JP2014107649A - Quartz device - Google Patents

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晃基 本田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quartz device in which both of two quartz elements can stably output an oscillation frequency.SOLUTION: The quartz device includes: a substrate 110 having a through hole 113a; a first quartz element 120 of which one end is fixed to an upper surface of the substrate 110 and the other end is separated from the upper surface of the substrate 110; a second quartz element 130 of which one end is fixed to a lower surface of the substrate 110 and the other end is separated from the lower surface of the substrate 110; a first lid body 140 sealing the first quartz element 120 and having a first recess 142 in a lower surface; and a second lid body 150 sealing the second quartz element 130 and having a second recess 152 in an upper surface. The other end of the first quartz element 120 and the other end of the second quartz element 130 are superposed on the through hole 113a, the first recess 142 and the second recess 152 in plane see-through.

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。   The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。基板の上面に実装された第一水晶素子と、基板の下面に実装された第二水晶素子とを備えた水晶デバイスが提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。第一水晶素子及び第二水晶素子は、水晶素板の両主面に励振用電極を有しており、水晶素板の一端を基板の上面と接続した固定端とし、他端を基板の上面と間を空けた自由端とした片保持構造となる。   The crystal device generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. A crystal device including a first crystal element mounted on the upper surface of a substrate and a second crystal element mounted on the lower surface of the substrate has been proposed (for example, see Patent Document 1 below). The first crystal element and the second crystal element have excitation electrodes on both main surfaces of the crystal element plate, one end of the crystal element plate is a fixed end connected to the upper surface of the substrate, and the other end is the upper surface of the substrate It becomes a one-piece holding structure with a free end spaced apart.

特開2003−258589号公報JP 2003-258589 A

上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に実装する第一水晶素子及び第二水晶素子も小型化になっている。従来の電極パッド上に導電性接着剤を塗布し、第一水晶素子及び第二水晶素子を導電性接着剤の上面に載置すると、第一水晶素子又は第二水晶素子の自由端又は励振用電極が基板に接触し、振動が阻害されて、第一水晶素子又は第二水晶素子のどちらかの発振周波数が変動してしまう虞があった。   The above-described crystal device is remarkably miniaturized, but the first crystal element and the second crystal element mounted on the substrate are also miniaturized. When a conductive adhesive is applied on a conventional electrode pad and the first crystal element and the second crystal element are placed on the upper surface of the conductive adhesive, the free end of the first crystal element or the second crystal element or for excitation There is a possibility that the electrode comes into contact with the substrate and the vibration is inhibited, so that the oscillation frequency of either the first crystal element or the second crystal element fluctuates.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、2つの水晶素子ともに安定して発振周波数を出力することができる水晶デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a crystal device that can stably output an oscillation frequency for both two crystal elements.

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、貫通孔を有する基板と、基板の上面に設けられ、一端が基板の上面と固定され、他端が基板の上面と間が空いた第一水晶素子と、基板の下面に設けられ、一端が基板の下面と固定され、他端が基板の下面と間が空いた第二水晶素子と、基板の上面に設けられ、第一水晶素子を封止するとともに、下面に第一凹部を有する第一蓋体と、基板の下面に設けられ、第二水晶素子を封止するとともに、上面に第二凹部を有する第二蓋体と、を備え、第一水晶素子の他端及び第二水晶素子の他端が、平面透視して貫通孔、第一凹部及び第二凹部と重なることを特徴とするものである。   A crystal device according to an aspect of the present invention includes a substrate having a through hole, a first crystal element provided on the upper surface of the substrate, one end fixed to the upper surface of the substrate, and the other end spaced from the upper surface of the substrate. A second crystal element provided on the lower surface of the substrate, one end fixed to the lower surface of the substrate and the other end spaced from the lower surface of the substrate, and provided on the upper surface of the substrate to seal the first crystal element A first lid having a first recess on the lower surface and a second lid provided on the lower surface of the substrate for sealing the second crystal element and having a second recess on the upper surface. The other end of the element and the other end of the second crystal element overlap with the through hole, the first recess, and the second recess as seen in a plan view.

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、第一水晶素子の他端及び第二水晶素子の他端が、平面透視して貫通孔、第一凹部及び第二凹部と重なることによって、第一水晶素子及び第二水晶素子の他端又は励振用電極が基板に接触することを低減することができる。よって、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されることがないため、第一水晶素子及び第二水晶素子の両方とも安定して発振周波数を出力することができる。   The quartz crystal device according to one aspect of the present invention is configured such that the other end of the first quartz element and the other end of the second quartz element overlap with the through hole, the first recess, and the second recess when seen in a plan view. It can reduce that the other end of an element and a 2nd crystal element, or the electrode for excitation contacts a board | substrate. Therefore, since the thickness shear vibration of the crystal element is not inhibited, both the first crystal element and the second crystal element can stably output the oscillation frequency.

本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the crystal device in this embodiment. 図1に示された水晶デバイスのA−Aにおける断面図である。It is sectional drawing in AA of the quartz crystal device shown by FIG. 本実施形態における水晶デバイスの第一蓋体を外した状態を示した上面から見た平面図である。It is the top view seen from the upper surface which showed the state which removed the 1st cover body of the crystal device in this embodiment. (a)本実施形態における水晶デバイスを構成するパッケージを上面から見た平面透視図であり、(b)本実施形態における水晶デバイスを構成するパッケージを下面から見た平面透視図である。(A) The plane perspective view which looked at the package which comprises the crystal device in this embodiment from the upper surface, (b) The plane perspective view which looked at the package which comprises the crystal device in this embodiment from the lower surface. 本実施形態の第一変形例における水晶デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the quartz crystal device in the 1st modification of this embodiment. 本実施形態の第二変形例における水晶デバイスの断面図である。It is sectional drawing of the quartz crystal device in the 2nd modification of this embodiment.

