JP2014230397A - 静電誘導型電気機械変換素子およびナノピンセット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電誘導型電気機械変換素子1は、複数の櫛歯電極部112を有する第1電極と、複数の櫛歯電極部112に対して隙間を介して歯合するように配設された複数の櫛歯電極部104を有する第2電極と、櫛歯電極部112と櫛歯電極部104との間の電場形成空間に配設され、比誘電率が1よりも大きな材料から成る複数の孤立櫛歯113と、第2電極の櫛歯電極部104と孤立櫛歯113とが相対変位するように、第1電極、第2電極および孤立櫛歯113の各々を固定支持または可動支持するベース部110と、を備える。
【選択図】図1
Description
請求項2の発明は、請求項1に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、第1電極および誘電体部材はベース部に固定支持され、第2電極は可動支持されていることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、第1電極および第2電極はベース部に固定支持され、誘電体部材は可動支持されていることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項2または3に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、誘電体部材は、第1櫛歯電極部と第2櫛歯電極部との隙間に配置されることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項2に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、誘電体部材は、第2櫛歯電極部の先端と隙間を介して対向配置され、第2電極は、第2櫛歯電極部の先端から誘電体部材に向かう第1方向、および、第2櫛歯電極部から第1櫛歯電極部に向かう第2方向の、両方に直交する方向に、変位可能に可動支持されていることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、可動支持されている第2電極または誘電体部材の運動エネルギーを電気エネルギーに変換して出力することを特徴する。
請求項7の発明は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、第1櫛歯電極部および第2櫛歯電極部の少なくとも一方の表面には、アルカリイオンを含むSiO2層から成るエレクトレットが形成されていることを特徴とする。
請求項8の発明は、請求項2に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、複数の第3櫛歯電極部を有し、ベース部に設けられる第3電極と、複数の第3櫛歯電極部に対して隙間を介して歯合するように配設された複数の第4櫛歯電極部を有し、前記可動部に設けられる第4電極と、をさらに備え、複数の誘電体部材および第2電極は固定部に固定され、第3電極から昇圧出力が取り出されることを特徴とする。
請求項9の発明によるナノピンセットは、開閉自在に設けられた一対の把持部と、一対の把持部の少なくとも一方に対応して設けられた請求項4に記載の静電誘導型電気機械変換素子と、静電誘導型電気機械変換素子の第1電極と第2電極との間に電圧を印加して、該静電誘導型電気機械変換素子により把持部を開閉駆動させる駆動制御部と、を備えることを特徴とする。
図3の(a)、(b)は、図1,2に示した櫛歯構造における静電容量を説明する模式図である。図3(a)に示すモデルは、図2の一つの櫛歯電極部101と一つの櫛歯電極部112とにより構成される単位コンデンサ構造を示したものである。ここでは、櫛歯電極部101,112のオーバーラップが最も大きくなった場合を示している。図3(b)に示すモデルは、図1の場合の単位コンデンサ構造を示したものであり、櫛歯電極部101と櫛歯電極部112との間には孤立櫛歯113が配置されている。一対の櫛歯電極部101,112間の距離は、寸法dに設定されている。図3(a)の場合の静電容量C1は、平行平板の静電容量を表す式(1)で表される。なお、式(1)において、ε0は真空の誘電率である。
d=10μm=10×10−6m
S(トータル)=500×100×10−6×200×10−6
S1(トータル)=500×100×10−6×200×10−6×1/2
ε0≒8.85×10−12
これを式(1)、(3)に代入すると、
C1≒8.9×10−12F=8.9pF
ΔC1≒4.4pF
d=40μm、d1=20μm、d0=d2=10μm
S(トータル)=250×100×10−6×200×10−6
