JP2015070504A - Crystal device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と枠体とで構成されたパッケージと、基板の上面に設けられた電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子と、枠体の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。接合部材は、金錫が用いられ、この接合部材に熱を印加することで、蓋体と枠体の上面とを接合することができる。
The crystal device generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. For example, a package composed of a substrate and a frame, a crystal element mounted on an electrode pad provided on the upper surface of the substrate via a conductive adhesive, and a bonding member bonded to the upper surface of the frame A crystal resonator including a lid for hermetically sealing a crystal element has been proposed (see, for example,
上述した水晶デバイスは、蓋体の下面とパッケージの枠体の上面とを接合部材により接合されているため、接合部材が溶融した際に、凹部内に接合部材が入り込み、水晶素子に接合部材が付着してしまう虞がある。また、水晶素子に接合部材が付着してしまうことで、水晶素子の厚みすべり振動が阻害され、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。 In the crystal device described above, since the lower surface of the lid and the upper surface of the frame of the package are bonded by the bonding member, when the bonding member melts, the bonding member enters the recess, and the bonding member is inserted into the crystal element. There is a risk of adhesion. Further, since the bonding member adheres to the crystal element, the thickness-shear vibration of the crystal element is hindered, and the oscillation frequency of the crystal element may fluctuate.
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子に接合部材が付着することを低減し、安定して発振周波数を出力することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a crystal device capable of reducing the adhesion of a bonding member to a crystal element and stably outputting an oscillation frequency.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上の外周縁に沿って設けられた枠体と、基板上であって枠体内に実装された水晶素子と、封止基部と、封止基部の下面に設けられた封止枠部とを有している封止蓋体と、枠体の外側面と封止枠部の内側面との間に設けられた接合部材と、を備えていることを特徴とするものである。 A quartz crystal device according to an aspect of the present invention includes a substrate, a frame provided along an outer peripheral edge on the substrate, a crystal element mounted on the substrate in the frame, a sealing base, and a seal. A sealing lid having a sealing frame provided on the lower surface of the stop base, and a joining member provided between the outer surface of the frame and the inner surface of the sealing frame. It is characterized by that.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上の外周縁に沿って設けられた枠体と、基板上であって前記枠体内に実装された水晶素子と、封止基部と、封止基部の下面に設けられた封止枠部とを有している封止蓋体と、枠体の外側面と封止枠部の内側面との間に設けられた接合部材と、を備えている。このようにすることによって、接合部材が溶融した際に、水晶素子に溶融した接合部材が付着することを低減することができる。また、このような水晶デバイスは、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されず、安定して発振周波数を出力することが可能となる。 A crystal device according to one aspect of the present invention includes a substrate, a frame provided along an outer peripheral edge on the substrate, a crystal element mounted on the substrate in the frame, a sealing base, A sealing lid having a sealing frame provided on the lower surface of the sealing base, and a bonding member provided between the outer surface of the frame and the inner surface of the sealing frame. I have. By doing in this way, when a joining member fuse | melts, it can reduce that the joined joining member fuse | melted to the quartz crystal element. In addition, such a quartz crystal device can stably output an oscillation frequency without inhibiting the thickness shear vibration of the quartz crystal element.
本実施形態における水晶デバイスは、図1及び図2に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の上面に接合された水晶素子120と、パッケージ110の枠体110bの外側面と接合された封止蓋体130とを含んでいる。パッケージ110には、基板110aの上面と枠体110bの内側面によって囲まれた第一凹部K1が形成されている。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal device according to the present embodiment is bonded to the
基板110aは、矩形状であり、パッケージ110の上面で接合された水晶素子120を実装するための実装部材として機能するものである。基板110aは、上面に、水晶素子120を接合するための電極パッド111が設けられている。
The substrate 110 a has a rectangular shape and functions as a mounting member for mounting the
基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面又は内部には、上面に設けられた電極パッド111と、基板110aの下面に設けられた外部端子112とを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。 The substrate 110a is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110a may be one using an insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. A wiring pattern and a via conductor for electrically connecting the electrode pad 111 provided on the upper surface and the external terminal 112 provided on the lower surface of the substrate 110a are provided on the surface or inside of the substrate 110a.