本実施形態における水晶デバイスは、図1〜図3に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の基板110aに接合された水晶素子120とを含んでいる。パッケージ110は、基板110aの上面と第一枠体110bの内側面によって囲まれた第一収容空間K1が形成されている。また、パッケージ110は、基板110aの下面と第二枠体110cとの内側面によって囲まれた第二収容空間K2が形成されている。   The crystal device in this embodiment includes a package 110 and a crystal element 120 bonded to a substrate 110a of the package 110 as shown in FIGS. The package 110 has a first accommodation space K1 surrounded by the upper surface of the substrate 110a and the inner surface of the first frame 110b. Further, the package 110 has a second accommodation space K2 surrounded by the lower surface of the substrate 110a and the inner surface of the second frame 110c.

基板110aは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子120を支持するための支持部材として機能するものである。基板110aは、基板110aの上面に、第一水晶素子120を接合するための第一電極パッド111が設けられ、基板110aの下面に、第二水晶素子130を接合するための第二電極パッド114が設けられている。基板110aには、上下方向に貫通する貫通孔113aが設けられている。   The substrate 110a has a rectangular shape and functions as a support member for supporting the crystal element 120 mounted on the upper surface. The substrate 110a is provided with a first electrode pad 111 for bonding the first crystal element 120 on the upper surface of the substrate 110a, and a second electrode pad 114 for bonding the second crystal element 130 on the lower surface of the substrate 110a. Is provided. The substrate 110a is provided with a through hole 113a penetrating in the vertical direction.

基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を1層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面及び内部には、上面に設けられた第一電極パッド111と、第一枠体110bの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2とを電気的に接続するための第一配線パターン115及び第一ビア導体116が設けられている。また、基板110aの表面及び内部には、下面に設けられた第二電極パッド114と、第二枠体110cの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2とを電気的に接続するための第二配線パターン117及び第二ビア導体118が設けられている。   The substrate 110a is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110a may be one using one insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. The first electrode pad 111 provided on the upper surface, the first external connection electrode terminal G1 provided on the upper surface of the first frame 110b, and the lower surface of the second frame 110c are provided on the surface and inside of the substrate 110a. A first wiring pattern 115 and a first via conductor 116 for electrically connecting the second external connection electrode terminal G2 are provided. Further, on the surface and inside of the substrate 110a, the second electrode pad 114 provided on the lower surface, the first external connection electrode terminal G1 provided on the upper surface of the second frame 110c, and the lower surface of the second frame 110c. Are provided with a second wiring pattern 117 and a second via conductor 118 for electrically connecting the second external connection electrode terminal G2 provided on the second external connection electrode terminal G2.

第一枠体110bは、基板110aの上面に配置され、基板110aの上面に第一収容空間K1を形成するためのものである。第二枠体110cは、基板110aの下面に配置され、基板110aの下面に第二収容空間K2を形成するためのものである。第一枠体110b及び第二枠体110cは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。第一枠体110bの内側には、囲むように設けられた第一切欠き119aが設けられている。第二枠体110cの内側には、囲むように設けられた第二切欠き119bが設けられている。   The first frame 110b is disposed on the upper surface of the substrate 110a and is for forming the first accommodation space K1 on the upper surface of the substrate 110a. The second frame 110c is disposed on the lower surface of the substrate 110a and is for forming the second accommodation space K2 on the lower surface of the substrate 110a. The first frame 110b and the second frame 110c are made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and are formed integrally with the substrate 110a. Inside the first frame 110b, a first notch 119a provided so as to surround is provided. A second notch 119b is provided inside the second frame 110c so as to surround the second frame 110c.

第一枠体110bの内側に設けられた第一切欠き119aの上面には、第一封止用導体パターン112aが設けられている。第一枠部110bの上面には、第一外部接続用電極端子G1が設けられている。第二枠体110cの内側に設けられた第二切欠き119bの下面には、第二封止用導体パターン112bが設けられている。第二枠体110cの下面には、第二外部接続用電極端子G2が設けられている。   A first sealing conductor pattern 112a is provided on the upper surface of the first notch 119a provided inside the first frame 110b. A first external connection electrode terminal G1 is provided on the upper surface of the first frame portion 110b. A second sealing conductor pattern 112b is provided on the lower surface of the second notch 119b provided inside the second frame 110c. A second external connection electrode terminal G2 is provided on the lower surface of the second frame 110c.

第一電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。第一電極パッド111は、図4(a)に示されているように基板110aの上面に設けられた第一配線パターン115と第一ビア導体116を介して、第一枠体110bの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2と電気的に接続されている。   The first electrode pads 111 are provided as a pair on the upper surface of the substrate 110a, and are provided adjacent to each other along one side of the substrate 110a. As shown in FIG. 4A, the first electrode pad 111 is formed on the upper surface of the first frame 110b through the first wiring pattern 115 and the first via conductor 116 provided on the upper surface of the substrate 110a. The first external connection electrode terminal G1 provided and the second external connection electrode terminal G2 provided on the lower surface of the second frame 110c are electrically connected.

第二電極パッド114は、基板110aの下面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。また、第二電極パッド114は、第一電極パッド111の直下に位置するように設けられている。第二電極パッド114は、図4(b)に示されているように基板110aの下面に設けられた第二配線パターン117と第二ビア導体118を介して、第一枠体110bの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2と電気的に接続されている。   The second electrode pads 114 are provided as a pair on the lower surface of the substrate 110a, and are provided adjacent to each other along one side of the substrate 110a. The second electrode pad 114 is provided so as to be located immediately below the first electrode pad 111. As shown in FIG. 4B, the second electrode pad 114 is formed on the upper surface of the first frame 110b via the second wiring pattern 117 and the second via conductor 118 provided on the lower surface of the substrate 110a. The first external connection electrode terminal G1 provided and the second external connection electrode terminal G2 provided on the lower surface of the second frame 110c are electrically connected.

