JP2014107649A - Quartz device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。基板の上面に実装された第一水晶素子と、基板の下面に実装された第二水晶素子とを備えた水晶デバイスが提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。第一水晶素子及び第二水晶素子は、水晶素板の両主面に励振用電極を有しており、水晶素板の一端を基板の上面と接続した固定端とし、他端を基板の上面と間を空けた自由端とした片保持構造となる。
The crystal device generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. A crystal device including a first crystal element mounted on the upper surface of a substrate and a second crystal element mounted on the lower surface of the substrate has been proposed (for example, see
上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に実装する第一水晶素子及び第二水晶素子も小型化になっている。従来の電極パッド上に導電性接着剤を塗布し、第一水晶素子及び第二水晶素子を導電性接着剤の上面に載置すると、第一水晶素子又は第二水晶素子の自由端又は励振用電極が基板に接触し、振動が阻害されて、第一水晶素子又は第二水晶素子のどちらかの発振周波数が変動してしまう虞があった。 The above-described crystal device is remarkably miniaturized, but the first crystal element and the second crystal element mounted on the substrate are also miniaturized. When a conductive adhesive is applied on a conventional electrode pad and the first crystal element and the second crystal element are placed on the upper surface of the conductive adhesive, the free end of the first crystal element or the second crystal element or for excitation There is a possibility that the electrode comes into contact with the substrate and the vibration is inhibited, so that the oscillation frequency of either the first crystal element or the second crystal element fluctuates.
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、2つの水晶素子ともに安定して発振周波数を出力することができる水晶デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a crystal device that can stably output an oscillation frequency for both two crystal elements.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、貫通孔を有する基板と、基板の上面に設けられ、一端が基板の上面と固定され、他端が基板の上面と間が空いた第一水晶素子と、基板の下面に設けられ、一端が基板の下面と固定され、他端が基板の下面と間が空いた第二水晶素子と、基板の上面に設けられ、第一水晶素子を封止するとともに、下面に第一凹部を有する第一蓋体と、基板の下面に設けられ、第二水晶素子を封止するとともに、上面に第二凹部を有する第二蓋体と、を備え、第一水晶素子の他端及び第二水晶素子の他端が、平面透視して貫通孔、第一凹部及び第二凹部と重なることを特徴とするものである。 A crystal device according to an aspect of the present invention includes a substrate having a through hole, a first crystal element provided on the upper surface of the substrate, one end fixed to the upper surface of the substrate, and the other end spaced from the upper surface of the substrate. A second crystal element provided on the lower surface of the substrate, one end fixed to the lower surface of the substrate and the other end spaced from the lower surface of the substrate, and provided on the upper surface of the substrate to seal the first crystal element A first lid having a first recess on the lower surface and a second lid provided on the lower surface of the substrate for sealing the second crystal element and having a second recess on the upper surface. The other end of the element and the other end of the second crystal element overlap with the through hole, the first recess, and the second recess as seen in a plan view.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、第一水晶素子の他端及び第二水晶素子の他端が、平面透視して貫通孔、第一凹部及び第二凹部と重なることによって、第一水晶素子及び第二水晶素子の他端又は励振用電極が基板に接触することを低減することができる。よって、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されることがないため、第一水晶素子及び第二水晶素子の両方とも安定して発振周波数を出力することができる。 The quartz crystal device according to one aspect of the present invention is configured such that the other end of the first quartz element and the other end of the second quartz element overlap with the through hole, the first recess, and the second recess when seen in a plan view. It can reduce that the other end of an element and a 2nd crystal element, or the electrode for excitation contacts a board | substrate. Therefore, since the thickness shear vibration of the crystal element is not inhibited, both the first crystal element and the second crystal element can stably output the oscillation frequency.