枠体110bは、基板110aの上面に配置され、基板110aの上面に第一凹部K1を形成するためのものである。枠体110bは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。 The frame 110b is disposed on the upper surface of the substrate 110a, and is for forming the first recess K1 on the upper surface of the substrate 110a. The frame 110b is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is formed integrally with the substrate 110a.
電極パッド111は、水晶素子120を実装するためのものである。電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿って隣接して設けられている。電極パッド111は、基板110aに設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板110aの下面に設けられた外部端子112と電気的に接続されている。
The electrode pad 111 is for mounting the
外部端子112は、電子機器等のマザーボードに実装するためのものである。外部端子は、基板110aの下面の四隅に設けられている。外部端子112の内の二つの端子は、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111とそれぞれ電気的に接続されている。また、電極パッド111と電気的に接続されている外部端子112は、基板110aの下面の対角に位置するように設けられている。 The external terminal 112 is for mounting on a motherboard such as an electronic device. The external terminals are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110a. Two of the external terminals 112 are electrically connected to a pair of electrode pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110a. The external terminals 112 that are electrically connected to the electrode pads 111 are provided so as to be located diagonally on the lower surface of the substrate 110a.
ここでパッケージ110を平面視したときの一辺の寸法が、0.8〜3.0mmであり、パッケージ110の上下方向の寸法が、0.7〜1.5mmである場合を例にして、第一凹部K1の大きさを説明する。第一凹部K1の長辺の長さは、0.7〜2.5mmであり、短辺の長さは、0.5〜2.0mmとなっている。第一凹部K1の上下方向の長さは、0.2〜0.5mmとなっている。
Here, taking the case where the size of one side when the
ここで、パッケージ110の作製方法について説明する。基板110a及び枠体110bがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド111又は外部端子112となる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
Here, a method for manufacturing the
水晶素子120は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
As shown in FIG. 2, the
水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122、引き出し電極123を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。引き出し電極123は、励振用電極122から水晶素板121の短辺に向かって延出され、水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、電極パッド111と接続されている水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子120が基板110a上に固定されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が引き出し電極123から励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
Here, the operation of the
ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122及び引き出し電極123を形成することにより作製される。
Here, a manufacturing method of the
水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって電極パッド111上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして、導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111に接合される。
A method for bonding the
導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
The
封止蓋体130は、図2及び図3に示すように、矩形状の封止基部130aと、封止枠部130bとで構成されており、封止基部130aの下面と封止枠部130bの内側側面とで第二凹部K2が形成されている。封止枠部130bは、封止基部130aの下面に第二凹部K2を形成するためのものである。封止枠部130bは、封止基部130aの下面の外縁に沿って設けられている。第二凹部K2内には、パッケージ110の枠体110bが収容されるようにして設けられている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the sealing
封止基部130a及び封止枠部130bは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体130は、真空状態にある第一凹部K1又は窒素ガスなどが充填された第一凹部K1を気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体130は、所定雰囲気で、封止基部130aが枠体110bの上面に載置され、枠体110bの外側面と封止蓋体130の封止枠部130bの内側面との間に設けられた接合部材150とが熱が印加されることで、溶融接合される。このようにすることにより、封止蓋体130を枠体110bに接合する際に、溶融した接合部材150が枠体110bの上面まで溢れ出たとしても、第一凹部K1内に接合部材150が入り込むことを低減することができる。
The sealing base portion 130a and the sealing frame portion 130b are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a sealing
ここで封止蓋体130を平面視したときの一辺の寸法が、1.0〜3.2mmである場合を例にして、第二凹部K2の大きさを説明する。第二凹部K2の長辺の長さは、1.4〜3.0mmであり、短辺の長さは、0.8〜2.3mmとなっている。第二凹部K2の上下方向の長さは、0.2〜0.5mmとなっている。第二凹部K2の大きさが、パッケージ110の外形寸法よりも大きくなるように設けられており、パッケージ110が封止蓋体130の第二凹部K2内に収容されるようにして接合されることになる。
Here, the magnitude | size of the 2nd recessed part K2 is demonstrated to the case where the dimension of one side when the sealing