S1(トータル)=250×100×10−6×200×10−6×1/2
ε0≒8.85×10−12
εr≒16
これを式(2),(4)に代入すると、
C≒9.4×10−12F=9.4pF
ΔC≒4.7pF
d=40μm、d1=20μm、d0=d2=10μm
S(トータル)=250×100×10−6×200×10−6
S1(トータル)=250×100×10−6×200×10−6×1/2
ε0≒8.85×10−12
εr≒18
これを式(2),(6)に代入すると、
C≒1.1×10−12F=1.1pF
ΔC≒4.7pF
図5A〜図5H,図6A,6Bを参照して静電誘導型電気機械変換素子1の製造方法を説明する。図1に示す静電誘導型電気機械変換素子1は、例えば、SOI(Silicon on Insulator)基板を用いて、半導体微細加工技術により一体で形成される。SOI基板は、上部Si層33、SiO2層32および下部Si層32で構成され、2枚のSi単結晶板の一方にSiO2層を形成し、そのSiO2層を挟むように貼り合わせたものである。なお、Si基板では電極パッドとなる部分の金属への密着性向上や、導電性の改善のために、適宜ドーピングを行ったものが用いられる場合がある。このドーピングはP型、N型いずれの特性であっても本件の発明においては問題はない。
図7は、図1に示す櫛歯構造の静電誘導型電気機械変換素子を用いた第1の実施例を示す図であり、ナノピンセット20の概略構成を示す図である。なお、図1と同様の構成には同一の符号を付した。このナノピンセット20は、固定部11に形成された把持部104、114を備える。そして、一方の把持部104を櫛歯アクチュエータで駆動することで、固定部11に形成された把持部114と、可動部10に形成された把持部104との間に試料を把持する。
図8は、図1に示す櫛歯構造の静電誘導型電気機械変換素子を用いた第2の実施例を示す図であり、振動発電素子40の概略構成を示す。なお、図1と同様の構成には同一の符号を付した。図8に示す振動発電素子40では、固定電極111は出力抵抗Rを介して接地されており、可動部10の櫛歯電極部101は固定電極111の櫛歯電極部112よりも高電位または低電位に保持される。櫛歯電極部101にバイアス電圧を印加する方法としては、外部電圧源を用いる方法や、エレクトレットを用いる方法などがある。図8に示す例では、櫛歯電極部101にプラスに帯電したエレクトレットを形成することにより、櫛歯電極101を高電位に保持するような構成としている。
櫛歯電極部101へのエレクトレットの形成方法としては、例えば、特開2013−13256号公報に記載の方法(Bias-Temperature法:B−T法)を応用すれば良い。図9、図10は、櫛歯電極部101にエレクトレット層を形成する方法を説明する図である。本実施の形態では、Si層33から形成された可動部10、固定電極111の表面にK+イオンを含むシリコン酸化膜(SiO2)を形成し、これを帯電させることでエレクトレットとして用いる。なお、ここでは、孤立櫛歯113は、Siまたはシリコン酸化膜(SiO2)により形成されているとして説明する。
図15は、図1に示す静電誘導型電気機械変換素子を用いた第3の実施例を示す図であり、昇圧回路50の概略構成を示す。昇圧回路50は、可動部10を挟んで左右両側に一対の固定電極111B,111Aを備えている。さらに、可動部10の左側には櫛歯電極部112Bと歯合するように複数の櫛歯電極部101Bが形成され、可動部10の右側には櫛歯電極部112Aと歯合するように複数の櫛歯電極部101Aが形成されている。図15に示す昇圧回路50は、可動部10を共有した2つの櫛歯アクチュエータα、βからなる3端子型櫛歯アクチュエータを用いている。
図11は、静電誘導型電気機械変換素子1の第1の変形例を示す図である。なお、図1に示す静電誘導型電気機械変換素子1と同様の構成要素には同一符号を付した。図11は、静電誘導型電気機械変換素子1の可動部10、櫛歯電極部101,112,ベース部110、固定電極111および孤立櫛歯113aの各立体形状を示す斜視図である。
図12は、静電誘導型電気機械変換素子1の第2の変形例を示す図である。なお、図1に示す静電誘導型電気機械変換素子1と同様の構成要素には同一符号を付した。図12(a)は、静電誘導型電気機械変換素子1の可動部10、櫛歯電極部101,112,ベース部110、固定電極111および孤立櫛歯113bを示す正面図である。一方、図12(b)は、静電誘導型電気機械変換素子1の櫛歯電極部112,ベース部110、固定電極111および孤立櫛歯113bを背面側から見た斜視図である。