貫通孔113aは、矩形状であり、基板110aの上下方向に貫通するように設けられている。貫通孔113aは、平面透視して、第一水晶素子120の他端と重なる位置に設けられている。また、貫通孔113aの開口面積は、平面透視して、第一水晶素子120の他端の面積よりも大きくなっている。また、基板110aの一辺と平行となる貫通孔113aの辺の長さは、0.50〜1.3mmとなる。また、基板110aの一辺と交わる辺と平行となる貫通孔113の辺の長さは、0.25〜0.40mmとなる。基板110aの一辺と平行となる第一水晶素子120の他端の辺の長さは、0.4〜1.2mmとなる。基板110aの一辺と交わる辺となる第一水晶素子120の他端の辺の長さは、0.1〜0.3mmとなる。このようにすることにより、第一水晶素子120の他端が下方向に下がっても、第一水晶素子120の他端が基板110aに接触することを低減することができる。   The through hole 113a has a rectangular shape and is provided so as to penetrate in the vertical direction of the substrate 110a. The through hole 113a is provided at a position overlapping the other end of the first crystal element 120 as seen in a plan view. In addition, the opening area of the through hole 113a is larger than the area of the other end of the first crystal element 120 in a plan view. The length of the side of the through hole 113a that is parallel to one side of the substrate 110a is 0.50 to 1.3 mm. In addition, the length of the side of the through hole 113 that is parallel to the side intersecting with one side of the substrate 110a is 0.25 to 0.40 mm. The length of the other end of the first crystal element 120 that is parallel to one side of the substrate 110a is 0.4 to 1.2 mm. The length of the side of the other end of the first crystal element 120 that is a side that intersects with one side of the substrate 110a is 0.1 to 0.3 mm. By doing in this way, even if the other end of the 1st crystal element 120 falls below, it can reduce that the other end of the 1st crystal element 120 contacts substrate 110a.

また、貫通孔113aは、平面透視して、第二水晶素子130の他端と重なる位置に設けられている。また、貫通孔113aの開口面積は、平面透視して、第二水晶素子130の他端の面積よりも大きくなっている。基板110aの一辺と平行となる第二水晶素子130の他端の辺の長さは、0.4〜1.2mmとなる。基板110aの一辺と交わる辺となる第二水晶素子130の他端の辺の長さは、0.1〜0.3mmとなる。また、このようにすることにより、第二水晶素子130の他端が上方向に上がっても、第二水晶素子130の他端が基板110aに接触することを低減することができる。   In addition, the through hole 113a is provided at a position overlapping the other end of the second crystal element 130 as seen in a plan view. In addition, the opening area of the through hole 113a is larger than the area of the other end of the second crystal element 130 in plan view. The length of the other end of the second crystal element 130 that is parallel to one side of the substrate 110a is 0.4 to 1.2 mm. The length of the side of the other end of the second crystal element 130 that is a side that intersects with one side of the substrate 110a is 0.1 to 0.3 mm. Moreover, by doing in this way, even if the other end of the 2nd crystal element 130 goes up, it can reduce that the other end of the 2nd crystal element 130 contacts the board | substrate 110a.

第一封止用導体パターン112aは、第一蓋体140と第一封止部材141を介して接合する際に、第一封止部材141の濡れ性をよくする役割を果たしている。また、第一封止用導体パターン112aは、基板110aの内部に形成されたビア導体V1及び配線パターンS1により第三外部接続用電極端子G3に接続されている。第三外部接続用電極端子G3は、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、第一封止用導体パターン112aに接合される第一蓋体140がグランドに接続されることとなり、第一蓋体140による第一収容空間K1内のシールド性が向上する。第一封止用導体パターン112aは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面に、ニッケルメッキ及び金メッキを順次、第一切欠き119aを環状に囲む形態である。第一封止用導体パターン112aは、例えば10〜25μmの厚みに形成されている。   The first sealing conductor pattern 112a plays a role of improving the wettability of the first sealing member 141 when the first sealing conductor pattern 112a is joined to the first lid 140 via the first sealing member 141. The first sealing conductor pattern 112a is connected to the third external connection electrode terminal G3 by the via conductor V1 and the wiring pattern S1 formed inside the substrate 110a. The third external connection electrode terminal G3 serves as a ground terminal by being connected to a mounting pad connected to the ground on the external mounting substrate. Therefore, the first lid 140 joined to the first sealing conductor pattern 112a is connected to the ground, and the shielding performance in the first accommodation space K1 by the first lid 140 is improved. The first sealing conductor pattern 112a has a form in which, for example, nickel plating and gold plating are sequentially provided on the surface of a conductor pattern made of tungsten, molybdenum, or the like, and the first notch 119a is annularly surrounded. The first sealing conductor pattern 112a is formed to a thickness of 10 to 25 μm, for example.