接合部材150は、図2に示すように、封止枠部130bの内側面から枠体110bの外側面にかけて設けられている。接合部材150は、例えば、ガラスの場合には、300℃〜400℃で溶融するガラスであり、例えばバナジウムを含有した低融点ガラス又は酸化鉛系ガラスから構成されている。ガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材150は、例えば、ガラスフリットペーストをスクリーン印刷法で封止枠部130bの内側面又は枠体110bの外側面に塗布され乾燥することで設けられる。また、この酸化鉛系ガラスの組成は、酸化鉛、フッ化鉛、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化第二鉄、酸化銅及び酸化カルシウムとから構成されている。
As shown in FIG. 2, the joining
接合部材150は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。枠体110bの外側面と封止蓋体130の封止枠部130bの内側面との間に設けられた接合部材150の厚みは、30〜100μmとなっている。
For example, in the case of an insulating resin, the
接合部材150は、例えば、金錫の場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、金が70〜80%、錫が20〜30%のものを使用しても良い。また、接合部材150は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、銀が70〜80%、銅が20〜30%のものを使用しても良い。
For example, when the joining
本実施形態における水晶デバイスは、基板110aと、基板110a上の外周縁に沿って設けられた枠体110bと、基板110a上であって枠体110b内に実装された水晶素子120と、封止基部130aと、封止基部130aの下面に設けられた封止枠部130bとを有している封止蓋体130と、枠体110bの外側面と封止枠部130bの内側面との間に設けられた接合部材150と、を備えている。このようにすることによって、封止蓋体130の封止枠部130の内側面と枠体110bの外側面とを接合させるので、溶融した接合部材150が枠体110bの上面まで溢れ出たとしても、第一凹部K1内に接合部材150が入り込むことを低減することができる。よって、水晶素子120に溶融した接合部材150が付着することを低減することができる。また、水晶素子120に接合部材が付着することを抑えるので、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されず、水晶デバイスは、安定して発振周波数を出力することが可能となる。
The crystal device according to the present embodiment includes a substrate 110a, a frame 110b provided along the outer peripheral edge on the substrate 110a, a
(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図4に示されているように、封止蓋体230が、枠体110bの上面と封止基部230bの下面とが接触するように配置されている点で実施形態と異なる。
(First modification)
Hereinafter, the crystal device according to the first modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same parts as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate. In the crystal device according to the first modification of the present embodiment, as shown in FIG. 4, the sealing
封止蓋体230は、図4に示されているように、枠体110bの上面と封止基部230bの下面とが接触するように配置され、枠体110bの外側面と封止蓋体230の封止枠部230bの内側面とが接合部材150を介して接合されている。このようにすることにより、封止蓋体230は、パッケージ110の枠体110bと位置ズレを起こすことなく、安定して接合することができる。
As shown in FIG. 4, the sealing
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、枠体110bの上面と封止蓋体230の封止基部230bの下面とが接触するように配置されていることによって、封止蓋体230がパッケージ110の枠体110bと位置決めを容易にすることができ、安定して接合することが可能となる。このようにすることで、パッケージ110の第一凹部K1内の気密封止性を維持することができる。また、封止蓋体230をパッケージ110の枠体110bに接合する際に、接合部材150が溶融して飛散したとしても、枠体110bの上面と封止蓋体230の封止基部230bの下面とが接触していることで、接合部材150が第一凹部K1内に入り込むことをさらに低減することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子120に接合部材150が被着することをさらに低減し、安定して発振周波数を出力することができる。
The quartz crystal device according to the first modified example of the present embodiment is arranged so that the upper surface of the frame body 110b and the lower surface of the sealing base portion 230b of the sealing
(第二変形例)
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図5に示されているように、パッケージ210には、基板210aの下面に設けられた外部端子212の内の一つと電気的に接続された導体パッド213が枠体210b上に設けられ、その導体パッド213と封止蓋体130の封止基部130aと導電性接合材160にて接合されている点で実施形態と異なる。
(Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment, the same parts as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate. As shown in FIG. 5, the crystal device in the second modification of the present embodiment is electrically connected to one of the
枠体210bの上面には、導体パッド213が少なくとも一つ設けられている。この導体パッド213は、基板210aの下面に設けられた外部端子212の内の一つと基板210a及び枠体210bの内部に設けられたビア導体及び配線パターンを介して電気的に接続されている。導体パッド213は、封止蓋体130の封止基部130aと導電性接合材160を介して機械的及び電気的に接合されている。また、外部端子212の内の一つが、外部の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されることによって、封止蓋体130は、グランド電位と接続されることになる。このようにすることによって、外部電磁波ノイズが水晶素子120に重畳することを低減することができる。また、封止蓋体130がグランド電位と接続されていることで、上から金属板等が水晶デバイスに近接しても、近接した金属板と水晶素子120との間で浮遊容量が発生しにくくなり、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。
At least one conductor pad 213 is provided on the upper surface of the frame body 210b. The conductor pad 213 is electrically connected to one of the
