm，第一透明导电薄膜厚度为20～200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜的厚度为1nm～10nm。
一种薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，包括以下步骤
（1）将洗净并使用高纯氮气吹干的衬底放置到磁控溅射生长室，采用磁控溅射技术在衬底上沉积一层连续的金属薄膜；
（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在金属薄膜表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在金属薄膜上沉积阵列式的第一透明导电薄膜，然后去掉金属掩膜得到双叠层阵列导电薄膜；
（3）将双叠层阵列导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层阵列导电薄膜上沉积一层第二透明导电薄膜。
所述的步骤（1）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～10min；所述的步骤（2）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～20min；所述的步骤（3）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为6s～30s。
所述的衬底为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属；所述的金属薄膜为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜；所述的第一和第二透明导电薄膜为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜。
所述的金属薄膜厚度为60nm～400nm，第一透明导电薄膜厚度为20～200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜的厚度为1nm～10nm。
本发明通过在金属薄膜表面依次沉积有阵列式的第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，形成了均匀的类金字塔结构，有效改善了电池内部光生载流子向背电极的传输和背电极的横向导电性，预防了阵列式的第一透明导电薄膜的沟槽内部金属层与电池主体的直接接触，减少扩散，有效克服了背反电极在高雾度值时，电阻率偏大的缺点，能够使背反电极在具有优良光学性能的同时兼顾很好的电学性能，提高薄膜太阳能电池效率，同时还具有工艺的实验条件易控制，操作简单的优点，而且金属材料与ATO、AZO等陶瓷材料资源丰富，无毒害，适合工业化生产。
附图说明
图1为本发明所述薄膜太阳能电池背反电极的结构示意图；
图2为本发明所述Ag金属薄膜与双层ATO导电薄膜的XRD图；
图3为本发明所述Ag金属薄膜三维表面形貌图；
图4为本发明所述ATO导电薄膜的AFM三维表面形貌图；
图5为本发明所述薄膜太阳能电池背反电极的横向电阻率图；
图6为本发明所述薄膜太阳能电池背反电极的漫反射率分布图；
图7为本发明所述薄膜太阳能电池背反电极的雾度分布图。
具体实施方式
如图1所示，本发明所述的薄膜太阳能电池背反电极包括衬底1，衬底1表面沉积有金属薄膜2，金属薄膜2表面沉积有阵列式的第一透明导电薄膜3，阵列式的第一透明导电薄膜3上沉积有第二透明导电薄膜4。所述的衬底1为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属；金属薄膜2为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜，金属薄膜2厚度为60nm～400nm；第一透明导电薄膜3和第二透明导电薄膜4为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜；阵列式的第一透明导电薄膜3厚度为20～200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜4的厚度为1nm～10nm。
本发明所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，包括以下步骤
（1）将衬底1清洗干净，并使用高纯氮气吹干，然后放置到磁控溅射生长室，采用磁控溅射技术在衬底1上沉积一层连续的金属薄膜2，金属薄膜2厚度为60nm～400nm，衬底1为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属，金属薄膜2为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～10min；