第二封止用導体パターン112bは、第二蓋体150と第二封止部材151を介して接合する際に、第二封止部材151の濡れ性をよくする役割を果たしている。また、第二封止用導体パターン112bは、基板110aの内部に形成されたビア導体V1及び配線パターンS1により第三外部接続用電極端子G3に接続されている。第三外部接続用電極端子G3は、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、第二封止用導体パターン112bに接合される第二蓋体150がグランドに接続されることとなり、第二蓋体150による第二収容空間K2内のシールド性が向上する。第二封止用導体パターン112bは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面に、ニッケルメッキ及び金メッキを順次、第二切欠き119bを環状に囲む形態である。第二封止用導体パターン112bは、例えば10〜25μmの厚みに形成されている。   The second sealing conductor pattern 112 b plays a role of improving the wettability of the second sealing member 151 when the second sealing conductor pattern 112 b is joined to the second lid 150 via the second sealing member 151. The second sealing conductor pattern 112b is connected to the third external connection electrode terminal G3 by the via conductor V1 and the wiring pattern S1 formed inside the substrate 110a. The third external connection electrode terminal G3 serves as a ground terminal by being connected to a mounting pad connected to the ground on the external mounting substrate. Therefore, the second lid 150 joined to the second sealing conductor pattern 112b is connected to the ground, and the shielding performance in the second accommodation space K2 by the second lid 150 is improved. The second sealing conductor pattern 112b has a form in which the surface of a conductor pattern made of, for example, tungsten or molybdenum is sequentially surrounded by nickel plating and gold plating, and the second notch 119b is annularly surrounded. The second sealing conductor pattern 112b is formed to a thickness of 10 to 25 μm, for example.

第一外部接続用電極端子G1は、第一枠体110bの上面に設けられ、第二外部接続用電極端子G2は、第二枠体110cの下面に設けられている。このようにすることによって、水晶デバイスの上下どちらの方向でも実装することができる。   The first external connection electrode terminal G1 is provided on the upper surface of the first frame 110b, and the second external connection electrode terminal G2 is provided on the lower surface of the second frame 110c. By doing in this way, it can be mounted in either the top or bottom direction of the crystal device.

導電性接着剤160は、平面視して第一電極パッド111上に広がって形成されるとともに、第一水晶素子120の第一励振用電極122と間をあけて配置されている。水晶デバイスは、導電性接着剤160と第一励振用電極122とが間を空けて配置されていることにより、導電性接着剤160が第一励振用電極122に付着することで生じる短絡を低減することができる。また、導電性接着剤160は、平面視して第二電極パッド114上に広がって形成されるとともに、第二水晶素子130の第二励振用電極132と間をあけて配置されている。水晶デバイスは、導電性接着剤160と第二励振用電極132とが間を空けて配置されていることにより、導電性接着剤160が第二励振用電極132に付着することで生じる短絡を低減することができる。   The conductive adhesive 160 is formed so as to spread on the first electrode pad 111 in a plan view, and is disposed so as to be spaced from the first excitation electrode 122 of the first crystal element 120. In the quartz crystal device, the conductive adhesive 160 and the first excitation electrode 122 are spaced apart from each other, thereby reducing a short circuit caused by the conductive adhesive 160 adhering to the first excitation electrode 122. can do. Further, the conductive adhesive 160 is formed so as to spread on the second electrode pad 114 in plan view, and is disposed so as to be spaced from the second excitation electrode 132 of the second crystal element 130. In the quartz crystal device, the conductive adhesive 160 and the second excitation electrode 132 are arranged with a space therebetween, thereby reducing a short circuit caused by the conductive adhesive 160 adhering to the second excitation electrode 132. can do.

ここで、パッケージ110の作製方法について説明する。基板110a、第一枠体110b及び第二枠体110cがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の第一電極パッド111、第二電極パッド114、第一外部接続用電極端子G1又は第二外部接続用電極端子G2となる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又はパラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。   Here, a method for manufacturing the package 110 will be described. When the substrate 110a, the first frame 110b, and the second frame 110c are made of alumina ceramics, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder is prepared. In addition, a predetermined conductor paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or a through-hole previously punched by punching the ceramic green sheet by screen printing or the like. Further, these green sheets are laminated and press-molded and fired at a high temperature. Finally, nickel is applied to a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, a portion to be a pair of first electrode pad 111, second electrode pad 114, first external connection electrode terminal G1, or second external connection electrode terminal G2. It is produced by plating or gold plating. The conductor paste is made of, for example, a sintered body of metal powder such as tungsten, molybdenum, copper, silver, or palladium.

第一水晶素子120及び第二水晶素子130は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して第一電極パッド111及び第二電極パッド114上に接合されている。第一水晶素子120及第二水晶素子130は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。   As shown in FIG. 2, the first crystal element 120 and the second crystal element 130 are bonded onto the first electrode pad 111 and the second electrode pad 114 via a conductive adhesive 140. The first crystal element 120 and the second crystal element 130 serve to oscillate a reference signal of an electronic device or the like by stable mechanical vibration and a piezoelectric effect.

第一水晶素子120は、図2(a)に示されているように、第一水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに第一励振用電極122、第一接続用電極123及び第一引き出し電極124を被着させた構造を有している。第一励振用電極122は、第一水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。第一引き出し電極124は、第一励振用電極122から第一水晶素板121の短辺に向かって延出されている。第一接続用電極123は、第一引き出し電極124と接続されており、第一水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。   As shown in FIG. 2A, the first crystal element 120 includes a first excitation electrode 122, a first connection electrode 123, and a first lead-out on the upper surface and the lower surface of the first crystal base plate 121, respectively. The electrode 124 is attached. The first excitation electrode 122 is obtained by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on each of the upper surface and the lower surface of the first quartz base plate 121. The first extraction electrode 124 extends from the first excitation electrode 122 toward the short side of the first quartz base plate 121. The first connection electrode 123 is connected to the first lead electrode 124 and is provided in a shape along the long side or the short side of the first crystal element plate 121.