本実施形態における水晶デバイスは、図1〜図3に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の基板110aに接合された水晶素子120とを含んでいる。パッケージ110は、基板110aの上面と第一枠体110bの内側面によって囲まれた第一収容空間K1が形成されている。また、パッケージ110は、基板110aの下面と第二枠体110cとの内側面によって囲まれた第二収容空間K2が形成されている。
The crystal device in this embodiment includes a
基板110aは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子120を支持するための支持部材として機能するものである。基板110aは、基板110aの上面に、第一水晶素子120を接合するための第一電極パッド111が設けられ、基板110aの下面に、第二水晶素子130を接合するための第二電極パッド114が設けられている。基板110aには、上下方向に貫通する貫通孔113aが設けられている。
The substrate 110a has a rectangular shape and functions as a support member for supporting the
基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を1層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面及び内部には、上面に設けられた第一電極パッド111と、第一枠体110bの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2とを電気的に接続するための第一配線パターン115及び第一ビア導体116が設けられている。また、基板110aの表面及び内部には、下面に設けられた第二電極パッド114と、第二枠体110cの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2とを電気的に接続するための第二配線パターン117及び第二ビア導体118が設けられている。
The substrate 110a is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110a may be one using one insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. The
第一枠体110bは、基板110aの上面に配置され、基板110aの上面に第一収容空間K1を形成するためのものである。第二枠体110cは、基板110aの下面に配置され、基板110aの下面に第二収容空間K2を形成するためのものである。第一枠体110b及び第二枠体110cは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。第一枠体110bの内側には、囲むように設けられた第一切欠き119aが設けられている。第二枠体110cの内側には、囲むように設けられた第二切欠き119bが設けられている。 The first frame 110b is disposed on the upper surface of the substrate 110a and is for forming the first accommodation space K1 on the upper surface of the substrate 110a. The second frame 110c is disposed on the lower surface of the substrate 110a and is for forming the second accommodation space K2 on the lower surface of the substrate 110a. The first frame 110b and the second frame 110c are made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and are formed integrally with the substrate 110a. Inside the first frame 110b, a first notch 119a provided so as to surround is provided. A second notch 119b is provided inside the second frame 110c so as to surround the second frame 110c.
第一枠体110bの内側に設けられた第一切欠き119aの上面には、第一封止用導体パターン112aが設けられている。第一枠部110bの上面には、第一外部接続用電極端子G1が設けられている。第二枠体110cの内側に設けられた第二切欠き119bの下面には、第二封止用導体パターン112bが設けられている。第二枠体110cの下面には、第二外部接続用電極端子G2が設けられている。
A first sealing conductor pattern 112a is provided on the upper surface of the first notch 119a provided inside the first frame 110b. A first external connection electrode terminal G1 is provided on the upper surface of the first frame portion 110b. A second
第一電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。第一電極パッド111は、図4(a)に示されているように基板110aの上面に設けられた第一配線パターン115と第一ビア導体116を介して、第一枠体110bの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2と電気的に接続されている。
The
第二電極パッド114は、基板110aの下面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。また、第二電極パッド114は、第一電極パッド111の直下に位置するように設けられている。第二電極パッド114は、図4(b)に示されているように基板110aの下面に設けられた第二配線パターン117と第二ビア導体118を介して、第一枠体110bの上面に設けられた第一外部接続用電極端子G1及び第二枠体110cの下面に設けられた第二外部接続用電極端子G2と電気的に接続されている。
The
貫通孔113aは、矩形状であり、基板110aの上下方向に貫通するように設けられている。貫通孔113aは、平面透視して、第一水晶素子120の他端と重なる位置に設けられている。また、貫通孔113aの開口面積は、平面透視して、第一水晶素子120の他端の面積よりも大きくなっている。また、基板110aの一辺と平行となる貫通孔113aの辺の長さは、0.50〜1.3mmとなる。また、基板110aの一辺と交わる辺と平行となる貫通孔113の辺の長さは、0.25〜0.40mmとなる。基板110aの一辺と平行となる第一水晶素子120の他端の辺の長さは、0.4〜1.2mmとなる。基板110aの一辺と交わる辺となる第一水晶素子120の他端の辺の長さは、0.1〜0.3mmとなる。このようにすることにより、第一水晶素子120の他端が下方向に下がっても、第一水晶素子120の他端が基板110aに接触することを低減することができる。
The through hole 113a has a rectangular shape and is provided so as to penetrate in the vertical direction of the substrate 110a. The through hole 113a is provided at a position overlapping the other end of the
また、貫通孔113aは、平面透視して、第二水晶素子130の他端と重なる位置に設けられている。また、貫通孔113aの開口面積は、平面透視して、第二水晶素子130の他端の面積よりも大きくなっている。基板110aの一辺と平行となる第二水晶素子130の他端の辺の長さは、0.4〜1.2mmとなる。基板110aの一辺と交わる辺となる第二水晶素子130の他端の辺の長さは、0.1〜0.3mmとなる。また、このようにすることにより、第二水晶素子130の他端が上方向に上がっても、第二水晶素子130の他端が基板110aに接触することを低減することができる。 In addition, the through hole 113a is provided at a position overlapping the other end of the second crystal element 130 as seen in a plan view. In addition, the opening area of the through hole 113a is larger than the area of the other end of the second crystal element 130 in plan view. The length of the other end of the second crystal element 130 that is parallel to one side of the substrate 110a is 0.4 to 1.2 mm. The length of the side of the other end of the second crystal element 130 that is a side that intersects with one side of the substrate 110a is 0.1 to 0.3 mm. Moreover, by doing in this way, even if the other end of the 2nd crystal element 130 goes up, it can reduce that the other end of the 2nd crystal element 130 contacts the board | substrate 110a.