（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在金属薄膜2表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在金属薄膜上沉积阵列式的第一透明导电薄膜3，第一透明导电薄膜3厚度为20～200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm～1000μm，第一透明导电薄膜3为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～20min，然后去掉金属掩膜得到双叠层阵列导电薄膜；
（3）将双叠层阵列导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层阵列导电薄膜上沉积一层第二透明导电薄膜4，第二透明导电薄膜4的厚度为1nm～10nm，第二透明导电薄膜4为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为6s～30s。
由于在金属薄膜表面依次沉积有阵列式的第一透明导电薄膜3和第二透明导电薄膜4，形成了均匀的类金字塔结构，处于中间的阵列式的第一透明导电薄膜3有效阻碍了金属层向主体电池内部的扩散，当电池生长在该背反电极上时会镶嵌在阵列式的第一透明导电薄膜3的沟槽中，有效改善了电池内部光生载流子向背电极的传输，在阵列式的第一透明导电薄膜3上沉积的第二透明导电薄膜4有效改善了背电极的横向导电性，且有效预防了阵列式的第一透明导电薄膜3的沟槽内部金属层与电池主体的直接接触，减少扩散，有效克服了背反电极在高雾度值时，电阻率偏大的缺点。
实施例1：
如图1所示，薄膜太阳能电池背反电极包括作为衬底1的耐500℃高温的抛光的玻璃，衬底1表面沉积有60nm厚的金属薄膜2，金属薄膜2为Ag金属薄膜，Ag金属薄膜表面沉积有20nm厚的阵列式的第一透明导电薄膜3，第一透明导电薄膜3为ATO阵列式透明导电薄膜，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm，ATO阵列式透明导电薄膜上还沉积有1nm厚的第二透明导电薄膜4，第二透明导电薄膜4为ATO透明导电薄膜。经测试，实施例1所述的背反电极在可见光与进红外波段的平均雾度值在95%以上，横向传输电阻率的值为1.248×10-6Ω·cm,其垂直传输电阻率更小，实现了背反电极的光学特性与电学特性的优化统一。
实施例1的制备方法如下：
（1）将耐500℃高温的抛光的玻璃衬底清洗干净，并使用高纯氮气吹干，然后放置到磁控溅射生长室，调整Ag靶材与衬底之间距离为60mm，本实例所用Ag金属靶材的纯度为99.99%，通过直流磁控溅射技术在衬底上沉积一层连续的60nm厚的Ag金属薄膜；开启真空抽气系统，加热衬底使衬底温度保持在25℃，预抽本底真空到5.0×10-4Pa，通过气体流量计向生长室中通入高纯氩气，调节流量计旋钮使通入氩气流量为30sccm,使气压维持在1Pa左右；开启直流溅射开关，调节功率旋钮使溅射功率维持在30W，进行预溅射5min，然后打开挡板，使电离后的Ar离子轰击Ag靶材产生的等离子羽辉沉积在玻璃衬底上形成薄膜，溅射时间为1min，所得薄膜厚度约为60nm。如图2所示，所生长Ag薄膜出现了很强的(111)衍射峰，与微弱的(200)、(220)和(311)衍射峰，表明Ag薄膜有很好的结晶质量。如图3所示，所生长的Ag薄膜表面形成了均匀的类金字塔结构，平均粗糙度RMS值为44.18nm。
（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在Ag金属薄膜表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在Ag金属薄膜上沉积ATO阵列式透明导电薄膜，ATO阵列式透明导电薄膜厚度为20nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa，衬底温度为25℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa，溅射功率为30W，沉积时间为1min，然后去掉金属掩膜得到双叠层阵列导电薄膜；
（3）将双叠层阵列导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层阵列导电薄膜上沉积一层ATO透明导电薄膜，ATO透明导电薄膜的厚度为1nm，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa，衬底温度为25℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa，溅射功率为30W，沉积时间为6s，如图4所示，所生长的双层ATO导电薄膜只出现了较强的(110)衍射峰，表明ATO薄膜的结晶质量很好，最终得到了硅基薄膜太阳能电池三叠层背反电极。如图4所示，三叠层背反电极表面出现了与Ag薄膜表面相同的类金字塔结构，RMS值为46.79nm。
通过霍尔效应和附带有积分球的紫外可见红外分光光度计分别测量三叠层背反电极的电阻率、漫反射谱、镜面反射谱，有漫反射谱与镜面反射谱计算得出对应的雾度谱。如图5所示，背反电极的电阻率为1.248×10-6Ω·cm，表现出具有很好的导电性；如图6、图7所示，背反电极在近紫外、可见光与近红外波段的漫反射率很高，对应的雾度平均在96%以上，表现出很好的光学性能，同时实现了优良的光电特性。