第二水晶素子130は、図2(a)に示されているように、第二水晶素板131の上面及び下面のそれぞれに第二励振用電極132、第二接続用電極133及び第二引き出し電極134を被着させた構造を有している。第二励振用電極132は、第二水晶素板131の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。第二引き出し電極134は、第二励振用電極132から第二水晶素板131の短辺に向かって延出されている。第二接続用電極123は、第二引き出し電極134と接続されており、第二水晶素板131の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。   As shown in FIG. 2A, the second crystal element 130 has a second excitation electrode 132, a second connection electrode 133, and a second lead-out on the upper and lower surfaces of the second crystal base plate 131, respectively. It has a structure in which an electrode 134 is deposited. The second excitation electrode 132 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on the upper surface and the lower surface of the second quartz base plate 131. The second extraction electrode 134 extends from the second excitation electrode 132 toward the short side of the second crystal element plate 131. The second connection electrode 123 is connected to the second lead electrode 134 and is provided in a shape along the long side or the short side of the second crystal element plate 131.

本実施形態においては、第一電極パッド111と接続されている第一水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片保持構造にて第一水晶素子120が基板110a上に固定されている。また、第二電極パッド114と接続されている第二水晶素子130の一端を基板110aの下面と接続した固定端とし、他端を基板110aの下面と間を空けた自由端とした片保持構造にて第二水晶素子120が基板110a上に固定されている。   In the present embodiment, one end of the first crystal element 120 connected to the first electrode pad 111 is a fixed end connected to the upper surface of the substrate 110a, and the other end is a free end spaced from the upper surface of the substrate 110a. The first crystal element 120 is fixed on the substrate 110a with the piece holding structure. One-side holding structure in which one end of the second crystal element 130 connected to the second electrode pad 114 is a fixed end connected to the lower surface of the substrate 110a and the other end is a free end spaced from the lower surface of the substrate 110a. The second crystal element 120 is fixed on the substrate 110a.

ここで、第一水晶素子120の動作について説明する。第一水晶素子120は、外部からの交番電圧が第一接続用電極123から第一引き出し電極124及び第一励振用電極122を介して第一水晶素板121に印加されると、第一水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。また、第二水晶素子130も、第一水晶素子120と同様の動作を行うことになる。   Here, the operation of the first crystal element 120 will be described. When an alternating voltage from the outside is applied from the first connection electrode 123 to the first crystal element plate 121 via the first extraction electrode 124 and the first excitation electrode 122, the first crystal element 120 The base plate 121 is excited in a predetermined vibration mode and frequency. Also, the second crystal element 130 performs the same operation as the first crystal element 120.

ここで、第一水晶素子120の作製方法について説明する。まず、第一水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、第一水晶素板121の外周の厚みを薄くし、第一水晶素板121の外周部と比べて第一水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、第一水晶素子120は、第一水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、第一励振用電極122、第一接続用電極123及び第一引き出し電極124を形成することにより作製される。また、第二水晶素子130も、第一水晶素子120と同様の作製方法を行うことになる。   Here, a manufacturing method of the first crystal element 120 will be described. First, the first crystal element 120 is cut from the artificial crystalline lens at a predetermined cut angle, the outer periphery of the first crystal element plate 121 is thinned, and the first crystal element is compared with the outer periphery of the first crystal element plate 121. A bevel process is performed so that the central portion of the plate 121 is thickened. The first crystal element 120 is formed by depositing a metal film on both main surfaces of the first crystal base plate 121 by a photolithography technique, a vapor deposition technique, or a sputtering technique, so that the first excitation electrode 122, the first connection It is produced by forming the electrode for electrode 123 and the first extraction electrode. In addition, the second crystal element 130 is manufactured by the same manufacturing method as the first crystal element 120.

第一水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤160は、例えばディスペンサによって、第一電極パッド111上にして塗布される。第一水晶素子120は、導電性接着剤160上に搬送される。さらに、第一水晶素子120は、第一水晶素板121の固定端側の外周縁が、平面視して、基板110aの一辺と平行であるようにして導電性接着剤160上に載置される。そして導電性接着剤160は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。よって、第一水晶素子120は、一対の電極パッド111に接合される。また、第二水晶素子130も、第一水晶素子120と同様の基板110aへ接合方法を行うことになる。   A method for bonding the first crystal element 120 to the substrate 110a will be described. First, the conductive adhesive 160 is applied on the first electrode pad 111 by a dispenser, for example. The first crystal element 120 is conveyed onto the conductive adhesive 160. Further, the first crystal element 120 is placed on the conductive adhesive 160 such that the outer peripheral edge on the fixed end side of the first crystal element plate 121 is parallel to one side of the substrate 110a in plan view. The The conductive adhesive 160 is cured and contracted by being heated and cured. Therefore, the first crystal element 120 is bonded to the pair of electrode pads 111. The second crystal element 130 is also bonded to the same substrate 110a as the first crystal element 120.

導電性接着剤160は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。   The conductive adhesive 160 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as a silicone resin. Examples of the conductive powder include aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, One containing either nickel or nickel iron, or a combination thereof is used. Moreover, as a binder, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used, for example.

第一蓋体140は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような第一蓋体140は、真空状態にある第一収容空間K1又は窒素ガスなどが充填された第一収容空間K1を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、パッケージ110の第一枠体110b上に載置され、第一枠体110bの第一封止用導体パターン112aと第一蓋体140の第一封止部材141とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第一枠体110bの第一切欠き119a内に接合される。   The 1st cover body 140 consists of an alloy containing at least any one of iron, nickel, or cobalt, for example. Such a first lid 140 is for hermetically sealing the first housing space K1 in a vacuum state or the first housing space K1 filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the lid body 130 is placed on the first frame body 110b of the package 110 in a predetermined atmosphere, and the first sealing conductor pattern 112a of the first frame body 110b and the first lid body 140 of the first lid body 140 are placed. By performing seam welding by applying a predetermined current so that the one sealing member 141 is welded, the first sealing member 141 is joined to the first notch 119a of the first frame 110b.

