JP2014225837A - Crystal device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。接合部材は、ガラスが用いられ、熱を印加することで、蓋体の下面と基板の上面とを接合することができる。
The crystal device generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. For example, a crystal resonator including a crystal element mounted on an electrode pad provided on an upper surface of a substrate, and a lid that is bonded to the upper surface of the substrate via a bonding member and hermetically seals the crystal element. Has been proposed (see, for example,
上述した水晶デバイスは、蓋体と基板とが接合部材を介して接合されているため、接合部材から発生したガスが、水晶素子に付着してしまう。水晶素子にガスが付着することで、水晶素子の厚みすべり振動が阻害され、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。 In the crystal device described above, the lid and the substrate are bonded via the bonding member, so that the gas generated from the bonding member adheres to the crystal element. When the gas adheres to the crystal element, the thickness-shear vibration of the crystal element is hindered and the oscillation frequency of the crystal element may fluctuate.
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子に接合部材から発生したガスが付着することを抑え、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a crystal device capable of suppressing the gas generated from the bonding member from adhering to the crystal element and reducing the fluctuation of the oscillation frequency of the crystal element. The purpose is to do.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上に実装された水晶素子と、基板上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、水晶素子を封止するように覆った封止蓋体と、を備え、封止蓋体は、凹部内の外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、封止蓋体の下面は基板の上面と当接するとともに、凹部内から基板上にかけて接合部材が設けられていることを特徴とするものである。 A quartz crystal device according to one aspect of the present invention includes a substrate, a quartz crystal element mounted on the substrate, a quartz element provided on the substrate, and having a rectangular outer edge when viewed in plan so that the quartz crystal element is sealed. A sealing lid body, and the sealing lid body has a recess formed by cutting from the outer surface to the lower surface in the recess, and the lower surface of the sealing lid body is in contact with the upper surface of the substrate A bonding member is provided from the inside of the recess to the top of the substrate.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、封止蓋体は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、封止蓋体の下面は基板の上面と当接するとともに、凹部内から基板上にかけて接合部材が設けられている。このようにすることによって、接合部材から発生したガスが蓋体の凹部の内周側面にて遮られるため水晶素子に被着しにくくなる。よって、水晶デバイスは、水晶素子にガスが付着することを抑制し、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。 In the quartz crystal device according to one aspect of the present invention, the sealing lid has a recess formed by cutting from the outer surface to the lower surface, and the lower surface of the sealing lid contacts the upper surface of the substrate and from within the recess. A joining member is provided over the substrate. By doing in this way, since the gas generated from the joining member is blocked by the inner peripheral side surface of the concave portion of the lid, it is difficult to adhere to the crystal element. Therefore, the quartz crystal device suppresses the gas from adhering to the quartz crystal element, and the thickness-shear vibration of the quartz crystal element is not hindered, so that the fluctuation of the oscillation frequency of the quartz crystal element can be reduced.
本実施形態における水晶デバイスは、図1及び図2に示されているように、基板110と、基板110の上面に接合された水晶素子120と、水晶素子120を気密封止するための封止蓋体130と、を含んでいる。このような水晶振動子は、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal device according to the present embodiment includes a
基板110は、矩形状であり、上面で実装された水晶素子120を実装するための実装部材として機能するものである。基板110の上面には、水晶素子120を接合するための電極パッド111が設けられ、基板110の下面の四隅には、外部端子Gが設けられている。
The
基板110は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110は、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110の表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド111と下面の外部端子Gとを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。
The
電極パッド111は、水晶素子120を実装するためのものである。電極パッド111は、基板110の上面に一対で設けられており、基板110の一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド111は、基板110に設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板110の下面に設けられた外部端子Gのいずれかと電気的に接続されている。外部端子Gは、基板110の下面の四隅に、基板110の外周縁に沿って設けられている。外部端子Gは、マザーボード上に実装する際に、半田を介して接合するためのものである。
The electrode pad 111 is for mounting the
ここで、基板110の作製方法について説明する。基板110がアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド111又は外部端子Gとなる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
Here, a method for manufacturing the
水晶素子120は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
As shown in FIG. 2, the