实施例2：
薄膜太阳能电池背反电极包括作为衬底1的耐500℃高温的抛光的单晶硅片，衬底1表面沉积有250nm厚的金属薄膜2，金属薄膜2为Cu金属薄膜，Cu金属薄膜表面沉积有100nm厚的阵列式的第一透明导电薄膜3，第一透明导电薄膜3为AZO阵列式透明导电薄膜，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为500μm，AZO阵列式透明导电薄膜上还沉积有5nm厚的第二透明导电薄膜4，第二透明导电薄膜4为AZO透明导电薄膜。经测试，实施例1所述的背反电极在可见光与进红外波段的平均雾度值在95%以上，横向传输电阻率的值为1.521×10-6Ω·cm,其垂直传输电阻率更小，实现了背反电极的光学特性与电学特性的优化统一。
实施例2的制备方法如下：
（1）将耐500℃高温的抛光的单晶硅片衬底清洗干净，并使用高纯氮气吹干，然后放置到磁控溅射生长室，调整Cu靶材与衬底之间距离为70mm，本实例所用Cu金属靶材的纯度为99.99%，通过直流磁控溅射技术在衬底上沉积一层连续的250nm厚的Cu金属薄膜；开启真空抽气系统，加热衬底使衬底温度保持在350℃，预抽本底真空到6.0×10-4Pa，通过气体流量计向生长室中通入高纯氩气，调节流量计旋钮使通入氩气流量为30sccm,使气压维持在1.5Pa左右；开启直流溅射开关，调节功率旋钮使溅射功率维持在40W，进行预溅射5min，然后打开挡板，使电离后的Ar离子轰击Cu靶材产生的等离子羽辉沉积在玻璃衬底上形成薄膜，溅射时间为5min，所得薄膜厚度约为250nm。经分析，所生长Cu薄膜出现了很强的(111)衍射峰，与微弱的(200)、(220)和(311)衍射峰，表明Cu薄膜有很好的结晶质量。经测试，所生长的Cu薄膜表面形成了均匀的类金字塔结构，平均粗糙度RMS值为41.57nm。
（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在Cu金属薄膜表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在Cu金属薄膜上沉积AZO阵列式透明导电薄膜，AZO阵列式透明导电薄膜厚度为100nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为500μm，溅射腔的本底真空度为6.0×10-4Pa，衬底温度为350℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1.5Pa，溅射功率为40W，沉积时间为5min，然后去掉金属掩膜得到双叠层阵列导电薄膜；
（3）将双叠层阵列导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层阵列导电薄膜上沉积一层AZO透明导电薄膜，AZO透明导电薄膜的厚度为5nm，溅射腔的本底真空度为6.0×10-4Pa，衬底温度为350℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1.5Pa，溅射功率为40W，沉积时间为20s，经分析，所生长的双层AZO导电薄膜只出现了较强的(110)衍射峰，表明AZO薄膜的结晶质量很好，最终得到了硅基薄膜太阳能电池三叠层背反电极。经测试，三叠层背反电极表面出现了与Cu薄膜表面相同的类金字塔结构，平均粗糙度RMS值为41.47nm。
实施例3：
薄膜太阳能电池背反电极包括作为衬底1的耐500℃高温的抛光的陶瓷片，衬底1表面沉积有400nm厚的金属薄膜2，金属薄膜2为Al金属薄膜，Al金属薄膜表面沉积有200nm厚的阵列式的第一透明导电薄膜3，第一透明导电薄膜3为ITO阵列式透明导电薄膜，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为1000μm，ITO阵列式透明导电薄膜上还沉积有10nm厚的第二透明导电薄膜4，第二透明导电薄膜4为ITO透明导电薄膜。经测试，实施例1所述的背反电极在可见光与进红外波段的平均雾度值在95%以上，横向传输电阻率的值为1.921×10-6Ω·cm,其垂直传输电阻率更小，实现了背反电极的光学特性与电学特性的优化统一。
实施例3的制备方法如下：
（1）将耐500℃高温的抛光的陶瓷片衬底清洗干净，并使用高纯氮气吹干，然后放置到磁控溅射生长室，调整Al靶材与衬底之间距离为60mm，本实例所用Al金属靶材的纯度为99.99%，通过直流磁控溅射技术在衬底上沉积一层连续的400nm厚的Al金属薄膜；开启真空抽气系统，加热衬底使衬底温度保持在500℃，预抽本底真空到8.0×10-4Pa，通过气体流量计向生长室中通入高纯氩气，调节流量计旋钮使通入氩气流量为30sccm,使气压维持在2Pa左右；开启直流溅射开关，调节功率旋钮使溅射功率维持在50W，进行预溅射5min，然后打开挡板，使电离后的Ar离子轰击Al靶材产生的等离子羽辉沉积在玻璃衬底上形成薄膜，溅射时间为10min，所得薄膜厚度约为400nm。经分析，所生长Al薄膜出现了很强的(111)衍射峰，与微弱的(200)、(220)和(311)衍射峰，表明Al薄膜有很好的结晶质量。经测试，所生长的Al薄膜表面形成了均匀的类金字塔结构，平均粗糙度RMS值为19.10nm。