第一封止部材141は、パッケージ110の第一枠体110bの内側に設けられた第一切欠き119aの上面の設けられた第一封止用導体パターン112aに相対する第一蓋体140の箇所に設けられている。第一凹部142は、矩形状であり、第一蓋体140の下面に設けられている。第一凹部142は、平面透視して、第一水晶素子120の他端と重なる位置に設けられている。また、第一蓋体140の一辺と平行となる第一凹部142の辺の長さは、0.50〜1.3mmとなる。また、第一蓋体140の一辺と交わる辺と平行となる第一凹部142の辺の長さは、0.25〜0.40mmとなる。また、第一凹部142の上下方向の深さは、25〜35μmである。   The first sealing member 141 is formed of the first lid 140 facing the first sealing conductor pattern 112a provided on the upper surface of the first notch 119a provided inside the first frame 110b of the package 110. It is provided in the place. The first recess 142 has a rectangular shape and is provided on the lower surface of the first lid 140. The first concave portion 142 is provided at a position overlapping the other end of the first crystal element 120 as seen in a plan view. Moreover, the length of the side of the 1st recessed part 142 parallel to one side of the 1st cover body 140 will be 0.50-1.3 mm. Moreover, the length of the side of the 1st recessed part 142 parallel to the edge | side which cross | intersects one edge | side of the 1st cover body 140 will be 0.25-0.40mm. Moreover, the depth of the up-down direction of the 1st recessed part 142 is 25-35 micrometers.

第二蓋体150は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような第二蓋体150は、真空状態にある第二収容空間K2又は窒素ガスなどが充填された第二収容空間K2を気密的に封止するためのものである。具体的には、第二蓋体150は、所定雰囲気で、パッケージ110の第三枠体110d上に載置され、第三枠体110bの第二封止用導体パターン112bと第二蓋体150の第二封止部材151とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第二枠体110cの第二切欠き119b内に接合される。   The second lid 150 is made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt. The second lid 150 is for hermetically sealing the second housing space K2 in a vacuum state or the second housing space K2 filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the second lid 150 is placed on the third frame 110d of the package 110 in a predetermined atmosphere, and the second sealing conductor pattern 112b and the second lid 150 of the third frame 110b. The second sealing member 151 is joined to the second notch 119b of the second frame 110c by performing seam welding by applying a predetermined current so that the second sealing member 151 is welded.

また、第二封止部材151は、パッケージ110の第二枠体110cの内側に設けられた第二切欠き119bの下面に設けられた第二封止用導体パターン112bに相対する第二蓋体150の箇所に設けられている。第二凹部152は、矩形状であり、第二蓋体の150の下面に設けられている。第二凹部152は、平面透視して、第二水晶素子130の他端と重なる位置に設けられている。また、第二蓋体150の一辺と平行となる第二凹部152の辺の長さは、0.50〜1.3mmとなる。また、第二蓋体150の一辺と交わる辺と平行となる第二凹部152の辺の長さは、0.25〜0.40mmとなる。また、第二凹部152の上下方向の深さは、25〜35μmである。   In addition, the second sealing member 151 is a second lid that faces the second sealing conductor pattern 112b provided on the lower surface of the second notch 119b provided inside the second frame 110c of the package 110. It is provided at 150 locations. The second recess 152 has a rectangular shape and is provided on the lower surface of the second lid 150. The second recess 152 is provided at a position overlapping the other end of the second crystal element 130 as seen in a plan view. Moreover, the length of the side of the 2nd recessed part 152 parallel to one side of the 2nd cover body 150 will be 0.50-1.3 mm. Moreover, the length of the side of the 2nd recessed part 152 parallel to the side which cross | intersects one side of the 2nd cover body 150 will be 0.25-0.40 mm. Moreover, the depth of the up-down direction of the 2nd recessed part 152 is 25-35 micrometers.

第一封止部材141は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、10〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。また、第二封止部材151は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、10〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。   The first sealing member 141 is provided by, for example, silver solder or gold tin. In the case of gold tin, the thickness is 10 to 40 μm. For example, the component ratio is 78 to 82% for gold and 18 to 22% for tin. In the case of silver wax, the thickness is 10 to 20 μm. For example, the component ratio is 72 to 85% for silver and 15 to 28% for copper. Further, the second sealing member 151 is provided by, for example, silver solder or gold tin. In the case of gold tin, the thickness is 10 to 40 μm. For example, the component ratio is 78 to 82% for gold and 18 to 22% for tin. In the case of silver wax, the thickness is 10 to 20 μm. For example, the component ratio is 72 to 85% for silver and 15 to 28% for copper.

本実施形態における水晶デバイスは、第一水晶素子120の他端及び第二水晶素子130の他端が、平面透視して貫通孔113a、第一凹部142及び第二凹部152と重なる。そのため、水晶デバイスの第二蓋体150を下にして、第二外部接続用電極端子G2を用いて電子機器等のマザーボードに実装したとしても、第一水晶素子120の他端及び第一励振用電極は、基板110aに接触せず、第二水晶素子130の他端及び第二励振用電極132は、第二蓋体150に接触しない。また、水晶デバイスの第一蓋体140を下にして、第一外部接続用電極端子G1を用いて電子機器等のマザーボードに実装したとしても、第一水晶素子120の他端及び第一励振用電極122は、第一蓋体140に接触せず、第二水晶素子130の他端及び第二励振用電極132は、基板110aに接触しない。よって、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の厚みすべり振動が阻害されにくくすることができ、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の両方とも安定して発振周波数を出力することができる。   In the crystal device according to the present embodiment, the other end of the first crystal element 120 and the other end of the second crystal element 130 overlap with the through hole 113a, the first recess 142, and the second recess 152 when seen in a plan view. Therefore, even if the second lid 150 of the crystal device is faced down and mounted on a mother board such as an electronic device using the second external connection electrode terminal G2, the other end of the first crystal element 120 and the first excitation element are used. The electrode does not contact the substrate 110 a, and the other end of the second crystal element 130 and the second excitation electrode 132 do not contact the second lid 150. Even if the first lid 140 of the crystal device is faced down and mounted on a mother board such as an electronic device using the first external connection electrode terminal G1, the other end of the first crystal element 120 and the first excitation element are used. The electrode 122 does not contact the first lid 140, and the other end of the second crystal element 130 and the second excitation electrode 132 do not contact the substrate 110a. Therefore, the thickness shear vibration of the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can be made difficult to be inhibited, and both the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can stably output the oscillation frequency. it can.