第一封止用導体パターン112aは、第一蓋体140と第一封止部材141を介して接合する際に、第一封止部材141の濡れ性をよくする役割を果たしている。また、第一封止用導体パターン112aは、基板110aの内部に形成されたビア導体V1及び配線パターンS1により第三外部接続用電極端子G3に接続されている。第三外部接続用電極端子G3は、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、第一封止用導体パターン112aに接合される第一蓋体140がグランドに接続されることとなり、第一蓋体140による第一収容空間K1内のシールド性が向上する。第一封止用導体パターン112aは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面に、ニッケルメッキ及び金メッキを順次、第一切欠き119aを環状に囲む形態である。第一封止用導体パターン112aは、例えば10〜25μmの厚みに形成されている。
The first sealing conductor pattern 112a plays a role of improving the wettability of the
第二封止用導体パターン112bは、第二蓋体150と第二封止部材151を介して接合する際に、第二封止部材151の濡れ性をよくする役割を果たしている。また、第二封止用導体パターン112bは、基板110aの内部に形成されたビア導体V1及び配線パターンS1により第三外部接続用電極端子G3に接続されている。第三外部接続用電極端子G3は、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、第二封止用導体パターン112bに接合される第二蓋体150がグランドに接続されることとなり、第二蓋体150による第二収容空間K2内のシールド性が向上する。第二封止用導体パターン112bは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面に、ニッケルメッキ及び金メッキを順次、第二切欠き119bを環状に囲む形態である。第二封止用導体パターン112bは、例えば10〜25μmの厚みに形成されている。
The second
第一外部接続用電極端子G1は、第一枠体110bの上面に設けられ、第二外部接続用電極端子G2は、第二枠体110cの下面に設けられている。このようにすることによって、水晶デバイスの上下どちらの方向でも実装することができる。 The first external connection electrode terminal G1 is provided on the upper surface of the first frame 110b, and the second external connection electrode terminal G2 is provided on the lower surface of the second frame 110c. By doing in this way, it can be mounted in either the top or bottom direction of the crystal device.
導電性接着剤160は、平面視して第一電極パッド111上に広がって形成されるとともに、第一水晶素子120の第一励振用電極122と間をあけて配置されている。水晶デバイスは、導電性接着剤160と第一励振用電極122とが間を空けて配置されていることにより、導電性接着剤160が第一励振用電極122に付着することで生じる短絡を低減することができる。また、導電性接着剤160は、平面視して第二電極パッド114上に広がって形成されるとともに、第二水晶素子130の第二励振用電極132と間をあけて配置されている。水晶デバイスは、導電性接着剤160と第二励振用電極132とが間を空けて配置されていることにより、導電性接着剤160が第二励振用電極132に付着することで生じる短絡を低減することができる。
The
ここで、パッケージ110の作製方法について説明する。基板110a、第一枠体110b及び第二枠体110cがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の第一電極パッド111、第二電極パッド114、第一外部接続用電極端子G1又は第二外部接続用電極端子G2となる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又はパラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
Here, a method for manufacturing the
第一水晶素子120及び第二水晶素子130は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して第一電極パッド111及び第二電極パッド114上に接合されている。第一水晶素子120及第二水晶素子130は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
As shown in FIG. 2, the
第一水晶素子120は、図2(a)に示されているように、第一水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに第一励振用電極122、第一接続用電極123及び第一引き出し電極124を被着させた構造を有している。第一励振用電極122は、第一水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。第一引き出し電極124は、第一励振用電極122から第一水晶素板121の短辺に向かって延出されている。第一接続用電極123は、第一引き出し電極124と接続されており、第一水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。
As shown in FIG. 2A, the
第二水晶素子130は、図2(a)に示されているように、第二水晶素板131の上面及び下面のそれぞれに第二励振用電極132、第二接続用電極133及び第二引き出し電極134を被着させた構造を有している。第二励振用電極132は、第二水晶素板131の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。第二引き出し電極134は、第二励振用電極132から第二水晶素板131の短辺に向かって延出されている。第二接続用電極123は、第二引き出し電極134と接続されており、第二水晶素板131の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。 As shown in FIG. 2A, the second crystal element 130 has a second excitation electrode 132, a second connection electrode 133, and a second lead-out on the upper and lower surfaces of the second crystal base plate 131, respectively. It has a structure in which an electrode 134 is deposited. The second excitation electrode 132 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on the upper surface and the lower surface of the second quartz base plate 131. The second extraction electrode 134 extends from the second excitation electrode 132 toward the short side of the second crystal element plate 131. The second connection electrode 123 is connected to the second lead electrode 134 and is provided in a shape along the long side or the short side of the second crystal element plate 131.