水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122、接続用電極123及び引き出し電極124を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。引き出し電極124は、励振用電極122から水晶素板121の短辺に向かって延出されている。接続用電極123は、引き出し電極124と接続されており、水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
本実施形態においては、電極パッド111と接続されている水晶素子120の一端を基板110の上面と接続した固定端とし、他端を基板110の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子120が基板110上に固定されている。ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が接続用電極123から引き出し電極124及び励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
In the present embodiment, one end of the
ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122、接続用電極123及び引き出し電極124を形成することにより作製される。
Here, a manufacturing method of the
水晶素子120の基板110への接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって電極パッド111上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、一対の電極パッド111に接合される。
A method for bonding the
導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
The
封止蓋体130は、矩形状の封止基部130aと、封止枠部130bとで構成されており、封止基部130aの下面と封止枠部130bの内側側面とで収容空間Kが形成されている。封止枠部130bは、封止基部130aの下面に収容空間Kを形成するためのものである。封止枠部130bは、封止基部130aの下面の外縁に沿って設けられている。
The
封止基部130a及び封止枠部130bは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体130は、真空状態にある収容空間K又は窒素ガスなどが充填された収容空間Kを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体130は、所定雰囲気で、基板110の上面に載置され、基板110の上面と封止蓋体130の凹部131内に設けられた接合部材150とが熱が印加されることで、溶融接合される。
The sealing base portion 130a and the sealing frame portion 130b are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a sealing
凹部131は、封止蓋体130の封止枠部130bの外側面から下面にかけて切り欠くようにして設けられている。このようにすることにより、接合部材150より発生したガスは、封止蓋体130の凹部131の内側側面にて遮られることになるので、封止蓋体130の収容空間K内に入り込むことを低減することができる。よって、収容空間K内の気密封止性を向上させることができる。また、収容空間K内に実装されている水晶素子120に接合部材150から発生したガスが被着しにくくなる。よって、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
The recess 131 is provided so as to be cut out from the outer surface to the lower surface of the sealing frame portion 130 b of the sealing
また、凹部131は、封止蓋体130の外縁に沿って連続して形成されている。このようにすることで、収容空間K内を囲むようにして、封止蓋体130の凹部131内と基板110の上面とを接合部材150により確実に接合することができる。よって、封止蓋体130の収容空間K内の気密封止性をさらに向上させることができる。
Further, the recess 131 is formed continuously along the outer edge of the sealing
ここで封止蓋体130を平面視したときの一辺の寸法が、1.0〜3.0mmであり、封止蓋体130の厚み方向の寸法が、0.2〜0.4mmであり、封止枠部130bの内側面と外側面との間隔が、0.15〜0.30mmである場合を例にして、凹部131の大きさを説明する。凹部131の外縁と凹部131内の内側面との間隔は、0.015〜0.270mmとなっている。凹部131の深さ方向の長さは、0.05〜0.20mmとなっている。
Here, the dimension of one side when the sealing
接合部材150は、凹部131内から基板110上にかけて設けられている。接合部材150は、例えば、ガラスの場合には、350℃〜400℃で溶融する鉛フリーガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラスから構成されている。鉛フリーガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材150は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。
The joining
接合部材150は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。凹部131内に設けられている接合部材150の厚みは、40μm〜125μmとなっており、枠部110bと蓋体130との間に設けられた接合部材150の厚みは、30〜100μmとなっている。
For example, in the case of an insulating resin, the
接合部材150は、例えば、金錫の場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、金が70〜80%、錫が20〜30%のものを使用しても良い。また、接合部材150は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、銀が70〜80%、銅が20〜30%のものを使用しても良い。
For example, when the joining
また、切欠き部132は、平面視した封止蓋体130の四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通するようにして設けられている。また、切欠き部132の上下方向の長さは、0.2〜0.4mmとなっている。切欠き部132は、平面視した封止基部130aと封止枠部130bの四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通するように設けられ、凹部131と繋がるようにして設けられている。よって、封止蓋体130と基板110とを接合部材150にて接合する際に、溶融した接合部材150が、切欠き部132の外側面を這い上がるようにして接合されるので、接合部材150と封止蓋体130との接合強度を向上させることができる。
The notch 132 is provided so as to penetrate vertically in at least one of the four corners of the sealing
また、切欠き部132は、封止蓋体130と基板110とを接合部材150にて接合する際に、溶融した接合部材150から発生したガスを切欠き部132の上方向に逃がすことで、水晶素子120には、接合部材150から発生したガスが付着することをさらに低減することができる。よって、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することをさらに低減することが可能となる。
In addition, the notch 132 allows the gas generated from the molten joining
本実施形態における水晶デバイスは、封止蓋体130には外側面から下面にかけて切り欠いた凹部131が形成されており、封止蓋体130の下面は基板110の上面と当接するとともに、凹部131内から基板110上にかけて接合部材150が設けられている。このようにすることによって、接合部材150から発生したガスが封止蓋体130の凹部131の内側側面にて遮られるため、封止蓋体130の収容空間K内に発生したガスが入り込むことを低減することができる。よって、収容空間K内に実装されている水晶素子120には、接合部材150から発生したガスが被着しにくくなる。このような水晶デバイスは、水晶素子120に接合部材150から発生したガスが付着することを抑制し、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
In the quartz crystal device according to the present embodiment, a recess 131 is formed in the sealing
(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図3に示されているように、凹部131の内面が、断面視したときに円弧状に形成されている点において、本実施形態と異なる。
(First modification)
Hereinafter, the crystal device according to the first modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIG. 3, the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment is different from the present embodiment in that the inner surface of the recess 131 is formed in an arc shape when viewed in cross section.