(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
(First modification)
Hereinafter, the crystal device according to the first modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図5に示されているように、第一水晶素子120の一端と第二水晶素子130の一端とのみが、平面透視して重なるように設けられている点において、本実施形態と異なる。   As shown in FIG. 5, the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment is provided so that only one end of the first quartz crystal element 120 and one end of the second quartz crystal element 130 overlap each other as seen in a plan view. This is different from the present embodiment.

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、第一水晶素子120の他端及び第二水晶素子130の他端が、平面透視して貫通孔113a、第一凹部142及び第二凹部152と重なる。よって、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の厚みすべり振動が阻害されにくくすることができ、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の両方とも安定して発振周波数を出力することができる。   The quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment includes a through hole 113a, a first concave portion 142, and a second concave portion 152 when the other end of the first quartz crystal element 120 and the other end of the second quartz crystal element 130 are seen through the plane. Overlap. Therefore, the thickness shear vibration of the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can be made difficult to be inhibited, and both the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can stably output the oscillation frequency. it can.

本実施形態の第一変形例では、第一水晶素子120と第二水晶素子130によってなす角度が180°の場合を説明したが、第一水晶素子120と第二水晶素子130によってなす角度が90°であっても構わない。   In the first modification of the present embodiment, the case where the angle formed by the first crystal element 120 and the second crystal element 130 is 180 ° has been described. However, the angle formed by the first crystal element 120 and the second crystal element 130 is 90 °. It may be °.

(第二変形例)
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
(Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図6に示されているように、貫通孔113bの平面視した形状の面積が、第一水晶素子120の第一励振用電極122又は第二水晶素子130の第二励振用電極132の面積よりも大きい点で本実施形態と異なる。   As shown in FIG. 6, the crystal device in the second modification example of the present embodiment has the area of the shape of the through hole 113 b in plan view, the first excitation electrode 122 of the first crystal element 120 or the second excitation electrode 122. This embodiment is different from the present embodiment in that it is larger than the area of the second excitation electrode 132 of the crystal element 130.

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、貫通孔113bの平面視した形状の面積が、第一水晶素子120の第一励振用電極122又は第二水晶素子130の第二励振用電極132の面積よりも大きい。従って、第一水晶素子120又は第二水晶素子130が撓んだとしても、第一励振用電極122又は第二励振用電極132が基板110と接触することがないため、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の厚みすべり振動が効果的に阻害されにくくすることができ、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の両方ともさらに安定して発振周波数を出力することができる。   In the crystal device according to the second modification of the present embodiment, the area of the shape of the through hole 113b in a plan view has the first excitation electrode 122 of the first crystal element 120 or the second excitation electrode 132 of the second crystal element 130. Is larger than the area. Therefore, even if the first crystal element 120 or the second crystal element 130 is bent, the first excitation electrode 122 or the second excitation electrode 132 does not come into contact with the substrate 110. The thickness shear vibration of the second crystal element 130 can be effectively prevented from being hindered, and both the first crystal element 120 and the second crystal element 130 can output the oscillation frequency more stably.

また、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、第一水晶素子120の第一励振用電極122と第二水晶素子130の第二励振用電極132との間に基板110aが介在されていない。従って、第一水晶素子120の第一励振用電極122と第二水晶素子130の第二励振用電極132との間が真空状態の空間となっているため、基板110aの材質である例えばアルミナの誘電率と比し、真空状態の空間の誘電率の方が小さくなるので、第一水晶素子120の第一励振用電極122と第二水晶素子130の第二励振用電極132との間に発生する浮遊容量を小さくすることができる。   Further, in the crystal device according to the second modification of the present embodiment, the substrate 110 a is interposed between the first excitation electrode 122 of the first crystal element 120 and the second excitation electrode 132 of the second crystal element 130. Absent. Therefore, since the space between the first excitation electrode 122 of the first crystal element 120 and the second excitation electrode 132 of the second crystal element 130 is a vacuum state, the material of the substrate 110a such as alumina is used. Since the dielectric constant of the vacuum space is smaller than the dielectric constant, it is generated between the first excitation electrode 122 of the first crystal element 120 and the second excitation electrode 132 of the second crystal element 130. The stray capacitance to be reduced can be reduced.

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、第一水晶素子120又は第二水晶素子130は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。   In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above embodiment, the case where the first crystal element 120 or the second crystal element 130 uses an AT crystal element has been described. However, two flat plate-like vibrations extending in the same direction from the base and the side surface of the base are described. A tuning fork type bent quartz element having an arm portion may be used.

また、第一水晶素子120又は第二水晶素子130は、水晶素板の外周の厚みを薄くし、水晶素板の外周部と比べて水晶素板の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、第一水晶素子又は第二水晶素子のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。   Further, the first crystal element 120 or the second crystal element 130 is beveled so that the thickness of the outer periphery of the crystal element plate is thin and the center part of the crystal element plate is thicker than the outer periphery of the crystal element plate. You may use. A bevel processing method for the first crystal element or the second crystal element will be described. A polishing material provided with media and abrasive grains of a predetermined particle size, and a quartz base plate formed to a predetermined size are prepared. The prepared abrasive and quartz base plate are placed in the cylindrical body, and the open end of the cylindrical body is closed with a cover. A beveling process is performed by polishing a quartz base plate that rotates a cylindrical body in which an abrasive and a quartz base plate are placed with the central axis of the cylindrical body as a rotation axis.