導電性接合材160は、例えば、金錫の場合には、導電性接合材160の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、金が70〜80%、錫が20〜30%のものを使用しても良い。また、導電性接合材160は、例えば、銀ロウの場合には、導電性接合材160の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、銀が70〜80%、銅が20〜30%のものを使用しても良い。 For example, when the conductive bonding material 160 is gold tin, the thickness of the layer of the conductive bonding material 160 is 10 to 40 μm. For example, the component ratio is 70 to 80% for gold and 20 to 20 for tin. 30% may be used. Further, when the conductive bonding material 160 is, for example, silver solder, the thickness of the layer of the conductive bonding material 160 is 10 to 40 μm. For example, the component ratio is 70 to 80% for silver and copper is used. You may use a 20-30% thing.
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、基板210aの下面に設けられた外部端子213の内の一つと電気的に接続された導体パッド213が枠体210b上に設けられ、その導体パッド213と封止蓋体130の封止基部130aと導電性接合材160にて接合されている。このようにすることで、封止蓋体130は、グランド電位と接続されることになり、外部電磁波ノイズが水晶素子120に重畳することを低減することができる。また、封止蓋体130がグランド電位と接続されていることで、上から金属板等が水晶デバイスに近接しても、近接した金属板と水晶素子120との間で浮遊容量が発生しにくくなり、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。
In the crystal device according to the second modification of the present embodiment, a conductor pad 213 electrically connected to one of the external terminals 213 provided on the lower surface of the substrate 210a is provided on the frame 210b, and the conductor pad is provided. 213, the sealing base 130 a of the sealing
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態の第一変形例では、枠体110bが基板110aと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体110bが金属製であっても構わない。この場合、枠体110bは、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。 In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the first modification of the above-described embodiment, the case where the frame body 110b is integrally formed of a ceramic material similarly to the substrate 110a has been described. However, the frame body 110b may be made of metal. In this case, the frame 110b is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper.
上記実施形態では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。音叉型屈曲水晶素子は、水晶片と、その水晶片の表面に設けられた励振電極と、引き出し用電極と、周波数調整用金属膜とにより構成されている。水晶片は、水晶基部と水晶振動部とからなり、水晶振動部が第一水晶振動部及び第二水晶振動部とから成る。水晶基部は、結晶の軸方向として電気軸がX軸、機械軸がY軸、及び光軸がZ軸となる直交座標系としたとき、X軸回りに−5°〜+5°の範囲内で回転させたZ′軸の方向が厚み方向となる平面視略四角形の平板である。第一水晶振動部及び第二水晶振動部は、水晶基部の一辺からY′軸の方向に平行に延設されている。このような水晶片は、水晶基部と各水晶振動部とが一体となって音叉形状を成しており、フォトリソグラフィー技術と化学エッチング技術により製造される。 In the above embodiment, the case where the crystal element for AT is used as the crystal element has been described. An element may be used. The tuning fork-type bent quartz crystal element includes a quartz piece, an excitation electrode provided on the surface of the quartz piece, a lead electrode, and a frequency adjusting metal film. The crystal piece includes a crystal base portion and a crystal vibration portion, and the crystal vibration portion includes a first crystal vibration portion and a second crystal vibration portion. The crystal base has an orthogonal coordinate system in which the electrical axis is the X axis, the mechanical axis is the Y axis, and the optical axis is the Z axis as the crystal axis direction, within a range of −5 ° to + 5 ° around the X axis. This is a flat plate having a substantially rectangular shape in a plan view in which the direction of the rotated Z ′ axis is the thickness direction. The first crystal vibrating part and the second crystal vibrating part are extended in parallel with the Y′-axis direction from one side of the crystal base part. Such a crystal piece has a tuning fork shape in which a crystal base and each crystal vibration part are integrated, and is manufactured by a photolithography technique and a chemical etching technique.