本実施形態においては、第一電極パッド111と接続されている第一水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片保持構造にて第一水晶素子120が基板110a上に固定されている。また、第二電極パッド114と接続されている第二水晶素子130の一端を基板110aの下面と接続した固定端とし、他端を基板110aの下面と間を空けた自由端とした片保持構造にて第二水晶素子120が基板110a上に固定されている。
In the present embodiment, one end of the
ここで、第一水晶素子120の動作について説明する。第一水晶素子120は、外部からの交番電圧が第一接続用電極123から第一引き出し電極124及び第一励振用電極122を介して第一水晶素板121に印加されると、第一水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。また、第二水晶素子130も、第一水晶素子120と同様の動作を行うことになる。
Here, the operation of the
ここで、第一水晶素子120の作製方法について説明する。まず、第一水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、第一水晶素板121の外周の厚みを薄くし、第一水晶素板121の外周部と比べて第一水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、第一水晶素子120は、第一水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、第一励振用電極122、第一接続用電極123及び第一引き出し電極124を形成することにより作製される。また、第二水晶素子130も、第一水晶素子120と同様の作製方法を行うことになる。
Here, a manufacturing method of the
第一水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤160は、例えばディスペンサによって、第一電極パッド111上にして塗布される。第一水晶素子120は、導電性接着剤160上に搬送される。さらに、第一水晶素子120は、第一水晶素板121の固定端側の外周縁が、平面視して、基板110aの一辺と平行であるようにして導電性接着剤160上に載置される。そして導電性接着剤160は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。よって、第一水晶素子120は、一対の電極パッド111に接合される。また、第二水晶素子130も、第一水晶素子120と同様の基板110aへ接合方法を行うことになる。
A method for bonding the
導電性接着剤160は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
The
第一蓋体140は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような第一蓋体140は、真空状態にある第一収容空間K1又は窒素ガスなどが充填された第一収容空間K1を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、パッケージ110の第一枠体110b上に載置され、第一枠体110bの第一封止用導体パターン112aと第一蓋体140の第一封止部材141とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第一枠体110bの第一切欠き119a内に接合される。
The
第一封止部材141は、パッケージ110の第一枠体110bの内側に設けられた第一切欠き119aの上面の設けられた第一封止用導体パターン112aに相対する第一蓋体140の箇所に設けられている。第一凹部142は、矩形状であり、第一蓋体140の下面に設けられている。第一凹部142は、平面透視して、第一水晶素子120の他端と重なる位置に設けられている。また、第一蓋体140の一辺と平行となる第一凹部142の辺の長さは、0.50〜1.3mmとなる。また、第一蓋体140の一辺と交わる辺と平行となる第一凹部142の辺の長さは、0.25〜0.40mmとなる。また、第一凹部142の上下方向の深さは、25〜35μmである。
The
第二蓋体150は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような第二蓋体150は、真空状態にある第二収容空間K2又は窒素ガスなどが充填された第二収容空間K2を気密的に封止するためのものである。具体的には、第二蓋体150は、所定雰囲気で、パッケージ110の第三枠体110d上に載置され、第三枠体110bの第二封止用導体パターン112bと第二蓋体150の第二封止部材151とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第二枠体110cの第二切欠き119b内に接合される。
The
また、第二封止部材151は、パッケージ110の第二枠体110cの内側に設けられた第二切欠き119bの下面に設けられた第二封止用導体パターン112bに相対する第二蓋体150の箇所に設けられている。第二凹部152は、矩形状であり、第二蓋体の150の下面に設けられている。第二凹部152は、平面透視して、第二水晶素子130の他端と重なる位置に設けられている。また、第二蓋体150の一辺と平行となる第二凹部152の辺の長さは、0.50〜1.3mmとなる。また、第二蓋体150の一辺と交わる辺と平行となる第二凹部152の辺の長さは、0.25〜0.40mmとなる。また、第二凹部152の上下方向の深さは、25〜35μmである。
In addition, the
第一封止部材141は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、10〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。また、第二封止部材151は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、10〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。
The
本実施形態における水晶デバイスは、第一水晶素子120の他端及び第二水晶素子130の他端が、平面透視して貫通孔113a、第一凹部142及び第二凹部152と重なる。そのため、水晶デバイスの第二蓋体150を下にして、第二外部接続用電極端子G2を用いて電子機器等のマザーボードに実装したとしても、第一水晶素子120の他端及び第一励振用電極は、基板110aに接触せず、第二水晶素子130の他端及び第二励振用電極132は、第二蓋体150に接触しない。また、水晶デバイスの第一蓋体140を下にして、第一外部接続用電極端子G1を用いて電子機器等のマザーボードに実装したとしても、第一水晶素子120の他端及び第一励振用電極122は、第一蓋体140に接触せず、第二水晶素子130の他端及び第二励振用電極132は、基板110aに接触しない。よって、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の厚みすべり振動が阻害されにくくすることができ、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の両方とも安定して発振周波数を出力することができる。