110・・・パッケージ
110a・・・基板
110b・・・第一枠体
110c・・・第二枠体
111・・・第一電極パッド
112a・・・第一封止用導体パターン
112b・・・第二封止用導体パターン
113a、113b・・・貫通孔
114・・・第二電極パッド
115・・・第一配線パターン
116・・・第一ビア導体
117・・・第二配線パターン
118・・・第二ビア導体
119a・・・第一切欠き
119b・・・第二切欠き
120・・・第一水晶素子
121・・・第一水晶素板
122・・・第一励振用電極
123・・・第一接続用電極
124・・・第一引き出し電極
130・・・第二水晶素子
131・・・第二水晶素板
132・・・第二励振用電極
133・・・第二接続用電極
134・・・第二引き出し電極
140・・・第一蓋体
141・・・第一封止部材
142・・・第一凹部
150・・・第二蓋体
151・・・第二封止部材
152・・・第二凹部
160・・・導電性接着剤
K1・・・第一収容空間
K2・・・第二収容空間
G1・・・第一外部接続用端子
G2・・・第二外部接続用端子
110 ... package 110a ... substrate 110b ... first frame 110c ... second frame 111 ... first electrode pad 112a ... first sealing conductor pattern 112b ... first Two sealing conductor patterns 113a, 113b ... through hole 114 ... second electrode pad 115 ... first wiring pattern 116 ... first via conductor 117 ... second wiring pattern 118 ... Second via conductor 119a ... first notch 119b ... second notch 120 ... first crystal element 121 ... first crystal element plate 122 ... first excitation electrode 123 ... First connection electrode 124 ... first extraction electrode 130 ... second crystal element 131 ... second crystal element plate 132 ... second excitation electrode 133 ... second connection electrode 134 ..Second extraction electrode 14 DESCRIPTION OF SYMBOLS 0 ... 1st cover body 141 ... 1st sealing member 142 ... 1st recessed part 150 ... 2nd cover body 151 ... 2nd sealing member 152 ... 2nd recessed part 160-・ ・ Conductive adhesive K1 ・ ・ ・ First storage space K2 ・ ・ ・ Second storage space G1 ・ ・ ・ First external connection terminal G2 ・ ・ ・ Second external connection terminal

Claims (4)

貫通孔を有する基板と、
前記基板の上面に設けられ、一端が前記基板の上面と固定され、他端が前記基板の上面と間が空いた第一水晶素子と、
前記基板の下面に設けられ、一端が前記基板の下面と固定され、他端が前記基板の下面と間が空いた第二水晶素子と、
前記基板の上面に設けられ、前記第一水晶素子を封止するとともに、下面に第一凹部を有する第一蓋体と、
前記基板の下面に設けられ、前記第二水晶素子を封止するとともに、上面に第二凹部を有する第二蓋体と、を備え、
前記第一水晶素子の他端及び前記第二水晶素子の他端が、平面透視して前記貫通孔、前記第一凹部及び前記第二凹部と重なることを特徴とする水晶デバイス。
A substrate having a through hole;
A first crystal element provided on the upper surface of the substrate, one end fixed to the upper surface of the substrate and the other end spaced from the upper surface of the substrate;
A second crystal element provided on the lower surface of the substrate, having one end fixed to the lower surface of the substrate and the other end spaced from the lower surface of the substrate;
A first lid that is provided on the upper surface of the substrate, seals the first crystal element, and has a first recess on the lower surface;
A second lid body provided on the lower surface of the substrate, sealing the second crystal element, and having a second recess on the upper surface;
The other end of the first crystal element and the other end of the second crystal element overlap with the through-hole, the first recess, and the second recess in a plan view.
請求項1記載の水晶デバイスであって、
前記第一水晶素子の一端と前記第二水晶素子の一端とが、平面透視して重なることを特徴とする水晶デバイス。
The crystal device according to claim 1,
One end of the first crystal element and one end of the second crystal element overlap each other in a plan view.
請求項1又は請求項2記載の水晶デバイスであって、
前記基板には、上面に第一枠部と、下面に第二枠部と、を備え
前記第一枠体の上端の外側に設けられた第一外部接続用電極端子と、前記第二枠体の下端の外側に設けられた第二外部端子と、を有していることを特徴とする水晶デバイス
The quartz crystal device according to claim 1 or 2,
The substrate includes a first frame portion on an upper surface and a second frame portion on a lower surface, and a first external connection electrode terminal provided on an outer side of an upper end of the first frame body, and the second frame body. And a second external terminal provided outside the lower end of the quartz device
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の水晶デバイスであって、
前記第一水晶素子は、矩形状の第一水晶素板と、前記第一水晶素板の上下面に設けられた第一励振用電極とを有し、
前記第二水晶素子は、矩形状の第二水晶素板と、前記第二水晶素板の上下面に設けられた第二励振用電極とを有し、
前記貫通孔の平面視した形状の面積が、前記第一励振用電極又は前記第二励振用電極の面積よりも大きいことを特徴とする水晶デバイス。
The quartz crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The first crystal element has a rectangular first crystal element plate and first excitation electrodes provided on the upper and lower surfaces of the first crystal element plate,
The second crystal element has a rectangular second crystal element plate, and second excitation electrodes provided on the upper and lower surfaces of the second crystal element plate,
The quartz crystal device, wherein an area of the shape of the through hole in plan view is larger than an area of the first excitation electrode or the second excitation electrode.
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