（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在Al金属薄膜表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在Al金属薄膜上沉积ITO阵列式透明导电薄膜，ITO阵列式透明导电薄膜厚度为200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为1000μm，溅射腔的本底真空度为8.0×10-4Pa，衬底温度为500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在2Pa，溅射功率为50W，沉积时间为20min，然后去掉金属掩膜得到双叠层阵列导电薄膜；
（3）将双叠层阵列导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层阵列导电薄膜上沉积一层ITO透明导电薄膜，ITO透明导电薄膜的厚度为10nm，溅射腔的本底真空度为8.0×10-4Pa，衬底温度为500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在2Pa，溅射功率为50W，沉积时间为30s，经分析，所生长的双层ITO导电薄膜只出现了较强的(110)衍射峰，表明ITO薄膜的结晶质量很好，最终得到了硅基薄膜太阳能电池三叠层背反电极。经测试，三叠层背反电极表面出现了与Al薄膜表面相同的类金字塔结构，平均粗糙度RMS值为21.04nm。
Claims (9)
1.一种薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：包括衬底，衬底表面沉积有金属薄膜，金属薄膜表面沉积有阵列式的第一透明导电薄膜，第一透明导电薄膜上沉积有第二透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的衬底为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的金属薄膜为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的第一和第二透明导电薄膜为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜。
5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池背反电极，其特征在于：所述的金属薄膜厚度为60nm～400nm，第一透明导电薄膜厚度为20～200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜的厚度为1nm～10nm。
6.一种薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤
（1）将洗净并使用高纯氮气吹干的衬底放置到磁控溅射生长室，采用磁控溅射技术在衬底上沉积一层连续的金属薄膜；
（2）将带有网格图形的金属掩膜固定在金属薄膜表面，并将其放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在金属薄膜上沉积阵列式的第一透明导电薄膜，然后去掉金属掩膜得到双叠层阵列导电薄膜；
（3）将双叠层阵列导电薄膜放置到磁控溅射生长室，利用磁控溅射技术在双叠层阵列导电薄膜上沉积一层第二透明导电薄膜。
7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：所述的步骤（1）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～10min；所述的步骤（2）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为1min～20min；所述的步骤（3）中，溅射腔的本底真空度为5.0×10-4Pa～8.0×10-4Pa，衬底温度为25℃～500℃，溅射过程在低压高纯氩气中进行，气压保持在1Pa～2Pa，溅射功率为30W～50W，沉积时间为6s～30s。
8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：所述的衬底为耐500℃高温的抛光的玻璃、单晶硅片、陶瓷片或金属；所述的金属薄膜为Ag薄膜、Cu薄膜或Al薄膜；所述的第一和第二透明导电薄膜为ATO导电薄膜、AZO导电薄膜或ITO导电薄膜。
9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池背反电极的制备方法，其特征在于：所述的金属薄膜厚度为60nm～400nm，第一透明导电薄膜厚度为20～200nm，阵列式的第一透明导电薄膜由若干个第一透明导电薄膜单元组成，任意相邻的两个第一透明导电薄膜单元间距为10μm～1000μm，第二透明导电薄膜的厚度为1nm～10nm。
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