凹部131の内面は、断面視したときに円弧状になるように設けられている。ここで封止蓋体130を平面視したときの一辺の寸法が、1.0〜3.0mmであり、封止蓋体130の厚み方向の寸法が、0.2〜0.4mmであり、封止枠部130bの内側面と外側面との間隔は、0.15〜0.30mmである場合を例にして、断面視した際の凹部131の曲率半径は、0.015〜0.270mmとなっている。このように、凹部131の内面を円弧状にすることによって、接合部材150が熱膨張したとしても、凹部131の内面に均等に応力がかかることになる。よって、このような封止蓋体130は、接合部材150の熱膨張による応力の緩和をすることができる。
The inner surface of the recess 131 is provided in an arc shape when viewed in cross section. Here, the dimension of one side when the sealing
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、封止蓋体130の凹部131の内面が断面視したときに円弧状になるように設けられている。接合部材150に熱が印加し、接合部材150が熱膨張した場合には、凹部131の内面が、断面視したときに円弧状になっているため、凹部131の内面に均等に接合部材150の応力がかかることになる。よって、基板110から封止蓋体130が剥がれることをさらに低減することができる。
The quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment is provided so as to have an arc shape when the inner surface of the recess 131 of the sealing
(第二変形例)
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図4及び図5に示されているように、基板210aの上面に枠体210bが設けられている点と、板状の封止蓋体230の外縁に凹部231が設けられている点において本実施形態と異なる。
(Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate. As shown in FIGS. 4 and 5, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment is provided with a frame 210 b on the upper surface of the substrate 210 a and a plate-shaped
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図1及び図2に示されているように、パッケージ210と、パッケージ210の上面に接合された水晶素子120と、水晶素子120を気密封止する封止蓋体230とを含んでいる。パッケージ210は、基板210aの上面と枠体210bの内側面によって囲まれた収容空間Kが形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment hermetically seals the
枠体210bは、基板210aの上面に配置され、基板210aの上面に収容空間Kを形成するためのものである。枠体210bは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板210aと一体的に形成されている。 The frame body 210b is disposed on the upper surface of the substrate 210a, and is for forming the accommodation space K on the upper surface of the substrate 210a. The frame 210b is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is formed integrally with the substrate 210a.
封止蓋体230は、矩形状であり、真空状態にある収容空間K、あるいは窒素ガスなどが充填された収容空間Kを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体230は、所定雰囲気で、パッケージ210の枠体210b上に載置される。枠体210bの上面と封止蓋体230の凹部231内に設けられた接合部材150とが熱が印加されることで、溶融接合される。
The sealing
凹部231は、封止蓋体230の外側面から下面にかけて切り欠くようにして設けられている。凹部231は、封止蓋体230の外縁に沿って連続して形成されている。このようにすることで、収容空間K内を囲むようにして、封止蓋体230の下面と枠体210bの上面とを接合することができるので、収容空間K内の気密封止性を向上させることができる。
The recess 231 is provided so as to be cut out from the outer surface to the lower surface of the sealing
また、切欠き部232は、平面視した封止蓋体230の四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通するようにして設けられている。また、切欠き部232の上下方向の長さは、0.2〜0.4mmとなっている。切欠き部232は、平面視した封止蓋体230の四隅の少なくとも1つに上下方向に貫通するように設けられ、凹部231と繋がるようにして設けられている。よって、封止蓋体230と枠体210bとを接合部材150にて接合する際に、溶融した接合部材150が、切欠き部232の外側面を這い上がるようにして接合されるので、接合部材150と封止蓋体230との接合強度を向上させることができる。
The
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、封止蓋体230に外側面から下面にかけて切り欠いた凹部231が形成されており、封止蓋体230の下面は枠体210bの上面と当接するとともに、凹部231内から枠体210b上にかけて接合部材150が設けられている。このようにすることによって、接合部材150から発生したガスが封止蓋体230の凹部231の内側側面にて遮られるため水晶素子120に被着しにくくなる。よって、水晶振動子は、水晶素子120にガスが付着することを抑制し、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
In the crystal device according to the second modification of the present embodiment, a recess 231 is formed in the sealing
また、切欠き部232は、封止蓋体230と枠体210bとを接合部材150にて接合する際に、溶融した接合部材150から発生したガスを切欠き部232の上方向に逃がすことで、水晶素子120に発生したガスが付着することをさらに低減することができる。よって、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することをさらに低減することが可能となる。
The
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態の第二変形例では、枠体210bが基板210aと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体210bが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。上記実施形態では、基板の上面に枠体が設けられている場合について説明したが、基板に水晶素子を実装した後に、下面に壁部が設けられた蓋体を用いて、水晶素子を気密封止する構造であっても構わない。上記実施形態では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。 In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the second modification of the above embodiment, the case where the frame body 210b is integrally formed of a ceramic material in the same manner as the substrate 210a has been described. However, the frame body 210b may be made of metal. In this case, the frame is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper. In the above embodiment, the case where the frame is provided on the upper surface of the substrate has been described. However, after the crystal element is mounted on the substrate, the crystal element is hermetically sealed using the lid having the wall portion provided on the lower surface. It may be a structure that stops. In the above embodiment, the case where the crystal element for AT is used as the crystal element has been described. An element may be used.