In the crystal device according to the present embodiment, the other end of the
(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
(First modification)
Hereinafter, the crystal device according to the first modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図5に示されているように、第一水晶素子120の一端と第二水晶素子130の一端とのみが、平面透視して重なるように設けられている点において、本実施形態と異なる。
As shown in FIG. 5, the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment is provided so that only one end of the first
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、第一水晶素子120の他端及び第二水晶素子130の他端が、平面透視して貫通孔113a、第一凹部142及び第二凹部152と重なる。よって、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の厚みすべり振動が阻害されにくくすることができ、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の両方とも安定して発振周波数を出力することができる。
The quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment includes a through hole 113a, a first
本実施形態の第一変形例では、第一水晶素子120と第二水晶素子130によってなす角度が180°の場合を説明したが、第一水晶素子120と第二水晶素子130によってなす角度が90°であっても構わない。
In the first modification of the present embodiment, the case where the angle formed by the
(第二変形例)
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
(Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図6に示されているように、貫通孔113bの平面視した形状の面積が、第一水晶素子120の第一励振用電極122又は第二水晶素子130の第二励振用電極132の面積よりも大きい点で本実施形態と異なる。
As shown in FIG. 6, the crystal device in the second modification example of the present embodiment has the area of the shape of the through hole 113 b in plan view, the
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、貫通孔113bの平面視した形状の面積が、第一水晶素子120の第一励振用電極122又は第二水晶素子130の第二励振用電極132の面積よりも大きい。従って、第一水晶素子120又は第二水晶素子130が撓んだとしても、第一励振用電極122又は第二励振用電極132が基板110と接触することがないため、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の厚みすべり振動が効果的に阻害されにくくすることができ、第一水晶素子120及び第二水晶素子130の両方ともさらに安定して発振周波数を出力することができる。
In the crystal device according to the second modification of the present embodiment, the area of the shape of the through hole 113b in a plan view has the
また、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、第一水晶素子120の第一励振用電極122と第二水晶素子130の第二励振用電極132との間に基板110aが介在されていない。従って、第一水晶素子120の第一励振用電極122と第二水晶素子130の第二励振用電極132との間が真空状態の空間となっているため、基板110aの材質である例えばアルミナの誘電率と比し、真空状態の空間の誘電率の方が小さくなるので、第一水晶素子120の第一励振用電極122と第二水晶素子130の第二励振用電極132との間に発生する浮遊容量を小さくすることができる。
Further, in the crystal device according to the second modification of the present embodiment, the substrate 110 a is interposed between the
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、第一水晶素子120又は第二水晶素子130は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。
In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above embodiment, the case where the
また、第一水晶素子120又は第二水晶素子130は、水晶素板の外周の厚みを薄くし、水晶素板の外周部と比べて水晶素板の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、第一水晶素子又は第二水晶素子のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
Further, the
110・・・パッケージ
110a・・・基板
110b・・・第一枠体
110c・・・第二枠体
111・・・第一電極パッド
112a・・・第一封止用導体パターン
112b・・・第二封止用導体パターン
113a、113b・・・貫通孔
114・・・第二電極パッド
115・・・第一配線パターン
116・・・第一ビア導体
117・・・第二配線パターン
118・・・第二ビア導体
119a・・・第一切欠き
119b・・・第二切欠き
120・・・第一水晶素子
121・・・第一水晶素板
122・・・第一励振用電極
123・・・第一接続用電極
124・・・第一引き出し電極
130・・・第二水晶素子
131・・・第二水晶素板
132・・・第二励振用電極
133・・・第二接続用電極
134・・・第二引き出し電極
140・・・第一蓋体
141・・・第一封止部材
142・・・第一凹部
150・・・第二蓋体
151・・・第二封止部材
152・・・第二凹部
160・・・導電性接着剤
K1・・・第一収容空間
K2・・・第二収容空間
G1・・・第一外部接続用端子
G2・・・第二外部接続用端子
110 ... package 110a ... substrate 110b ... first frame 110c ...