図13は、静電誘導型電気機械変換素子1の第3の変形例を示す図である。第3変形例は、図12に示す第2変形例をさらに変形したものであり、孤立櫛歯113bは複数の梁115によって支持されている。図13(b)は、梁115が形成されている部分の斜視図である。梁115は非常に薄い板状の部材であり、例えば、厚さ寸法が1μm以下の矩形断面を有している。梁115は、櫛歯電極部112および孤立櫛歯113bを形成する際に、SOI基板のSi層33によって同時に形成される。
図14は、静電誘導型電気機械変換素子1の第4の変形例を示す図である。図14(a)は静電誘導型電気機械変換素子1の平面図、図14(b)はA−A断面図である。図1や、図11〜13に示した静電誘導型電気機械変換素子1においては、可動側と固定側のそれぞれに櫛歯電極部を設け、それら櫛歯電極部間に比誘電率が1よりも大きな材料で形成された孤立櫛歯を配置するようにした。
Claims (9)
- 複数の第1櫛歯電極部を有する第1電極と、
前記複数の第1櫛歯電極部に対して隙間を介して歯合するように配設された複数の第2櫛歯電極部を有する第2電極と、
前記第1櫛歯電極部と前記第2櫛歯電極部との間の電場形成空間に配設され、比誘電率が1よりも大きな材料から成る複数の誘電体部材と、
前記第1電極および/または前記第2電極と前記誘電体部材とが相対変位するように、前記第1電極、前記第2電極および前記誘電体部材の各々を固定支持または可動支持するベース部と、を備えることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項1に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
前記第1電極および前記誘電体部材は前記ベース部に固定支持され、前記第2電極は可動支持されていることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項1に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
前記第1電極および前記第2電極は前記ベース部に固定支持され、誘電体部材は可動支持されていることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項2または3に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
前記誘電体部材は、前記第1櫛歯電極部と前記第2櫛歯電極部との隙間に配置されることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項2に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
前記誘電体部材は、前記第2櫛歯電極部の先端と隙間を介して対向配置され、
前記第2電極は、前記第2櫛歯電極部の先端から前記誘電体部材に向かう第1方向、および、前記第2櫛歯電極部から前記第1櫛歯電極部に向かう第2方向の、両方に直交する方向に、変位可能に可動支持されていることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項2乃至5のいずれか一項に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
可動支持されている前記第2電極または前記誘電体部材の運動エネルギーを電気エネルギーに変換して出力することを特徴する静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
前記第1櫛歯電極部および前記第2櫛歯電極部の少なくとも一方の表面には、アルカリイオンを含むSiO2層から成るエレクトレットが形成されていることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 請求項2に記載の静電誘導型電気機械変換素子において、
複数の第3櫛歯電極部を有し、前記ベース部に設けられる第3電極と、
前記複数の第3櫛歯電極部に対して隙間を介して歯合するように配設された複数の第4櫛歯電極部を有し、前記可動部に設けられる第4電極と、をさらに備え、
前記複数の誘電体部材および前記第2電極は前記固定部に固定され、前記第3電極から昇圧出力が取り出されることを特徴とする静電誘導型電気機械変換素子。 - 開閉自在に設けられた一対の把持部と、
前記一対の把持部の少なくとも一方に対応して設けられた請求項4に記載の静電誘導型電気機械変換素子と、
前記静電誘導型電気機械変換素子の前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加して、該静電誘導型電気機械変換素子により前記把持部を開閉駆動させる駆動制御部と、を備えることを特徴とするナノピンセット。
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