また、水晶素子120は、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子120のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板121とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板121とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板121とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板121が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
In addition, the
また、本実施形態では、基板110の上面には、封止用導体パターンがない場合を説明したが、基板110の上面に封止用導体パターンを設けても構わない。この封止用導体パターンは、封止蓋体130と接合部材150を介して接合する際に、接合部材150の濡れ性をよくする役割を果たしている。
In this embodiment, the case where the upper surface of the
また、接合部材150が導電性部材を使用した際に、封止用導体パターンは、基板110の内部に形成されたビア導体(図示せず)及び配線パターン(図示せず)により少なくとも1つの外部端子Gに接続されている。少なくとも1つの外部端子Gは、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターンに接合される封止蓋体130がグランドに接続されることとなり、封止蓋体130による収容空間K内のシールド性が向上する。封止用導体パターンは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、基板110の上面の外周縁を環状に囲む形態で施すことによって、例えば10μm〜25μmの厚みに形成されている。
In addition, when the conductive member is used as the
110、210a・・・基板
210b・・・枠体
210・・・パッケージ
111、211・・・電極パッド
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・接続用電極
124・・・引き出し電極
130、230・・・封止蓋体
131、231・・・凹部
132、232・・・切欠き部
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
K・・・収容空間
G・・・外部端子
110, 210a ... substrate 210b ... frame 210 ...
Claims (8)
前記基板上に実装された水晶素子と、
前記基板上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、前記水晶素子を封止するように覆った封止蓋体と、を備え、
前記封止蓋体は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、前記封止蓋体の下面は前記基板の上面と当接するとともに、前記凹部内から前記基板上にかけて接合部材が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 A substrate,
A crystal element mounted on the substrate;
A sealing lid that is provided on the substrate and has a rectangular outer edge when viewed in plan, and covers the crystal element so as to seal it,
The sealing lid is formed with a recess cut out from the outer surface to the lower surface, the lower surface of the sealing lid contacts the upper surface of the substrate, and a bonding member extends from inside the recess to the substrate. A crystal device characterized by being provided.
前記凹部は、前記封止蓋体の外縁に沿って連続して形成されていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
The concave portion is formed continuously along the outer edge of the sealing lid.
前記凹部の内面は、断面視したときに円弧状に形成されていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
The quartz crystal device, wherein an inner surface of the recess is formed in an arc shape when viewed in cross section.
平面視した前記封止蓋体の四隅の少なくとも一つに上下方向に貫通した切欠き部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
A crystal device, wherein a cutout portion penetrating in a vertical direction is provided in at least one of the four corners of the sealing lid body in plan view.
前記基板上に設けられた枠体と、
前記基板上であって前記枠体内に実装された水晶素子と、
前記枠体上に設けられ、平面視したときに外縁が矩形状であって、前記水晶素子を封止するように覆った封止蓋体と、を備え、
前記封止蓋体は、外側面から下面にかけて切り欠いた凹部が形成されており、前記封止蓋体の下面は前記枠体の上面と当接するとともに、前記凹部内から前記枠体上にかけて接合部材が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 A substrate,
A frame provided on the substrate;
A crystal element mounted on the substrate and in the frame;
A sealing lid that is provided on the frame body and has an outer edge that is rectangular when viewed in plan, and covers the crystal element so as to seal,
The sealing lid has a recess formed by cutting from an outer surface to a lower surface, and the lower surface of the sealing lid contacts the upper surface of the frame and is joined from the inside of the recess to the frame. A quartz crystal device comprising a member.
前記凹部は、前記封止蓋体の外縁に沿って連続して形成されていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 5,
The concave portion is formed continuously along the outer edge of the sealing lid.
前記凹部の内面は、断面視したときに円弧状に形成されていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 5,
The quartz crystal device, wherein an inner surface of the recess is formed in an arc shape when viewed in cross section.
平面視した前記封止蓋体の四隅の少なくとも一つに、上下方向に貫通した切欠き部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 5,
A crystal device characterized in that a cutout portion penetrating in the vertical direction is provided in at least one of the four corners of the sealing lid in plan view.
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