また、水晶素子120のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板121とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板121とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板121とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させることで、水晶素板121が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
A bevel processing method for the
また、上記実施形態においては、加熱炉を用いて接合部材を溶融させ接合しているが、接合部材にレーザ等を照射することにより接合部材を加熱溶融させて気密封止をする方法でも構わない。このレーザの種類としては、例えば、炭酸ガスレーザ、YAGレーザ、YVO4レーザ、半導体レーザ、エキシマレーザ等を用いる。 Moreover, in the said embodiment, although the joining member is melted and joined using a heating furnace, the method of carrying out airtight sealing by heating and melting a joining member by irradiating a laser etc. to a joining member may be sufficient. . As the type of this laser, for example, a carbon dioxide laser, a YAG laser, a YVO 4 laser, a semiconductor laser, an excimer laser or the like is used.
110a、211a・・・基板
110b、210b・・・枠体
110、210・・・パッケージ
111、211・・・電極パッド
112、212・・・外部端子
213・・・導体パッド
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・引き出し電極
130、230・・・封止蓋体
130a、230a・・・封止基部
130b、230b・・・封止枠部
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
160・・・導電性接合材
K1・・・第一凹部
K2・・・第二凹部
110a, 211a ... substrate 110b, 210b ...
Claims (3)
前記基板上の外周縁に沿って設けられた枠体と、
前記基板上であって前記枠体内に実装された水晶素子と、
封止基部と、前記封止基部の下面に設けられた封止枠部とを有している封止蓋体と、
前記枠体の外側面と前記封止枠部の内側面との間に設けられた接合部材と、を備えたことを特徴とする水晶デバイス。 A substrate,
A frame provided along an outer peripheral edge on the substrate;
A crystal element mounted on the substrate and in the frame;
A sealing lid having a sealing base and a sealing frame provided on the lower surface of the sealing base;
A crystal device, comprising: a joining member provided between an outer surface of the frame body and an inner surface of the sealing frame portion.
前記封止蓋体は、前記枠体の上面と前記封止基部の下面とが接触するように配置されていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
The crystal device according to claim 1, wherein the sealing lid is disposed so that an upper surface of the frame body and a lower surface of the sealing base are in contact with each other.
前記枠体の上面に設けられ、前記基板の下面に設けられた外部端子の内の一つと電気的に接続された導体パッドを備え、
前記導体パッドと前記封止基部とが接合されていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
A conductive pad provided on the upper surface of the frame and electrically connected to one of the external terminals provided on the lower surface of the substrate;
The crystal device, wherein the conductor pad and the sealing base are joined.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013204309A JP2015070504A (en) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | Crystal device |
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JP2013204309A JP2015070504A (en) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | Crystal device |
Publications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013204309A patent/JP2015070504A/en active Pending
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JPWO2019065519A1 (en) * | 2017-09-27 | 2019-11-14 | 株式会社村田製作所 | Piezoelectric vibrator and method for manufacturing the piezoelectric vibrator |
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CN111108688B (en) * | 2017-09-27 | 2023-09-26 | 株式会社村田制作所 | Piezoelectric vibrator and method for manufacturing piezoelectric vibrator |
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