Claims (4)
前記基板の上面に設けられ、一端が前記基板の上面と固定され、他端が前記基板の上面と間が空いた第一水晶素子と、
前記基板の下面に設けられ、一端が前記基板の下面と固定され、他端が前記基板の下面と間が空いた第二水晶素子と、
前記基板の上面に設けられ、前記第一水晶素子を封止するとともに、下面に第一凹部を有する第一蓋体と、
前記基板の下面に設けられ、前記第二水晶素子を封止するとともに、上面に第二凹部を有する第二蓋体と、を備え、
前記第一水晶素子の他端及び前記第二水晶素子の他端が、平面透視して前記貫通孔、前記第一凹部及び前記第二凹部と重なることを特徴とする水晶デバイス。 A substrate having a through hole;
A first crystal element provided on the upper surface of the substrate, one end fixed to the upper surface of the substrate and the other end spaced from the upper surface of the substrate;
A second crystal element provided on the lower surface of the substrate, having one end fixed to the lower surface of the substrate and the other end spaced from the lower surface of the substrate;
A first lid that is provided on the upper surface of the substrate, seals the first crystal element, and has a first recess on the lower surface;
A second lid body provided on the lower surface of the substrate, sealing the second crystal element, and having a second recess on the upper surface;
The other end of the first crystal element and the other end of the second crystal element overlap with the through-hole, the first recess, and the second recess in a plan view.
前記第一水晶素子の一端と前記第二水晶素子の一端とが、平面透視して重なることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
One end of the first crystal element and one end of the second crystal element overlap each other in a plan view.
前記基板には、上面に第一枠部と、下面に第二枠部と、を備え
前記第一枠体の上端の外側に設けられた第一外部接続用電極端子と、前記第二枠体の下端の外側に設けられた第二外部端子と、を有していることを特徴とする水晶デバイス The quartz crystal device according to claim 1 or 2,
The substrate includes a first frame portion on an upper surface and a second frame portion on a lower surface, and a first external connection electrode terminal provided on an outer side of an upper end of the first frame body, and the second frame body. And a second external terminal provided outside the lower end of the quartz device
前記第一水晶素子は、矩形状の第一水晶素板と、前記第一水晶素板の上下面に設けられた第一励振用電極とを有し、
前記第二水晶素子は、矩形状の第二水晶素板と、前記第二水晶素板の上下面に設けられた第二励振用電極とを有し、
前記貫通孔の平面視した形状の面積が、前記第一励振用電極又は前記第二励振用電極の面積よりも大きいことを特徴とする水晶デバイス。 The quartz crystal device according to any one of claims 1 to 3,
The first crystal element has a rectangular first crystal element plate and first excitation electrodes provided on the upper and lower surfaces of the first crystal element plate,
The second crystal element has a rectangular second crystal element plate, and second excitation electrodes provided on the upper and lower surfaces of the second crystal element plate,
The quartz crystal device, wherein an area of the shape of the through hole in plan view is larger than an area of the first excitation electrode or the second excitation electrode.
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CN106209013A (en) * | 2014-08-19 | 2016-12-07 | 英诺晶片科技股份有限公司 | Piezo-electric device and comprise the electronic installation of piezo-electric device |
WO2018092776A1 (en) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社大真空 | Piezoelectric oscillation device |
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CN106209013B (en) * | 2014-08-19 | 2019-02-15 | 英诺晶片科技股份有限公司 | Piezo-electric device and electronic device comprising piezo-electric device |
WO2018092776A1 (en) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社大真空 | Piezoelectric oscillation device |
JPWO2018092776A1 (en) * | 2016-11-17 | 2019-10-17 | 株式会社大真空 | Piezoelectric vibration device |
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